材科单组元相图及纯晶体的凝固ppt课件.pptx

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1、第六章 单组元相图及纯晶体的凝固,单组元晶体（纯晶体）：由一种元素或化合物构成的晶体。该体系称为单元系(Single-component system)。,从一种相到另一种相的转变称为相变,组元：组成一个体系的基本单元，如单质（元素）和稳定化合物,相（phase）：体系中具有相同物理与化学性质的，且与其他部分以界面分开的均匀部分,若转变前后均为固相，则成为固态相变(Solid-solid transformation)，从液相转变为固相的过程称为凝固(Solidification)。若凝固后的产物为晶体称为结晶(Crystallization)。,基本概念,单元系相图(Single-compo

2、nent system phase diagram)：表示了在热力学平衡条件下所存在的相与温度和压力之间的对应关系。,相图(phase diagram)：表示合金系中合金的状态与温度、成分之间的关系的图形，又称为平衡图或状态图。,凝固的意义：金属材料绝大多数用冶炼来方法生产出来，即首先得到的是液态，经过冷却后才得到固态，固态下材料的组织结构（宏观状态、结晶状态、晶体结构缺陷）与从液态转变为固态的过程有关，从而也影响材料的性能。,6.1 单元系相变热力学及相平衡,6.1.1 相平衡条件和相律,处于平衡状态的多元系中可能存在的相数可用吉布斯相律表示之：,式中，f为体系自由度数，C为体系组元数，P为

3、相数， 2表示温度和压力二个变量。,在常压下：,相律给出了平衡状态下体系中存在的相数与组元数及温度、压力之间的关系，对分析和研究相图有重要的指导作用。,Gibbs相律的局限性,只适用于热力学的平衡状态，包括热量平衡、压力平衡、化学平衡。相律只能表示体系中组元与相的数目，而不能指明组元与相的类型和含量。相律不能预告反应动力学，即反应速度。体系的自由度不能小于零。,6.1.2 单元系相图,单元系相图是通过几何图形描述由单一组元构成的体系在不同温度和压力条件下所可能存在的相及多相的平衡。,现以水为例说明单元系相固的表示和测定方法：,H2O的相图(a)温度与压力都能变动(b)只有温度能变动,在单元系中

4、除了可以出现气、液、固三相之间的转变外，某些物质还可能出现固态中的同素异构转变，如：,(a)纯铁的相图 (b)只有温度变动的情况,除了某些纯金属，如铁等具有同素异构转变之外，在某些化合物中也有类似的转变，称为同分异构转变或多晶型转变，如：,SiO2平衡相图,上述相图中的曲线所表示的两相平衡时的温度和压力的定量关系，可由克劳修斯(Clausius)-克拉珀龙 (C1apeyron)方程决定，即,式中， 为相变潜热； 为摩尔体积变化；T是两相平衡温度。,当高温相转变为低温相时， ，如果相变后体积收缩，即 ， 则 ，相界线斜率为正；如果相变后体积膨胀，即 ， 则 ，相界线斜率为负。,同素（分）异构转

5、变时的体积变化很小，故固相线几乎是垂直的。,有些物质在稳定相形成前，先形成自由能较稳定相高的亚稳相，这称为Ostwald阶段，即在冷却过程中相变顺序为,高温相(unstable),亚稳相(metastable),稳定相(stable),有时可扩充相图，使其同时包含可能出现的亚稳相:,包含在SiO2系统中出现亚稳相的相图,二氧化硅的多晶型转变,位移型相变（Displasive transformation)重建型相变（Reconstructive transformation),6.2 纯晶体的凝固,6.2.1 液态结构,液体中原子间的平均距离比固体中略大； 液体中原子的配位数比密排结构晶体的配

