模拟电子电路基础(胡飞跃)第5章答案ppt课件.ppt

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1、习题5.1 ,两种BJT晶体管的名字是什么?描述各自的基本结构图,标示出多数载流子和少数载流子,并画出其电路符号。,解:两种晶体管分别为NPN型和PNP型。,N区的多子为自由电子P区的多子为空穴,习题5.2在NPN型晶体三极管中,发射结加正偏,集电结加反偏。已知IS=4.51015A, =0.98,ICBO忽略不计。试求当VBE=0.65V、0.7V、0.75V时,IE、IC和IB的值,并分析比较。,以(1)为基准,(2)中VBE增加7.69%,IC增加了638.71%,以(1)为基准,(3)中VBE增加15.38%,IC增加了5358.46%,习题5.3 电路如图题5.1所示,设三极管=10

2、0,求电路中IE、IB、IC和VE、VB、VC。,习题5.4对于图题5.2所示的电路,求标注的电压和电流值,习题5.5设计图题5.3所示放大器的偏置电路,使得电流IE=2mA,电源VCC=+15V。晶体管的额定值为100。VCEQ=5V,习题5.6 在图题5.4所示电路中,已知室温下硅管的=100,VBE(on)=0.7V,ICBO=1015A,试问:室温下的ICQ、VCEQ值,并分析其工作模式。,习题5.7对于图题5.5所示的电路,当VCC=10V,VEE=10V,I=1mA,=100,RB=100k,RC=7.5k时,求基极、集电极和发射极的直流电压。,习题5.8 分析图题5.6所示的电路

3、并确定电压增益, =100 。,习题5.9 图题5.7所示的晶体管放大器由电流源I偏置,并有非常高的值。求集电极的直流电压VC。画出用简化混合模型来替代晶体管的交流等效电路,求电压增益vC/vi的值。,习题5.10在图题5.8所示电路中,已知晶体三极管的=200,VBE(on)=0.7V,ICBO 0。(1)试求IB、IC、VCE。(2)若电路中元件分别做如下变化,试指出晶体三极管的工作模式: RB2=2k; RB1=15k; RE=100。,(1)采用戴维南等效,(2)考虑到第二问只需要判断工作模式,不需要精确计算,且,则,因此产生的电流很小,VCE间压差很大,故应该在放大区的边缘,5.11

4、,(1)将VDZ反接后,VDZ处于正向导通状态,则,根据戴维南定理,可将偏置电路部分改为如下图所示,假设VT工作在放大区,其中,故假设成立,VT依然工作在放大区,ICQ变大,5.11,VDZ不管正向导通还是反向击穿,等效电阻Rd都比较小(欧姆级),,直流通路是分压式偏置,习题5.12 在图题5.10所示的共基放大电路中,三极管=100,求:(1)电压放大倍数Av;(2)输入电阻Ri、输出电阻Ro。,习题5.13 射极跟随器如图题5.11所示,已知三极管 =1.5k,=49。(1)画出小信号等效电路;(2)计算Av、Ri、Ro。,解:交流小信号电路如图所示,习题5.14 考虑图题5.12所示的C

5、B放大器,RL=10k,RC=10k,VCC=10V,Rsig=100。为了使E极的输入电阻等于源电阻(即100),则I必须为多少?从源到负载的电压增益为多少?已知=100。,习题5.15 对于图题5.13所示电路,求输入电阻Rin和电压增益vo/vsig。假设信号源提供小信号vsig且=100。,解:直流通路,习题5.16考虑图题5.14所示的射极跟随器,I=1mA,=100,VA=100V,RB=100k,Rsig= 20k,RL=1k。(1)求IE、VE和VB;(2)求Ri;(3)求电压增益vo/vsig和输出电阻Ro。,习题5.17 对于图题5.15所示的晶体管级联放大器,计算每一级的直流偏置电压VB及每一级的集电极电流IC。 =100。,解:图中两级电路偏置一致,且为电容耦合,因此两级电路的静态工作点一样,求解一级即可。,习题5.18 共射-共集组合电路如图题5.16所示,设1=2=100。(1)确定两管的静态工作点;(2)求Av、Ri和Ro。,(2),

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