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1、,金刚线wafer相关技术与PERC简介纸上谈兵,Benson.zhi2017/8,For 茂迪非技术部门内部员工，最好对常规工艺有一定的了解篇幅有限，不会面面俱到技术更新较快，部分信息已经过时或很快过时,数据多来自网上，部分是实验资料，不得外传：1、避免不必要的侵权；2、避免专业人士笑掉大牙,1,t课件,金刚线 Wafer,DW相关工艺,PERC工艺,引言,总结,2,t课件,引言,Diamond wire,2014年？,3,t课件,引言,4,t课件,引言,5,t课件,DW相关工艺,PERC工艺,引言,总结,金刚线 Wafer,6,t课件,金刚线wafer,7,t课件,金刚线wafer,砂浆切
2、割与金刚线切割过程,8,t课件,金刚线wafer,两种金刚线结构：电镀金刚线和树脂金刚线,9,t课件,金刚线wafer,重点：成本下降幅度,10,t课件,金刚线wafer,砂浆切割与金刚线切割表面容貌,11,t课件,金刚线wafer,碱制绒单晶表面形貌与腐蚀时间的关系,EFF提升0.1%左右,12,t课件,金刚线wafer,多晶酸制绒金刚线绒面与电性,13,t课件,金刚线wafer,多晶酸制绒拉力,砂浆wafer,金刚线wafer,14,t课件,金刚线wafer,金刚线切割多晶硅片市场份额,15,t课件,金刚线wafer,金刚线切割多晶硅片市场份额,16,t课件,金刚线 Wafer,DW相关工
3、艺,PERC工艺,引言,总结,17,t课件,DW相关工艺,多晶DW（diamond wafer）相关工艺（包含不限于）：,EFF,CTM,成本,添加剂,预处理,湿法黑硅,干法黑硅,SMD,18,t课件,DW相关工艺,添加剂：,绒面取决于损伤层,19,t课件,DW相关工艺,添加剂：,蚀刻速度控制,动起来,慢下来,节奏基本一致,挖孔促进剂,黑丝抑制剂,20,t课件,DW相关工艺,预处理：,时创,SMD,21,t课件,DW相关工艺,SMD预处理：贵，增加一站，未知是否成熟,22,t课件,DW相关工艺,时创预处理：增加一站，破片率高，0.5%以上，甚至1%,PC吸笔吸破,HF上货手放时破裂,PC炉管内
4、破裂,23,t课件,DW相关工艺,湿法黑硅：,24,t课件,DW相关工艺,湿法黑硅：,MAE/MACE：metal-assisted chemical etching； MCCE：Metal-Catalyzed Chemical Etching,通道,25,t课件,DW相关工艺,湿法黑硅：,26,t课件,DW相关工艺,湿法黑硅：,27,t课件,DW相关工艺,湿法黑硅：,湿法制程调整 ( AgNO3 ),效率 :,+0.1%,+0.4% ,外观 :,均匀绒面,明显花片,28,t课件,DW相关工艺,湿法黑硅设备替代TX：槽式,Total 27槽 (长度 24m ),29,t课件,DW相关工艺,湿法
5、黑硅设备替代TX：链式,30,t课件,DW相关工艺,湿法黑硅之太湖条例：,第二条 本条例适用于本省行政区域内太湖流域地表水体的污染防治。太湖流域包括太湖湖体，苏州市、无锡市、常州市和丹阳市的全部行政区域，以及句容市、高淳县、溧水县行政区域内对太湖水质有影响的河流、湖泊、水库、渠道等水体所在区域。第四十五条 太湖流域一、二、三级保护区禁止下列行为：（一）新建、改建、扩建化学制浆造纸、制革、酿造、染料、印染、电镀以及其他排放含磷、氮等污染物的企业和项目；（二）销售、使用含磷洗涤用品；（三）向水体排放或者倾倒油类、酸液、碱液、剧毒废渣废液、含放射性废渣废液、含病原体污水、工业废渣以及其他废弃物；（四
6、）在水体清洗装贮过油类或者有毒有害污染物的车辆、船舶和容器等；（五）使用农药等有毒物毒杀水生生物；（六）向水体直接排放人畜粪便、倾倒垃圾；（七）围湖造地；（八）违法开山采石，或者进行破坏林木、植被、水生生物的活动；（九）法律、法规禁止的其他行为。,31,t课件,DW相关工艺,湿法黑硅其他：,32,t课件,DW相关工艺,干法黑硅：增加两站,1、DW原硅片,2、酸制绒后,4、后清洗,3、RIE后,33,t课件,DW相关工艺,干法黑硅：增加两站,top view,side view(viewed at 30to the normal),SF6等离子含有F+，SF+，SF3+，SF5+等，加入O2后，
