光源及照明方式ppt课件.ppt

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1、光源在科学研究和工程技术中有着广泛的应用，在物质的成分分析、材料的结构研究、光电检测、照明工程中，都离不开一定形式的光源。在光电信息技术中，光是信息的携带者，光的光谱辐射能量（或强度）、频率、振幅均可携带、传输各种信息。而光源在光电信息技术中往往起着关键的作用，因此，了解常用光源的基本特性和参数，并按照实际工作需求选择合适的光源，往往是光电信息技术工作中解决具体问题成功的关键。,一切能产生光辐射的辐射源，无论是天然的，还是人造的，都称为光源。天然光源是自然界中存在的，如太阳、恒星等，在天文学电探测中，常常会遇到这些光辐射的测量。人造光源是人为将各种形式能量（热能、电能、化学能）转化成光辐射能的

2、器件，其中利用电能产生光辐射的器件称为电光源。在一般光电测量系统中，电光源是最常见的光源。 3.1.1 光源的基本特性参数1. 辐射效率和发光效率 在给定波长范围内，某一光源发出的辐射通量与产生这些辐射通量所需的电功率之比，称为该光源在规定光谱范围内的辐射效率，于是,光源的基本特性参数,相应地，对于可见光范围，某一光源的发光效率v为所发射的光通量与产生这些光通量所需的电功率之比，就是该光源的光效率，即2. 光谱功率分布 自然光源和人造光源大都是由单色光组成的复色光。不同光源在不同光谱上辐射出不同的光谱功率，常用光谱功率分布来描述。若令其最大值为1，将光谱功率分布进行归一化，那么经过归一化后的光

3、谱功率分布称为相对光谱功率分析。,光源的基本特性参数,光源的基本特性参数,表31 常用光源的发光效率,图 31 四种典型的光谱功率分布,光源的基本特性参数,光源的光谱功率分布通常可分成四种情况，如图31所示。图中（a）称为线状光谱，由若干条明显分隔的细线组成，如低压汞灯。图（b）称为带状光谱，它由一些分开的谱带组成，每一谱带中又包含许多细谱线。如高压汞灯、高压钠灯就属于这种分布。图（c）为连续光谱，所有热辐射光源的光谱都是连续光谱，如白炽灯、卤素灯等.图（d）是混合光谱，它由连续光谱与线、带谱混合而成，一般荧光灯的光谱就属于这种分布。在选择光源时，它的光谱功率分布应由测量对象的要求来决定。在目

4、视光学系统中，一般采用可见光谱辐射比较丰富的光源。对于彩色摄影用光源，为了获得较好的色彩还原，应采用类似于日光色的光源，如卤钨灯、氙灯等。在紫外分光光度计中，通常使用氚灯、紫外汞氙灯等紫外辐射较强的光源，在光纤技术中，通常使用发光二极管和半导体激光器等光源 。,光源的基本特性参数,3. 空间光强分布 对于各向异性光源，其发光强度在空间各方向上是不相同的，若在空间某一截面上，自原点向各径向取矢量，矢量的长度与该方向的发光强度成正比。将各矢量的端点连起来，就得到光源在该截面上的发光强度曲线，即配光曲线。图32是超高压球形氙灯的光强分布。在有的情况下，为了提高光的利用率，一般选择发光强度高的方向作为

5、照明方向。为了进一步利用背面方向的光辐射，还可以在光源的背面安装反光罩，反光罩的焦点位于光源的发光中心上。4. 光源的色温 黑体的温度决定了它的光辐射特性。对非黑体辐射，它的某些特性常可用黑体辐射的特性来近似地表示。对于一般光源，经常用分布温度、色温或相关色温表示。,光源的基本特性参数,图32 超高压球形氙灯光强分布,光源的基本特性参数,（1）分布温度。辐射源在某一波长范围内辐射的相对光谱分布，与黑体在某一温度下辐射的相对光谱功率分布一致，那么该黑体的温度就称为该辐射源的分布温度。这种辐射体的光谱辐亮度可表示为：（2）色温。辐射源发射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光的颜色相同时，黑体的这一温度

