电力电子技术课后答案.docx

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1、电力电子课后答案 第二章2.2 使晶闸管导通的条件是什么？维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答： 使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者UAK 0且UGK0；维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。2.3图2-1中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，各波形的电流最大值均为 ， 试计算各波形的电流平均值、与电流有效值、，和它们的波形系数，。题图2.1 晶闸管导电波形解： a) = = b) = c) = =2.4. 如果上题中晶闸管的通态平均电流为100A，考虑晶闸管的安全裕量为1.5，问其

2、允许通过的平均电流和应的电流最大值各为多少?解：由上题计算结果知：（额定电流IT(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A）a) b) c) 2.5.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能?答：GTO和普通晶阐管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益和，由普通晶阐管的分析可得，是器件临界导通 的条件。两个等效晶体管过饱和而导通；不能维持饱和导通而关断。 GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同： l) GTO在设计时较大，这样晶体

3、管V2控制灵敏，易于GTO关断; 2) GTO导通时的更接近于l，普通晶闸管，而GTO则为，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件; 3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小， 门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小， 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。2.11使用Power MOSFET应该注意什么问题？.如何防止其因静电感应应起的损坏?答：电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过20的击穿电压所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏，应注意以下几

4、点： 一般在不用时将其三个电极短接; 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地; 电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。2.12 试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。解：对GBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表：器件优点缺点IGBT开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO GTR耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低开关速度低，为电流驱动，所需驱动

5、功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题GTO电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂.开关频率低电力MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置第三章3.1 具有续流二极管的单相半波相控整流电路，L 值极大，当控制角为和时，要求：1) 作出的波形；2) 计算整流输出平均电压、输出电流、变压器二次测电流有效值；3) 计算晶闸管和续流二极管的电流平均值和有效值；4)

6、考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。解：时：1) 的波形如下页所示。2）整流输出平均电压输出电流：变压器：3）晶闸管的电流平均值和有效值：续流二极管的电流平均值和有效值：4）晶闸管承受的最大正反向峰值电压为：考虑2倍安全裕量，取晶闸管的额定电压为700V（电压低于100V时每100V为一个电压等级）。通过晶闸管的电流有效值为：考虑1.5（2）倍安全裕量，则：同理可得时：2）整流输出平均电压输出电流：变压器：3）晶闸管的电流平均值和有效值：续流二极管的电流平均值和有效值：4）晶闸管承受的最大正反向峰值电压为：考虑2倍安全裕量，故取晶闸管的额定电压为700V通过晶闸管的电流有效值为：考虑

7、1.5（2）倍安全裕量，则： 3.4 .单相桥式全控整流电路，U2=100V，负载中R=20，L值极大，当=时， 要求：作出Ud、Id和I2的波形; 求整流输出平均电压Ud、电流Id、变压器二次电流有效值I2;考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。解： Ud、Id和I2的波形如下图： 输出平均电压Ud、Id和变压器二次电流有效值I2分别为 晶闸管承受的最大反向电压为： 考虑(23)倍安全裕量，晶闸管的额定电压为： UN=(23)141.4=283424(V) 具体数值可按晶闸管产品系列参数选取（可以取300V500V）。 流过晶闸管的电流有效值为： 晶闸管的额定电流为： 具体数值可按晶

8、闸管产品系列参数选取。3.7.在三相半波整流电路中，如果a相的触发脉冲消失，试绘出在电阻性负载和电感性负载下整流电压Ud的波形。解：假设=，当负载为电阻时， Ud的波形如下：当负载为电感时，Ud的波形如下：3.10三相半波可控整流电路，U2=100V，带电阻电感负载，R=50，L值极大，当时，求： 画出和的波形；计算和IVT解： 和的波形如下图所示： 和IVT分别为： 3.11.在三相桥式全控整流电路中，电阻负载，如果有一个晶闸管不能导通，此时的整流电压Ud波形如何?如果有一个晶闸管被击穿而短路，其他晶闸管受什么影响?答：假设VTl不能导通，整流电压波形如下： 假设VT1被击穿而短路，则当晶闸

