经典模电解析ppt课件.ppt

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1、,模拟电子技术 导言,1. 本课程的性质,是一门技术基础课,2. 特点,非纯理论性课程,实践性很强,以工程实践的观点来处理电路中的一些问题,3. 研究内容,以器件为基础、以信号为主线，研究各种模拟电子电路的工作原理、特点及性能指标等。,4. 学习目标,能够对一般性的、常用的电子电路进行分析，同时对较简单的单元电路进行设计。,继续,5. 学习方法,重点掌握基本概念、基本电路、基本方法。,导 言,6. 成绩评定,平时：作业 10 %实验 10 %,考试： 80 %,7. 参考书,童诗白主编，模拟电子技术基础第四版、第三版 高教出版社,继续,3 多级放大电路,模拟电子技术基础,1 常用半导体器件,2

2、 基本放大电路,4 集成运算放大电路,5 放大电路的频率响应,6 放大电路中的反馈,7 信号的运算与处理,8 波形的发生和信号的转换,9 功率放大电路,10 直流电源,继续,模拟电子技术基础是一门介绍电子器件、电子电路和电子技术应用的专业基础课程 其特点是将电路理论扩展到包含有源器件（晶体管、场效应管、集成运放等）的电子电路中 概念性、工程性、实践性,总论,继续,导 言,1.1 电子系统的基本知识1.2 电子技术的知识体系结构1.3 电子技术的课程体系1.4 本课程基本内容与学习建议,继续,1.1 电子系统的基本知识,1.1.1 电子系统的组成框图1.1.2 电子系统描述1.1.3 基本单元电

3、路功能描述,继续,1.1 电子系统的基本知识,1.1.1 电子系统的组成框图,继续,1.1.2 电子系统描述,1.1 电子系统的基本知识,由若干相互联结，相互作用的基本电路组成的，具有特定功能的电路整体，称为电子系统。,基本电路：构成电子系统的基本元素 相互作用：基本电路以各自功能互相补充 特定功能：电子系统本身是专有的 整 体：用系统的观点来考察整体电路,继续,1.1.3 基本单元电路功能描述,输入电路：非电子物理系统与电子系统的接口小信号放大电路：放大信号到所要求的电平滤波电路：对信号的时域或频域特性加以改变数字与模拟接口电路：包括模数转换和数模转换数字逻辑电路：数字信号的处理电路功率放大

4、电路：放大信号到所要求的功率信号产生电路：产生必要的波形电源电路：提供电子系统的能源供应,1.1 电子系统的基本知识,主要单元电路有：,继续,1.2 电子技术的知识体系结构,1.2.1 电子系统的根本作用1.2.2 信号及其表示1.2.3 电子技术分类1.2.4 电子技术发展简况,继续,1.2.1 电子系统的根本作用,电子系统的根本作用是完成对信号的各种处理与变换,1.2 电子系统的知识体系结构,传感器： 物理量的测量和信号的采集 放大器： 微弱信号波形的放大 滤波器： 无关信号和噪声的滤除 模数转换： 模拟信号变为数字信号 数字逻辑电路：数字信号的电路处理 数模转换： 数字信号还原为模拟信号

5、 功率放大： 放大信号功率,继续,1.2.2 信号及其表示,信号：信息的载体,1.2 电子系统的知识体系结构,声音、图像、亮度、温度等等物理信息，都可以用信号波形来表示。 电子系统处理的是电信号，它由相应的物理量通过传感器转换而得到。,继续,1. 信号：是反映消息的物理量,信息需要借助于某些物理量（如声、光、电）的变化来表示和传递。,电信号是指随时间而变化的电压u或电流i ，记作u=f(t) 或i=f(t) 。,如温度、压力、流量，自然界的声音信号等等，因而信号是消息的表现形式。,2. 电信号,由于非电的物理量很容易转换成电信号，而且电信号又容易传送和控制，因此电信号成为应用最为广泛的信号。,

6、因此：,继续,模拟信号 对应任意时间值t 均有确定的函数值u或i，并且u或 i 的幅值是连续取值的，即在时间和数值上均具有连续性。,数字信号 在时间和数值上均具有离散性，u或 i 的变化在时间上不连续，总是发生在离散的瞬间；且它们的数值是一个最小量值的整数倍，当其值小于最小量值时信号将毫无意义。,大多数物理量所转换成的信号均为模拟信号。,继续,2. 信号源的电路表达形式,1.2 电子系统的知识体系结构,继续,3. 电信号的时域与频域表示,1.2 电子系统的知识体系结构,A. 正弦信号,继续,B. 周期信号,1.2 电子系统的知识体系结构,通过将信号展开为傅里叶级数求出周期信号的频谱函数（傅里叶