6、位数减小； 液态结构的最重要特征是原子排列为长程无序，短程有序，存在结构起伏。,由X射线衍射分析得到的液体和固体结构数据的比较,气体,液体,晶体（固体）,长程有序,短程有序、长程无序,有序原子团,长程无序,气体、液体和晶体的分子（原子）排列特点,不同聚集状态物质的X射线衍射强度 随入射角度变化的分布曲线,综上所述:液体是固体和气体的中间相，液体结构在气化点和凝固点之间变化很大，在高温（接近气化点）时与气体接近，在稍高于熔点时与晶体接近。由于通常接触的熔体多是离熔点温度不太远的液体，故把熔体的结构看作与晶体接近更有实际意义。,6.2.2 晶体凝固的热力学条件,自由能,在等压时，dp0，所以可推导

7、得：,由于熵S恒为正值，所以自由能是随温度而减小,H是焓；T是热力学温度；S是熵,自由能随温度变化示意图,在一定温度下，从一相转变为另一相的自由能变化为令液相转变为固相后的单位体积自由能变化为 ，则 由于恒压下，式中Lm是熔化潜热，表示固相转变为液相时，体系向环境吸热，定义为正值； 为固体的熔化熵。,（1）,（2）,（3）,将（2）（3）式代入（1），可得,式中，TTm-T ，为过冷度，欲使GV0。晶体凝固的热力学条件表明，实际凝固温度应低于熔点Tm ，即需要有过冷度（Undercooling or Supercooling )。,液态材料在理论结晶温度以下仍保持液态的现象称为过冷。,晶体的凝

8、固是通过形核与长大两个过程进行的 ，形核方式可以分为两类： 1）均匀形核核 (Homogeneous nucleation)2）非均匀形核(Heterogeneous nucleation),液体,形核,长大,长大,晶核,晶核长大,新的晶核,液体消失，结晶完成,晶体,晶粒相互接触,结晶的一般过程,6.2.3 形核,金属Ni的晶粒,晶体晶粒度的评定,这时候存在两种情况：（1）当热起伏较小时，形成的颗粒太小，新生相的颗粒度愈小，其饱和蒸汽压和溶解度都大，会蒸发或溶解而消失于母相，而不能稳定存在。我们将这种尺寸较小而不能稳定长大成新相的区域称为晶胚。（2） 热起伏较大，界面对体积的比例就减少，当热起

9、伏达到一定大小时，系统自由焓变化由正值变为负值，这种可以稳定成长的新相称为晶核。,1. 均匀形核a. 晶核形成时的能量变化和临界晶核,假定晶胚为球形，半径为r，当过冷液中出现一个晶胚（Embryo)时，总的自由能变化G应为,在一定温度下，Gv和是确定值，所以G是r的函数。,G随r的变化曲线示意图,当晶胚的半径 ，晶胚消失；当晶胚的半径 ，晶胚长大为晶核(Nucleus)。,由,可得晶核临界半径,由式可知，过冷度T越大，临界半径则越小，则形核的几率越大，晶核数目增多。,形核功为：,A*为临界晶核表面积：,液相必须处于一定的过冷条件时方能结晶，而液体中客观存在的结构起伏和能量起伏是促成均匀形核的必

10、要因素。,b. 形核率,形核率受两个因素的控制，即形核功因子（exp(-G*/kT)）和原子扩散的几率因子（exp(-Q/kT)） ，因此形核率为,形核率定义：单位时间单位体积内形成的核心数目。,形核率与温度的关系,对于易流动液体来说，如金属，存在有效形核温度，如图所示,对于高粘滞性的液体，均匀形核速率很小，以致常常不存在有效形核温度,结论：均匀形核的难度较大。,形核率与过冷度的关系,2. 非均匀形核,由于均匀形核难度较大，所以液态金属多为非均匀形核。,非均匀形核示意图（为晶核；L为液相）,若晶核形成时体系表面能的变化为 ，则在三相交叉点，表面张力应达到平衡：式中 为晶核和型壁的接触角。由于,