9、管VT3或VT5导通时，将发生电源相间短路，使得VT3、VT5也可能分别被击穿。3.12 三相桥式全控整流电路，U2 =100V，带电阻电感负载R=50，L值极大， 当= 时，求：画出和的波形 计算和IVT解：和的波形如下： 和IVT分别为： 3.13 单相全控桥，反电动势阻感负载，R=1，L=，E=40V， U2=100V，LB=0.5mH，当=时，求与的数值，并画出整流电压的波形。解： 考虑LB时，有：（1）（2）（3）（4）解（1）、（2）、（3）方程组得： 由 得：，则整流电压的波形图如下图所示：3.23什么是逆变失败?如何防止逆变失败?答：逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源

10、就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。 防止逆变失败的方法有：采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角等。3.24单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载或电感负载时，要求的晶闸管移相范围分别是多少?答：单相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是0，当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围是0。三相桥式全控整流电路，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围是0，当负载为电感负载时，要求的晶闸管移

11、相范围是0第四章4.2 在图4.1所示的Buck型电路中，已知，采用PWM控制方式。当，计算输出电压平均值和输出电流平均值。解：4.3在图4.1所示的Buck型电路中，已知，开关频率，采用PWM控制方式，工作在电流连续模式，计算：（1） 占空比D和电感纹波电流；（2） 当输出电流为1A时，保证电感电流连续的临界电感值L；（3）输出电压的纹波。解： （1）（2）当时，若保持电感电流连续必须有：又 即保证电感电流连续的临界电感值L为：（3）（时，）4.4 在图4.7 所示的Boost型电路中，已知， ，采用PWM控制方式。当，计算输出电压平均值和输出电流平均值。解：第五章5.l.无源逆变电路和有源

12、逆变电路有何不同? 答：两种电路的不同主要是：有源逆变电路的交流侧接电阿，即交流侧接有电源。而无源逆变电路的交流侧直接和负载联接。5.2.换流方式各有那儿种?各有什么特点?答：换流方式有4种：1) 器件换流：利用全控器件的自关断能力进行换流。全控型器件采用此换流方式。2) 电网换流：由电网提供换流电压，只要把负的电网电压加在欲换流的器件上即可。3) 负载换流：由负载提供换流电压，当负载为电容性负载即负载电流超前于负载电压时，可实现负载换流。4) 强迫换流：设置附加换流电路，给欲关断的晶闸管强追施加反向电压换流称为强迫换流。通常是利用附加电容上的能量实现，也称电容换流。晶闸管电路不能采用器件换流

13、，根据电路形式的不同采用电网换流、负载换流和强迫换流3种方式。器件换流只适用于全控型器件。5.3.什么是电压型逆变电路?什么是电流型逆变电路?二者各有什么特点？答：按照逆变电路直流测电源性质分类，直流侧是电压源的称为逆变电路称为电压型 逆变电路，直流侧是电流源的逆变电路称为电流型逆变电路。电压型逆变电路的主要持点是： 1）直流侧为电压源，或并联有大电容，相当于电压源。直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。 2）直流电压源的钳位作用，交流侧输出电压波形为矩形波，并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同而不同。 3）流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲

14、无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。电流型逆变电路的主要特点是： 1）侧串联有大电感，相当于电流源。直流侧电流基本无脉动，直流回路呈现高阻抗。 2）中开关器件的作用仅是改变直流电流的流通路径，因此交流侧输出电流为矩形波，并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电压波形和相位则因负载阻抗情况的不同而不同。 3）流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流测电惑起缓冲无功能量的作用。因为反馈无功能量时直流电流并不反向，因此不必像电压型逆变电路那样要给开关器件反并联二极管。5.4.电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么?答：在电压型逆变电路中，当交流侧为阻感

