计算机电子元器件笔记.docx

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1、科锋电阻器(R)一 什么称电阻器将导电材料与非导电材料按照一定的比例结合在一起，构成电阻器。也可以说阻碍电流的物质称为电阻，将这种物质制成阻碍电流的器件就构成电阻器，用R表示。二 电阻器的分类1按电路分类.模拟电阻器：一般指色环电阻，具有保护漆的电阻，用于CRT显示器与ATX电源及打印机等电路中。.数字贴片电阻器：一般时扁、平、薄，外观黑色，紧贴电路板的电阻器。一般用于台式电脑的主板及笔记本主板与光驱硬盘等电路，用于mp3、mp4及数码相机中。2按电阻的特性划分.固定电阻器.敏感电阻器（称非线性元件）.可变电阻器（称电位器）.微调电阻器（称半可变电阻器）三 固定电阻器1什么称固定电阻在常温状态

2、下，它的阻值与标称阻值相同，将此类电阻器称为固定电阻，常只有色电阻，保护器分装电阻。2固定电阻器的作用在电路中阻值较大的，兆欧以上的可以做降压电阻，将电源电压降低给某一电路提供某一电路额定的电压；阻值较小的，几欧姆可以做某一电路的限流，供电保险电阻，几十欧、几百欧、几千欧的电阻，串联分压，并联分流，将电源的总电压电流分配给芯片各个引脚，提供正常的工作电压。3电路中的符号4按材料分.碳膜电阻：用碳膜作为导电材料与非导电材料按比例合成，表面涂有绿色保护漆，个别色环电阻也用碳膜制作，它具有阻值误差小，工作性能稳定，在模拟电路中常使用。.金属膜电阻：用金属膜与非导电材料制成，表面涂有红色或棕红色保护漆

3、，性能较差碳膜电阻。.线绕电阻：采用镍镉合金丝绕在绝缘管件上，体积大，表面有白色和黑色两种，瓷封装，在功率较大的电路中做保险电阻。5电阻器的串并联.串联：将若干只电阻器一只接一只逐个顺次连接起来的方式称为串联。特点：电阻越串，总阻值越大，串联分压。.并联：将若干只电阻并列连接在电源两端。特点：电阻越并，总阻值越小，并联分流。四 固定电阻器的参数1电阻法.数标法，一般将电阻值标在电阻外壳。.色环法，一般用各色环表示电阻的阻值。棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑 金 银 无1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 .四道色环读数读书时，电阻水平放置，金边向右，左起第一位数字就是电阻值第一个有效数

4、字。（一般读数时，前两道色环是电阻器的有效数字，应保留下来，第三道色环是前两道色环后添零的个数。但是黑色若在第三道色环，前两道色环有效数字后不添零，如果黑色在第二道色环，应保留零，第四道色环为该电阻的误差值。例如金色误差为）四道色环误差范围大，一般用于普通模拟电路。.五道色环读数读书时，距端引线较近的色环向右，较远的向左，最边一道色环与中间的四道色环较远。五 电阻瓦数标示，指图中六 敏感电阻器1什么称敏感电阻器它的阻值随外界条件因素而改变，不是一个固定值，此类电阻称为敏感电阻。2热敏电阻器它的阻值随外界环境温度的变化而变化，当外界环境温度升高，电阻值减小，反之，电阻值变大。一般使用在温控电路，

5、一般主板cpu下端就有一个温度传感器电路。3光敏电阻它的电阻值随外界环境光线的强弱变化而变化，外界光线越强，电阻值越小；外界光线越弱，电阻值越大。一般在光电转换电路，将不同的光转换成对应的电信号。4压敏电阻它的阻值随两端端电压高低而改变，端压升高，其内阻减小，此电阻用在过压过流保护器中。七 可变电阻八 半可变电阻九 贴片电阻1超薄，扁形，紧贴电路板焊接的电阻称为贴片电阻，它具有体积小，功率小，紧密度高等特点。2阻值标法3单阻：将一只电阻称为单阻。4排阻：由几只单阻组合以后形成排阻。单阻，排阻用于台式机以及笔记本主板。十 电阻的好坏判断1固定电阻：首先电阻外壳是否发黄变黑，端引线是否断，测量出要

6、与标称值对应。2热敏电阻：首先在常温下测量，要与标称值对应，然后测量时给电阻加温，此时电阻随温度变化而变化，证明良好。3光敏电阻：测量时不断改变外界光线强弱，如果它的阻值随外界光线变化而变化，证明其具有光敏性。4可变电阻：光测量两端总阻值与标称值是否对应，然后再测两端分别与中间滑动变位器，阻值缓缓上升或下降，证明良好。十一 如何快速判断电阻损坏原因一般阻值很小的保险电阻最容易开路，损坏后表面没有明显烧坏痕迹，要用表测其通断；阻值很大的电阻，损坏后表面发黄变黑，如果电阻损坏只有阻值增大或者开路，不可能击穿的，电阻损坏后，证明电路有短路现象。热敏电阻损坏，一般温升过高，使热敏电阻内部损坏，电阻变质