11、球冠晶核的体积：,体积自由能变化,非均匀形核时的临界晶核半径：非均匀形核时的形核功：,总的自由能变化,通常情况下，非均匀形核所需的形核功小于均匀形核功，故非均匀形核所需的过冷度较均匀形核时小。,由于0 f() 1，所以,当 ，完全润湿；外延生长；当 ，完全不润湿；均匀形核；当 ，部分润湿。,影响非均匀形核的因素 过冷度：（N-T曲线有一下降过程）。 外来物质表面结构：越小越有利。点阵匹配原理,结构相似， 点阵常数相近。 外来物质表面形貌：表面下凹有利。 晶核往往在模壁底裂缝或小孔处先出现。,右图示意地表明非均匀形核与均匀形核之间的差异。,非均匀形核形核可在较小的过冷度下进行。,均匀形核率与非均

12、匀形核率随过冷度变化的对比,为什么非均匀形核比均匀形核更容易？,1、从过冷的角度看：在相同的GV和条件下，非均匀临界形核功小于均匀临界形核功， 在较小的过冷度下可获得较高形核率。2、从能量起伏的角度看： 非均匀形核需要较小的能量起伏。3、从结构起伏角度看： 非均匀形核时具有较小的临界晶核体积，因此需要较小体积内的结构起伏。,晶体长大的速率 晶体的长大方式晶体的长大包括原子通过界面吸附和向晶体表面台阶的扩散两步组成。,6.2.4 晶体长大,晶体长大的形态 晶体的性质晶体长大的形态与液/固两相的界面结构有关。,1. 液-固界面的构造,晶体凝固后呈现不同的形状，可分为小平面形状和粗糙形状两种：,透明

13、水样苯酯晶体的小面形态60,透明环己烷凝固成树枝形晶体60,按原子尺度，把相界面结构分为粗糙界面和光滑界面两种,光滑界面,粗糙界面,光滑界面（小平面界面）：液、固两相截然分开，微观上看是光滑的，宏观上是锯齿状粗糙界面：液、固两相原子排列混乱，微观上看界面高低不平，宏观上看界面平直,晶核长大的本质是原子从液相迁移到固相。影响因素：热扩散、物质扩散和界面反应。,凝固组织中初晶的界面形态,杰克逊(K.A.Jackson)提出决定粗糙和光滑界面的定量模型：,N个原子随机地沉积到NT个原子位置的固-液界面，界面自由能的相对变化Gs：,k是波尔兹曼常数Tm是熔点x是界面上被固相原子占据位置的分数 ，其中L

14、m为熔化热=/ 是界面原子的平均配位数是晶体配位数恒小于1,杰克逊定量模型的推导：,液-固界面处原子排列不是完全有序的，而出现未占据位置(空位)，假设有N个原子随机沉积到具有NT原子位置的固-液界面时，其占据的分数为x=N/NT，界面上空位数(未占据位置分数)为1-x，空位数为NT(1-x)。形成空位引起内能和组态熵的变化，相应引起表面吉布斯自由能的变化：,GS=H-TS=(U+PV)- TSU- TS (1),形成NT(1-x)个空位所增加的内能为其所断开的固态键数0.5NT(1-x)x (注：0.5NT(1-x)为所有空位可能断的最大键数，而实际原子没有这么多，故要乘上x(实际原子占据分数

15、)，为实际可断的键数)和一对原子的键能 的乘积,式中V为晶体的配位数,为晶体表面的配位数，Lm为摩尔熔化潜热，也即熔化时断开1mol原子的固态键所需要的能量，并设NT等于NA(每摩尔原子数)，是内能变化：,式中,（2）,空位引起组态熵的变化： S=-Rxlnx+(1-x)ln(1-x) (3)因此，引起相应吉布斯自由能的变化为： TS=-RTmxlnx+(1-x)ln(1-x) (4)将(2)，(4)代入(1)式，得：GS= RTmx(1-x)+ RTm xlnx+(1-x)ln(1-x) =x(1-x)+ xlnx+(1-x)ln(1-x) (5) (R=kNA=kNT，这样(6)式即为书中

