手机维修培训基础资料课件.ppt

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1、上课时间,上午：理论9：3012：00,下午：实操练习14：0017：30,晚班19：0021：00,注意：上课不准迟到，上课时手机务必调到振动或关机。否则，罚扫地1次，迟到3次，记缺课一次，一个月内缺课5次以上，取消上课资格。,手机培训教程,总目录,第二章 电子基础知识,第四章 手机单元电路,第五章 手机原理图分析,第六章 手机故障分析,第七章 软件仪的使用,第八章 岗前培训,第一章 手机发展及基站,第三章 手机基础知识,2,电子元件基础知识,第二节 电 阻,第三节 电 容,第四节 电 感,第五节 变压器,第六节 二极管,第七节 三 极 管,第八节 场效应管,第九节 集成电路,第十节 常见门

2、电路,第十一节 霍尔元件,第一节 电子概念,电子基本概念,3、 电 阻,4、 欧姆定律,5、 频 率,2、电 流,6、 电 波,1、 电 压,手机的发展史,手机的发展史简介,手机的发展史（历程）,、中国手机发展历程大致可以分为:,1995模拟手机时代(大哥大1G：只有通话功能）,GSM时代（:支持短信）,2.5G时代（支持上网：下载速率:9.6kbps56kbps ）,3G时代：下载速度2Mbps 可视电话，网络下载、网络游戏、网络电视等,2.75G时代（支持:下载速度384kbps）,UCWEB浏览网页软件,3G网络运营商,移动通讯网络运营商,中国移动：TDSCDMA,新中国联通：WCDMA

3、,中国电信：CDMA2000,中国移动的TD-HSDPA速率是:下载2.8Mbps，上传384kbps，中国联通的WCDMA速率是:下载14.4Mbps，上传5.76Mbps，中国电信的CDMA2000的速率是:下载3.1Mbps，上传1.8Mbps。实际下载速度=理论带宽/8,2009年3G元年,移动台与基站,移动台与基站,GSM移动通信的定义及特点,一、GSM移动通信的定义及特点,1、定义：GSM移动通信又称蜂窝移动通信或小区移动通信。,2、特点：,a：采用蜂窝小区覆盖和小功率发射。小区的形状，一般为六边形，一个小区一个基站，一个基 站包括多个收、发信机。,b：采用频率复用，可提高频率利用

4、率，增加系统容量。,c：采用多波段复用和越区切换,d：与有线网络的完美互联。,频段切换：随时可以切换,3、GSM手机的频段划分：850MHZ、900MHz、1800MHz、1900MHz,5、双模手机与双卡双待手机的区别,e：GSM网络干扰：同频干扰、邻频干扰、带外干扰,4、单频、双频、三频、四频之间的区别,小区切换：一般发生在小区边缘,网络结构1,二、GSM网络组成 BTS：基站 BSC：基站控制器 MS：移动台 MTSO：移动电话交换中心 PSTN：公共电话交换网,移动通信终端设备（手机）,SIM卡：身分识别卡（模块）,1网络组成框图,网络结构2,2、移动台呼叫座机,第一款手机（）,三、第

5、一款手机,第一款揭盖式手机：摩托罗拉8900,第一款进入中国大陆的GSM手机：爱立信GH337,第一款可编铃声的手机：爱立信GH398,第一款手机（）,第一款内置游戏的手机：诺基亚变色龙6110,第一款双显示屏的手机：三星SGH-A288,第一款无天线手机：汉诺佳CH9771,第一款手机（）,第一款三频手机：摩托罗拉L2000,第一款全中文手机：摩托罗拉CD928+,第一款双频手机：诺基亚6150,第一款手机（）,第一款整合MP3音乐功能/带有移动存储器的手机：西门子6688,第一款内置内置蓝牙功能的手机：爱立信T39mc,第一款WAP手机：诺基亚7110,电子基本概念（电压）,1、电 压：,

6、同一电路中两点之间存在的电位差就叫电压。 在电路中，电压常用U表示。,A：电压的单位 用伏特或字母“V”表示， 1V=1000mV，1mV=1000uV。B：分类,直流电:用（DC或V）表示，电压的大小方向固定不变,直流电:用（DC或V）表示，电压变,C：测量：用万用表电压档，黑笔接地，红笔去测某点电压，电压表并联在电路上。,电子基本概念（电流）,2、电 流： 在电压的作用下电荷的定向移动形成电流。电路中，电流常用I表示。a：电流的单位：用“安培”或字母“A”表示1A=1000mA,1mA=1000uAb：分类： 在直流电压的作用下，产生的电流叫直流，用A表示。 在交流电压的作用下，产生的电流