6、称为该辐射源的色温。辐射源发射光的颜色可以由多种光谱分布产生，所以色温相同的光源，它们的相对光谱功率分布不一定相同。（3）相关色温。对于一般光源，它的颜色与任何温度下的黑体辐射的颜色都不相同，这时的光源用相关色温表示，在均匀色度图中，如果光源的色坐标点与某一温度下的黑体辐射的色坐标点最接近，则该黑体的温度称为该光源的相关色温。,光源的基本特性参数,热辐射源,5. 光源的颜色 光源的颜色包含了两方面的含义，即色表和显色性。用眼睛直接观察光源时所看到的颜色称为光源的色表。 3.1.2 热辐射源 任何物体只要其温度大于绝对零度，就会向外界辐射能量，其辐射特性与温度有关。 热辐射光源有三个特点：（1）

7、它们的发光特性都可以利用普朗克公式进行精确的估算，即可以精确掌握和控制它们的发光或辐射性质；（2）它们发出的光通量构成连续的光谱，且光谱范围很宽，因此使用的适应性强。但在通常情况下，紫外辐射含量很少，这又限制了这类光源的使用范围；（3）采用适当的稳压或稳流供电，可使这类光源的光获得很高的稳定度。,热辐射源,1. 太阳 太阳可看成是一个直径为1.392 109 m的光球。它到地球的年平均距离是1.491011m因此从地球上观看太阳时，太阳的张角只有0.5330。因此可以看成一个很好的平行光源。大气层外的太阳光谱能量分布相当于5900K左右的黑体辐射(图33)。其平均辐亮度为2.01l07Wm-2

8、sr-1平均亮度为1.95109cdm-2。 射到地球上的太阳辐射，要斜穿过一层厚厚的大气层，使太阳辐射在光谱和空间分布、能量大小、偏振状态等都发生了变化。大气的吸收光谱比较复杂，其中氧(O2)、水汽(H2O)、臭氧(O3)，二氧化碳(CO2)、一氧化碳(CO)和其它碳氢化合物(如CH4)等，都在不同程度上吸收了大阳辐射，而且它们都是光谱选择性的吸收介质在标准海平面上太阳的光谱辐射照度曲线，如图33所示，其中的阴影部分表示大气的光谱吸收带,热辐射源,图33 太阳的光谱能量分布曲线,2. 黑体模拟器 在许多军用红外光电信息技术和光电系统中，往往需要这样一种辐射源，它的角度特性和光谱特性酷似理想黑

9、体的特性。这种辐射源常称为黑体模拟器。,热辐射源,图34 黑体模拟器的结构,热辐射源,3. 白炽灯 白炽灯是照明工程和光电测量中最常用的光源之一。白炽灯发射的是连续光谱，在可见光谱段中部和黑体射曲线相差约0.5%，而在整个光谱段内和黑体辐射曲线平均相差2%。此外，白炽灯使用和量值复现方便，它的发光特性稳定，寿命长，因而也广泛用作各种辐射度量和光度量的标准光源。图3-5是用于光计量的几种标准光源。图(a)所示为BDQ型发光强度标准灯，用来传递和复现发光强度单位(cd)的量值。发光强度标准灯是通过精确控制流过灯丝的直流电流，复现在规定的色温下和在灯丝平面中心的法线方向上的光强度。 图(b)是BDT

10、型光通量标准灯，用来传递和复现光通量值光通量标准灯的灯丝是旋转对称的，这样使电压与灯参数的变化曲线其光分布在各旋转方向尽可能一致。 图(c)为BW型温度标准灯，它的发光体是一条狭长的钨带，当通以电流时，钨带炽热发光。主要工作在80025000C 范围内，复现和验定光学高温计及某些以光学高温计作标准的温度源，也可以代替能量标准灯使用。,热辐射源,图35 几种标准灯的外形,白炽灯的灯压决定了灯丝的寿命，供电电流决定了灯丝的直径，100W的钨丝发出的光通量大约200lm。白炽灯的供电电压对灯的参数（电流、功率、寿命和光通量）有很大的影响。,式中 分别为灯泡的额定电压、电流、发光效率、光通量和寿命；相

