数字设计原理与实践第三章答案ppt课件.ppt

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1、数字逻辑设计习题解答第三章,王坚 ,3.1 逻辑0 逻辑1以及不确定逻辑,不确定逻辑,因此-0.6V,-2.0V是逻辑00V,0.7V是逻辑01.7V,2.5V,3.3V为逻辑11.6V为不确定逻辑2,反向器,不确定逻辑:电路可将其解释为逻辑0也可以解释为逻辑1,3.7 二输入CMOS与非门中晶体管的类型和个数,2个NMOS,2个PMOS,3.9对于给定的硅面积,CMOS与非门要CMOS或非门速度要快。N沟道的导通电阻比P沟道的导通电阻低。,NAND,NOR,3.16 CMOS反向门还是非反向门用的晶体管少?,CMOS反相器所用的晶体管数少,因为CMOS非反相器为2个CMOS反相器串联组成,

2、且CMOS反相器是CMOS逻辑中用门最少的。(课本60页),反向器,3.23如果输出电流为负值,那么是提供电流还是吸收电流?,输出是提供电流(source) 输入是吸收电流(sink) 因为规定流出节点电流为负,流入节点电流为正。题目说器件输出电流为负值。所以为提供电流。(见图3-53),3.37一个斯密特反向触发器:,VILmax,VIHmin,滞后为VT+ - VT-=0.5V,3.39 open-drain上拉电阻问题,漏极开路输出:指漏极通常处于悬空状态,电路输出为高阻态(即断开)。为了使这个器件正常工作,通常在它的输出端上拉一个电阻。 则电路内部断开时则输出为高电平,若内部导通时上拉

3、电阻的另一端则被拉到地,输出为低电平。,上拉电阻之前,上拉电阻后,3.39 open-drain上拉电阻问题,开漏形式的电路有以下几个特点:1.利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动, 或驱动比芯片电源电压高的负载。2.可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“线与逻辑”关系。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。3.由于漏级开路,所以后级电路必须接一上拉电阻,上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样就可以进行任意电平的转换了。4.漏极开路提供了灵活的输出方式,但是也有其弱点,就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上

4、拉无源电阻对负载充电,所以当电阻选择小时延时就小,但功耗大;反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求,则建议用下降沿输出。,思考?3.42中所提到的线与逻辑为什么比单个与门要慢,3.47 N 输入的二极管与门需要N个二极管,如右图所示N输入的二极管构成的与门,只要有一个输入为低电平,则输出也为低电平,共有N个二极管,VCC,D1,D2,Dn-1,Dn,X1,X2,Xn-1,Xn,Y,Y=X1X2.Xn只要有一个为逻辑0时,输出为逻辑0所有的为逻辑1时,输出为逻辑1,3.49 TTL 驱动多个TTL(表3-10),74LS驱动74AS 低态扇出:IOLMAX/IILMAX=|8mA/-0.5mA|

5、=16 高态扇出:IOHMAX/IIHMAX=|-400A/20A |=20 总扇出min(高态扇出,低态扇出)=16 ,高态还有剩余驱动能力所以高态剩余驱动能力:(20-16)*20A=80A 74LS驱动74F 低态扇出: IOLMAX/IILMAX =|8mA/0.6mA|(下取整)=13 高态扇出: IOHMAX/IIHMAX =|-400A/20A |=20 总扇出min(高态扇出,低态扇出)=13 ,高态还有剩余驱动能力所以高态剩余驱动能力: (20-13)*20A=140A,3.56噪声门限:多大的噪声会使最坏输出电压被破坏得不可识别,Noise Margin,Noise Mar

6、gin,HIGH State Noise Margin : (VOHmin-VIHmin)LOW State Noise Margin : (VILmax-VOLmax),3.57 CMOS驱动TTL,(a)74HCT驱动74LS 低态扇出: IOLMAX/IILMAX=4mA/0.4mA=10 高态扇出:IOHMAX/IIHMAX=400mA/20A =200 总扇出min(高态扇出,低态扇出)=10 所以高态剩余驱动能力: (200-10)*20A=3800A(b)74VHCT驱动74S 低态扇出: IOLMAX/IILMAX=8mA/2mA=4 高态扇出:IOHMAX/IIHMAX=8mA /50A =160 总扇出min(高态扇出,低态扇出)=4 所以高态剩余驱动能力: (160-4)*50A=7800A,思考题:3.42漏极开路门电路的上拉电阻比标准CMOS门的p沟道晶体管的“导通”电阻大,和有源上拉的标准门相比,其低态到高态输出转换时间要长得多。例:漏极开路门电路为HC系列CMOS, 低态时“导通”阻约为 ,从高态到低态转换的时间常数为8ns,然而从低态到高态转换的时间常数为150ns。,3.51CMOS与或非门的速度快。,与或非门,与门,3.60,

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