15、负载时需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。当输出交流电压和电流的极性相同时，电流经电路中的可控开关器件流通，而当输出电压电流极性相反时，由反馈二极管提供电流通道。第六章6.1 电阻炉由单相交流调压电路供电，如=0时为输出功率为最大值，试求功率为最大输出功率的80%，50%时的控制角。 解： 因电阻炉为纯电阻负载，=0时导通角为，电流电压波形均连续，有： 此时负载输出功率最大，为： 当时，又同理可得，当时，6.2单相交流调压电器，电源为工频220V，阻感串联作为负载，其中，。试求：（1） 控制角的变化范围；（

16、2） 负载电流的最大值；（3） 最大输出功率及此时电源侧的功率因数；（4） 当时，晶闸管电流有效值、晶闸管导通角和电源侧功率因数。解： （1）阻抗角故控制角的变化范围为：（2）时，负载电流连续，此时负载电流的有效值最大，有（3）当负载电流最大时有最大的输出功率（输出功率指的是有功功率），则：此时电源侧的功率因数为：（4）当，时，查的函数曲线可得：负载电流（输出电流）的有效值为：则晶闸管电流有效值为：电源侧功率因数为：微机原理课后答案 第五章1. 指令 目标操作数寻址方式 源操作数寻址方式=(1)MOV SI, 200 寄存器 立即数(2)MOV CX, DATASI 寄存器 寄存器间接(3)A

17、DD AX, BXDI 寄存器 寄存器间接(4)ADD AX, BX 寄存器 寄存器(5)MOV SI, AX 寄存器间接 寄存器(6)PUSHF 寄存器间接(SS:SP) 寄存器(FR)2.略。3.MOV BX, 1234H 直接寻址。数在存储器中，有效地址由指令直接给出，段寄存器选用DS。MOV BX, 1234H 立即寻址。数在指令中。MOV DX, BX 寄存器寻址。数在寄存器中。MOV DX, BX 寄存器间接寻址。数在存储器中，有效地址由BX寄存器给出，段寄存器选用DS。MOV DX, BX+1234H 寄存器间接寻址。数在存储器中，有效地址由BX寄存器和指令中的立即数（1234H

18、）一块给出，段寄存器选用DS。MOV DX, BX+DI 寄存器间接寻址。数在存储器中，有效地址由BX,DI寄存器一块给出，段寄存器选用DS。MOV DX, BX+DI+1234H 寄存器间接寻址。数在存储器中，有效地址由BX,DI寄存器和指令中的立即数（1234H）一块给出，段寄存器选用DS。4.(1)MOV AX, 1200H (AX)=1200H(2)MOV AX, BX (AX)=0100H(3)MOV AX, 1200H (AX)=4C2AH(4)MOV AX, BX (AX)=3412H(5)MOV AX, 1100BX (AX)=4C2AH(6)MOV AX, BXSI (AX)

19、=7856H(7)MOV AX, 1100BXSI (AX)=65B7H5.(1)MOV AL, BX 错。AL和BX位宽不一样。(2)MOV BL, F5H 错。F5H不是数字，0F5H是数字。(3)MOV AL, CL 对。(4)MOV DX, 2000H 对。(5)INC BX 错。需要指明存储器数的类型。如:INC byte ptr BX。(6)POP CS 错。段寄存器CS不能用POP指令赋值。(7)MOV 5, AL 错。立即数不能为目标操作数。(8)PUSH CS 对。(9)MOV BX, SI 错。MOV指令的两个操作数不能同时为存储器操作数。6.(1)MOV CX, CL 错

20、。CX和CL位宽不一样。(2)MOV IP, AX 错。IP寄存器不能被直接赋值。(3)MOV ES, 1234H 错。段寄存器不能用立即数赋值。(4)MOV ES, DS 错。段寄存器间不能直接赋值。(5)MOV AL, 300 错。300大于AL的最大值(255)。(6)MOV SP, AX 错。寄存器间接寻址中不能直接引用寄存器名SP，能直接引用的是BX, BP, SI, DI。(7)MOV AX, BX+DI 错。格式不对，应为:MOV AX, BX+DI。(8)MOV 21H, AH 错。立即数不能为目标操作数。7. 开始 PUSH AX PUSH DX POP BX POP CX