7、叫交流，用A表示。c：测量：用万用表电流档，把电流表串联在电路中，要选择电流表合适的量程。这样可以防止电流过大而损坏电流表。,电子基本概念（电阻）,3、电 阻： a：定义：电流流过导体时所受到的阻力叫做电阻。 （水流经过水管时受到的阻力叫水阻）电阻常用R表示。 b：电阻的单位 用“欧姆”或希腊字母“”欧米伽 表示 1k=1000 1M=103K1000000。 c：导体本身固有的电阻大小： 与导体的材料有关，截面积成反比和长度成正比。,电子基本概念（欧姆定律）,4、欧姆定律： a:定义 流过导体中的电流“I”与导体两端的电压“U”成正比，与导体的电阻”R”成反比，这个规律叫做欧姆定律。 b：计

8、算方法：如果知道电压、电流、电阻三个量中的两个，就可以根据欧姆定律求出第三个量，即,C：功率计算公式,单位：瓦特，用“W”表示,电子基本概念（频率）,5、频 率 ： a：定义 交流电在1s(秒)内完成周期（T）性变化的次数叫做频率，常用 （ f）表示。 b：单位：赫兹（Hz），也常用千赫（kHz）或兆赫（MHz）做单位。 1kHz=1000Hz，1GHz103MHz=106KHz=109Hz。 c：计算方法：f=例：1T/S1Hz 1T/ms1000Hz 1T/us1MHz 32T/ms32KHz 13T/us13MHzd：常见频率信号：交流市电的频率是50Hz， 手机实时时钟的频率是：32.

9、768KHz, 主时钟：13M、19.5M、26M、19.2M、19.68M、38.4M等。,1,T,电子基本概念（电波）,6、电波： 当电感线圈中有高频电流通过时，在其周围将产生同样频率的电场和磁场。这种交替变化的电场和磁场叫电磁波。电波在空中的传播速度与光速相同。电波的频率与波长存在以下关系：,由此可见，电波的波长由频率决定，频率越高，其波长越短。移动电话频率高，波长短，所以天线可以做的很短。,手机采用高频电波传输语音信号的原因：A、传播速度快 b、不易受干扰 c、穿透能力强,电阻器,电阻器,（电阻：定义、符号）,1、定义： 在日常维修中，通常所说的“电阻”实际上是电阻器。也就是人为在电流

10、回路中加入阻碍电流流动的器件。用字母 “R”表示 ，单位“欧姆” 或用字符“”表示 2 、原理符号：,国标,欧美标,R120：代表编号/位号 1.5K：代表阻值,(电阻：分类1),3、电阻的分类：,A、按结构分,固定电阻,可调电阻,B、按材料分,线绕电阻,水泥电阻,碳膜电阻,瓷片电阻,C、按阻值标示方式分,直标电阻：阻值标示在电阻表面,色环电阻：用颜色来表示大小,四道色环（普通),五道色环（精密）,(电阻：分类2及串联计算方法),D、按特性分,普通电阻,压敏电阻VR: 对加在两端的电压比较敏感，正常情况下阻值为无穷大，当两端电压高于其额定值时，电阻击穿导通，把高电压放掉。用于键盘及尾插保护电路

11、防止静电干扰。,特殊电阻,保险电阻FUSE：当内部电流超过额定值时，将瞬间熔断。用于充电及供电回路,热敏电阻RT：阻值随温度而改变，用于电池温度检测电路手机一般用正温度系数的热敏电阻，即电阻的大小随温度的升高而增大。还有负温度系数，电阻的大小随温度的升高而增小。,电阻的串联计算,4、电阻的串联和并联计算 A、串联计算,I总,IR1=IR2,R总10K10K20K,UR1=I总R10.1510K1.5V,UR2=I总R20.1510K1.5V,=-,U总,R总,0.15mA,A,B,R1 10K,R2 10K,R总,3V,电阻越串越大电阻串联限流分压电阻越大分得的电压越高,（电阻：并联计算方法）

12、,B 、电阻的并联计算,电阻并联分流电阻越并越小,在电路板上测量某一电阻时，所测得的阻值比它的标称值要小,5、 电阻的作用：供电、限流、分压、分流,R总 = = =,R1R2,R1+R2,10K10K,10K+10K,100K,20K,5K,（电阻外观）,6、SMD贴片电阻的外观识别:中间黑色，侧面白色,两端为银白色（焊点）。（少数表面为绿色或蓝色，一般为0欧姆电阻，是厂家预留的测试点。）,（电阻：贴片电阻的阻值标示）,7、大功率贴片电阻（SMD）的阻值标示（直标电阻）,R22,101,K,100,103,104,0,0.22,10,100,10K,100K,保险电阻,1R0,1,000,前2