16、(6-27)式),(6),根据杰克逊模型进行的预测，已被一些透明物质的实验观察所证实，但并不完善，它没有考虑界面推移的动力学因素，故不能解释在非平衡温度凝固时过冷度对晶体形状的影响。尽管如此，此理论对认识凝固过程中影响界面形状的因素仍有重要意义。,1）当2时，界面为微观粗糙界面；2）当2时，界面呈光滑界面。,2. 晶体长大方式和生长速率,a. 连续长大（Continous growth),晶体的长大方式可有连续长大、二维形核、螺型位错长大等方式。,连续长大的平均生长速率由下式决定： （m/sK）,金属,陶瓷,粗糙界面,晶体垂直生长,晶体的吸附生长和沿晶面生长(稳定的界面迁移率小，不稳定的界面迁

17、移率大),b. 二维形核(Two-dimensional nucleation),二维形核的平均生长速率由下式决定：,二维形核的生长方式由于其形核较大，因此实际上甚少见到。,二维形核长大机制示意图,c. 借螺型位错生长(Growth at the step of screw dislocation),螺位错形核的平均生长速率由下式决定：,由于晶体缺陷有限，故长大速率较低，即3 1,螺型位错台阶长大机制示意图,连续长大、螺型位错长大及二维晶核时长大速率和过冷度之间的关系比较示意图,晶体的螺型台阶长大示意图,ZnO微晶生长,在晶粒相遇前，晶核的半径：式中 为晶核形成的孕育期。设晶核为球形，则每个晶

18、核的转变体积：,6.2.5 结晶动力学及凝固组织,1结晶动力学,形核率定义：,正在转变的体积中的真实晶核和虚拟晶核,定义一个假想的晶核数（ns)作为真实晶核数（nr)与虚拟晶核数（np)之和：在t时间内假想晶核的体积：令 ，则由于在任意时间，每个真实晶核与虚拟晶核的体积相同，故得:令在时间dt内单位体积中形成得晶核数dP，于是dnr=VudP和dnsVdP。如果是均匀形核，dP不会随形核地点而有变化，此时可得：,四个假设条件：1）均匀形核。2）生长速率Vg为常数。3）形核率N为常数。4）而孕育时间很短以致可忽略。,约翰逊-梅尔(Johnson-Mehl)结晶动力学方程（等温相变动力学方程） ：

19、,式中，r已转变体积分数。Vg是温度T的函数。,r随时间的变化，如下图所示：,对约翰逊-梅尔方程求导，可得不同温度下相变速率 与时间t的关系，如下图所示。,再对相变速率求导，并令 =0 求极值，可得： 即得: 将上述求出的t4代入Johnson-Mehl方程，可求出相变速率最大时对应的转变量：rmax=52.8%50%. 当r=50%时的t标为t1/2 ，即tmax= t1/2，通常认为 r =50%时的相变速率最大。,固态相变中，长大速率一般为常数，而形核率N一般与时间相关，考虑形核率与时间呈指数关系变化后，得到：,上式称为阿弗拉密（Avrami)方程。式中n称为阿弗拉密指数，一般取值在1-

20、4之间，式中k为常数。阿弗拉密方程是描述结晶和固态相变中转变动力学的唯象方程，也称JMA (Johnson-Mehl-Avrami)动力学方程的一般式。 对于JMA方程，k/3NG3，n=4 对于二维形核长大：2n3 对于一维形核长大：1n2,JMAK曲线因系数k和指数n的不同而变化,纯晶体凝固时的生长形态不仅与液-固界面的微观结构有关，而且取决于界面前沿液相中的温度分布情况，温度分布可有两种情况：正的温度梯度和负的温度梯度，分别如图所示。,2. 纯晶体凝固时的生长形态,两种温度分布方式(a)正梯度 (b)负梯度,a.在正的温度梯度下的情况,(1)若是光滑界面结构的晶体，其生长形态呈台阶状(2

21、)若是粗糙界面结构的晶体，其生长形态呈平面状,b.在负的温度梯度下的情况,晶体的生长方式为树枝状生长或树枝状结晶。,树枝状晶体生长示意图,树枝晶生长时，伸展的晶轴都有其特定的晶体学方向：,fccbcchcp,2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.,材料的晶粒大小对材料的性能有重要的影响。细化晶粒可以采用以下几个途径：,a. 增加过冷度,b. 加入形核剂,c. 振动促进形核,6.2.6 凝固理论的应用举例1.

