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1、电工电子技术 电子技术与实训,第一章 常用半导体器件,一 半导体的基础知识,三 晶体三极管,四 场效应管,二 晶体二极管,一 半导体的基础知识,在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。,导 体： 很容易导电的物体，如金、银、铜、铁等。绝缘体： 不容易导电或者完全不导电的物体，如塑料、橡胶、 陶瓷、玻璃等。半导体： 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、 锗(Ge)、金属氧化物等。硅和锗是4价元素，原子的 最外层轨道上有4个价电子。,1半导体的特性,一 半导体的基础知识,掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，使其导电能力 明显改变。,光敏性：当受到光照时，
2、其导电能力明显变化。(可制成 各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏 三极管、光电池等)。,热敏性：当环境温度升高时，导电能力明显増强。,本征半导体的共价键结构,束缚电子,在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。,本征半导体化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。,2本征半导体,一 半导体的基础知识,这一现象称为本征激发，也称热激发。,当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。,自
3、由电子,空穴,自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。,2本征半导体,一 半导体的基础知识,自由电子，带负电荷，电子流,空穴 ，带正电荷，空穴流,本征半导体的导电性取决于外加能量：温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。,2本征半导体,一 半导体的基础知识,在中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。,N型半导体,在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为N型半导体。,2杂质半导体,一 半导体的基础知识,在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等，称为P型半导体。,P型半导体,在纯净半导体硅或锗（4价）中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层
4、有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在一个多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体（其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子）。,（1） N型半导体,自由电子,多数载流子（简称多子）,空 穴,少数载流子（简称少子）,3 型半导体和型半导体,一 半导体的基础知识,（2） P型半导体,在纯净半导体硅或锗（4价）中掺入硼、铝等3价元素，由于这类元素的原子最外层只有3个价电子，故在构成的共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空穴，这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动，称为空穴半导体或P型半导体（其中空穴为多数载流子，热激发形成
5、的自由电子是少数载流子）。,自由电子,多数载流子（简称多子）,空 穴,少数载流子（简称少子）,3 型半导体和型半导体,一 半导体的基础知识,掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。只有将两种杂质半导体做成PN结后才能成为半导体器件。,3 型半导体和型半导体,一 半导体的基础知识,无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，通常对外不显电性。,多子电子,少子空穴,多子空穴,少子电子,半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。将一
6、块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层 PN结。,（1）PN结的形成,4 P结及其单向导电性,一 半导体的基础知识,多子扩散,形成空间电荷区产生内电场,少子漂移,促使,阻止,扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的PN结,（1）PN结的形成,4 P结及其单向导电性,一 半导体的基础知识,外加正向电压（也叫正向偏置）电源正极接P区，负极接N区,（2）PN结的单向导电性,4 P结及其单向导电性,一 半导体的基础知识,外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电
7、流，这时称PN结处于低阻导通状态。,（2）PN结的单向导电性,4 P结及其单向导电性,一 半导体的基础知识,外加电场加强内电场，漂移运动超过扩散运动，N区空穴飘移到P区，P区电子漂移到N区，形成很小的反向漂移电流，称为反向饱和电流，这时称PN结处于高阻截止状态。,外加反向电压（也叫反向偏置）电源正极接N区，负极接P区,PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。,由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。,二 晶体二极管,1 晶体二极管的结构,晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体
8、材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等，不过从国内的习惯上讲，晶体管有时多指晶体三极管。,二极管 = PN结 + 管壳 + 引线,结构,一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。符号一般用VD表示。,符号,图片,二 晶体二极管,2 晶体二极管的类型,半导体二极管按其结构不同可分为点接触型、面接触型、平面型二极管等三类。,PN结面积很小，结电容很小，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。,(1) 点接触型二极管,(2) 面接触型二极管,PN结面积大，结电容也小，允許通过电流大，多用在低频整流、检波等电路中。,二 晶体二极管,2 晶体二极管的类型,(
