常用半导体器件复习题.doc

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1、-第1章 常用半导体器件一、判断题正确打“,错误打“,每题1分1在N型半导体中,如果掺入足够量的三价元素,可将其改型成为P型半导体。 2在N型半导体中,由于多数载流子是自由电子,所以N型半导体带负电。3本征半导体就是纯洁的晶体构造的半导体。 4PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。 5使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏,且集电结也是正偏。 6晶体三极管的值,在任何电路中都是越大越好。( )7模拟电路是对模拟信号进展处理的电路。( )8稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( )9发光二极管不管外加正向电压或反向电压均可发光。( )10光电二极管外加适宜的正向电压时,可以正常发光

2、。( )一、判断题答案:每题1分1; 2; 3; 4; 5; 6; 7;8; 9; 10。二、填空题每题1分1N型半导体中的多数载流子是电子,P型半导体中的多数载流子是 。2由于浓度不同而产生的电荷运动称为 。3晶体二极管的核心部件是一个,它具有单向导电性。4二极管的单向导电性表现为:外加正向电压时,外加反向电压时截止。5三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结偏置。6场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是:场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b,源极S对应晶体三极管,漏极D对应晶体三极管的集电极c。7PN结加正向电压时,空间电荷区将。 8稳压二极管正常工作时,在稳压管两端加上一定

3、的电压,并且在其电路中串联一支限流电阻,在一定电流围表现出稳压特性,且能保证其正常可靠地工作。 9晶体三极管三个电极的电流IE、IB、IC的关系为: 。10发光二极管的发光颜色决定于所用的,目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色 。二、填空题答案:每题1分1空穴2扩散运动3PN结 4导通5反向6发射机e 7变薄8反向9IEIBIC10材料三、单项选择题将正确的答案题号及容一起填入横线上,每题1分1在本征半导体中参加元素可形成N型半导体,参加三价元素可形成P型半导体。A、五价 B、四价 C、三价 D、二价2在本征半导体材料中,有目的的掺入杂质后,改变了。A、多子的浓度B、少子的浓度C、半导体的体积D、P

4、N结的导电性能3当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。A、增大 B、不变 C、减小 D、为零4设二极管导通电压UD0.7V,图示电路的输出电压值U0为。A、0V B、2V C、1.3V D、-1.3V5晶体二极管具有 。A、单向导电性B、双向导电性 C、对信号有放大作用 D、负载特性6要使发光二极管正常发光,其两端需外加: 。A、正向电压 B、反向电压 C、 正、反向电压均可 D、零偏置电压7稳压二极管一旦被反向硬击穿,将 。A、保持原导电性能不变 B、绝对不能再使用C、性能变坏,可以继续使用D、对原电路没有影响8工作在放大区的*三极管,如果当IB从12A增大到22A时,IC从1mA变为2m

5、A,则它的约为。 A、83 B、91 C、100 D、10009极限参数是为了晶体管平安工作对它的电压、电流和功率损耗的限制,属于晶体管极限参数的为。A、共射极电流放大倍数值 B、特征频率fTC、最大集电极耗散功率PCMD、静态工作点的电压值10图示电路中VB=0V,二极管的管压降可以不计,当VA由0V跳到3V后,Y的电位应为。 A、3V B、0V C、12V D、没法确定三、单项选择题答案:(每题1分1A、五价2. A、多子的浓度3. A、增大 4. A、0V5. A、单向导电性6. A、正向电压7. B、绝对不能再使用8. C、1009C、最大集电极耗散功率PCM10B、0V四、简答题每题

6、5分1.怎样由本征半导体得到P型半导体?2. 怎样由本征半导体得到N型半导体?3.硅三极管BE结的导通电压为多少伏?4. 锗三极管BE结的导通电压为多少伏?5.二极管的主要参数有哪些?6.为什么半导体器件的温度稳定性差?是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素?四、简答题答案:每题5分1.答:在本征半导体中掺入三价元素如硼可得到P型半导体。2.答:在本征半导体中掺入五价元素如磷可得到N型半导体。3.答:硅三极管BE结的导通电压为0.50.7伏。4. 锗三极管BE结的导通电压为0.20.3伏。5.答:二极管的主要参数有:最大整流电流IF;最高反向工作电压UR;最大瞬时值反向电流 IR;最高工作频

7、率fM。6.答:因为在把半导体中存在两种运载电荷的粒子,即载流子。外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。由于载流子数目很少,故导电性很差。温度升高,热运动加剧,本证激发加剧,使少数载流子浓度增大,但掺杂浓度不变,相对增加较多的是少数载流子,使导电性增强,产生较大的噪声。所以少子是影响温度稳定性的主要因素。五、画图题每题5分1.电路如下图,设二极管正向导通时的电压可忽略不计,10sint(v),试画出与的波形注意时间坐标的对应关系。2.电路如下图,5sint (V),二极管导通电压UD0.7V。试画出与的波形,并标出幅值注意时间坐标的对应关系。3.现测得*放大电路

8、中两只三极管的两个电极的电流如下图。分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子符号。4.测得*放大电路中六只晶体管的各电极直流电位分别如下图,这些管子均处于放大状态。在圆圈中画出管子符号,并分别说明它们是硅管还是锗管。五、画图题答案:每题5分1.解:根据的表达式10sint(v),可画出输入信号波形如图中的所示;正半周期时二极管正向偏置而导通,又因二极管正向导通时的电压可忽略不计,所以。负半周期时二极管因反向偏置而截止,回路中无电流,所以输出电压0。画出与的对应波形如下图。2.解:假设考虑二极管导通电压UD0.7V,由电路可以看出,当-3.7V+3.7V时,二极管D1和D2均截止

9、,回路中无电流,所以;正半周期且高于3.7V时,二极管D1正向偏置而导通,D2因反偏而截止,所3V+0.7V=3.7V。负半周期时且低于-3.7V时,二极管D2因正向偏置而导通,D1因反偏而截止,所以-3V+0.7V=-3.7V。画出与的对应波形如下图。3.解:根据基尔霍夫电流定律和晶体管三个电极的各电极电流关系,对于a图,第三个电极流出的电流I=10A+1mA=1.1 mA,且这个电极应为发射极Ie符合Ie=Ib+IC,根据电流的流向,该管应为NPN型管;对于b图,第三个电极流出的电流I= 5.1 mA - 100A= 5 mA,且这个电极应为集电极 IC符合IC=IE-IB,根据电流的流向,该管应为PNP型管。分别画出两只管子的符号如下图。4.解:由于硅管BE结的导通电压为0.50.8V,锗管BE结的导通电压为0.10.3V;NPN管正常放大应为正电压,即VCVBVE,而PNP管应为负电压,即VCVBVE;根据晶体管的放大条件,综合上述特点,得出各晶体管三个电极分别为上、中、下管脚及管型和材料得出如下结论:管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe画出各管子的图形如下列图所示:. z.

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