台式电脑维修手册附录.docx

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1、第三部分-附录 每个用户的硬盘中都存放着大量的有用数据，而硬盘又是一个易出毛病的部件。为了有效的保存硬盘中的数据，除了有效的保存硬盘中的数据，备份工作以外，还要学会在硬盘出现故障时如何救活硬盘，或者提取其中的有用数据，把损失降到最小程度。 1、系统不承认硬盘 此类故障比较常见，即从硬盘无法启动，从其它盘启动也无法进入C盘，使用CMOS中的自动监测功能也无法发现硬盘的存在。这种故障大都出现在连接电缆或IDE口端口上，硬盘本身的故障率很少，可通过重新插拔硬盘电缆或者改换IDE口及电缆等进行替换试验，可很快发现故障的所在。如果新接上的硬盘不承认，对于IDE硬盘，还有一个常见的原因就是硬盘上的主从条线

2、，如果硬盘接在IDE的主盘位置，则硬盘必须跳为主盘状，跳线错误一般无法检测到硬盘。 2、CMOS引起的故障 CMOS的正确与否直接影响硬盘的正常使用，这里主要指其中的硬盘类型。好在现在的机器都支持IDEautodetect的功能，可自动检测硬盘的类型。当连接新的硬盘或者更换新的硬盘后都要通过此功能重新进行设置类型。当然，现在有的类型的主板可自动识别硬盘的类型。当硬盘类型错误时，有时干脆无法启动系统，有时能够启动，但会发生读写错误。比如CMOS中的硬盘类型小于实际的硬盘容量，则硬盘后面的扇区将无法读写，如果是多分区状态则个别分区将丢失。还有一个重要的故障原因，由于目前的IDE都支持逻辑参数类型，

3、硬盘可采用Normal、LBA、Large等。如果在一般的模式下安装了数据，而又在CMOS中改为其他的模式，则会发生硬盘的读写错误故障，因为其物理地质的映射关系已经改变，将无法读取原来的正确硬盘位置。 3、主引导程序引起的启动故障 硬盘的主引导扇区是硬盘中的最为敏感的一个部件，其中的主引导程序是它的一部分，此段程序主要用于检测硬盘分区的正确性，并确定活动分区，负责把引导权移交给活动分区的DOS或其他操作系统。此段程序损坏将无法从硬盘引导，但从软区或光区之后可对硬盘进行读写。修复此故障的方法较为简单，使用高版本DOS的fdisk最为方便，当带参数/mbr运行时，将直接更换(重写)硬盘的主引导程序

4、。实际上硬盘的主引导扇区正是此程序建立的，fdisk.exe之中包含有完整的硬盘主引导程序。虽然DOS版本不断更新，但硬盘的主引导程序一直没有变化，从DOS3.x到目前有winDOS95的DOS，所以只要找到一种DOS引导盘启动系统并运行此程序即可修复。 4、分区表错误引导的启动故障 分区表错误是硬盘的严重错误，不同错误的程度会造成不同的损失。如果是没有活动分区标志，则计算机无法启动。但从软驱或光驱引导系统后可对硬盘读写，可通过fdisk重置活动分区进行修复。如果是某一分区类型错误，可造成某一分区的丢失。分区表的第四个字节为分区类型值，正常的可引导的大于32mb的基本DOS分区值为06，而扩展

5、的DOS分区值是05。如果把基本DOS分区类型改为05则无法启动系统，并且不能读写其中的数据。如果把06改为DOS不识别的类型如efh，则DOS认为改分区不是DOS分区，当然无法读写。很多人利用此类型值实现单个分区的加密技术，恢复原来的正确类型值即可使该分区恢复正常。分区表中还有其他数据用于纪录分区的起始或终止地址。这些数据的损坏将造成该分区的混乱或丢失，一般无法进行手工恢复，唯一的方法是用备份的分区表数据重新写回，或者从其他的相同类型的并且分区状况相同的硬盘上获取分区表数据，否则将导致其他的数据永久的丢失。在对主引导扇区进行操作时，可采用nu等工具软件，操作非常的方便，可直接对硬盘主引导扇区

6、进行读写或编辑。当然也可采用debug进行操作，但操作繁琐并且具有一定的风险。 5、分区有效标志错误引起的硬盘故障 在硬盘主引导扇区中还存在一个重要的部分，那就是其最后的两个字节:55aah，此字为扇区的有效标志。当从硬盘，软盘或光区启动时，将检测这两个字节，如果存在则认为有硬盘存在，否则将不承认硬盘。此标志时从硬盘启动将转入rombasic或提示放入软盘。从软盘启动时无法转入硬盘。此处可用于整个硬盘的加密技术。可采用debug方法进行恢复处理。另外，DOS引导扇区仍有这样的标志存在，当DOS引导扇区无引导标志时，系统启动将显示为:missingoperatingsystem。其修复的方法可采