7、或者受潮，会失去热敏性。光敏电阻损坏，在强光爆射下，使光敏电阻阻力变小，导通电流过大，使光敏电阻烧坏。另外光敏电阻待机电压如果过高，使电阻烧坏，电阻受潮或时间过长也会时电阻损坏。可变电阻损坏，由于滑轨磨损使滑动出片与滑轨接触不良。电容器（C）一 什么称电容器将两块金属片相互平行靠拢，但中间彼此绝缘就构成电容器。二 电容器的作用1.对于220V变为直流电，给负载芯片供电，电容器滤除直流中杂、交流成分；2.对于信号传送电路以及数字信号传送，用无极性电容器滤除交流信号中的杂信号，叫旁路；3.在模拟电路中，用电容器耦合传送信号，从前一级将信号送往后一级叫耦合；4.对于220V直接整流后变为直流电可以自

8、举，将电容两端电容电压升高；5.电容与电感器组成振荡。三 电容器的分类四 各类电容器的特性1.电解电容器：电解电容器体积大，极板的面积大，所以容量大，绝缘层很薄，容易被高频电流击穿，一般用在低频场合，耐压低。安装时严谨反接，以免爆炸，严谨小容量代大容量。2.固定电容器它的体积较小，极板面积小，所以容量小，绝缘层厚，所以绝缘电阻大，耐高频电流强，可以使用在高频电压工作区域。安装时，注意容量、耐压、无极性区分。3.可变电容器可以改变极板的面积，从而改变容量，所以用在调谐电路中。五 电容器的参数1.容量：表示电容器在单位的时间内，储存电荷的多少，容量的大小由极板的面积决定。2.工作电压（耐压值）：表

9、示电容器在正常工作时，两端承受的最大电压，一般在使用时，电容器两端电压不能超过最大值。3.绝缘电阻：指极板中间所夹的绝缘层，存在的电阻值，也称为漏电电阻。这个绝缘层称为介质，一般绝缘电阻越大，表明电容器不容易漏电，如果绝缘电阻过小，说明漏电严重。4.容抗（XL）：表示电容器在通过交流信号电流时，指电容器对交流信号电流的阻碍力大小。5.容抗公式： f：频率 C：容量（当f升高，XC下降）（当f降低，XC升高）（当f为零，XC无穷大）由公式可知，电容器通交流隔直流，通高频阻低频。6.电容器容量的标称（指单位）：一般电容单位是法拉（F），比法拉小的是毫法（mF），微法（uF），纳法（nF），皮法（p

10、F）。1F=10mF=10uF=10nF=10pF7.不同电容器表示电解电容：uF 固化电容：nF或pF 电工电容：F或mF 数码贴片：pF六 电容器连接1.串联有极性：将若干个电容器逐个连接起来的方式称为串联，有极性连接时，注意正负极，每两只之间正负相交；无极性：无极性连接时，一只接一只，无正负极之分；特性：电容器越串，储存电荷极板的总面减小，所以容量减小。2.并联电容器越并，极板面积增加，总容量变大。七 电容量的测量1.点解测量好坏判断：机械表测量时，先放电，然后档位开关拨在”1K”档，红黑表笔不分正负，分别接电容两端，然后表针从左向右偏转，此时表示给电容器充电，表针偏转到一定程度，便从右

11、向左返回，表针返回左零表明电容器良好，如果表针从左向右偏转很大，从右向左返回速度很慢，表明电容器容量很大。击穿的判断：无论用机械表的电阻档哪一档位测量时，表针偏向右端，数字表的蜂鸣档测量时，长响。漏电：机械表测量时，表针从右向左返回时，表针回不到左零，表明漏电，表针从右回左，停稳以后，距左零的距离越远，漏电越严重，反之越轻微。电解电容器测量时用机械的”1K”档，数字的蜂鸣档;固化无极性电容器测量时用机械”10K”档，数字”XC”容抗量测量。八 电解电容器正负极判断1.有塑料封装皮的，有”为负极，未标为正极。2.无塑料封装皮的，金属皮封装的，标”为正极，未标为负极。3.新电解电容器，引脚长短不一