21、SS:SP - - - 7AH 7AH - 7AH 6CH 6CH 6CH 高 - 31H 低 18H (SS)=8000H (SS)=8000H (SS)=8000H (SS)=8000H (SS)=8000H (SP)=2000H (SP)=1FFEH (SP)=1FFCH (SP)=1FFEH (SP)=2000H (AX)=7A6CH (AX)=7A6CH (AX)=7A6CH (AX)=7A6CH (AX)=7A6CH (BX)=?H (BX)=?H (BX)=?H (BX)=3118H (BX)=3118H (CX)=?H (CX)=?H (CX)=?H (CX)=?H (CX)=

22、7A6CH (DX)=3118H (DX)=3118H (DX)=3118H (DX)=3118H (DX)=3118H 8.LEA BX, TABLE ;令BX指向TABLE的首地址200HMOV AL, 8 ;表项的索引值为8XLAT ;将表项的第8项（从第0项开始）的值12H送AL9.XOR AX,AXMOV AX, 0AND AX, 0SUB AX, AX10. ZF SF PFMOV AL, 45H - - -AND AL, 0FH 0 0 1OR AL, 0C3H 0 1 0XOR AL, AL 1 0 111.(1)ADD DX, BX(2)ADD AL, BX+SI(3)ADD

23、 BX+0B2H, CX(4)ADD WORD PTR 0502H, 3412H(5)ADD AL, 0A0H12. test dl, 00001111b jz case2case1: some code here. jmp exitcase2: other code here.exit: .13.CLD ;清方向标志，使串存储地址变化为增量MOV AX, 0EFH;侍存储的值MOV CX, 5;存储值的复制的次数MOV BX, 3000H ;与本次串操作无关系MOV DI, 2000H ;置目标串的有效地址REP STOSW;重复执行5次14. cmp ax, bxjg nextxchg a

24、x, bxnext:cmp ax, cxjg exitxchg ax, cxexit: .15.(1) (SP)=1FFEH(2) (SP)=1FFEH, (AX)=5000H, (BX)=5000H16.不正确。应该用以下方法：(1)若为字节传送，为： mov al, 2000H mov 1000H, al(2)若为字传送，为： mov ax, 2000H mov 1000H, ax17.不正确。可以用以下方法： mov bl, 100 sub bl, al18.正确指令序列如下：mov ax, ximiul ymov cx, axmov bx, dxmov ax, zcwdadd cx,

25、axadc bx, dxsub cx, 540sbb bx, 0mov ax, vcwdsub ax, cxsbb dx, bxidiv x答：(1)运算结果商存放在DS，余数存放在AX中。(2)运算公式为： (v-(x*y+z-540)/x19.一、(1) in al, 88h(2) mov dx, 88h in al, dx二、(1) mov al, 100h out 42h, al(2) mov dx, 42h mov al, 100h out dx, al20.CMP指令影响所有状态标志位。该例中，标志位结果为：CF=0 (NC)没有进位PF=0 (PO)低8位1的个数为奇数AF=0

26、(NA)没有半进位ZF=0 (NZ)结果不为零SF=0 (PL)结果为正OF=0 (NV)没有溢出(1) AL大于BL。(2) AL大于BL。21.JMP BX 有效地址：1256H。JMP TABLEBX 有效地址：3280H。22.(1)条件:(AX)=1E1EH。(2)条件:AL的最高位和最低位不全为0。(3)条件:CX的值在00H63H范围内。23.65536次。06年传感器技术试题参考答案及评分标准（A 卷）一、 填空题（15题，每题2分，共30分）1、 传感器的输入输出特性指标可分为_静态_和动态指标两大类，线性度和灵敏度是传感器的_静态_指标，而频率响应特性是传感器的 动态 指标