7、等离子中含有O*。负压下，SFx+ (x5)、F+注入Si中，生成SiF4挥发掉。加入O2，O*与Si反应生成SiOx，由于SiF键能 (129.3 kcal/mol)比SiO (88.2 kcal/mol)大，SiOx与SFx+(x5)、F+反应生成SixOyFz。离子轰击下，一些SixOyFz离开Si，随后Si被SFx+(x5)和F+刻蚀。黑硅的多孔和针状结构在SFx+(x5)和F+离子刻蚀、SixOyFz钝化以及离子轰击的竞争下形成。,34,t课件,DW相关工艺,外观对比：,35,t课件,DW相关工艺,组件对比：,36,t课件,DW相关工艺,工艺对比,37,t课件,DW相关工艺,多晶电池
8、制绒方法份额预测,38,t课件,DW相关工艺,多晶电池制绒方法,砂浆片,金刚线,additive金刚线,MACE金刚线,RIE金刚线,39,t课件,金刚线 Wafer,DW相关工艺,PERC工艺,引言,总结,40,t课件,PERC工艺,Passivated Emitter and Rear Cell：发射极及背钝化的太阳能电池,41,t课件,PERC工艺,内量子效率:当光子入射到光敏器材（如CCD等）的表面时，被吸收的那部分光子会激发光敏材料会产生电子空穴对，形成电流，此时收集到的电子与被吸收的光子之比，就是内量子效率(internal quantum efficiency)。,42,t课件,
9、PERC工艺,背铝,43,t课件,PERC工艺,AL2O3,设备分类：,板式：12*3.6*2.5,管式：2.8*3.1*2.1,44,t课件,PERC工艺,AL2O3,工艺分类：PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) - 等离子体增强化学的气相沉积法ALD (Atomic layer deposition) -原子层沉积,PECVD,ALD,45,t课件,PERC工艺,AL2O3,ALD工艺分类：,空间ALD,时间ALD,开车兜风,海边吹风,46,t课件,PERC工艺,PCC,PCC与PC相同，均镀氮化硅膜，因对镀膜质量要求不高
10、，一般镀膜速度较快，国产的设备也比较划算,47,t课件,PERC工艺,Al2O3+PCC,梅耶博格：Al2O3+PCC一体机,48,t课件,PERC工艺,Al2O3+PCC,Centrotherm：Al2O3+PCC一体机,49,t课件,PERC工艺,Laser,50,t课件,PERC工艺,Laser,51,t课件,PERC工艺,PERC相关的其他技术：抛光（HF）,52,t课件,PERC工艺,PERC相关的其他技术：LID之单晶,硼原子较小,53,t课件,PERC工艺,PERC相关的其他技术：LID之多晶,54,t课件,PERC工艺,PERC相关的其他技术：CT HE berger,55,t
11、课件,PERC工艺,PERC相关的其他技术：CT HE berger,56,t课件,PERC工艺,PERC相关的其他技术：双面电池,57,t课件,PERC工艺,PERC相关的其他技术：双面电池,58,t课件,PERC工艺,PERC相关的其他技术：印刷AL2O3,59,t课件,PERC工艺,PERC相关的其他技术：烧穿型铝浆,60,t课件,PERC工艺,PERC相关的wafer讯息,61,t课件,PERC工艺,PERC电池的问题,62,t课件,PERC工艺,市场份额,63,t课件,p- Si wafer,PERC工艺,PERC流程,TX,DF,HF,Al2O3,PC,PCC,Laser,PT,p- Si wafer,TX,DF,HF,Al2O3,PCC,PC,Laser,PT,PC,实弹演习,LID,64,t课件,65,t课件,金刚线 Wafer,DW相关工艺,PERC工艺,引言,结尾,66,t课件,结尾,67,t课件,结尾,考量设备投入、新工艺、环评、客户等,换一款添加剂即可,68,t课件,结尾,2016年,17%*1.65*0.992*1000=278.2280W对应19%电池效率19%以下就是低效,69,t课件,结尾,市场趋势,70,t课件,结尾,71,t课件,72,t课件,