13、位表示有效数字 第3位表示有效数字后面0的个数或10的次方数。,0.22：常用于NOKIA 手机充电电流检测电阻,100K排阻：常用于国产机，电池电量检测电路,R:表示小数点的位置,0：常用于供电电路,K保险电阻：常用于充电电路,104,1R0,电阻的好坏判定,8、贴片封装规格与对应功率（手机常用为0402/0603） 0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是 1/4W、 1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、 2512是1W。,9、电阻的好坏判定（用万用表电阻档/欧姆档） A 开路：阻值远大于正常值，变为无穷大 “”。 B 短路：压敏电

14、阻损坏后阻值一般变为“0”或很小。 C 变值：阻值比正常值增大或减小（大于误差范围）。,（色环电阻标示）,10、色环电阻,红 红金 金,(A)普通,(B)精密,电容器,电容器,（电容：定义、符号、单位）,1、电容器的结构定义（顾名思义，电容器就是“储存电荷的容器”。 ）,由两块金属板平行而不接触的靠在一起，中间用绝缘物（固体、气体或液体）隔开，分别引出两个电极，然后封装在一起就构成了一个电容器。一般简称为电容。常用字母“C”表示2、电路图符号 3、容量单位 基本单位:法拉（F） 常用电容器的容量往往比1法拉小得多 ，常用以下单位 1法拉（F）= 103毫法（mF）106微法（F） = 109纳

15、法（nF）= 1012皮法(pF） 电容容量的大小与两极板的相对面积成正比,无极性,电解电容,电容的串并联计算,4、电容的并联计算,C总C1C2100100200Pf,电容并联容量增大,与电阻的串联计算方法相同,电容的串联计算,5、电容的串联计算,电容串联容量减小,与电阻的并联计算方法相同,（电容：作用及分类1）,6、电容的分类,B按材料分,A按结构分,C 按标称的方式分,固定电容,纸介电容,可调电容,数字电容,直标电容,瓷片电容,电解电容,钽电容,数字电容：227C/220UF前两位表示有效读数为：22第三位表示有效读数后面有效“0”的个数最后一个字母表示耐压值，具体如右：,A：10V F：

16、2.5VC：16V V：35VD：20V T：50VE：25V,分类2,D： 按极性分类,7、外观：,无极性：容量小,一般用于信号耦合及高频电路。,有极性：容量大，一般用于电源电路及功放供电滤波。,a：无极性：一般为棕色,b：有极性：,（电容：特性）,8、电容的特性,（1）充放电特性 (2) 容抗公式： 信号通过电容时所受到的阻力叫容抗。 从公式可以得出：电容通交流隔直流，通高频阻低频,：3.14 f：信号频率 c：电容容量,电容两端的电压不能突变，是一个慢慢垒积的过程，像手机电池充放电一样。,当K1闭合，K2打开时，电池正极电压向C1充电，产生上正下负的电动势，随着时间的变化，电容两端电压慢

17、慢升高，最后达到与电池电压相同，电池停止向电容充电。 当K1断开，K2闭合时，电容上储存的电荷经K2向负载电阻（Rf）放电，随着时间的变化，电容两端的电压慢慢下降，直到放电结束。,2fc,1,XC,（电容：测量及判定）,9、测量及好坏的判定,（1）数字万用表:用“蜂鸣档”测电容两端 无极性：不通即为好（显示为“1”） 有极性：瞬间相通（显示“0”，同时蜂鸣器发出报警音），随后变为不通（显示“1”）即为好。（2）指针万用表用R1K档测电容两端 无极性：表针向右摆动幅度小，随后回到无穷大“” 有极性: 表针向右摆动幅度大，而且慢慢回到左端（ “”）位置，即为好。10、电容损坏一般为：容量变小、失效

18、、击穿短路等。,电容的作用,11、电容作用及判定,a：滤波：一般用于电源电路，电容其中一端接地。,b：旁路：一般用于音频信号回路，电容的其中一端接地。,c：耦合：一般用于信号回路，电容两端都不接地。,d：振荡升压：用于本振及升压电路。,e：选频：用于信号回路。,电感器,电感器,（电感：定义、单位、作用、分类）,1、结构定义：把一根绝缘导线在塑料棒或其它骨架上绕几圈就 做成了一个电感。用“L”表示，符号,2 、电感量的单位： 亨利用“H”表示（电感量的大小表示电感线圈储存磁能的能力）1H=103mH=106uH=109nH 1H=103mH 1mH=103uH 1uH=103nH 电感量的大小与

19、线圈的匝数成正比，与匝间距成反比。,A按结构分,B:按材料分：,空芯（瓷芯）电感(高频),铁芯电感（硅钢片：低频）,磁芯电感（铁氧体：中频）,固定电感,可调电感（中周）,3、电感的分类,电感实物图,电感器,电感的特性,4、 电感的特性：,a电磁/磁电特性：当在线圈内通入交变的电流时，在线圈周围将产生交变的磁场，当线圈置入交变的磁场中时，将切割磁力线，在线圈两端产生感生电动势。,b 自感 ：当线圈内电流突然增大或减小时，在线圈两端将产生一个感生电动势来阻止电流的变化，称此现象为自感（电感内部电流不能突变）。 c互感/耦合 ：当在初级线圈中通入交变的信号电流时，（根据电磁/磁电特性）次级线圈感应出

