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1、WAT 测量项目以及测试方法,TD/DTD/DD: Sutter Dai,2008/03/07,WAT Introduction,WAT是什么WAT系统介绍3. WAT测试项目及方法,Wafer Acceptance Test（晶片允收测试） 半导体硅片在完成所有制程工艺后，针对硅片上的各种测试结构所进行的电性测试。 通过对WAT数据的分析，我们可以发现半导体制程工艺中的问题，帮助制程工艺进行调整。,WAT是什么?,WAT系统介绍,Manual Prober,Agilent 4284A CV Meter,Agilent 4156A IV Meter,Cascade Manual Prober,
2、WAT系统介绍,Agilent 4070 system,TEL P8XL,Agilent 4070,WAT系统介绍,HP 4070 Server,Agilent 81110A Pulse Generator,Agilent 4284A CV Meter,Agilent E4411B Spectrum Analyzer,Agilent 4070 内部结构,Agilent 3458ADigit Multimeter,WAT 流程图,WAT测试项目,MOS deviceField DeviceJunctionGate OxideResistorBipolar DeviceLayout Rule Ch
3、eck,常见的几种器件结构,MOS Device,以 NMOS 为例：,2. Field Device,WAT Item Name(以Poly Nfield为例) : VtNfpS (field Vt)IleakNfpSVptNfpS (punchthrough Vt),3. Junction,WAT Item Name (以N+/PW junction为例) : CNjIleakNjBvNj,4. Gate Oxide,WAT Item Name(以PW gate oxide为例) : Cgpw ToxpwBvCgpw,NOTE: If there has a dummy capacitor
4、, Cdummy should be subtracted.(Cox=Cox-Cdummy),5. Resistor,Sheet resistance (RsN+/P+/NW/Poly/Metal),Contact Resistance (RcN+/P+/Via),Note: Rc need to subtract active & Metal resistor, RsMetal can be ignored due to metal resistor is very small.,6. Bipolar Device,WAT Item Name(以NPN为例): HfeNpn BvNpn,7. Layout Rule Check,NW/N+ Poly/N+ active/Metal bridge,WAT Item Name(以NW bridge为例): IbriNW,Thanks!,