11、应的其它参数为分别为使用值。,对于充气灯泡n=0.0714，真空灯泡n=0.0769. 例如将额定电压220V的灯泡降压到180V使用，其发光的光通量降低到62%，但其寿命延长13.6倍。,气体放电光源,3.1.3. 气体放电光源 利用气体放电原理制成的光源称为气体放电光源。制作时在灯中充入发光用的气体，如氢、氦、氘、氙、氪等，或金属蒸气，如汞、镉、钠、铟、铊、镝等。在电场作用下激励出电子和离子，气体变成导电体。当离子向阴极、电子向阳极运动时，从电场中得到能量，当它们再与气体原子或分子碰撞时会激励出新的电子和离子，如此碰撞不断进行。在这一过程中会使一些原子跃迁到高能级，引起原子的激发，由于能寄

12、的不稳定性，受激原子回到低能级时就会发射出可见辐射或紫外、红外辐射。这样的发光机制被称为气体放电原理。气体放电光源具有下列共同的特点：（1）发光效率高。比同瓦数的白炽灯发光效率高210倍，因此具有节能的特点；（2）结构紧凑。由于不靠灯丝本身发光，电极可以做得牢固紧凑，耐震、抗冲击；（3）寿命长。一般比白炽灯寿命长210倍；（4）光色适应性强，可在很大范围内变化。,气体放电光源,图36 几种气体放电灯的外形图,表32 常用气体放电灯的种类、性能和主要应用领域,1、卤 钨 灯 （1） 原理 白炽灯的钨丝在热辐射过程中蒸发并附着在灯泡内壁，使 灯泡射出伪光通愈来愈低。为了减缓这种进程，通常在灯泡内

13、充以惰性气体以抑制钨丝的蒸发。,气体放电光源,如果在玻壳内所充填的惰性气体另加入微量的卤素物质，利用卤钨的再生循环作用，被蒸发的钨与卤素结合成卤化钨，因灯管内壁具有很高的温度而不能附着其上，通过扩散或对流到高温的灯丝附近又被分解为卤素和钨，其中钨吸附在灯丝表面，卤素又和蒸发出来的钨反应，防止管壁发黑。 灯管所充的卤素为碘或溴。溴比磺的化学性活泼，所以清洁管壁的效果更好。溴乃无色透明，故溴钨灯较碘钨灯的光效高，色温也有所提高。,（2）特点 它与白炽灯比较，光效提高30，寿命增长50%。卤钨灯具有体积小、功率大、能够瞬时点燃、可调光、无频闪效应、显色性好和光通维持性好等特点。这种灯多用于较大空间、

14、要求高照度的场所，其色温特别适用于电视转播摄象照明。,2、金 属 卤 化 物 灯 金属卤化物灯是近年发展起来的所谓第三代光源，它与高压汞灯类似，但在放电管中除了充有汞和氢气外，还加充发光的金属卤化物（以碘化物为主）。 金属卤化物灯发光效率高、显色性能好、但平均寿命短。（1）镝灯（2）钠铊铟灯,气体放电光源,3.汞灯 按玻壳内气压的高低分，汞灯通常分为低压汞灯、高压汞灯和球形超高压汞灯，分别简介如下。(1)低压汞灯。,图37(b),气体放电光源,（2）高压汞灯当汞灯内的蒸气压达到15大气压时，汞灯电弧的辐射光谱就会产生明显变化，光谱线加宽，出现弱的连续光谱，紫外辐射明显减弱，而可见辐射增加，其光

15、谱分布如图37(6)所示。（3）球形超高压汞灯在球形超高压汞灯中，如果启动气体改为高气压的氙气，则此时称为球形超高压汞氙灯。灯一经启动就辐射出强烈的连续光谱，并且远紫外区光谱明显增加,高 压 汞 灯,（2）特点 高压汞灯具有光效高、耐震、耐热、寿命长等特点。但启动时间较长，不宜于作室内照明光源，也不能单独做为事故照明光源。多用于车间、礼堂、展览馆等室内照明，或道路、广场的室外照明。 高压汞灯的寿命通常是按每启动一次点燃5小时计算的，如果开关频繁则寿命缩短。,4、高 压 钠 灯,（2）特点 高压钠灯具有光效高、紫外线辐射小、透雾性能好、光通维持性好、可任意位置点燃、耐震等特点，但显色性差，平均显