7、系数）。,继续,C. 非周期信号,1.2 电子系统的知识体系结构,非周期信号包含了所有的（连续）频率成分,通过傅氏积分求出非周期信号的频谱函数。,小结：电子系统处理的一切可归结为信号，而各式信号包含了特定的频率成分。所以，电子系统的频率特性也是我们要特别关注的。,继续,1.2.3 电子技术分类,1.2 电子系统的知识体系结构,模拟电路与数字电路,模拟信号：在时间和幅值上都是连续的信号。 处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。数字信号：在时间和幅值上都是离散的信号。对模拟信号在一定的时间间隔上采样，则模拟信号在时间上离散了；对各采样值进行量化，则采样信号幅度也离散了。 处理数字信号的电子电路称为数

8、字电路或数字逻辑电路。,继续,1.2.3 电子技术分类,1.2 电子系统的知识体系结构,小信号电路与大信号电路低频电路与高频电路集中参数电路与分布参数电路,继续,1.2.4 电子技术发展简况,1.2 电子系统的知识体系结构,材料与器件理论与分析方法设计思想与实现方法应用领域,继续,关注：电子技术的发展 很大程度上反映在元器件的发展上 :,1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管1958年 集成电路1969年 大规模集成电路1975年 超大规模集成电路,第一片集成电路只有4个晶体管，而1997年一片集成电路中有40亿个晶体管。有科学家预测，集成度还将按10倍/6年的速度增长，到2015或2020年

9、达到饱和。,学习电子技术方面的课程需时刻关注电子技术的发展！,继续,1.3 电子技术的课程体系,理论基础：电路理论同步课程：数字电子技术（数字电路与逻辑设计）后续课程：微机原理（计算机类课程）、高频电路（电子类课程）等,模拟电子技术和数字电子技术是电子信息类各专业的重要的技术基础课程，对于继续学习有关专业课程（电子类、计算机类、通信类、控制类、测量类、电力电子类）有着重要的影响,继续,总结：模拟电路 模拟电路：对模拟量进行处理的电路。 最基本的处理是对信号的放大。 放大：输入为小信号，有源元件控制电源使负载获 得大信号，并保持线性关系。 有源元件：能够控制能量的元件。,继续,“模拟电子技术基础

10、” 课程的内容 半导体器件。 处理模拟信号的电子电路及其相关的基本功能：各 种放大电路、运算电路、滤波电路、信号发生电路、 电源电路等等。 模拟电路的分析方法。 不同的电子电路在电子系统中的作用。,继续,“模拟电子技术基础”课程的特点,1、工程性 实际工程需要证明其可行性。 强调定性分析。,实际工程在满足基本性能指标的前提下总是容许存 在一定的误差范围的。 电子电路的定量分析称为“估算”。,近似分析要“合理”。 抓主要矛盾和矛盾的主要方面。,电子电路归根结底是电路。 估算不同的参数需采用不同的模型，可用电路的基本理论分析电子电路。,继续,2. 实践性 实用的模拟电子电路几乎都需要进行调试才能达

11、到预期的目标，因而要掌握以下方法： 常用电子仪器的使用方法 电子电路的测试方法 故障的判断与排除方法,继续,如何学习这门课程,1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法 基本概念：概念是不变的，应用是灵活的， “万变不离其宗”。 基本电路：构成的原则是不变的，具体电路是多种多样的。 基本分析方法：不同类型的电路有不同的性能指标和描述方法，因而有不同的分析方法。,2. 学会辩证、全面地分析电子电路中的问题 根据需求，最适用的电路才是最好的电路。 要研究利弊关系，通常“有一利必有一弊”。,3. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用,继续,课程的目的,1. 掌握基本概念、基本电路、基本分析方法和基本

12、实验技能。2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。,本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，获得模拟电子技术方面的基础知识、基础理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。,建立起系统的观念、工程的观念、科技进步的观念和创新意识。,继续,第一章 常用半导体器件,1.1 半导体基础知识,1.2 半导体二极管,1.3 半导体三极管（晶体管）,1.4 场效应管,继续,导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。,绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。,半导体：另有一类物质

13、的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。,一、什么是半导体,半导体之所以能制成半导体器件，并不是因为它的导电性能介于导体和绝缘体之间，而是因为它具有一些独特的导电性能。,1.1 半导体的基本知识,在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体,继续,半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：,当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。,往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。,继续,硅原子,锗原子,硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。,通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体

14、。,现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。,继续,一、本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。,在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。,继续,硅和锗的共价键结构,共价键共用电子对,+4表示除去价电子后的原子,继续,共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。,形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。,

15、共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。,继续,二、本征激发,在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。,在常温下，由于热激发（本征激发），使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。,1.载流子、自由电子和空穴,继续,自由电子,空穴,束缚电子,继续,2.本征半导体的导电机理,在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。,本征半导体中存在数量相等