12、，长正短负。4.对于外观无法判断正负，测量时两只引脚，与外壳相通的为负极，另一只为正极。电感器一 什么称电感器将漆包线与纱包线以及镀银镉铜线，按一定圈数缠绕在绝缘杆上。二 电感的分类1.空心电感器2.铁芯电感器3.铁氧体磁芯4.铜芯电感器三 各电感器性能与作用1.空心电感器：可以集中磁场，利用自感感抗阻碍杂流，一般用在电源供电滤波电路，以及无线电接收调谐电路。2.铁芯电感器：线圈中插入铁芯可以增强磁场，但是铁芯对磁力线有一定阻碍，只能使用于低频电路，一般用在电源升压与降压电路，做电源脉冲电压降压器，也可用在电源开关电源中，做振荡变压器。3.铁氧体磁芯：由于磁芯对磁力线阻碍力小，铁氧体磁芯可以通

13、过高频电流，产生高频磁场，使用于高频电路，一般用于高频的高压升压变压器。4.铜芯电感器：一般使用在无线电接收机上。四 电感器的参数1.电感量线圈的电感量由线圈的环绕面积，以及线圈的材料与芯的材料有关，与圈数成正比关系，与线圈内阻成反比。2.感抗（XL）线圈对电流的阻碍称为感抗，感抗的强弱与线圈的内阻有关。3.感抗公式XL=2fL f XL f XL f=0 XL=0由感抗公式可知，电感器通直流阻交流，通低频阻高频。五 电感器的测量一般采用数字”蜂鸣档”或机械”1档”，测量时表笔的一端接电感器端头，另一端在电感器上摩擦，若表针偏转或蜂鸣响，证明线圈中有短路。六 怎样判断电感器在电路中的作用在电路

14、中区分电感器的作用，此时在整流前电感器时通低频阻高频，在整流后电感器通直流阻交流。信号源交直混合，但是电感通直流，将直流电经过电感器，送负载电阻(R)，交流经电容器返回信号源，用电容电感不通特性将交直流分开。七 电感器的单位单位：亨利（H）比”亨利”小的有”毫亨(mH)”，”微亨(uH)”。变压器（B或T）一 什么称变压器将两组或两组以上的线圈相互平行靠拢，但中间彼此绝缘，然后在线圈中插入铁芯或者铁氧体磁芯，就构成变压器。二 变压器的工作原理L1称为通电线圈，也叫源磁场线圈。L2称为磁极降压线圈，也叫感应线圈。但L1通交流电，便产生交变磁场感应到L2降压，给负载灯泡供电。由于L2在L1的交变磁

15、场下做感应，所以L2便产生交流电，L2的圈数小于L1，所以感应电压小，将220V降低。由变压器的原理可知，变压器的工作条件无论低频或高频变压器，源磁场线圈必须通交流，产生交变磁场方可使感应线圈感应交流。三 变压器的种类图：用在降压电路，它是单组降压，降压后的电压只给一路供电；图：为升压变压器，将220V进行升高，一般逆变器电路或高压包电路；图：磁极为三端头的降压变压器，接全桥整流电路，此时中间是共用地线；图：多组降压变压器，磁极为两个绕组，分别产生不同的电压给不同电路供电；图：为220V、110V交变变换供电变压器；图：自耦变压器，一般为降压变压器，但是没有隔开火线，使用不安全；图：L1通过高

16、频交流信号，产生高频的磁场，使L2感应电台信号，但L1与L2是高频互感的方式，此变压器用高频调谐电路；图：可以对中频的交流信号进行变换，由于外屏蔽罩可以阻碍外磁场的干扰，所以用于中频信号要求频率很严密的电路；图：是高压变压器，将高频交流信号进行变换，产生脉冲高压，所以用于高压电路。图图为自感变压器，隔开火线，使用安全。四 变压器的变压比1.降压 N1N2 u1u2 2.升压 N2N1 u2u1一般开关电源是降压脉冲变压器，高压电路中高压包是升压变压器。五 变压器的测量一般用“1”档，测量初级或磁极是否开路，初级与外壳，磁极与外壳是否短路，再测初磁极有否短路。半导体的基础一 自然界三种物质1.导

17、体:能够导通电流的物质称为导体.例:铜,铁,铝等物质.由于导体物质的内部原子核对核外电子吸引力很小,原子核最外层的电子便挣脱原子核吸引,游离出来变成自由电子，形成运载电荷的载流子.在外电场作用下，这些载流子参与导电，所以容易导通电流。2.绝缘体：几乎不能导通电流的物质称为绝缘体。由于原子核对原子核最外层的电子吸引力很大，原子核最外层的电子牢牢被原子核锁定，不能游离出来变成自由电子，对外没有载流子，所以外电场再强，也不能参与导电。3.半导体：它的导电性能介于导体与绝缘体之间，原子核对核外电子不像导体那样吸引力小，也不像绝缘体那样吸引力大，原子核最外层电子有一少部分游离出来变成自由电子，成为运载电