20、相同的信号电压叫互感。5、 电感的串并联计算： 与电阻相同，即：越串越大，越并越小。6、 电感的感抗：XL=2fL 信号通过电感时所受到的阻力叫感抗 电感通直流阻交流 通低频阻高频7、 电感的作用：耦合、滤波、振荡、升压,电感的识别及判定,8、电感的识别：两端银白色，中间黑，侧面黑，(少数表面是一半白色，另一半是灰色，一般用于射频选频电路) 。与电阻不同就是，电阻侧面是白色，电感是黑色，且电感比电阻体积大，厚。 9、电感的好坏判别：用二极管档测电感两端，在磁芯没有损坏的情况下，两端相通，显示数字很小或为“0”，即为好。,变压器结构原理,1、组成：由初级线圈、次级线圈、铁芯(瓷芯) 、骨架等组成

21、。2、原理图,单次级绕组,+,-,+,-,表示同相端,双绕组变压器,双次级绕组,+,-,+,-,+,-,变压器（耦合器）,3、变压器的工作原理,当初级线圈中有交变的电流通过时，将会在初级线圈两端产生交变的磁场和感生电动势，次级线圈也被感应出相应的感生电动势（互感特性）。 即电能（信号）通过初级线圈转化成磁能（信号），次级线圈又把磁能转化成了电能（信号）。4、按输出电压分类,A耦合变压器：初级与次级线圈匝数比相同，初级线圈两端电压于次级电压相等。,B升压变压器：次级线圈匝数多于初级线圈，次级电压高于初级。,C降压变压器：次级线圈匝数少于初级线圈，次级电压低于初级。,交流信号的传输方式有三种：电容

22、耦合、变压器耦合、直接耦合。,外观,二极管,二极管,半导体与二极管定义,1、半导体的定义：介于绝缘体和导体之间的物体叫半导体 如：硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓等。2 二极管的结构：把一块P型半导体和一块N型半导体有机结合在一起,经过工艺加工引出两个电极就形成一个二极管。常用字母：D 或 V表示 符号：,二极管的特性,3、二极管的工作特性：单向导电性在二极管两端加正向偏压（在二极管的正极（P极）加高电压，负极（N极）加低电压），PN结（阻碍层）消失，电流从正极流向负极，即二极管导通，反偏截止。4、二极管的导通电压,普通发光管:1.5V,高亮度发光管:2.8V,红外发光管:2.8V,发光二极管：

23、,普通二极管：,锗管：导通性好0.150.4v,硅管：稳定性好0.50.8v,（饱合导通后，两端电压差（降）为0.3V）,（饱合导通后，两端电压差（降）为0.6V）,二极管的分类,5 二极管的分类,a稳压二极管（又称保护二极管/齐纳二极管）,工作在反偏状态，利用其反向击穿特性。用于电源及充电电路，当加在其两端的电压高于其额定稳压值时，二极管反向击穿，把稳压管两端的电压稳定在一个固定值。当电压恢复到标准时，稳压管反向截止。,b发光二极管,工作在正向偏置状态，当在其两端加合适的电压时，发光管导通，发光。用于指示灯及照明电路（在发光二极管内掺入不同的杂质，将会发出不同颜色的光）,c变容二极管,容量很

24、小，一般为030PF,工作在反向偏置状态，当改变其两端的反向偏压大小时，可改变其结电容的大小。主要用于本振电路。,LED,光电二极管,d光电二极管,工作在正偏状态，利用光线的强弱来控制二极管的导通或截止。用于摄像闪光灯自动控制及键盘灯自动控制。,e普通二极管,工作在正偏状态，利用其单向导电性。用于整流及钳位电路,二极管实物图,二极管的外观,7、SMD二极管的外观：,两端有引脚，表面为全黑色，其中有不明显竖条标记的一端为负极。,8、二极管的作用： 整流 稳压 开关 发光,9、二极管的好坏判别：,用数字万用表二极管档，测二极管两端：,开路：正反向阻值显示为“1”,击穿：正反向阻值很小或为“0”,a

25、正常：,正向阻值（红笔接正极，黑笔接负极）,锗管在150400左右,硅管在 500800左右,反向阻值（红笔接负极，黑笔接正极） ：锗管和硅管相同显示为“1”。,b损坏：,半波整流电路,9、二极管整流电路,a、半波整流电路及波形图（用于手机功率采样电路）,工作原理： 当正半周信号到来时，线圈两端产生上下的感生电动势，二极管处于正偏导通输出，经负载电阻到线圈下端构成电流回路。 当负半周信号到来时，线圈两端产生上负下正的感生电动势，二极管处于反偏截止，不能构成电流回路。,全波整流电路,b、全波整流,正半周时D1导通，负半周时D2导通，从而整流出整个全波形。,桥式整流电路,3、全波桥式整流电路,下图