16、色指数为21。它广泛用于道路照明，当与其它光源混光后，可用于照度要求高的高大空间场所。,5. 氙灯 氙灯是由充有惰性气体氙的石英泡壳内两个钨电极之间的高温电弧放电，从而发出强光。高压氙灯的辐射光谱是连续的，与日光的光谱能量分布相接近(图38)，色温为6000K左右，显色指数90以上，因此有“小太阳”之称。氙灯可分为长弧氙灯、短弧氙灯和脉冲氙灯三种。,气体放电光源,图38 短弧氙灯光谱能量分布 图39 短弧氙灯的电弧亮度分布,氘灯,长弧氙灯 短弧氙灯,空心阴极灯,气体放电光源,3. 空心极灯 空心阴极灯属于冷阴极低气压正常辉光放电灯。该灯的外形如图310所示，其阴极由金属元素或其它合金制成空心圆

17、柱形，圆环形阳极是用吸气性能很好的锆材料制成的。 空心阴极灯也叫做原子光谱灯，阴极材料根据所需的谱线选择相应的金属；窗口有石英玻璃和普通玻璃两种，则根据辐射的原于光谱波长而定。空心阴极灯是原子吸收分光光度计上必不可少的光源。由于这种灯工作时阴极的温度并不高，所辐射出的金属原子谱线很窄，强度很大，稳定性好。因此，空心阴极灯用作对微量金属元素吸收光谱定性或定量分析的光源，以及用于光谱仪器波长定标上。4. 氘灯 氘灯是一种热阴极弧光放电灯，泡壳内充有高纯度的氘气。氘(H12是氢(H11)的同位素，又叫重氢,气体放电光源,图310 空心阴极灯外形图 图311 氘灯,3.1.4 发光二极管,发光二极管（

18、light emitting diode，LED）是利用正向偏置PN结中电子与空穴的辐射复合发光的,发射的是自发辐射光（非相干光）.不需要较高的注入电流产生粒子数反转分布，也不需要光学谐振腔。大多采用双异质结结构，把有源层夹在P型和N型限制层间，由于没有光学谐振腔，故无阈值。发光二极管是一种注入式电致发光器件，它由p型和n型半导体组合而成，是少数载流子在p-n结区的注入与复合而产生发光的一种半导体光源 .,发光二极管,发光二极管,工作原理 实际上发光二极管就是一个由直接带隙半导体（如GaAs）制成的P-N接二极管。其核心是结。因此它具有一般 P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性

19、。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由区注入区，空穴由区注入区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图所示。,发光二极管,图312 发光二极管的能带图,价带 Valence Band,导带（Conduction Band）,Ec表示导带的底能级， Ev表示价带的顶能级，禁带Eg为Ec与Ev之间的能量间隔。,在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除

20、了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、价带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数微米以内产生。,理论和实践证明，光的峰值波长与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即,若能产生可见光（波长在380nm紫光780nm红光）,半导体材料的Eg应在3.261.63eV之间。,当外加电压超过阈值电压UD时，发光二极管才会发光。因此如果测得阈值电压UD ，用Eg=e UD代入上式即可估算出发光波长。,发光二极管,图313 双异质结半导体发

21、光二极管的结构示意图,反型异质结,同型异质结,基本结构 图313是双异质结半导体发光二极管的结构示意图。PGaAs是产生荧光的复合区（有源区），它和与之相邻的PAlxGa1xAs层构成限制电子和光波的同型异质结PP结。而和与之相邻的NAlyGa1yAs层构成限制空穴和光波的反型异质结PN结。,发光二极管,图314是短波长0.80.9m双异质结GaAs/AlGaAs面发光二极管的结构,图315为波长1.3m双异质结InGaAsP/InP边发光型LED结构。它的核心部分是一个NAlGaAs有源层，及其两边的PAlGaAs和NAlGaAs导光层（限制层）。导光层的折射率比有源层低，但比其它周围材料的