18、荷的载流子，但是由于载流子数目少，所以导电电流小。二 硅与锗元素1.硅（Si）：原子核内有14个正电荷，核外有14个负电子，分三层，最外层4价电子。2.锗（Ge）：原子核内有32个正电荷，核外有32个负电子，分四层，最外层4价电子。3.什么称价电子：将原子核最外层的电子称为价电子。三 共价键与共价电子元素要稳定，原子核最外层需要8个电子，但是硅与锗原子核最外层只有4价电子，所以硅与锗结合时，硅将它的电子借给锗，锗将它的电子借给硅，它们相互借用电子，都想达到8个电子的稳定，但是相互借用谁也达不到稳定，在每两个元素之间就有一对电子被共用，锗对电子时常控制在共价键的范围内，不能游离出来，将这对电子活

19、动的区域称为共价键，将这对电子称为共价电子。在没有生产半导体二三极管电子元件之前，自由电子牢牢的锁定在共价键的范围内，不能游离，但是掺杂元素以后，共价电子会挣脱共价键。在环境温度升高以后，半导体内的电子挣脱共价键，游离出来变成自由电子就会参与导电。四 本征半导体1.什么称本征半导体：没有掺杂质的纯净半导体，原子按一定方式排列的很整齐，共价键范围内牢牢的锁定共价电子，此类半导体称为本征半导体。在环境温度很低时，本征半导体保持稳定的结构，价电子锁定在共价键范围内，对外没有载流子。2.本征热激发：环境温度升高，会导致本征半导体稳定结构，共价键范围内锁定的供电，游离出来变为自由电子，产生负电荷的载流子

20、，在原来的位置上产生一个带正电荷的空穴，形成正电荷载流子。五 复合与扩散1.复合：热激发产生的自由移动的载流子，有个别电子在无规则运动下，又返回原来的空位子，使电子空穴对消失，留下不能移动的正离子与负离子，这一过程称为复合。2.扩散：清水内一滴墨水，短时间内整个清水全部染蓝，这一现象是分子浓度差的扩散，三极管在工作时就是采用浓度差的扩散方式而工作的。六 P与N型半导体产生1.N型半导体产生给4价元素的硅中掺杂5价元素的磷，稳定后还多出1价电子，等于磷释放出1个负电子。硅中掺杂磷后，便产生大量的带负电荷的电子，形成N型半导体。2.P型半导体产生给4价元素的硅中掺杂3价元素的硼，要稳定还缺1价电子

21、，于是硼元素向相邻的元素借1价电子，达到8价的稳定，被借处便留有一个空位子，形成空穴半导体，所以硅中掺杂硼后便产生大量的带正电荷的空穴半导体，便形成P型半导体二极管（D）一PN结的形成将P与N型半导体有效的结合到一起，在交见面处就存在很大的浓度差，于是P型区的正电荷越过交见面到达N区，N型区的负电子越过交见面到达P区，在PN结交见面处，空穴与电子产生复合，消失了电子空穴对，于是在交见面处留下不能移动的正离子与负离子，交见面处电荷数量很少，损耗了电荷，所以称为空间电荷区域以及耗尽层，一个耗尽层就是一个PN结，封装起来就构成二极管。二PN结的导通试验电源正接P区，负接N区，称为正向。此时串联灯亮，

22、证明PN结可正向导通。电源正接N区，负接P区，称为反向。此时串联灯不亮，证明PN结反向截止。图1. 图2.实验表明：二极管具有单向导电的特性。给PN结加正向电场时，电源的正电荷将排斥P型区正电荷，越过交见面到达N区，同时吸引N区负电子向相反的方向运动，在交见面电子空穴符合，由于电源电场很强，强性排斥P型正电荷，越过交见面到达N区，形成正向导通电流，此时PN结阻挡层变窄，阻力变小。给PN结接反向电场时，电源正电荷到达N区吸引N区负电子，向相反的方向运动，正电荷强性越过阻挡层到达P区，与P区的正电荷产生排斥，但是P区正电荷将越过阻挡层的正电荷排斥回去，使正电荷始终不能形成回路，所以PN结反向阻力很

23、大，几乎不能导通电流。三PN结的特性（二极管的特性）PN结具有的总特性：正向电阻小，正向导通电流大；反向电阻大，反向导通电流小，几乎为零。说明PN结具有正向导电的特性，也是二极管具有的特性。 -1 -2四二极管的伏安极性曲线 工作过程:给二极管加上正向电压,串联一个毫安表,并联一个伏特表,当调W电位器时,电位器向上滑动,使二极管正向电压由0上升0.5V时,正向电流值缓缓上升,此时二极管几乎不导通,此时坐标系中AB段称为死区,也叫不导通区,当电位器继续向上滑动二极管两端正向电压由0.5V到1V时,正向电流值缓缓上升,说明二极管已经正向导通,将二极管在0.5V到1V时称为最佳导通范围值,图中BC段