26、为简化图,二极管保护电路,4、二极管保护电路,M,续流二极管,三极管,三极管,三极管定义,1、三极管的结构定义：把三块不同的半导体组合成两个 PN结，引出 三个电极就形成了一个三极管。 (电流控制元件：用一个小的基极电流去控制一个大的集电极电流变化) 用字母：BG Q V表示,NPN型三极管,箭头所代表的意义：标示有箭头的一极为发射极箭头向外表示为NPN型、向内为PNP型箭头方向表示三极管内部电流的方向,无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们均包含三个区: 发射区、基区和集电区,三个电极：发射极（e)、基极(b)和集电极(c)。,2、三极管的分类： a、按类型分,三极管作用及电流关系,b、按

27、材料分,Ie=Ib+Ic,Ic=Ib,Ub：基极对地电压,Ue：发射极对地电压,Uc:集电极对地电压,Uce:三极管管压降，即c极与e极之间的电压差,Ib：流过b极的电流,Ube:b极与e极之间的电压差,Ic：流过c极的电流,Ie:流过e极的电流,Ic,3、三极管：三个电极之间的电压电流关系,硅：一般做成NPN三极管，用于放大电路,锗：一般做成PNP型，用于电源及开关控制电路, :三极管放大倍数,c、按功率分：小、中、大功率，功率越大，外型体积就越大。,d、按频率分：低、中、高频。（高频：指三极管可以放大高频信号，可以代换低 频管，但不可用低频管代高频管，否则会产生频率饱合而失真）,三极管的实

28、物图及原理符号,5、三极管的外观及脚位识别,6、三极管好坏测量判别 三极管的管型及管脚的判别口诀 a、 三颠倒，找基极：首先假设一只脚为b极，先用红笔接b极，用黑笔分别去测另外两个极，直到都有阻值显示时，红笔所接为b极 ，或者用黑笔接基极，红笔分别去测另外两个极，直到都有阻值显示时，黑笔所接为b极 。 b、 PN 结，定管型：当用红笔接基极，测得另外两极与基极的正向阻值在500800左右，判定为（硅材料）NPN型，黑笔接基极，红笔测时，显示在150400左右时，判定为（锗材料）PNP型。 c、 顺箭头，数字大 ：所测两个极的正向阻值，稍大的一极为发射极。 d、 测不出，动嘴巴 ：如果两阻值相差

29、不明显时，可在三极管上方加热，更容易区分。 e、当三极管c e之间正反向阻值很小时，说明该三极管已击穿损坏。,三极管（截止区）,7、三极管的作用： 放大 开关 振荡,(1) 截止状态(关状态) 当be.5V, 三极管工作在截止区，Ib=0 Ic=0,C极E极之间断开。（此时C极和E极之间相当于串了一个无穷大的电阻）一般将b的区域称为截止区, 其实b时, 并不等于零, 而是等于穿透电流ICEO（一般为几uA到几十uA）。,8、三极管的三种工作状态： 截止：三极管C E极之间断开，内部没有Ic电流。 饱和：三极管c e极之间相通，内部IC电流达到最大。 放大：三极管c e极之间相当于接了一个可调电

30、阻，且阻值大小受基 极电流控制，此时IC电流受Ib电流控制。,三极管（饱和区）,(2) 饱和状态。,当Ube0.7V，三极管集电极电流达到最大，基本上不随基极电流b的增大而变化, 这种现象称为饱和，此时三极管c e之间内阻很小，相当于直接相连。如果把三极管看作一个开关的话，此时相当于”开“或“闭合”状态。 三极管饱和时的管压降用CES表示。在深度饱和时, 小功率管管压降通常小于.V。 三极管工作在饱和区时, 发射结和集电结都处于正向偏置状态。,三极管（放大区）,(3) 放大状态,当在三极管的发射结加正向偏置, 集电结加反向偏置,且反偏大于正偏。UcUbUe。对于三极管, 0.7Vbe.5V时,

31、工作在放大区。 当b一定时, c的值基本上不随ce而变化。 在这个区域内,当基极电流发生微小的变化量b时, 相应的集电极电流将产生较大的变化量c, 此时二者的关系,cb,:表示变量,该式体现了三极管的电流放大作用。,共发射极放大电路,8、三极管的基本放大电路,A: 共发射极放大电路,共发射极电路：从三极管的基极和发射极之间输入，而从集电极和发射极之间输出。又称：反相器/倒相器。看电路图时，在三极管的输入，输出端串有耦合电容时，该三极管为放大管（且放大的是交流信号）若在输入输出端串接电阻，一般工作在开关状态（放大的是直流信号）,共集电极放大电路,B:共集电极放大电路,共集电极电路：则以集电极作为