7、用的主引导扇区修复方法，只是地址不同，更方便的方法是使用下面的DOS系统通用的修复方法。 6、DOS引导系统引起的启动故障 DOS引导系统主要由DOS引导扇区和DOS系统文件组成。系统文件主要包括io.sys、msdos.sys、，其中是DOS的外壳文件，可用其他的同类文件替换，但缺省状态下是DOS启动的必备文件。在Windows95携带的DOS系统中，msdos.sys是一个文本文件，是启动windows必须的文件。但只启动DOS时可不用此文件。但DOS引导出错时，可从软盘或光盘引导系统，之后使用sys c:传送系统即可修复故障，包括引导扇区及系统文件都可自动修复到正常状态。 7、fat表引

8、起的读写故障 fat表纪录着硬盘数据的存储地址，每一个文件都有一组连接的fat链指定其存放的簇地址。fat表的损坏意味着文件内容的丢失。庆幸的是DOS系统本身提供了两个fat表，如果目前使用的fat表损坏，可用第二个进行覆盖修复。但由于不同规格的磁盘其fat表的长度及第二个fat表的地址也是不固定的，所以修复时必须正确查找其正确位置，由一些工具软件如nu等本身具有这样的修复功能，使用也非常的方便。采用debug也可实现这种操作，即采用其m命令把第二个fat表移到第一个表处即可。如果第二个fat表也损坏了，则也无法把硬盘恢复到原来的状态，但文件的数据仍然存放在硬盘的数据区中，可采用chkdsk或

9、scandisk命令进行修复，最终得到*.chk文件，这便是丢失fat链的扇区数据。如果是文本文件则可从中提取并可合并完整的文件，如果是二进制的数据文件，则很难恢复出完整的文件。 8、目录表损坏引起的引导故障 目录表纪录着硬盘中文件的文件名等数据，其中最重要的一项是该文件的起始簇号，目录表由于没有自动备份功能，所以如果目录损坏将丢失大量的文件。一种减少损失的方法也是采用上面的chkdsk或scandisk程序的方法，从硬盘中搜索出chk文件，由目录表损坏时是首簇号丢失，在fat为损坏的情况下所形成的chk文件一般都比较完整的文件数据，每一个chk文件即是一个完整的文件，把其改为原来的名字可恢复

10、大多数文件。 9、误删除分区时数据的恢复 当用fdisk删除了硬盘分区之后，表面现象是硬盘中的数据已经完全消失，在未格式化时进入硬盘会显示无效驱动器。如果了解fdisk的工作原理，就会知道，fdisk只是重新改写了硬盘的主引导扇区(0面0道1扇区)中的内容。具体说就是删除了硬盘分区表信息，而硬盘中的任何分区的数据均没有改变，可仿造上述的分区表错误的修复方法，即想办法恢复分区表数据即可恢复原来的分区即数据，但这只限于除分区或重建分区之后。如果已经对分区用format格式化，在先恢复分区后，在按下面的方法恢复分区数据。 10、误格式化硬盘数据的恢复 在DOS高版本状态下，格式化操作format在缺

11、省状态下都建立了用于恢复格式化的磁盘信息，实际上是把磁盘的DOS引导扇区，fat分区表及目录表的所有内容复制到了磁盘的最后几个扇区中(因为后面的扇区很少使用)，而数据区中的内容根本没有改变。这样通过运行unformatc:即可恢复原来的文件分配表及目录表，从而完成硬盘信息的恢复。另外DOS还提供了一个miror命令用于纪录当前的磁盘的信息，供格式化或删除之后的恢复使用，此方法也比较有效。 附录一 各类故障判断思路（流程）（一）加电类故障判断流程启动与关闭类故障判断流程（三）磁盘类故障判断流程（四）显示类故障判断流程（五）安装类故障判断流程（六）局域网类故障判断流程（八）Internet类故障判

12、断流程（九）端口与外设类故障判断流程（十）音视频类故障判断流程附录二 部分部件、设备的技术规格（一） 内存技术规格识别 从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001（下载地址）这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统

13、一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。 1、内存的定义内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并对其存储数据的部件。存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。2、内存的分类1）内存类型分类RAM (Random Access Memory)随机读写存储器ROM (Read Only Memory)只读存储器SRAM (Static Random Access Memory)静态随机读写存储器DRAM (Dynamic Random Access Memory) 动态随机