24、称为工作区,电位器继续向上滑动,二极管正向电压由1V逐渐上升,此时将使电流值线形直线上升,图中CD段称为饱和区,也叫危险区,如果两端电压继续上升,二极管将正向击穿.硅管正常额定工作正向电压:0.6V0.7V;锗管正常额定工作正向电压:0.2V0.3V.五二极管的各类型结构与特性由于整流二极管属于面接触的二极管，PN结正向的导通电流很大，所以用于大电流工作场合，交流变直流场合，维修时注意二极管两端正常工作电压不能超过额定值。将特殊的半导体封装在玻璃壳内，在壳内充上惰性气体，在电压电流正常供电，管壳内电子产生碰撞使惰性气体发光，产生五颜六色的光，一般使用与发光指示电路，机器的工作状态指示电路。将光

25、敏材料的半导体封装在玻璃管壳内，在外界光线照射下，PN结内便产生光声载流子，这些光声载流子在外电场作用下便参与导电，将不同强弱的光转变成相应的电信号，一般使用在光电转换电路与光电传感器电路，例如：光电鼠标，遥控接收器，监视器内部。当两端正向电压达到额定值，此时二极管内阻减小，正向导通电流增大，等效应开关闭合，当硅两端正向电压低于0.6V以下，此时二极管正向电阻变大，等效开关断开。根据开关管的特性，使用在开关电路以及过压过流保护器电路与数字控制电路。当给稳压管两端加上正常的反向电压，当反向电压达到一定的电压值，此时二极管便反向击穿，反向击穿后两端达到恒定值，此种特性将稳压管用于稳压电路，稳压输出

26、电压。它是两只或三只单二极管的组合，具有双向整流等功能，一般使用在ATX电源盒，主电源降压后的整流。六二极管的极性判断1.直观法外壳标有二极管的符号，三角形一端为正，另一端为负。标色点，色点的一端为负，另一端为正。玻璃封装的，金属一端为正，N片为负。2.测量法机械表在路测用”1”档，非在路用”1K”档。测量时，先调好右零，然后红黑表笔分别接二极管两端，如果此时表针不动，然后再对调表笔测量，此时表针偏转左转盘的1/2或偏右1/3，此时说二极管已经正向导通，黑表笔所接是二极管的正极，反之红表笔接的是负极。3.好坏的判断测量时，一次阻值很大，表针处于左端零位，或者微偏，另一次表针偏转阻值很小，证明二

27、极管可以使用。无论用电阻的哪一档位测量时，红黑表笔任意接二极管两端，此时表针偏转右零，证明二极管击穿。测量时正向阻值小，反向阻值也很小，正反向的阻值差异不大，证明二极管时半击穿。三极管（Q，V，BG）一 什么称三极管具有两个PN结构成，用塑料封装牵出三根引线形成，将此种元件称作三极管。二 三极管的作用1.在模拟电路中，三极管可以放大微弱的模拟电信号，所以三极管具有放大作用。2.改变三极管b极脉冲电压的高低，可以改变三极管ce之间的内阻值，如果NPN三极管b极为高电频，Rec减小，等效于开关闭合；b极为低电频，Rec增大，等效于开关断开。所以三极管用在数字开关以及开关电源电路中，充当电子开关，所

28、以三极管具有开关作用。3.改变三极管b极电位的高低，可以改ce之间的内阻，所以三极管可充当滑动变阻器，具有变阻作用。三 三极管的结构给N型或P型的硅片左右两边用高温与高压烧结着与它内型相反的两个同内型半导体，形成两个PN结，就构成三极管。如果中间的硅片是N，就形成PNP管；如果中间的硅片时P，就形成NPN管。从浓度做大的区域牵出引线作为发射极，从浓度较小区域牵出引线作为集电极，中间的N片作为基极。四 三极管的各区划分集电极与基极之间形成的PN结叫极电结；基极与发射极之间形成的PN结叫发射结；箭头的方向表示电流的方向，箭头向外时NPN，表示电流从管壳内向外流；箭头向里是PNP，表示电流由管壳外向

29、里流。五 三极管e，b，c三极的作用1.发射极（e）是三极管电荷的总发源地，用来发射电荷形成管内电流。在三极管be结加上正向电场，在外电场作用下，三极管便会发射电荷形成管内电流。NPN管发射极发射负电子，PNP管发射极发射正电荷。2.集电极（c）是电荷汇集点，用来收集电荷，在反向电场作用下，而收集发射极送来的电荷。3.基极（b）是控制发射极送往集电极之间的电荷数量，用复合的方式控六 三极管的三极电流分配关系1.2.由实验得出以下结论Ie=Ib+Ic IeIcIb IeIb IeIc3.改变Ib时，有以下改变：.当改变Ib，改变发射结PN结正向阻力大小，改变发射极送往基极的电荷数量，改变复合量，