22、凝固后细晶的获得,加入不同物质对纯铝不均匀形核的影响,单晶体在研究材料的本征特性具有重要的理论意义，而且在工业中的应用也日益广泛。单晶是电子元件和激光器的重要材料，金属单晶已开始应用于某些特殊要求的场合，如喷气发动机叶片等。因此，单晶制备是一项重要的技术。 单晶制备的基本要求就是防止通常凝固时会形成许多晶核，而使凝固中只存在一个晶核，由此生长获得单晶体。,2.单晶的制备,a)垂直提拉法(籽晶法，Czochralski technique),制备大单晶的主要方法 制备双晶,b)尖端形核法(Bridgman technique）,右图为尖端形核法原理图，这是在液体中利用容器的特殊形状形成一个单晶。

23、该方法是将原料放入一个尖底的圆柱形坩埚中加热熔化，然后让坩埚缓慢地向冷却区下降，底部尖端的液体首先到达过冷状态，开始形核。恰当地控制凝固条件，就可能只形成一个晶核。 随着坩埚的继续下降，晶体不断生长而获得单晶。,3.非晶态金属的制备,非晶态金属由于其结构的特殊性而使其性能不同于通常的晶态金属。它具有一系列突出的性能，如特高的强度和韧性，优异的软磁性能，高的电阻率和良好的抗蚀性等。因此，非晶态金属引起广泛的关注。 金属与非金属不同，它的熔体即使在接近凝固温度时仍然粘度很小，而且晶体结构又较简单，故在快冷时也易发生结晶。但是，近年来发现在特殊的高度冷却条件下可得到非晶态金属，又称金属玻璃。,熔液凝

24、固成晶体或非晶体时体积的不同变化，如右图所示。图中Tm为结晶温度，Tg为玻璃（非晶）态温度。当液体发生结晶时，其体积发生突变，而液体转变为玻璃态时，其体积无突变而是连续地变化。,材料的Tm-Tg间隔越小，越容易转变成玻璃态。如纯SiO2的Tm=1993K, Tg=1600K, Tm-Tg=393K; 而金属的Tm-Tg间隔很大，尤其高熔点金属的间隔更大，如纯钯的Tm=1825K,Tg=550K, Tm-Tg 高达1275K,故一般的冷却速度是不易使金属获得非晶态。,最初，科学家应用气相沉积法把亚金属（Se,Te,P,As,Bi）制成玻璃态的薄膜。二十世纪六十年代开始发展了液态急冷方法，使冷速大

25、于107 /秒，从而能获得非晶态的合金（加入合金元素可使Tm降低，Tg提高，如上述的钯加入20at%Si后，Tm降至约1100K，Tg升至约700K）。目前应用的有离心急冷法和轧制急冷法等，前者是把液态金属连续喷射到高速旋转的冷却圆筒壁上，使之急冷而形成非晶态金属；后者使液态金属连续流入冷却轧辊之间而被快速冷却。这些方法已能使金属玻璃生产实现工业化。,定向凝固技术 （1）原理：单一方向散热获得柱状晶。 （2）制备方法。,6.3 气-固相变与薄膜生长,随着气相沉积技术广泛用于制备各种功能性薄膜材料，材料的气-固相变也日益显示出其重要性。气-固相变虽与液-固相变有诸多相似性，但其蒸发和凝聚的控制，