22、折射率高，从而构成以有源层为芯层的光波导，有源层产生的光波从其端面射出。,侧面发光型LED的驱动电流较大，输出光功率小，但光束发射角小，与光纤的耦合效率高，故入纤光功率比正面发光型LED高。,发光二极管,驱动电路 发光二极管工作需要加正向偏置电压，以提供驱动电流。典型的驱动电路如图316所示，将LED接入到晶体三极管的集电极，通过调节三极管基极偏置电压，可获得需求的辐射光功率。在光通信中以LED为光源的场合，需要对LED进行调制，则调制信号通过一电容耦合到基极，输出光功率则被电信号所调制。,发光二极管,4. LED的特性参数 (1)量子效率。发光二极管一般用量子效率来表示。表征器件这一性能的参

23、数就是外量子效率，表示， (2)光谱特性发光二极管的发光光谱直接决定着它的发光颜色。根据半导体材料的不同，目前能制造出红、绿、黄、橙、蓝、红外等各种颜色的发光二极管，如表3-3所列。,r为产生的光子数，为注入的电子空穴数,NT为器件射出的光子数,发光二极管,表33 几种发光二极管的特性,发光二极管,光束的空间分布。在垂直于发光面上，面发光LED辐射图呈朗伯分布，即P（）P0cos，半功率点辐射角1200。边发光型LED，1200，250350。输出光功率特性。发光二极管的输出光功率特性如图3-18所示。驱动电流较小时，P-I曲线的线性较好；电流过大时，由于P-N结发热产生饱和现象，使P-I曲线

24、的斜率减小。在通常情况下，LED的工作电流为50100mA，输出光功率为几nW。响应时间。响应时间是表示反应速度的一个重要参数，尤其在脉冲驱动或电调制时显得十分重要。响应时间是指注入电流后启亮（上升）和熄灭（衰减）的时间。直接跃迁材料几个纳秒，而间接跃迁材料约为100纳秒 寿命。发光二极管的寿命一般是很长的，在电流密度小于1A/cm2的情况下，寿命可达106小时。老化快慢与电流密度和时间常数有关，关系为;,发光二极管,图317 LED光谱,3-18 LED的功率-电流（P-I）曲线,发光二极管,5. LED的应用 随着科学技术的发展，电子设备的数字化和集成化，越来约需要能显示较大信息量的显示器

25、和全标度图标显示。随着半导体材料的制备和工艺的发展，发光二极管已在指示和信息显示中占主导地位。指示灯。LED正在成为指示灯的主要光源。LED的寿命在数十万小时以上，为普通白炽灯的100倍以上，而且具有功耗小、发光响应速度快、亮度高、小型、耐振动等特点，在各种应用中占有明显优势。 数字显示用显示器。利用LED进行数字显示，有点矩阵型和字段型两种方式。点矩阵型如图319所示，使用LED发光元件纵横按矩阵排列，按需要显示的数字只让相应的元件发光。,发光二极管,图319 点矩阵型数字显示 图320 字段型数字显示,发光二极管,（3）平面显示器。LED还可以用于平面显示，其优点是，由于LED为固体元件，

26、可靠性强，与采用白炽灯的显示器相比，功耗小；可以制作对阴极射线管（CRT）及液晶显示器（LCD）来说不容易做出的大型显示器等。 （4）光源。 LED除用作显示器件外，还可用作各种装置、系统的光源。如电视机、空调等的遥控器的光源。在光电检测系统及光通信系统中，也可作为发射光源来使用。 (5) 光耦合器件。光耦合器件是将发光二极管和光电接收元件组合而构成的一种器件。它是以光子作为传输媒介，将输入端的电信号耦合到输出端 (6) 负阻发光器件。负阻发光二极管的工作原理如图3-21（a）所示，它相当于两个P-N结发光二极管串在一起，其J型伏安特性曲线如图321(b)。,发光二极管,图321 负阻发光二极

27、管的工作原理,发光二极管,图322 光脉冲反射器 图323 双稳态电路,发光二极管,(3) 双导态发光器件。图324是双导态发光二极管的伏安特性曲线。器件具有两种不同的状态，每种都具有它自己的整流特性。,图324 双导态发光器件伏安特性,发光二极管,总之，随着半导体材料的制备和p-n结制造技术的发展，发光二极管日益得到广泛的重视和应用。归纳起来它具有如下优点：(1)属于低电压(1-2V)、小电流(每个发光单元只需10mA)器件，在室温下即可得到足够的亮度(一般3000cd.m-2以上)；(2)发光响应速度快(10-7 10-s)；(3)由于器件在正向偏置下使用因此性能稳定；(4)易于和集成电路