30、从而改变剩余电荷数量，改变集电极收集电荷的数量，改变ec之间的内阻值，所以Ic、Ie改变。.改变Ib时，从而改变be之间的正向导通电流，改变发射结PN结内阻力，使b端对地电位差ub改变，同时e端对地电位差ue改变。改变Ib使发射极发射数量改变，使基区复合数量改变，集电区收集数量改变，从而改变Rec的阻值，改变uec两端电位差，从而改变uc。.改变Ib，改变了发射结PN结正向阻值，从而改变ube两端电位差。七 三极管内部放大的原理给be加上正向电场，ce加反向电场，使三极管满足be正向偏转，bc反偏，达到三极管的工作条件，此时be外加电场，电源正电荷经电位器送基区，排斥基区正电荷，越过PN结，到

31、达N区，吸引N区负电子，使发射极向基区发射负电荷，此时发射极送来的负电荷与基区的正电荷产生复合，将没有复合完的剩余负电子继续向上扩散，到达集电结的边缘，此时ec之间外加电场的正电荷将吸引N区负电子与基区剩余的负电子向电源正极流近，此时ce之间内阻下降，使ce之间导通电流Ic、Ie增大，当改变be之间的导通电流，调整W时，此时改变发射极送往基极电荷的数量，从而改变基区复合量大小，从而改变基区未复合完的电子数量，从而改变集电区收集的电荷数量，改变ec之间的内阻，改变Ic、Ie。在三极管ebc三极，额定工作电压值正常建立后，使三极管be正偏，bc反偏，发射结的正向偏压是硅管的0.60.7V，此时给发

32、射结加入动态的交流信号，使发射极发射电荷与基区复合量与剩余量电荷的数量随动态信号改变而改变，被集电区收集电荷的数量也随着改变，使Rec的内阻改变，uc、Ic随微弱ub、Ib成正比例改变，将基区送入的交流信号进行放大。八 三极管工作条件与三极管ub.uc.ue.Ic.Ie.Ib.ube.uec在电路中的配置1.三极管工作条件无论使NPN还是PNP，只要三极管发射极正偏，集电结反偏，发射结正向偏压是硅管的0.60.7V、锗管的0.20.3V，就证明三极管的工作点正常。九 三极管的极性判别1.直观法.半圆弧首先测量判断出g极，如果测量出g极在中间，管脚朝上，管壳向下，弧面对自己，左e右c中间b，如果

33、测量g极在左边或右边，哪中间使c极。.大功率塑封管判断时，管脚向下，管壳向上，字面对自己，左b右e中间c。.大功率铁壳管管壳向外，管脚向自己，近脚罗孔向上，远脚罗孔向下，左b右e外壳c。2.测量判断ebc三极机械表在路R1，非在路R1K，测量时先将黑表笔假定某一极为g极，红表笔分别接另外两极，如果此时表针从左向右偏转，量此阻值大约相等，证明假定g极正确，该管是NPN管，否则是PNP管。3.测量判别集电极与发射极非在路用机械1K档，首先测量判断出g极，如果被测管子时NPN管，首先将黑表笔结g极，红表笔分别接另外两极，两次测量表针都偏转，阻值都很小，但稍微有些差异，一次阻值小，另一次阻略微大些，阻

34、值小的那一次，红表笔接的时集电极，阻值略微大的那一次，红表笔接的时发射极，测出的阻值PN结的发射结的正想阻止略大于PN结集电结的正向阻值。4.测硅（Si）锗（Ge）管测量极电结与发射结两个PN结的正向阻值，如果正向阻值在5K15K或3K15K之间是硅管，在1K3K或1K5K之间是锗管。5测量Iceo穿透电流.用1K档或蜂鸣档测量集电结与发射结两个PN结正向电阻以后，然后再测ec之间的正反阻值，如果ec之间的阻值很小，证明Iceo很大，管子的工作稳定性差。.测量集电结反向电阻，如果此时反向阻值很小，Ib失去对Ic控制，Iceo很大。.给三极管ebc三极通电，只在路测量，断开g极，将表串联在ec之