26、转变产物的结构和形态均有自身的特点。 讨论材料饱和蒸气压与温度的关系，气相沉积中二个基本过程： 1)蒸发和凝聚（沉积）的热力学条件. 2)凝聚过程中的形核与生长。,6.3.1 蒸气压 固相（液相）与气相形成平衡时的压强称为饱和蒸气压（简称为蒸气压）。 固体在等温、等压封闭容器中，因蒸发过程使气相浓度增加，而凝聚过程又使气相冷凝成固体，当这两个过程以同样速率进行时，蒸气浓度维持定值，这种动态平衡时的蒸气压就是饱和蒸气压，用Pe表示。,气相沉积包括二个基本过程：材料在高温蒸发源上的蒸发和蒸发原子在低温的基片（承接蒸发气体原子的载片）上的凝聚。对于给定的材料，其蒸气压是随温度而变的，这一点对于理解蒸

27、发和凝聚的热力学条件是必要的。 真空蒸发镀膜设备示意图1-真空罩 2-基片架和加热器 3-基片 4-挡板 5-蒸发源,由热力学克拉珀龙方程可推导出材料蒸气压与温度的关系，即蒸气压方程。因凝聚相（固相或液相）的体积远小于气相的摩尔体积，故克拉珀龙方程中两相体积变化近似为气体体积V气，并把气相看作理想气体：PV气=RT，则克拉珀龙方程可简化为：更进一步近似认为相变潜热H与温度无关，则积分可得：又可写成：式中，T为热力学温度（K）， P（即Pe）的单位是微米汞柱（ mHg, 1mHg=0.133Pa），A和B分别与材料性质有关的常数。结论：温度越高，蒸汽压越高。,表6-1 一些单质材料蒸气压方程中的

28、计算常数,蒸发源加热温度的高低，因改变蒸气压的数值而直接影响到镀膜材料的蒸发速率和蒸发方式。,蒸发温度过低时，材料蒸发速率也低，薄膜生长速率低，而过高的蒸发温度，不仅会导致蒸发速率过高而且使蒸发原子相互碰撞，甚至产生因蒸发材料内气体迅速膨胀而形成蒸发原子飞溅。因此，确定不同材料的蒸发温度非常重要的。,通常将蒸发材料加热到其蒸气压达几Pa时的温度作为其蒸发温度，这样可得到在不飞溅条件下大的蒸发速率。,部分单质材料的蒸气压曲线（高蒸汽压物质不适合作为蒸发材料）,6.3.2 蒸发和凝聚的热力学条件把金属气相近似认为理想气体，则有在恒温（dT=0）时，式中，Pe为饱和蒸气压，P为实际压强。对于理想气体

29、：PV=nRT所以积分得：,当PPe， G0，凝聚过程可进行。,由于蒸发源处的材料在高温加热时，材料的蒸气压很高，真空容器中的气压远小于该材料的蒸气压，因此满足蒸发条件。当该材料的蒸发气体原子碰到低温的基片时，此时材料在基片上的蒸气压很低，真空容器中得气压远大于该材料的蒸气压，因此满足凝聚条件。,真空蒸发成膜的物理过程： 蒸发材料被加热后，材料从固态成为气态。 材料气化后的原子或分子从蒸发源向衬底的表面运动。 气化的原子或分子到达衬底表面后，在衬底表面凝聚成核。 源源不断到达的原子或分子使核长大和填充核与核之间的空隙而形成薄膜。,真空蒸发设备的主要部分及作用： 真空室：为蒸发过程提供必要的真空

30、环境，确保薄膜的质量；蒸发源：使膜材蒸发的加热部件三种蒸发源：电阻加热；电子束加热；激光加热。衬底：接收蒸发物质形成薄膜衬底加热器：加热衬底,薄膜制备技术 1.真空蒸发技术 真空蒸发技术是通过加热蒸发材料，使其原子或分子从表面蒸发出来形成蒸气流，继而沉积到有一定温度的衬底表面上凝结成薄膜的工艺。,6.3.3 气体分子的平均自由程 为了满足固体材料蒸发的条件，容器中的气压应低于材料蒸气压。容器中的气压设置还必须使蒸发材料形成的气体原子减少与容器内的残余空气分子的碰撞，因此容器中的压强需更低，或者说需要更高的真空度，该容器也就称为真空罩。 把真空罩中的气体分子视为理想气体，由统计物理可得气体分子的