27、。2、 导电丝材的截面尺寸发生变化后其电阻会发生变化，用这一原理可制成的传感器 称为_电阻应变式_式传感器，利用有料具有磁致伸缩效应可制成的_压磁式_传感器也可用以测量力，而压电式传感器则利用了一些具有离子型晶体电介质的_压电_效应，它敏感的最基本的物理量也是力。3、 热电式传感器中，能将温度变化转换为_电阻_变化的一类称为热电阻，而能将温度变化转换为电势的称为_热电偶_，其中_热电偶_式传感器在应用时需要做温度补偿(冷端补偿)。4、 旋转式编码器用以测量转轴的角位移，其中_绝对式编码器_在任意位置都有固定的数字编码与位置对应，线数为360线的增量式编码器分辨力为_1_（角）度。5、 光电效应

28、分为 内光电效应 和 外光电效应 两大类。6、 光纤的核心是由折射率 较大的纤芯 和折射率 较小的包层 构成的双层同心圆柱结构。二、 简答题：（20分 每小题5分）1、 简要说明电容式传感器的原理。电容式传感能将被测量转换为传感器电容变化（1分）。传感器有动静两个板板，板板间的电容为： ，式中： 0 真空介电常数:(8.8541012 F/m r 介质的相对介电常数 两极板间的距离有关 A 极板的有效面积（3分）当动板板运动或极板间的介质变化就会引起传感器电容值的变化，从而构成变极距式、变面积式和变介质型的电容式传感器。（1分）2、 简要说明光栅尺的原理。光栅是基于莫尔条纹现象的。当两组间隔B

29、相同，并有一夹角的光栅相互错动时，会形成明暗相间的移动条纹，称为莫尔条纹。莫尔条纹的宽度W可表示为：W=B/，当角很小时，即活动光栅每移动一个W距离，莫尔条纹能移动一个B的距离，由于角很小，因此，W比B要大的多，有放大的作用。光栅式传感器就利用了这一原理。 （叙述3分，图2分）3、画图说明压电常数矩阵的意义。压电矩阵表示了材料的压电效应。如图所示，将材料的受力作空间分解，表示成三个力和三个力偶。这六个分量均可在XYZ三个不同的方向上引起压电效应，因此有要用18个参数来表示，这18个参数写成矩阵称为压电矩阵。（叙述3分，图2分）4、用图简要说明法拉弟磁光效应原理。平面偏振光通过带磁性的物体时，其

30、偏振光面发生偏转，这种现象称为法拉第磁光效应。（叙述2分，图3分）5、什么是外光电效应？什么是内光电效应？在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。(2.5分 )当光照射在物体上，使物体的电阻率发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应。根据工作原理的不同，内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类（2。5分）三、1、这是一个用应变计测量金属梁变形的一个示意图，上下两个应变片都应当按图示方向粘贴，并按图中的方法组桥，其输出为：。这种布局方式构成了差动式测量，可以有效地降低非线性误差、消除温度误差，还能提高测量的灵敏度。答题要求：1。写出输出公式，（5分、图5分）

31、 2说出差动测量的优点（4分）给出相应的说明或证明（各2分） 2答题要求：本题可有多种答案，全理的答案均可给分。可以选用直接测量直线位移的传感器如光栅等，也可以选用编码器测量丝杆轴等。（5分）但要求说明传感器的原理（5分），画出结构安装示意图（5分）较好的答案如下：螺母每走1mm对应丝杆的转角为：112360=30度，相对应的电机的转角为：30100=3000度，可见，只要精确电机的转数就足以按要求测量出螺母的位移。可使用接近式传感器，安装方法如图：在电机轴上装一个圆盘，盘四周装一个突出盘表需的元件，无件的个数可以只有一个，也可以有多个，根据选用传感器类型元件的材料有一定要求，如选用霍尔式传感

