半导体存储器ppt课件.ppt

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1、第六章 半导体存储器,6.1 概述 6.2 顺序存取存储器( SAM) 6.3 随机存取存储器( RAM) 6.4 只读存储器(ROM),第六章 半导体存储器,6.1 概述,存储器是存储信息的器件,主要用来存放二进制数据、程序和信息,是计算机等数字系统中不可缺少的组成部分。,6.1.1 半导体存储器的特点,集成度高,体积小,可靠性高,价格低,外围电路简单易于批量生产,6.1.2 半导体存储器的分类,按存取功能,半导体存储器可分为 :,顺序存取存储器SAM(Sequential access memory)。,按器件类型 ,半导体存储器可分为:,双极型存储器和MOS型存储器,只读存储器ROM(R

2、ead-only memory ),随机存取存储器RAM(Random access memory),6.2 顺序存取存储器( SAM),SAM 是一种按顺序串行地写入或读出的存储器,也成为串行存储器,由于SAM的数据是按一定顺序串行写入或读出,所以它实质上就是移位寄存器。,SAM按数据读出的顺序分为先入先出和先入后出型。,6.3 随机存取存储器( RAM),存储单元, 存放一位二进制数的基本单元(即位)。,存储容量, 存储器含存储单元的总个(位)数。,存储容量 = 字数(word) 位数(bit),地址, 存储器中每一个字的编号,2561,2564 一共有 256 个字,需要 256 个地址

3、,10244,10248 一共有 1024 个字,需要 1024 个地址,地址译码, 用译码器赋予每一个字一个地址,N 个地址输入,能产生 2N 个地址,一元地址译码(单向译码、基本译码、字译码),二元地址译码(双向译码、位译码) 行译码、列译码,6.3.1 RAM 的结构与工作原理,CS,I / O,例 对 256 4 存储矩阵进行地址译码,一元地址译码,8线 256线,缺点: n 位地址输入的译码器,需要 2n 条输出线。,1 0 1 0,二元地址译码,4线 16线,1 0.0,1 0 0,8 位地址输入的地址译码器,只有 32条输出线。,25 (32) 根行选择线,10 根地址线, 2n

4、 (1024)个地址,25 (32)根列选择线,1024 个字排列成, 32 32 矩阵,当 X0 = 1,Y0 = 1 时,,对 0-0 单元读(写),当X31 = 1,Y31 = 1时,,对 31-31 单元读(写),例 1024 1 存储器矩阵,6.3.2 RAM的存储单元,(一) 静态存储单元,基本工作原理:,T5、T6 门控管控制触发器与位线的连通,0,读操作时:,写操作时:,T7、T8 门控管控制位线与数据线的连通,0,MOS管为简化画法,1. 六管 NMOS 存储单元,1,导通,0,截止,特点:,断电后数据丢失,2. 六管 CMOS 存储单元,N,P,特点:,PMOS 作 NMO

5、S负载,功耗极小,可在交流电源断电后,靠电池保持存储数据.,(二) 动态存储单元,1. 四管动态存储单元,T5、T6 控制对位线的预充电,VDD,1,导通,0,截止,T3、T4 门控管控制存储单元与位线的连通,T7、T8 门控管控制位线与数据线的连通,若无预充电,在“读”过程中 C1 存储的电荷有所损失,使数据 “1”被破坏,而预充电则起到给 C1 补充电荷的作用,即进行一次刷新。,2. 三管动态存储单元,读操作:,先使读位线预充电到高电平,当读字线为高电平时 T3 导通,若 C 上存有电荷 (1)使 T2 导通, 则 CB 放电, 使读位变为低电平 (0),若 C 上没有电荷 (0)使 T2

6、 截止, 则 CB 不放电, 使读位线保持高电平 (1),写操作:,当写字线为高电平时 T1 导通,将输入信号送至写位线,则将信息存储于 C 中,6.3.3 RAM 存储容量的扩展,(一) 位扩展,地址线、读/写控制线、片选线并联,输入/ 输出线分开使用,如:用 8 片 1024 1 位 RAM 扩展为 1024 8 位 RAM,00,10,(二) 字扩展,(三)RAM 芯片举例,片 选,输出使能,写入控制,6.4 只读存储器(ROM)6.4.1 ROM 的分类,分类,掩模 ROM,可编程 ROM(PROM Programmable ROM),可擦除可编程 ROM(EPROM Erasable

7、 PROM),说明:,掩模 ROM,PROM,生产过程中在掩模板控制下写入,内容固定,不能更改,内容可由用户编好后写入,一经写入不能更改,紫外光擦除(约二十分钟),EPROM,存储数据可以更改,但改写麻烦,工作时只读,EEPROM 或 E2PROM,电擦除(几十毫秒),6.4.2 ROM 的逻辑结构与工作原理,1. 基本结构,一、ROM 的结构示意图,地址输入,数据输出, n 位地址, b 位数据,最高位,最低位,2. 内部结构示意图,存储单元,数据输出,字线,位线,地址译码器,ROM 存储容量 = 字线数 位线数 = 2n b(位),地址输入,3. 逻辑结构示意图,2n个与门构成 n 位二进

8、制译码器 , 输出2n 个最小项。,.,n个输入变量,b 个输出函数,或门阵列,与门阵列,二、ROM 的基本工作原理,1. 电路组成,二极管或门,二极管与门,位线,字线,输出缓冲,2. 工作原理,输出信号的逻辑表达式,字线:,位线:,输出信号的真值表,0 1 0 1,A1 A0,D3 D2 D1 D0,1 0 1 0,0 1 1 1,1 1 1 0,3. 功能说明,(1) 存储器,(2) 函数发生器,地址,存储数据,输入变量,输出函数,(3) 译码编码,字线,编码,0 1 0 1,1 0 1 0,0 1 1 1,1 1 1 0,A1 A0,0 0,0 1,1 0,1 1,输入变量,输出函数,第

9、六章 小结1. 随机存取存储器(RAM),组成 :主要由地址译码器、读/写控制电路和存储矩 阵三部分组成。,功能 :可以随时读出数据或改写存储的数据,并且 读、写数据的速度很快。,种类 :分为静态 RAM 和动态 RAM 。,应用 :多用于经常更换数据的场合,最典型的应用 就是计算机中的内存。,特点:断电后,数据将全部丢失。,2. 只读存储器(ROM),分类:掩模 ROM 可编程 ROM(PROM) 可擦除可编程 ROM(EPROM),只读存储器ROM中存储的内容一旦写入,在工作过程中不会改变,断电后数据也不会丢失,所以ROM也称为固定存储器,它在正常工作时,只能读出信息,不能随时写入信息。,

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