31、平均自由程L和气体压强P成反比，在室温时并可近似认为： 式中L单位为mm，P单位Pa。,在1Pa的气压下，气体平均自由程为L=6.5mm，在10-3Pa时，L=6500mm。为了使蒸发材料的原子在运动到基片的途中与真空罩内的残余气体分子的碰撞率小于10，通常要求气体分子的平均自由程大于蒸发源到基片距离的10倍。 对于一般的蒸发镀膜设备，蒸发源到基片的距离小于650mm，因此真空罩内的气压通常要求10-210-5Pa，视对薄膜质量要求而定。需指出的是，以上真空罩的气压指的是蒸发镀膜前真空罩的起始气压，又称背底真空。,6.3.4 形核 材料在镀膜时，高温的蒸发原子飞向未加热的基片，由于原子接触基片

32、后温度急剧降低，此时气体原子的蒸气压也随之快速下降，以致真空罩中的气压远高于蒸发材料此时的蒸气压，气体原子将凝聚。当气体原子凝聚到某晶粒临界尺寸，原子就可不断依附于其表面生长。 气相凝结的晶核，其临界尺寸可与液相凝固时同样的处理。当晶核为球形时： 式中 为表面能， 为单位体积自由能。,气相沉积的形核率也与凝固类似，它受形核功因子和原子扩散几率因子共同影响。由于气相沉积过冷度很大，因此，形核率主要受形核功因子影响，尤其是当基片未加热时，容易得到纳米晶甚至非晶。,NaCl基片上沉积Ag膜的电子显微照片,6.3.4薄膜的生长方式薄膜生长有三种基本类型：a)三维生长（Volmer-Weber）模型b)

33、二维生长（Frank-Van der Merwe）模型c)层核生长（Stranski-Krastanov）模型,物理气相沉积(physical vapor deposition，简称PVD)原理：溅射过程需要在真空系统中通入少量惰性气体（如氩气），在作为阴极的溅射材料（称为靶）和作为阳极的基片之间施加高电压使氩气形成辉光放电产生离子（Ar），Ar离子在电场中加速后轰击靶材（阴极），溅射出靶材原子沉积到基片上形成薄膜。特点：溅射和蒸发不同，被惰性气体离子撞击出的靶材粒子（主要是原子，还有少量离子）的平均能量达几个电子伏特，比蒸发粒子的平均动能高得多（3000K蒸发平均动能仅为0.26eV），通过

34、增大惰性气体离子的入射能量，可提高溅射率。最新进展：磁控溅射技术可提高薄膜沉积速率，减少薄膜内气体含量和降低基片在制膜过程中的温升现象。,阴极溅射装置平行板电极结构形式阴极靶：膜材料阳极：支撑衬底的基板阴极溅射原理：抽高真空。真空度10-3Pa通入惰性气（通常是Ar）。气压110 Pa接通电源，产生辉光放电。气体产生电离形成离子。带正电的Ar离子轰击靶面产生溅射溅射出来的靶材原子运动到衬底表面成膜。,溅射技术 阴极溅射,导电功能膜,磁性功能膜,光学功能膜,分离膜,硬质薄膜,气敏膜,太阳能电池ITO玻璃,汽车玻璃、激光防护镜、望远镜,硬盘磁头 、巨磁阻材料,污水处理、燃料电池,切削刀具 、模具、轴类零件,乙醇、氢气等气体检测,固体润滑膜,MoS2 薄膜,具体应用实例 功能薄膜是指具有电学、磁学、光学、吸附等物理性能和催化、反应等化学性能的薄膜材料。功能薄膜按性能分类：,Thank You !,