32、输入、输出的公共端，因为它的输出信号是从发射极引出的，且输出波形与输入波形变化一致，所以又称为射极跟随器。,用于NOKIA 3250,共基极放大电路,C 、共基极放大电路,共基极电路:从发射极输入，集电极输出，则以基极作为输入、输出的公共端。,三极管反馈电路,9、三极管的偏置及反馈电路,A：反馈的定义：把信号从输出端取出一部份，经过某种途径返回到输入端的过程叫反馈。B：分类 a电压并联负反馈：从输出端（集电极）取出信号电压加到输入端，使输出信号变弱。 (用于放大电路,作用是稳定其工作点，防止饱和失真) b电压并联正反馈，从后级取出信号电压加到输入端，使输出信号变强。（用于振荡电路，通过反馈形成

33、自激振荡） c电流串联负反馈：从发射极取出加到输入端，使输出信号变弱。(用于放大电路),电路类型,C：电路类型如下,b、电流串联负反馈偏置电路,a、电压并联负反馈偏置电路,场效应管,场效应管,场效应管定义、结构1,1、 定义：在一块半导体上分别制造两个区域经过 工艺加工引出三个电极就形成一个场效应管。(电压控制元件),2、结构与符号,栅极,漏极,源极,N 沟道 JFET(结型）,P 沟道 JFET (结型）,效应管的分类符号,2、分类：场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(IGFET)，即目前最常用的是CMOS管。,结 型,绝缘栅型,增强型,耗尽型,P沟道,N沟道,P沟道,N沟

34、道：一般用于放大电路，作为放大管,用于手机前端低噪声放大器（LNA），及MIC内部放大。,P沟道：一般用于电源电路，工作在开关状态,场效应管的符号,栅极,栅极,静态工作点与偏置电路,3、 静态工作点与偏置电路,自给偏压电路,效应管的工作原理,4、绝缘栅场效应管的工作原理,P沟道：当栅极为低电平，D、S任一极为高电平时，该管即可导通，电流方向取决于何极为高电平。例：D极为高电平，电流从D极流向S极。 N沟道：当栅极为高电平， D、S任一极为高电平时，该管即可导通，电流方向取决于何极为高电平。例：D极为高电平，电流从D极流向S极。 工作条件只有栅极电压不同，其它完全相同。即：当P沟道栅极为低电平，

35、N沟道栅极为高电平，D、S任一极为高电平时，该管即可导通，电流方向取决于何极为高电平。,与三极管的工作相似：NPN三极管基极为高电平，PNP三极管基极为低电平时，即可导通。,三极管与场效应管的区别,三极管与场效应管的区别：,1、三极管为电流控制元件,控制端需要消耗电能； 场效应管为电压控制元件，控制端不需要消耗电能。2、场效管比三极管输入阻抗大，灵敏度高。3、场效应管比三极管放大能力强。4、绝缘栅型场效应管D S 极之间电流方向灵活；三极管内电流方向固定不变（NPN型，电流从集电极流向发射极；PNP型，电流从发射极流向集电极。）,集成电路,集成电路,集成电路（定义）,1、定义：把多个元件或多个

36、电路集成在一块晶片上，封装在一起，引出各种功能脚，去完成一项或多项功能的电路集合，称集成电路。简称：“IC”。（又叫：集成块、芯片等 ）,2、根据环境及用途分为多种封装型式，手机最常用的有以下几种：A：sop封装：这种封装的集成电路引脚均分布在两边，其引脚数目多在28个以下。 主要用于老手机中的：电子开关、功放、功控、 电源（ADP3402 ADP3404 ADP3408）等.,标记点,标记点,标记点,脚序：以标记点处为起点，逆时针数、。,DIP封装,B：DIP封装：双列直插式，主要用于其它家用电器或充电器等。如下图：,脚序：以缺口处为起点，逆时针数。,缺口,QFP封装,C：QFP封装：引脚分

37、布在四周，一般用于老机型的：cpu 、射频等。,LCCC封装,D：LCCC封装：无引脚封装，与QFP封装型式相似，引脚更短，更节约空间。该封装用途也很广，如MT6305（电源） MT6129（射频） RF3146（功放） PCF50603（电源）等。,BGA封装,E：BGA封装：又叫栅格陈列封装，引脚分布在芯片下面。也是目前用的最多的一种封装型式。如：MT6226（CPU）、TWL3014（电源）、UAA6353（射频）等。,BGA脚位图,C,E,。,B,其中：i、o、Q、S、X、Z (跳过)不数。,主板脚位图,芯片脚位图,门电路,门电路,与门,一、常用门电路,1、与门：两输入端与输出端为相乘