35、间，此时测ec之间的电流，如果此电流很大，证明Iceo很大。一般只测ec之间的阻值，要求阻值越大越好。6.放大信数测量（HFE）首先测量判断出ebc三极管是NPN或PNP，然后将档位拨在1K档，红黑表笔短路校右零，调好右零后，断开两表笔，将档位开关拨到HFE档，此时红黑表笔严谨短接，将三极管对应NPN或PNP的ebc三极插进孔内，看HFE刻度线，读放大信数。十 三极管在电路中的作用1.放大电路 2.变阻电路 3.开关电路 .三极管可以放大信号源送来的交流信号，此时三极管在电路中起放大作用。.操作面板的按键给CPU输送调整的控制信号，CPU发出控制信号经电容器送三极管的b极，控制b端电位，改变I

36、ec，改变ce的导通电流，控制了Ic芯片的控制供电，此时三极管在电路中充当变阻作用。.由Ic芯片产生方波信号，经R送三极管的b端，高电频三极管饱和，低电频三极管截止，饱和截止不断转换，使三极管工作在开关状态。十一 三极管的工作状态1.截止态ebc三极任意断一个电极的供电，截止。一般是由人为所致，断开发射结PN结正向供电，使Ib=0时，此时Rec很大，ce几乎没有电流通过，截止。给发射结PN结加上反向电压，等效负压，此时Rec很大，三极管处于截止，在实际电路中，用频率发收器产生的高低电频转换的脉冲信号，不断改变发射结PN结正反向电压，改变三极管在饱和截止状态转换，截止等效开关断开，饱和等效开关闭

37、合。2.饱和态（ube=uec）当瞬间给NPN的b端输入高电频脉冲，b端电位上升，ube增大，Ib增大，Rec减小，uec下降，b端电位越高，Rec越小，uec越小，当uec降到等于ube时，饱和。饱和后，Rec特小，Ic特大，等效开关闭合。3.截止与饱和在电路中的应用单一的饱和或截止在电路中只能做电子开关控制。饱和、截止相互转换，用于电源的开关管，直流变交流。4.放大态无论NPN或PNP管，只要发射结正偏，集电结反偏，放大结的正向电压是硅管的0.60.7V，锗管的0.20.3V，此时处于放大态。闸管（可控硅）一 什么是可控硅在硅整流二极管的基础上，发展到可控硅，它有四层半导体形成三个PN结构

38、成，可以快速控制电流通断，所以称可控硅。二 可控硅作用由于可控硅控制速度快，一般用在电源开关电路，过压过流保护电路，同时用在弱电控制强电电路。三 可控硅的结构可控硅分为阳、阴、门三极，但是阳阴极作为主通道，门阴极作为触发通道，一般阳阴导通电流很大，门阴导通电流很小。四 可控硅的导通实验图1 2 3，实验证明：可控硅达不到导通条件，图4证明了可控硅的导通条件，要使可控硅正向导通，阳阴必须加正向电压，门阴加正向电压，此时，可控硅方可导通，串联灯灯亮。可控硅导通后，断开门极，触发电压，阳阴正常导通。阳阴两端电压高，门阴两端电压低，一般门阴加触发电压，由cpu或其他芯片提供。五 可控硅的内部导通原理用

39、NPN与PNP两只互补的三极管作为可控硅内部导通原理控制管，要使V1导通，必须使V2先导通，首先将K闭合，E1正极经K经V2的be送E1负端，使V2的Ib建立，ec内阻减小，c端电位下降，此时使V1的b端电位下降，V1的eb变为正偏，此时E2正极经灯丝经V1的eb，V2的ce回E2负端。使V1的Ib建立，Rec减小，此时E2正极经V1的ec回E2的负端，V1导通给V2的b极供电，V2导通给V1发射结提供回路，V1V2相互导通，阳阴内阻减小导通，此时断开门极电压，阳阴正常导通。六 可控硅的极性判别测量法由于可控硅使四层半导体，形成三个PN结，门极是P型半导体，阴极是N型半导体，可以根据门阴的PN

40、结来判断。用1K档时，将黑表笔假定某一电极为门极，红表笔分别接别的两极，如果此时表针从左向右偏转，那么黑表笔接的为门极，红表笔接的为阴极，另一个为阳极。七 可控硅触发的测量首先测量判断出阳阴门三个极，然后将黑表笔接在阳极，红表笔接在阴极，将门极与阳极加人体电阻，或阳门相碰下，此时表针从左向右偏转，证明阳阴极已经触发导通，证明可控硅具有触发能力。八 可控硅的好坏判别首先测量判断管子使可控硅还是三极管，测量时，先判断出阳阴门三极，然后触发的方式判断能否触发，如果能，即是可控硅，而且性能良好可使用。如果测量三个极性时，表针都不偏转，证明内部开路。如果三个电极都偏转，证明内部击穿。一般阳阴极最容易击穿