9、3) 平面型二极管,二 晶体二极管,2 晶体二极管的类型,用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。,二 晶体二极管,3 晶体二极管的伏安特性曲线,硅：0.5 V锗： 0.1 V,(1) 正向特性（导通）,导通压降,(2) 反向特性（截止）,死区电压,锗,硅：0.7 V 锗：0.3V,硅,（3）反向击穿,反向电压大于击穿电压（UBR）时，反向电流急剧增加。原因为电击穿，强外电场破坏键结构；获得大能量的载流子碰撞原子产生新的电子空穴对。电击穿未损坏，若无限流措施，则会造成热击穿而损坏。,-60 -40 -20,0.4 0.8,二 晶体二极管,4 晶体二极管的主要参数
10、,（1）最大整流电流IM：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。（2）反向击穿电压UBR：指管子反向击穿时的电压值。（3）最大反向工作电压URM：二极管运行时允许承受的最大反向电压（约为UBR 的一半）。（4）最大反向电流IRM：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。（5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。,串联电压源模型,U D 二极管的导通压降：硅管 0.7V；锗管 0.3V。,理想二极管模型,正偏导通,反偏截止,二 晶体二极管,5 二极管的模型,例：,串联电压源模型,万用表测量值 9.32mA,相对误差,理想二极管模型,相对误差,0.7V,二
11、晶体二极管,5 二极管的近似分析计算,例：二极管构成的限幅电路如图所示，R1k，UREF=2V，输入信号为ui。 (1) 若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo,解：采用理想二极管模型分析：,采用理想二极管串联电压源模型分析：,二 晶体二极管,5 二极管的应用举例,二 晶体二极管,5 二极管的应用举例,（2）如果ui为幅度4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。,解：采用理想二极管模型分析，波形如图所示。,uo,t,t,限幅,2V,二 晶体二极管,5 二极
12、管的应用举例,采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。,uo,t,t,限幅,2.7V,t,二 晶体二极管,5 特殊二极管一：稳压二极管,稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于：电流增量很大，只引起很小的电压变化。稳压管的反向击穿应是可逆的，工作电流能控制在一定范围内。,稳压管的主要参数：（1）稳定电压UZ：反向击穿后稳定工作的电压。（2）稳定电流IZ：工作电压等于稳定电压时的电流。（3）动态电阻rZ。稳定工作范围内，管子两端电压的变化量与相应电流的变化量之比。即：rZ=UZ/IZ（4）额定功率PZ：额定功率PZ是在稳压管允许结温
13、下的最大功率损耗。（5）最大稳定电流IZM ：指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是： PZ=UZIZM,插件稳压二极管,贴片稳压二极管,当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数,稳定电压,稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管。,正向同二极管,反偏电压UZ 反向击穿,UZ,二 晶体二极管,5 特殊二极管一：稳压二极管,当发光二极管的PN结加上正向电压时，电子与空穴复合过程以光的形式放出能量，发光二极管是一种新型冷光源。发光二极管（简称LED）是一种光发射器件，它是由砷化镓、磷化镓等材料制成。当这种管子通以电流时将发出光来。
14、光的颜色主要取决于制造所用的材料。发光二极管具有亮度高、清晰度高、电压低（1.53V）、反应快、体积小、可靠性高、寿命长等特点，是一种很有用的半导体器件，常用于信号指示、数字、照明、彩灯、字符显示等。,二 晶体二极管,5 特殊二极管二：发光二极管LED,二 晶体二极管,光电二极管的结构与一般的二极管类似，在它的PN结处，通过管壳上的一个玻璃管窗口能接收外部的光照。这种器件的PN结在反向偏置状态下工作，它的反向电流随光照强度的增加而上升。,光电二极管的符号及其特性曲线,光电二极管可用于光的测量，是将光信号转换为电信号的常用器件。,光电二极管插件,光电二极管贴片,5 特殊二极管三：光电二极管,二
15、晶体二极管,PN结具有电容效应，二极管存在结电容。二极管结电容的大小除了与本身结构工艺有关，还与外加电压有关。,变容二极管的结电容Cj与反偏电压uD的关系曲线,变容二极管常用于高频电路中，例如，电调谐电路和自动频率控制电路。,5 特殊二极管三：变容二极管,PN结具有电容效应，二极管存在结电容。二极管结电容的大小除了与本身结构工艺有关，还与外加电压有关。,小 技 巧,6 二极管的简易测量,根据二极管的单向导电性可知，二极管正向电阻小，反向电阻大。利用这一特点，可以用万用表的电阻挡大致测量出二极管的好坏和正负极性 。,二 晶体二极管,普通二极管实物,1 三极管的结构原理,三 晶体三极管,半导体三极
16、管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 BJT是由两个PN结组成。简称晶体管或三极管。,半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。重要特性是具有电流放大作用和开关作用，常见的有平面型和合金型两类。两个PN结，把半导体分成三个区域（三区二结）。这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN型和PNP型。,NPN型,PNP型,符号:,基区：最薄，掺杂浓度最低,发射区：掺杂浓度最高,发射结,集电结,结构特点：,集电区：面积最大,（1）发
17、射区的掺杂浓度集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。,1 三极管的结构原理,三 晶体三极管,按材料分： 硅管、锗管,按功率分： 小功率管 500 mW,按结构分： NPN、 PNP,按使用频率分： 低频管、高频管,大功率管 1 W,中功率管 0.5 1 W,1 三极管的结构原理,三 晶体三极管,三极管分类,2 三极管的电流分配关系与放大作用,三 晶体三极管,（1）放大的概念,电子电路中所说的放大，有两方面含义：一是放大的对象是变化量，不是一个恒定量。例如，扩音机是把人讲话时声音的轻重和高低放大出来；二是指对能量的控制作用，即在输入端用一个小的变化量去控制能源，使输出端产生一个与输入
