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1、因为制造半导体器件和集成电路时，最重要的是要很好地控制掺入的杂质的种类和数量（浓度）；而且有些杂质对半导体载流子的影响也很不好（例如减短寿命、降低迁移率）。为了达到能够可控的掺杂和去掉有害杂质，就必须事先把作为原始材料的Si片提纯使之成为本征半导体。否则就难以实现有目的地掺杂和做好器件和电路。,为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？,温度变化时候，载流子数目肯定变化。少子与多子变化数目不相同。 因为少子浓度和多子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方。二者和不是定值，积是一个定值。,在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？,在下
2、图电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，当输入正弦电压ui=10sint，试画出输出电压uo的波形。,在下图电路中，U=5V，ui=10sint，二极管的正向压降可以忽略不计，是分别画出输出电压uo的波形。,在下图电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态（ ）。,D1与D2截止、D3导通,D1导通、D2与D3截止,D1、D2与D3均导通,在下图个电路中，试问晶体管工作在何种状态。,15.1.1 晶体管放大电路如下图所示，已知UCC=12V，RC=3K，RC=240K，晶体管的=40.,1）试用直流通路估算各静态值；2）试用作图法做出放大电路的静态工作点；3）在静态时（ui=0）C1和C2上的
3、电压各为多少？并标出极性。,15.1.1 晶体管放大电路如下图所示，已知UCC=12V，RC=3K，RC=240K，晶体管的=40.,一固定偏置放大电路，要求 , IC=1mA，Vcc=12V，BJT的=20。确定Rb、Rc，并计算VCE。设 。,如下图所示两级放大电路，晶体管的1=2=40，rbe1=1.37k,rbe2=0.89k . 1 画出直流通路，并估算各级电路的静态工作点（计算UCE1 时忽略IB2： 2 画出微变等效电路，并计算Au1，Au2及Au; 3 计算ri和ro。,如下图所示电路中，输出电压uo为（）,1、ui 2、-ui 3、-2ui,如下图所示电路中，若ui=1V,则输出电压uo为（）,1、6V 2、4V 3、-6V,如下图所示电路中，输出电压uo与各输入电压的运算关系式。,