14、读写存储器2）内存芯片分类FPM (Fast-Page Mode) DRAM 快速页面模式的DRAMEDO (Extended Data Out) DRAM即扩展数据输出DRAM 速度比FPM DRAM快15%30%BEDO (Burst EDO) DRAM突发式EDO DRAM 性能提高40%左右SDRAM (Synchronous DRAM) 同步DRAM 与CPU的外部工作时钟同步RDRAM (Rambus DRAM ) DDR (Double Data Rate) DRAM 3）按内存速度分PC66PC100PC133PC200PC2664）按内存接口形式分SIMM(Single-In

15、 Line Memory Module)单边接触内存条,分为30线和72线两种。DIMM(Dual In-Line Memory Module)双边接触内存条，168（SDRAM）线，184(DDR1)线，240(DDR2)线等，目前广泛使用DDR3内存，工作电压1.3。SODIMM Small Outline Dual In-line Memory Module144线DIMM主要用于笔记本型电脑RIMM5）按是否有缓冲分UnbufferedRegistered6）按是否有校验分Non-ECCECC3、PC66/100 SDRAM内存标注格式 （1）1.0-1.2版本 这类版本内存标注格式为

16、：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修

17、订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。 （2）1.2b+版本 其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h

18、代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。 4、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式 威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。 PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM

19、已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。 5、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的

20、标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。 6、RDRAM 内存标注格式其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；

21、d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。 7、各厂商内存芯片编号（1）HYUNDAI（现代） 现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mb

22、its、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTLLow Voltage TTL接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表

23、封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns143MHz，8=8ns125MHz，10p=10nsPC-100 CL2或3，10s=10nsPC-100 CL3，10=10ns100MHz，12=12ns83MHz，15=5ns66MHz）。 例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refreshcycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-封装

24、，10S代表CL=3的PC-100。 市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。 （2）

25、LGSLG Semicon LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。 LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi 其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOP封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns133MHz，8=8ns125MHz，7K=10nsPC-100 CL

26、2或3 ，7J=10ns100MHz，10K=10ns100MHz，12=12ns83MHz，15=15ns66MHz）。 例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。 LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。 （3）K

27、ingmax(胜创) Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。 Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频

28、且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。 KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般

29、的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。 （4）Geil(金邦、原樵风金条) 金邦金条分为金、红、绿、银、蓝五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条针对

30、PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。 金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd

31、 CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（

32、第二代），U= BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz）；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。 （5）SEC（Samsung Electronics，三星） 三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1以1的倍数为单位、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256254 = 256Kx、512

33、(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。 三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3

34、表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns143MHz、8 = 8ns125 MHz、10 = 10ns100 MHz、H = 100 MHz CAS值为2、L = 100 MHz CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用S后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是1

35、0ns(100 MHz)。 三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM3.3V、L=DDR SDRAM2.5V）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、

36、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K 15.6s、1 = 32m/2K 15.6s、2 = 128m/8K15.6s、3 = 64m/8K7.8s、4 = 128m/16K7.8s）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)

37、、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (15.6s)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。 三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示

38、三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA 逆转CSP、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。 （6）Micron（美光） Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其S

39、DRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j 其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery

40、Twr(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U= BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类： （A）、DRAM -4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 CL

41、3） -15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 CL=2.5 -8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz （B）、Rambus（时钟率） -4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns +的含义 -8E支持

42、PC66和PC100（CL2和CL3） -75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） -7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） -7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）、DDR SDRAM -8支持PC200（CL2） -75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） -7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB

43、，133MHz 其它还有如：黑金刚Kingbox 宇瞻Apacer 英飞凌Infineon 金士顿Kingston 记忆科技 Ramaxel 星存StarRam 威刚 ADATA 金士泰Kingstek 主要内存颗粒生产商：三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)茂矽(MOSEL)（7）其它内存芯片编号 NEC的内存芯片编号例如PD4564841G5-A80-9JF表示：PD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代

44、表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns125MHz CL 3，10=10nsPC100 CL 3，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=PC133，75=PC1

45、33）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。 HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到F了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns133MHz，80=8ns125MHz，A60=10nsPC-100 CL2或3，

46、B60=10nsPC-100 CL3即100MHZ时CL是3）。 SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHzCL3，10=100MHzPC66规格）。 TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、1

47、6、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns133MHz，80=8ns125MHz，10=10ns100MHz CL=3）。 IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns147MHz，75A=7.5NS133MHz，260或222=10nsPC100 CL2或3，360或322=10nsPC100 CL3，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS100MHz。 （