28、匹配，且驱动简单；(5)与普通光源相比，单色性好，其发光的半宽度一般为几十纳米；(6)小型、耐冲击。当然它也存在一些缺点，主要是功率较小，只有pw、mW级；光色有限，较难获得短波发光(如紫外、蓝色)，且发光效率低,激光器,图326 激光器谐振腔及激光输出,激光器,3.1.5 激光器1. 激光器的工作原理 激光器一般是由工作物质、谐振腔和泵浦源组成，如图425所示。图325 激光器工作原理,激光器,2. 激光器的类型 目前已研制成功的激光器光器达数百种，输出波长范围从近紫外直到远红外，辐射功率从几毫瓦至上万瓦，一般按工作物质分类，激光器可分为气体激光器、固体激光器、染料激光器和半导体激光器等。(

29、1)气体激光器。气体激光器采用的工作物质很多，激励方式多样，发射波长也最广。这里主要介绍氦氖激光器、氩离子激光器和二氧化碳激光器。氦氖激光器 氦氖激光器工作物质由氦气和氖气组成，是一种原子气体激光器。 氩离子激光器 氩离子激光器的工作物质是氩气，在低气压大电流下工作，因此激光管的结构及材料都与氦氖激光器不同。二氧化碳激光器 二氧化碳激光器的工作物质主要是二氧化碳，掺入少量和He等气体，是典型的分子气体激光器。,激光器,图327 氦-氖激光器示意图,激光器,（2）固体激光器。固体激光器所使用的工作物质是具有特殊能力的高质量的光学玻璃或光学晶体，里面掺如具有发射激光能力的金属离子。（3）染料激光器

30、。染料激光器（图329）以染料为工作物质。染料溶解于某种有机溶液中，在特定波长光的激发下，能发射一定带宽的荧光。 （4）半导体激光器。半导体激光器的工作物质是半导体材料。它的原理与前面讨论过的发光二极管没有太多差异，pn结就是激活介质，如图330为砷化镓同质结二极管激光器的结构，两个与结平面垂直的晶体解理面构成了谐振腔。 半导体激光器光输出电流特性如图331所示，其中受激发射曲线与电流轴的交点就是该激光器的阈值电流，它表示半导体激光器产生激光输出所需的最小注入电流。,激光器,图328 红宝石激光器原理图,激光器,图329 染料激光器原理图,激光器,图331 半导体激光器光输出电流特性,激光器,

31、3激光的特性：（1）单色性。普通光源发射的光，即使是单色光也有一定的波长范围。这个波长范围即谱线宽度，谱线宽度越窄，单色性越好。 （2）方向性。普通光源的光是均匀射向四面八方，因此照射的距离和效果都很有限，即使是定向性比较好的探照灯，它的照射距离也只有几公里。直径一米左右的光束，不出十公里就扩大为直径几十米的光斑了。 （3）亮度。激光器由于发光面小，发散角小，因此可获得高的光谱亮度。 （4）相干性。由于激光器的发光过程是受激辐射，单色性好，发射角小，因此有很好的空间和时间相干性。,表34 半导体激光器的材料及波长,3.2 照明系统,3.2.1 照明系统的设计原则照明系统的设计要求1） 保证足够

32、的光能2）有足够的照明范围，照明均匀3）照明光束应充满物镜的入光瞳孔4）应尽量减少杂散光进入物镜，以保证像面的对比度5）合理安排布局，避免光源高温的有害影响。,根据设计要求，照明系统设计需要满足以下两个原则1） 光孔转接原则 照明系统的出瞳应该与物镜的入瞳重合。 2） 照明系统的拉赫不变量应大于或等于物镜的拉赫不变量,3.2 照明系统,拉赫不变量是表征光学系统性能的一个重要参数。定义拉赫不变量表示光学系统在近轴区成像时，在物象共轭面上，物体的大小y、成像光束的孔径角u、物空间介质的折射率n的乘积为一常数。,3.2 照明方式,1 直接照明,亮场照明,暗场照明,明视场照明,暗视场照明,暗视场实际是