32、器就要求是磁性体，电感式或涡流式就要求铁磁性物质，电容式要求元件材料相对介电常尽量大。设元件的个数为N，则测量的分辨力为：。圆盘上突起元件的安装精度及传感器的灵敏度、稳定性有关，如果误差为5度，测量误差为：510036012=0。0017mm。3. 证：根据光折射和反射的斯涅尔(Snell)定律，有 对应于2=90时的入射角1称为临界角c则：要实现全反射，必须满足：所以：所以： （10分 ）上式的物理意义：无论光源发射功率多大，只有2c0张角内的光，才能被光纤接收、传播(全反射)； （5分）微机原理试卷一、选择题（30分） 1、电子计算机的工作原理可概括为（）。 A、程序设计B、运算和控制 C

33、、执行指令D、程序存储和程序控制 2、请将左边的术语与右边的说明联系起来，在括号内填入所选的A、B、C、D、E。 1）物理地址（）A以后进先出方式工作的存储空间 2）IP（）B保存各逻辑段起始地址的寄存器，有CS、DS、ES、SS 3）堆栈（）C存储程序、数据信息的记忆装置，可分为RAM、ROM 4）段寄存器（）D唯一代表存储器空间中的每个字节单元的地址 5）存储器（）E指示下一条要执行指令的偏移地址 3、CPU对存储器或I/O端口完成一次读写操作所需的时间为一个（）。 A、指令周期B、总线周期C、时钟周期 4、计算机的字长是指（）。 A、32位长的数据B、CPU数据总线的宽度 C、计算机内部

34、一次可以处理的二进制数据的位数 5、数据总线、地址总线、控制总线三类是根据（）来划分的。 A、总线所处的位置B、总线传送的内容 C、总线的传送方式D、总线的传送方向 6、在下面的中断中，只有（）需要硬件提供中断类型码。 A、INTOB、INT n C、NMID、INTR 7、在8255A中可以进行按位进行置位/复位的端口是（）。A、端口AB、端口BC、端口C 8、在指令MOVAX，0执行后，CPU状态标志位ZF的取值为（）。 A、0B、1C、不确定D、没有影响 9、 对于掉电,8086/8088是通过()来处理的. A、软件中断B、可屏蔽中断 C、非屏蔽中断D、DMA 10、计算机能直接识别的

35、程序是（ ） A 、源程序 B 、汇编语言程序 C 、机器语言程序 D 、高级语言程序 11、一台微机化仪器采用8255A芯片作数据传送接口，并规定使用I/O地址的最低两位作芯片内部寻址，已知芯片A口地址为0F4H，则当CPU执行输出指令访问0F7H端口时，其操作为（）。 A、数据从端口C送数据总线B、数据从数据总线送端口C C、控制字送控制寄存器D、数据从数据总线送端口B 12、8086的中断源来自两个方面，即（）。 A、外部中断和内部中断B、屏蔽与非屏蔽中断 C、CPU产生的中断和软件中断D、单步与溢出中断 13、82535是可编程的()接口芯片。 A、定时器/计数器B、并行C、串行D、中

36、断控制器 14、堆栈指针的作用是用来指示（）。 A、栈底地址B、栈顶地址C、下一条要执行指令的地址 15、EDIT编辑的汇编语言源程序的文件扩展名和汇编后生成的可执行文件扩展名分别是（）。 A、.ASM和.EXEB、.ASM和.OBJ C、.EXE和.OBJD、.ASM和.LST 16、某RAM芯片的引出信号包括A 13 A 0 ，D 3 D 0 ，WE，OE，CS等，则用该芯片组成64KB的独立片选信号的个数是（）。 A、2B、4C、8D、16 17、在微机系统中，若标志寄存器的零标志位ZF是1表示（）。 A、结果为0B、结果不为0C、结果有进位D、结果无进位 18、8259A的（）必须在正常操作开始前写入。 A、初始化命令字ICWB、操作命令字OCW C、初始化命令字ICW和操作命令字OCW 19、IBMPC采用分段的方式来管理内存，每段最大可达（）字节。 A、16K