38、关系,有0出0全1出1,在数字电路中，“1”代表高电平，“0”代表低电平,in1,in2,out,或门,2、或门：两输入端与输出端为相加关系,有1出1全0出0,当输入端有一个高电平时，即可输出一个高电平 当输入端两个都为低电平时，将输出一个低电平,非门,3、非门：输入端与输出端为反相关系,有0出1有1出0,当输入端为高电平时，将输出一个低电平 当输入端为低电平时，将输出一个高电平,与非门,4、与非门：输出结果与与门电路相反,有0出1全1出0,或非门,5、或非门：输入端与输出端关系为：,有1出0 全0出1,三态门,6、三态门：输出有三种状态，高电平，低电平，高阻态,1,2,3,U1,I2C总线,

39、U1,1,2,3,U2,1#为高电平时，2输出高电平1#为低电平时，2输出低电平3#为低电平时，2为高阻状态，相当输出端与U1断开，从而减小对其它电路的影响，主要用于总线控制电路中。,霍尔元件,霍尔元件,霍尔元件,1、作用：用于翻盖及滑盖检测,2、别名：又叫磁控开关,3、原理方框图(右图),4、工作原理,a、当磁铁靠近霍尔元件时，将感应出微弱的霍尔电压，经U1放大后，输出一个高电平，使Q1导通，输出低电平去CPU，CPU检测到低电平，判定为合盖状态，控制电路挂断电话、关闭屏灯及键盘灯等。,b、当磁铁离开霍尔元件时，将感应不出霍尔电压，经U1放大后，输出一个低电平，使Q1截止，输出高电平去CPU

40、，CPU检测到高电平，判定为开盖状态，控制电路接通电话、打开屏灯及键盘灯等。,霍尔组件内部方框图,霍尔元件,5、好坏的判定,用一个磁铁去靠近霍尔元件，看屏灯是否熄灭，即可判定其好环,屏灯熄灭：即可判定其为良品。,否：检查供电及上拉电阻是否正常,干簧管,6、霍尔元件损坏后会出现：开关盖无反应，不开机，打不出电话（自动掉 线）故障。,7、其它磁控开关,手机基础知识,手机基础知识,手机基础知识,第一节 SIM卡,第四节 频段划分及调制,第二节 运营商与网络,第三节 手机平台简介,SIM卡,SIM卡,SIM卡（概念）,1、概念：,SIM卡：是客户识别模块，也称为智能卡、用户身份识别卡、储值卡。内含单片

41、机（cpu）、存储器等，存储了移动电话客户的信息（电话号码、加密的密钥等内容），可供GSM网络客户进行身份鉴别，防止了并机和通话被窃听行为.（有大卡和小卡之分）,SIM卡（容量）,2、SIM卡的存储容量,SIM卡容量有8K、16K、32K、64K，其中16K以上的 大容量的SIM卡统称为多功能STK卡。例如：8kB的存储容量，可供储存以下内容：(1) 100组电话号码及其对应的姓名文字。 (2) 15组短信息(Short Message)。 (3) 5组以上最近拨出的号码。 (4) 4位SIM卡密码(PIN：0000或1234)。 1个字符1bit（字节）1个汉字2bit1kbit1024 b

42、it1Mbit1024Kbit1Gbit1024Mbit,SIM卡（密码1）,3、SIM卡的密码,a、PIN码：是指SIM卡的密码，存在于SIM卡中，其出厂值为1234或0000。激活PIN码后，每次开机要输入PIN码才能登录网络。 b、PUK码：是用来解PIN码的万能钥匙，共8位。用户是不知道PUK码的，只有到营业厅由工作人员操作（有些在买储值卡已经标在卡的背面了，还可以通过客服电话索取）当PIN码输错3次后，SIM卡会自动上锁，此时只有通过输入PUK才能解锁。PUK码输错10次后，SIM卡会自动启动自毁程序。,C、PIN2码： 也是SIM卡的密码，它跟网络的计费（如储值卡的计费、扣费等）有

43、 关。在设置固定号码拨号和通话费率（需要网络支持）时需要PIN2码。,通话设置,d、用户服务密码：,一般标示在储值卡上（全球通、动感地带6位数字；神州行、大众卡8位数字），用电话或网络办理业务时用到此密码。（如：账单查询，开通业务，挂失补卡等。）,5、通话设置,a.发送本机号码,网络预设,发送号码,隐藏号码,中国移动打不出所有电话及短信息发不出，但可接听电话，接收短信。,中国联通可正常拨打所有电话，不受影响，号码也正常显示。,手机运营商与网络,移动电话运营商与网络,移动通讯运营商与网络,1、中国移动：全球通、动感地带、神州行、大众卡,号段：134、 135、 136、 137、 138、 13