33、暗场照明。它的特点和明视场不同，不直接观察到照明的光线，而观察到的是被检物体反射或衍射的光线。因此，视场成为黑暗的背景，而被检物体则呈现明亮的象。暗视场的原理是根据光学上的丁道尔现象，微尘在强光直射通过的情况下，人眼不能观察，这是因为强光绕射造成的。若把光线斜射它，由于光的反射，微粒似乎增大了体积，为人眼可见。暗视场观察所需要的特殊附件是暗视场聚光镜。它的特点是不让光束由下至上的通过被检物体，而是将光线改变途径，使其斜射向被检物体，使照明光线不直接进入物镜，利用被检物体表面反射或衍射光形成的明亮图象。暗视场观察的分辨率远高于明视场观察，最高达0.020.004um.,3.2 照明方式,a) 透

34、射光亮场照明 b) 透射光暗场照明 c) 反射光亮场照明 d) 反射光暗场照明,暗场只能观察到物体的存在,运动及外部形态,透射光亮视场照明 照明光源和物镜在物体的两侧，物平面上各部分的透射率不同而调制照明光。当物体为无缺陷的玻璃板时，得到均匀的亮场。反射光亮视场照明 照明光源和物镜在物体的同侧，物平面上各部分的反射率不同而调制照明光。当物体为无缺陷的漫反射表面时，得到均匀的亮场。透射光暗视场照明 照明光源和物镜在物体的两侧，倾斜入射的照明光束在物镜侧向通过。当物体为无缺陷的玻璃板时，无光线进入物镜成像，因此得到均匀的暗视场。当物体有缺陷时，光束通过物体内部结构的衍射、折射和反射射向物镜而形成物

35、体缺陷的像。反射光暗视场照明 照明光源和物镜在物体的同侧，从物镜旁侧入射到物体的照明光束经反后在物镜侧向通过。当物体为无缺陷的反射镜面时，无光线进入物镜成像，得到均匀的暗视场。当物体有缺陷时，光束通过衍射和反射射向物镜而形成物体缺陷的像。,2 临界照明,临界照明把光源经聚光镜直接成像在物平面上，照明光源灯丝成像到物平面上，这种照明在视场范围有最大的亮度，而且没有杂散光，但另一方面，光源表面亮度的不均匀性也会直接反映在物面上，影响显微镜的观察效果。为了保证照明均匀，要求光源本身尽可能均匀发光。,3 柯勒照明,柯勒照明消除了临界照明中物平面光照度不均匀的缺点。柯勒镜（即照明系统前组）把光源放大成像

36、在聚光镜的前焦平面上，照明系统的视场光阑就位于该焦平面，聚光镜(照明系统后组)又把视场光阑成像在无限远，即照明系统的出窗与显微镜的入瞳重合。照明系统的孔径光阑紧贴在柯勒镜后，被聚光镜成像在物平面上，即照明系统的出瞳与显微镜的入窗重合，决定了被照明的物平面的大小。由于聚光镜的孔径光阑面具有均匀的照明，将其成像在物面上，物体也能获得均匀的照明。,4 光纤照明,光纤照明是最近几年来一种新兴的照明方式。具有照明均匀、亮度高、光源热影响小而得到广泛的应用。下图为环形光纤照明方式,光纤照明具有以下显著的特点：1.单个光源可具备多个发光特性相同的发光点； 2.光源易更换，也易于维修；3.发光器可以放置难以接

37、触的位置，因此具有防破坏性；4. 发光点小型化，重量轻，易更换、安装，可以制成很小尺寸，放置在玻璃器皿或其他小物体内发光形成特殊的装饰照明效果；5.无电磁干扰，可被应用在核磁共振室、雷达控制室等有电磁屏蔽要求的特殊场所之内；,吊灯,立体镜画,星空,星空,光纤柱,返回,5 同轴照明,物镜本身兼做聚光镜主要用于检测表面上的缺陷。如果被测面是表面，则镜面的反射光线全部进入物镜成像，因此整个图像都是白色。当镜面上有腐蚀斑点或污点是，所产生的漫反射光线进入物镜的甚少，因此图像上将产生黑色的斑点。,光源及照明系统的选择,1.光源的光谱能量分布特性 光源的光谱能量分布首先满足仪器使用上的要求。 例如在干涉仪