16、的两种载流子，即自由电子和空穴。,继续,温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。,本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。,本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。,继续,二 杂质半导体,在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。,P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。,N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。,继续,一、N 型半导体,

17、磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。,多余电子,磷原子,在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,继续,一、N 型半导体,多余电子,磷原子,在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。,2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。,N 型半导体中的载流子是什么？,掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以

18、，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。,继续,一、N 型半导体,多余电子,磷原子,N型半导体的模型,继续,1、在本征半导体中掺入三价元素的原子（受主杂质）而形成的半导体。,2、每一个三价元素的原子提供一个空穴作为载流子。,空穴,硼原子,3、P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。,二、P 型半导体,4. P型半导体的模型,由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。,继续,小结,1、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。 2、在一定温度下，本征半导体因本征激发而产生自由电子和空穴对，故其有一定的导电能力。 3、本征半导体的导电能力主要由温度决定；杂质

19、半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。 4、P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。N型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。 5、半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度和材料性质有关,杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。,继续,1、 扩散电流载流子由于浓度的不均匀而从浓度大的地方向浓度小的地方扩散扩散运动形成的电流扩散电流。2、漂移电流 载流子在电场作用下有规则的运动-漂移运动 形成的电流-漂移电流。,扩散电流与漂移电流,继续,1.2.1 PN 结的形成,在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经

20、过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。,1.2 半导体二极管,继续,P型半导体,N型半导体,扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽，内电场越强。,内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。,1.2.1 PN 结的形成,一、多子扩散,继续,所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。,二、少子漂移,继续,1.2.1 PN 结的形成,说明（1）空间电荷区（耗尽层、势垒区、高阻区）内几乎没有载流子，其厚度约为0.5。（2）空间电荷区中内电场阻碍P区中的空穴、N区中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。（3）

21、P 区中的电子和 N区中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的电流很小。（4）当两边的掺杂浓度相等时，PN结是对称的。当两边的掺杂浓度不等时，PN结不对称。（5）从宏观上看，自由状态下，PN结中无电流。,继续,一、PN 结正向偏置P 区加正、N 区加负电压。,1.2.2 PN结的单向导电性,内电场被削弱，多子的扩散加强，能够形成较大的扩散电流。,继续,二、PN 结反向偏置P 区加负、N 区加正电压。,1.2.2 PN结的单向导电性,内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子的漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。,继续,1.2.2 PN结的单向导电性,所以，PN结加正向电压时，呈

22、现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。,PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加正、N 区加负电压。,PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、N 区加正电压。,继续,PN结的伏安特性曲线及表达式,根据理论推导，PN结的伏安特性曲线如图,正偏,IF（多子扩散）,IR（少子漂移）,反偏,反向饱和电流,反向击穿电压,反向击穿,热击穿烧坏PN结,电击穿可逆,继续,根据理论分析：,u 为PN结两端的电压降,i 为流过PN结的电流,IS 为反向饱和电流,UT =kT/q 称为温度的电压

23、当量,其中k为玻耳兹曼常数 1.381023q 为电子电荷量1.6109T 为热力学温度 对于室温（相当T=300 K）则有UT=26 mV。,当 u0 uUT时,当 u|U T |时,继续,PN结的电容效应,当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。,(1) 势垒电容CB,继续,(2) 扩散电容CD,当外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。,电容效应在高频交流信号作用下才会明显表现出来,两者之和：极间电容（结电容）,继续,1.2 半导体二极管,一、基本结构,PN 结加上管壳和引

24、线，就成为半导体二极管。,按结构分：面结合型，点接触型，平面型。按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，。按材料分：硅二极管，锗二极管。,2、分类,继续,(1) 点接触型二极管,PN结面积小，结电容小，用于高频电路。,半导体二极管,一、基本结构,2、分类,继续,(3) 平面型二极管,往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小。,(2) 面接触型二极管,PN结面积大，用于大电流整流电路,(b)面接触型,一、基本结构,2、分类,继续,3、半导体二极管图片,一、基本结构,继续,一、基本结构,3、半导体二极管图片,继续,一、基本结构,3、半导体二极管图片,继续,二、伏安特性,死区电压 硅管0

25、.4V,锗管0.1V。,反向击穿电压UBR,加到二极管两端的电压与流过二极管的电流的关系曲线二极管的伏安特性曲线,导通压降: 硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。,继续,二、伏安特性,特征1、 二极管的伏安特性曲线都是从坐标原点开始的。2、正向偏置电压需要达到一定的数值电流才开始显著上升，这个电压称为门限电压或接通电压UON 。,UON,0.4v 硅管,0.1v 锗管,锗管的UON是硅管的约三四分之一，这是硅管与锗管的明显区别之一。,继续,二、伏安特性,特征3、 二极管正常工作时，其正向压降为： 0.60.8V 硅管（一般：0.7V） 0.10.3V 锗管4、电流与电压的关系是非线性的,5