18、变化量相应的大的变化量，体现了对能量的控制作用,（2）三极管实现放大作用的条件,三极管实现放大作用的外部条件： 发射结加正向电压（正向偏置），在集电结加反向电压（反向偏置）。 对于NPN管，要求UCUBUE；PNP型管的情况正好相反，即UEUBUC。,2 三极管的电流分配关系与放大作用,三 晶体三极管,放大条件：发射结正偏，集电结反偏,若在放大工作态： 发射结正偏：,集电结反偏：,由VBB保证,由VCC、 VBB保证,UCB=UCE - UBE,共发射极接法, 0,三极管的电流分配关系,IE =IC+IB,IC =IB,2 三极管的电流分配关系与放大作用,三 晶体三极管,把基极电流的微小变化能
19、够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。,实验表明IC比IB大数十至数百倍，因而有IC 近似等于IE。IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。,3 三极管在电路中的基本连接方式,三 晶体三极管,三极管在电路中的三种基本连接方式,共射直流电流放大系数:,共射交流电流放大系数: =iC/iB,共基直流电流放大系数:,共基交流电流放大系数: =iC/iB,在近似分析中,可认为： ,4 三极管的伏
20、安特性（共发射极接法）,三 晶体三极管,(1) 输入特性曲线 iB=f(uBE) uCE=const,1）uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。,3）uCE 1V再增加时，曲线右移很不明显。,2）当uCE=1V时，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少，在同一uBE电压下,iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。,ucE=0.5V,死区,非线性区,线性区,4 三极管的伏安特性（共发射极接法）,三 晶体三极管,(2) 输出特性曲线,iC=f(uCE) IB=const,饱和区,放大区,截止区,1）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置,2）截止区：发射结反向偏置，集电结反
21、向偏置,3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置,IB 0 以下区域为截止区，有 IC 0 。,当UCE UBE时，晶体管工作于饱和状态。 Uon硅管：0.50.7V,锗管：0.10.3V,在放大区有 IC= IB ，也称为线性区，具有恒流特性。,uBEUon,IB0,IC=ICEO,三极管几乎不导通,uBE Uon ，uCEuBE,5 三极管的模型,三 晶体三极管,截止状态,放大状态,发射结导通压降UD硅管0.7V锗管0.3V,饱和状态,饱和压降UCES硅管0.3V锗管0.1V,直流模型,6 三极管电路的分析算法（直流）,三 晶体三极管,（1） 模型分析法（近似估算法）,例：共射电路如下图
22、，已知三极管为硅管，=40，试求电路中的直流量IB、 IC 、UBE 、UCE。,6 三极管电路的分析算法（直流）,三 晶体三极管,（1） 模型分析法（近似估算法）,解：设三极管工作在放大状态，用放大模型代替三极管。,三极管为硅管：UBE=0.7V,6 三极管电路的分析算法（直流）,三 晶体三极管,（2） 图解法,解：,IB=40A,IC=1.6mA,UCEQ=5.6V,静态工作点,直流负载线斜率：,Uce=Vcc-IcRcIc=0，Uce=12; Uce=0， Ic=Vcc/Rc=3mA选择合适的Rb，UBQ=0.7V,IB=40A,7 半导体三极管的型号,三 晶体三极管,第二位：A锗PNP
23、管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管,第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、 K开关管,国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：,3DG110B,四 场效应管,三极管是一种电流控制元件(iB iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件(简称BJT)。,FET分类：,绝缘栅场效应管(IGFET),结型场效应管(JFET),场效应管是一种电压控制器件(uGS iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件（简称FET）。,FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。,也是一种
24、由PN结组成的半导体，利用电场效应来控制电流的故称为场效应管,最常用的绝缘栅型场效应管是由金属-氧化物-半导体材料构成，简称MOS管。由P沟道、N沟道构造的PMOS和NMOS二种类型。其中每一类型又分增强型和耗尽型两种。(CMOS是由PMOS和NMOS管组成的互补对称的集成电路）,绝缘栅型场效应管 (FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 N沟道、P沟道 耗尽型 N沟道、P沟道,N沟道增强型MOS管 1）结构 4个电极：漏极D，源极S，栅极G、衬底B。,绝缘栅场效应管简介,四 场效应管,绝缘栅场效应管简介,四 场效应管,2）工作原理,当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在d
25、、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。,栅源电压uGS的控制作用,开启电压UGS(th)刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS,N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS UGS(th) ，管子截止， uGS UGS(th) ，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。,漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用,当uGSUT，且固定为某一值时，来分析漏源电压uDS对漏极电流ID的影响。 （设UGS(th)=2V， uGS=4V),（a）uDS=0时， iD=0。,（b）uDSiD同时沟道靠漏区变窄。,（c）当uDS增加到使uGD= UGS(th)时，沟道靠
26、漏区夹断，称为预夹断。,（d）uDS再增加，预夹断区加长， uDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， id基本不变。,绝缘栅场效应管简介,四 场效应管,总之，场效应管的漏极电流ID受栅、源电压UGS的控制，即ID随UGS的变化而变化，所以场效应管是一种电压控制器件。,晶闸管（Silicon Controlled Rectifier） 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、调压及开关等方面。,体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作