41、。光电耦合器（IC）一 什么称光电耦合器采用光媒传播控制信号的媒介，由发光器、收光器两大部分组成，用塑料封装构成光电耦合器。二 光电耦合器的作用利用光传播媒介，隔开火线的特性，一般在ATX电源中做反馈控制信号。在显示器电路电源中做反馈控制，在针打激光灯打印机电源中做光控元件。三 光电耦合器的结构四支引脚：内部由发光器、收光器两部分组成，在工作时，先给发光器供电，使光电器发光，光敏层产生光声载流子，使光电管ce导通，等效开关闭合。五支引脚：五支引脚中由一支是空脚，其他工作方式与四脚相同。图3：收光器先负加电压，加快了导通速度。图4：收光器采用复合管，加快了导通速度，增强了ce之间的导通电流。四

42、光电耦合器入出端的判别1.五支引脚的判断时，直观两引脚为入端，三引脚为出端。2.四支引脚用测量法判断，用1K或1档或蜂鸣档，测量时如果某两支引脚正向阻值小，反向阻值大，相当于内部由PN结形式，此端为入端，另一端测量时无任何反应，为出端。五 怎样判别光电耦合器具有触发能力首先测量判断出光电耦合器的入出端，然后将一只表拨在R1或R10接光电耦合器入端，将黑表笔接光电耦合器发光端正极，红表笔接负极；另一只三用表拨在R1K档，红黑表笔任意接两极，在入端触发时，每碰一次入端引脚，出端表针会偏转一次。场效应管（MOS管）一 什么称场效应管在半导体硅或锗的基础上掺杂元素，构成电场控制元件，而且导通速度快，功

43、率损耗小，将此管称为场效应管。二 场效应管的结构1.给N型硅片上下两端加电场，此时在外电场作用下使N型硅片内部电子产生有秩序的定向运动，形成导通电流，将N型硅片左右两端用高温高压形成烧结着与它内型相反的两个同类型半导体，形成两个PN结，就构成结型场效应管，将N型硅片两端一端作漏极，另一端作源极，将硅片掺杂的P型半导体两个结合在一块，牵出引线作为栅极。2.结型管NP沟道的电路符号3.工作原理给N沟道结型场效应管漏源极加正向电场，给栅源极加反向电场，当改变栅源极电场强弱，便可以改变两个PN结结面大小，从而改变漏源极内阻力大小，改变漏源沟道的导通电流强弱，在静态工作正常建立后，给栅源极输入交流信号，

44、控制沟道内阻力大小，随栅源极信号的强弱改变而改变，将栅极输入的交流信号进行放大。三 绝缘栅型场效应管1.什么称绝缘栅型漏源栅三个电极，相互不通，就构成绝缘栅型场效应管。2.结构漏源栅三电极之间相互绝缘，给栅源极加反向电场，漏源极加正向电场，在栅源电场作用下使漏源之间的内电阻减小，主要吸引衬底底部电子，将漏源之间接通，改变栅源电场，改变衬底底部吸引的数量，从而改变漏源之间的内电阻值。耗尽型与增强型，两个原图充分说明栅源极加正向电场或者加反向电场，都可以吸引衬底底部电子，改变栅源电场，都可以改变漏源内阻值。四 结型场效应管的极性判断1.漏源栅三个极的判断首先用R1K或R100或蜂鸣档，判断时首先先

45、将黑表笔假定某一电极为栅极，红表笔分别接另外两极，如果此时表针从左向右偏转，两次阻值都很小，证明黑表笔假定栅极正确，而且被测管子是N沟道，否则是P沟道。2.怎样判断结型场效应管有触发能力首先将栅极判断出来后，然后用1K或蜂鸣档，红黑表笔分别接漏源两端，此时手捏栅极，如果表针从左向右偏转，表示具有触发能力。3.结型场效应管的好坏判断首先测量判断出漏源栅三极，然后再测量是否具有触发能力，如果有触发能力，就证明管子可以使用，若测量时漏源栅三极可以判断出来，但是测量触发时，表针无反应，证明该管子失去触发能力，若测量三个极时，表针都从左偏向右零，证明三极击穿。五 绝缘栅型场效应管的判别1. 具有保护管的判别用1K档将红黑表笔任意接场效应管的三个电极，当红黑表笔接场效应管某两个电极时，表针从左向右偏转，此时黑表笔所接的电极是源极，红表笔所接的电极是漏极。2.好坏判断测量三个电极时，如果表针没有直接打到右零，而存在一个PN结的形式；蜂鸣档测量时，任意测量蜂鸣器不叫，基本处于完好，如果在电路中使用时不能工作，就证明性能不好，此时应当代换对应型号的场效应管。晶振一什么称为晶振将一种特殊的石英晶体切成薄片，然后在晶片的两端涂上银层，夹在两个金属引线间，封装起来构成，它取代了模拟振荡器。二晶振的作用用来和时钟电路配合产