38、中，光源的波长是仪器的标准器，因此其单色性应满足测量精度及测量范围的要求。在非相干照明中，光源的光谱分布应与接收器的光谱响应相匹配。不但可以节省能量，也可以提高检测信号的信噪比。目视仪器中，视场的背景最好是适宜人眼的黄绿光。2.光度的特性在精密测量中，被测对象一般不是发光体，通常需要人工照明，使被测物体达到一定的照度。,3.发光面的形状、尺寸和光源的结构临界照明把光源经聚光镜直接成像在被测物平面上，光源的灯丝成像到物平面上。因此灯丝发光面的形状和被测物相似才能获得均匀而有效的照明。在科勒照明中，灯丝的像成在系统的入瞳上，若使灯丝的形状与入瞳相似，就能充分利用入瞳的孔径而传递更多的光能。因此设计

39、时应根据被测物面的形状和入瞳形状选择光源的发光面形状。至于发光面的尺寸和光源的结构尺寸，还与仪器的结构尺寸有关。,4.满足光电系统的功能要求对于直接检测系统，主要检测的是信息的光功率，要求光源稳定性好，因为光源的功率波动是影响系统精度的主要因素。对于测距系统，除了要求光源的稳定性外，对光源功率的要求高，因为测距系统的光功率直接影响作用范围。对于相干检测系统，除了要求相干光源外，还对光源的单色性、稳频性能、平行性有要求。,能带理论是研究固体中电子运动规律的一种近似理论。固体由原子组成，原子又包括原子实和最外层电子，它们均处于不断的运动状态。为使问题简化，首先假定固体中的原子实固定不动，并按一定规

40、律作周期性排列，然后进一步认为每个电子都是在固定的原子实周期势场及其他电子的平均势场中运动，这就把整个问题简化成单电子问题。能带理论就属这种单电子近似理论，它首先由F.布洛赫和L.-N.布里渊在解决金属的导电性问题时提出。具体的计算方法有自由电子近似法、紧束缚近似法、正交化平面波法和原胞法等。前两种方法以量子力学的微扰理论作为基础，只分别适用于原子实对电子的束缚很弱和很强的两种极端情形；后两种方法则适用于较一般的情形，应用较广。 能级（Enegy Level）：在孤立原子中，原子核外的电子按照一定的壳层排列，每一壳层容纳一定数量的电子。每个壳层上的电子具有分立的能量值，也就是电子按能级分布。为

41、简明起见，在表示能量高低的图上，用一条条高低不同的水平线表示电子的能级，此图称为电子能级图。 能带（Enegy Band）：晶体中大量的原子集合在一起，而且原子之间距离很近，以硅为例，每立方厘米的体积内有51022个原子，原子之间的最短距离为0.235nm。致使离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去，这种现象称为电子的共有化。从而使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异，与此相对应的能级扩展为能带。 禁带（Forbidden Band）：允许被电子占据的能带称为允许带，允许带之间的范围是

42、不允许电子占据的，此范围称为禁带。原子壳层中的内层允许带总是被电子先占满，然后再占据能量更高的外面一层的允许带。被电子占满的允许带称为满带，每一个能级上都没有电子的能带称为空带。 价带（Valence Band）：原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。 导带（Conduction Band）：价带以上能量最低的允许带称为导带。 导带的底能级表示为Ec，价带的顶能级表示为Ev，Ec与Ev之间的能量间隔称为禁带Eg。 导体或半导体的导电作用是通过带电粒子的运动（形成电流）来实现的，这种电流的载体称为载流子。导体中的载流子是自由电子，半导体中的载流子则是带负电的电子和带正电的空穴。对于不同的材料，禁带宽度不同，导带中电子的数目也不同，从而有不同的导电性。例如，绝缘材料SiO2的Eg约为5.2eV，导带中电子极少，所以导电性不好，电阻率大于1012cm。半导体Si的Eg约为1.1eV，导带中有一定数目的电子，从而有一定的导电性，电阻率为10-31012cm。金属的导带与价带有一定程度的重合，Eg=0，价电子可以在金属中自由运动，所以导电性好，电阻率为10-610-3cm。,