44、9、 150、151、 152、 157 、158 、159、147、187、188（3G） 。,2、中国联通：全球通、 up新势力、如意通、世界风、公话卡号段： 130、131、132、153、155、156、185、186.,3、中国电信：号段：市话通（与座机相同）、 133（CDMA）、 180、189,手机平台简介,手机平台简介,手机平台（软件平台1）,手机软件平台（即智能机手机操作系统）：,1、Palm OS操作系统 （奔迈 ）：Palm OS在PDA市场占有主导地位。使用Palm OS操作系统的三星智能手机SPH-i500 SGH I530,SGH I530,Symbian系统,2

45、、Symbian系统 （塞班）：,Symbian是一个实时性、多任务的纯32位操作系统，具有功耗低、内存占用少等特点，非常适合手机等移动设备使用，经过不断完善，可以支持GPRS、蓝牙、以及3G技术。分多个版本：S40、S60（1、2、3、4、5版）等 。主要用于NOKIA手机。,Windows MObile系统,3、Windows MObile系统,Windows Mobile 5.0（旧版:功能差）Windows Mobile 6.0Windows Mobile 6.5多普达及其它国产智能机大多采用此系统(与电脑windows操作系统兼容性最好),4、Linux系统 ： Linux系统是一个

46、源代码开放的操作系统，目前已经有很多版本流行。但尚未得到较广泛的支持。主要用于MOTO手机 。,手机平台（硬件平台）,硬件芯片平台（以cpu芯片为准）,1、MTK：台湾联发科技有限公司2、展讯（SPD）：上海展讯通信有限公司3、飞利浦（PHILIPS）：荷兰菲利浦电子公司 4、英飞凌（Infineon或PMB）：德国英飞凌科技股份公司5、skyworks：美国思佳讯（科胜讯）公司6、AD：美国模拟公司7、AGERE ：美国杰尔8、TI：美国德州仪器9、高通（MSM）：美国高通（针对CDMA、3G芯片）10、爱立信 ：瑞典11、摩托罗拉：美国12、诺基亚：芬兰,国产及杂牌常用的八大平台,手机平台

47、（软件平台2）,手机智能芯片供应商：高通、博通和TI、联发科MTK及海思科技（华为）等。智能手机大供应商：诺基亚、RIM、苹果、宏达电宏达电（台湾）和RIM(加拿大:黑莓手机制造商)的智能型手机为采用高通的芯片；诺基亚、摩托罗拉和Palm Pre（奔迈）则采用TI的芯片；苹果iPhone则采用英飞凌的芯片。,手机频段划分及调制,手机频段划分及调制,手机的频率划分,1、手机频率的划分：,GSM 900MHZ,RX 925-960MHZ 下行频率,TX 880-915MHZ 上行频率,DCS 1800MHZ,RX 1805-1880MHZ,TX 1710-1785MHZ,RX 1930-1990M

48、HZ,TX 1850-1910MHZ,PCS 1900MHZ,下行：表示基站发出手机接收,上行：表示手机发出基站接收,RX：表示手机接收,TX：表示手机发射,G网,CDMA,3G,中国移动：TX：18801900 RX：20102025,中国联通：TX：19401955 RX：21302145,中国电信：TX：19201935 RX：21102125,TX：824-849MHz RX：869-894MHz,(TD-SCDMA),(WCDMA),(CDMA2000),手机常用术语,2、手机调制专业术语（以900M为例）,RX：925-960MHZ TX：880-915MHZa：双工间隔: 45M

49、Hz (用接收最高频率减发射最高频率 )b: 工作带宽: 35MHz (用接收或发射的最高频率减最低频率)c：载频间隔：0.2MHz （200KHz）(每个信道所占的带宽)d: 载波(信道)数量：174个 (用工作带宽除以载频间隔得出),以1800M为例 RX：1805-1880MHZ TX：1710-1785MHZ,a：双工间隔:,b: 工作带宽:,c：载频间隔：0.2MHz,d: 载波(信道)数量：,95MHz,75MHz,374个,手机的多址调制（FDMA）,3、手机最基本的三种调制方式,A、频分多址（FDMA): (以900M为例）按载频间隔为0.2M计算，可把35M的带宽平均分成17

50、4份，每份为一个载波（供1人使用），即：在同一个小区内可同时容纳174人同时通话。,(一个小区的覆盖范围是:5Km235Km2）,（用于早期的模拟机：大哥大（砖头）,手机的多址调制（TDMA）,B：时分多址（TDMA）：跳频技术,在频分多址基础上，每个信道按时间不同分8个时隙，每个时隙可供1个用户使用。即每个小区可同时容纳17481392人同时通话。,每个时帧（含8个时隙）4.62ms 每个时隙：0.577ms,4.62ms,0.577ms,手机的多址调制（CDMA）,C：码分多址（CDMA）：自扰技术 在频分多址的基础上按编码不同进行分配，载频间隔为1.23MHZ。整体容量比TDMA大4-5