27、方便、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。,晶闸管简介,五 晶闸管,基本结构,G,晶闸管是具有三个PN结的四层结构, 其外形、结构及符号如图。,(c) 结构,(a) 外形,晶闸管的外形、结构及符号,晶闸管简介,五 晶闸管,晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合,晶闸管简介,五 晶闸管,晶闸管导通的条件：,1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电压或正向脉冲(正向触发电压)。,晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反馈，晶闸管仍可维持导通状态。,晶闸管关断的条件：,1. 必须使可控硅阳极电流减小,直到正反
28、馈效应不能维持。2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反相电压。,晶闸管简介,五 晶闸管,晶闸管型号及其含义,导通时平均电压组别共九级, 用字母AI表示0.41.2V,额定电压,用百位或千位数表示取UFRM或URRM较小者,额定正向平均电流(IF),如KP5-7表示额定正向平均电流为5A,额定电压为700V。,五 晶闸管,晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。晶闸管的热容量很小，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件内部短路或开路。例如一只100A的晶闸管过电流为400A时，仅允许持续0.02秒，否则将因过热而损坏； 晶闸管耐受过电压的能力极差，电
29、压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。,晶闸管的保护,五 晶闸管,1.快速熔断器保护,电路中加快速熔断器。当电路发生过流故障时，它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。,与晶闸管串联,接在输入端,接在输出端,快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。,晶闸管的过流保护,五 晶闸管,2.过流继电器保护,3. 过流截止保护,在输出端(直流侧)或输入端(交流侧)接入过电流继电器，当电路发生过流故障时，继电器动作，使电路自动切断。,在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。当电路发生过流
30、故障时，检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。,晶闸管的过流保护,五 晶闸管,阻容保护,利用电容吸收过压。其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容中，然后释放到电阻中消耗掉。,晶闸管元件的阻容保护,晶闸管的过压保护,五 晶闸管,1 半导体,总 结,半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。,二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。晶体二极
31、管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的二极管。,2 二极管,作用：二极管的主要特性是单向导电性，在正向电压的作用下，导通电 阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。应用：无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控 制、调频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二极管按作用 可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、 肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。,识别：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外 表大多采用一种色圈标出来，也有采用符号标志为“P”、“N”来确 定二极管极性的。发光二极管的正
32、负极可从引脚长短来识别，长脚 为正，短脚为负。,测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正 极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极 管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好 相反。,总 结,3 三极管,作用：晶体三极管是由两个PN结构成的半导体器件，在集电结反偏，发射结正偏的外部条件下，晶体管的基极电流对集电极电流具有控制作用，即电流放大作用。电路：晶体三极管有三种连接方式，广泛采用的是共发射极连接。它有三种工作状态，即截止状态、饱和状态和放大状态。关系：三极管的三个极的电流关系是IE=IB+IC，在放大状态时，IC=IB+ICEOIB，这表明三极管是一种电
33、流控制型器件，具有受控特性（指IC与IB的关系）和恒流特性（指IC和UCE的关系）。类型：NPN与PNP应用：所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号。,晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。,总 结,4 场效应管,1）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。2）场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一
34、样的。3）场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。,作 业,1、利用实训台元器件及导线，先在图纸上自己设计一个半波整流电路图（要求是完整的电路图），再搭接电路，用万用表测输入电压uin1与输出电压值uo1，并记录,感兴趣者用示波器测量uo两端的波形。,2、利用实训台元器件及导线，先在图纸上自己设计一个全波整流电路图（要求是完整的电路图），再搭接电路，用万用表测输入电压uin2与输出电压值uo2，并记录，感兴趣者用示波器测量uo两端的波形。 。,3、比较Uo1与Uo2大小，写出结论。,