26、、加反向电压时，最初随着反向电压的增加电流增加。到一定值以后反向电流几乎不随电压的增加而增加。这时的电流反向饱和电流（IS）。它主要与环境温度有关（TIS）。,继续,二、伏安特性,特征6、反向电压继续增加到一定值以后，反向电流开始剧烈增加。这时二管被击穿。雪崩击穿通常发生在耗尽层的宽度较大的情况下。齐纳击穿通常发生在耗尽层的宽度很小的情况下。(了解),继续,二、伏安特性,特征,7、温度对二极管特性的影响 二极管的特性对温度很敏感 T正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。,U正=-22.5mV/ IR=1倍/10,继续,其中,IS 反向饱和电流,UT 温度的电压当量,且在常温下（T=300K）,三

27、、伏安公式,当二极管反偏时：U-26mv时 IIS（反向饱和电流）当二极管零偏时：U=0 I=0当二极管正偏时：U26mv时,继续,二极管的模型及近似分析计算,例：,继续,二极管的模型,串联电压源模型,U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。,理想二极管模型,正偏,反偏,继续,二极管的近似分析计算,例：,串联电压源模型,测量值 9.32mA,相对误差,理想二极管模型,相对误差,0.7V,继续,例：二极管构成的限幅电路如图所示，R1k，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo,解：

28、（1）采用理想模型分析。,采用理想二极管串联电压源模型分析。,继续,（2）如果ui为幅度4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。,解：采用理想二极管模型分析。波形如图所示。,继续,采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。,继续,四、主要参数,1. 最大整流电流 IOM,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2. 反向击穿电压UBR,二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管可能因过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UR一般是UBR的一半。,继续,3. 反向电流 IR,指二极管未

29、击穿时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。,继续,4. 直流电阻 RD,uD,ID,以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。,继续,5. 微变电阻 rD,rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比：,显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。,即,根据,得Q点处的微变电导,则,常温下（T=300K）,uD,继续,6. 二极管的极间电容,二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。,（1）势垒电容：势垒区是积累空

30、间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。,四、主要参数,了解：势垒电容CB大小与PN结的面积S成正比，与空间电荷区的宽度成反比,继续,6. 二极管的极间电容,二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。,（2）扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。,四、主要参数,继续,PN结的总电容：CJ=CB+CD正偏时CJCD；反偏时CJCB,PN结

31、高频小信号时的等效电路：,势垒电容和扩散电容的综合效应,6. 二极管的极间电容,四、主要参数,7. 最高工作频率fM：二极管工作的上限频率。 （原因：结电容）,继续,1、二极管半波整流,五、应用举例,继续,例2：二极管的应用（了解）,uo,五、应用举例,继续,例3：判断图中二极管是否导通，并求AB两端的电压。设二极管的导通电压为0.7v。,五、应用举例,判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设二极管断开，然后求得正极和负极的电位及两端的电压。如果该电压大于导通电压，则该二极管处于正偏而导通，两端的实际电压为二极管的导通电压；如果该电压小于二极管的导通电压，则说明该二极管处于反偏而截

32、止。,导通，VAB= -0.7v-5v= -5.7v,继续,例3：判断图中二极管是否导通，并求AB两端的电压。设二极管的导通电压为0.7v。,五、应用举例,截止，VAB= -5v,继续,例4：设图中的二极管D为理想二极管，试通过计算，判断它是否导通。,五、应用举例,假设D断开，由左边的回路可知，B点对A点的电压为-4v 由右边的回路可知，C点对地的电压为-10v A点对地的电压为-4v B点对地的电压为-4v+（-4v）=-8v B点对C的电压为-8v-（-10v）=2v，故D为导通状态,继续,1.2.5 稳压二极管,IZ,稳压误差,曲线越陡，电压越稳定,-,UZ,特殊二极管,继续,（4）稳定

33、电流IZ：最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。,（5）最大允许功耗,2、稳压二极管的参数:,（1）稳定电压 UZ,（2）电压温度系数（%/）,稳压值受温度变化影响的的系数,（3）动态电阻,1、特点：反向击穿区非常陡峭。正常工作时处于反向击穿状态，工作点设在陡峭曲线的中间部分。,1.2.5 稳压二极管,继续,3、稳压二极管的应用举例1： p20自看,1.2.5 稳压二极管,继续,负载电阻 。,要求当输入电压由正常值发生20%波动时，负载电压基本不变。,稳压二极管的应用举例2,稳压管的技术参数:,解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。,求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。,方程1,继续,令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。,方程2,联立方程1、2，可解得：,方程1,继续,1.2.6 其他类型二极管,光电二极管:反向电流随光照强度的增加而上升工作于反向状态 。,继续,发光二极管,有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。,结束,