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1、第一章,电子工程系 陈曦,硅材料及衬底制备,刘玉岭 等编，微电子化学技术基础，化学工业出版社，2005 李乃平 主编，微电子器件工艺，华中理工大学出版社,1995关旭东 编著，硅集成电路工艺基础，北京大学出版社，2008张厥宗 编著，硅单晶抛光片的加工技术，化学工业出版社，2005,参考书:,本章内容,1.1 半导体硅材料简介 半导体材料的分类与基本特性半导体材料硅的结构特征集成电路对硅材料的要求1.2 大直径硅单晶材料的制备半导体硅原材料的提纯大直径硅单晶的制备方法半导体单晶材料中的缺陷及有害杂质杂质吸除1.3 衬底制备方法单晶棒的整形与定向晶片加工,1.1 半导体硅材料简介,按导电能力划分
2、,半导体材料按组分划分,半导体器件以半导体材料为基本原材料,一、半导体材料分类,导电能力随所含的微量杂质而发生显著变化，根据这一性质，通过控制掺杂的水平来获得所需的半导体材料导电能力。,导电能力随光照、外加电场、磁场的作用而发生显著变化。,1.半导体材料的导电能力,导电能力随温度上升而迅速增加,300K下在纯净硅中掺入微量的杂质磷原子，使硅的纯度为99.9999，其电阻率由21400cm变为0.2cm。,二.半导体材料的基本特性,半导体含有两种载流子：电子(带负电)和空穴(带正电),2.导电类型（P型和N型半导体）,本征半导体(纯净硅):载流子的浓度在室温下为,当硅中掺入族元素(P、As)时，
3、硅中多数载流子为电子 N型半导体。掺杂浓度用CD(ND)表示。,当硅中掺入族元素(B、Al)时，硅中多数载流子为空穴 P型半导体。掺杂浓度用CA(NA)表示。,Tni(T),当硅中掺入两种杂质(B、P)时，补偿半导体。如CDCA，则补偿后为N型；CACD，则补偿后为P型；CD=CA补偿型本征半导体。,三、半导体硅材料的结构特征,硅单晶面心立方晶格套构,硅六棱柱晶胞三维结构,双层原子面,相邻的双层原子面,硅晶体结构主要晶面上原子排列的特点,导电类型：N型或P型，np电阻率：大小、径向、轴向及微区均匀性和真实性要高寿命：均匀性和真实性要高晶体的完美性：无晶格缺陷和有害杂质沉积,晶向标识：标识出反映
4、衬底材料晶向的主、次定位面,晶向：双极型器件要求用晶向的单晶 MOS器件要求用晶向的单晶,1.基本要求：,四、半导体器件对硅单晶材料的要求,2.集成电路技术的发展与硅材料的关系,集成电路的特征尺寸逐渐缩小，芯片面积逐渐增大,降低生产成本，提高硅晶圆片的直径,集成电路的器件结构越来越趋向硅圆片的浅表层,现代集成电路应采取尽可能低的加工温度来完成管芯的制造，也可采用吸除技术,为满足高性能和高集成度，采用多层薄膜结构,对单晶材料的检测分析方法和测试工具提出高要求,一、半导体硅的原材料,1.2 大直径硅单晶材料的制备,1.原材料提纯,原料(石英石-SiO2）,粗硅,四氯化硅,高纯四氯化硅,高纯多晶硅,
5、高温碳还原SiO2+2C=Si+2CO(16001800),高温氯化Si+2Cl2=SiCl4(500700氯化)冷凝后为液态,精馏提纯多级物化精馏,高温氢还原SiCl4+2H2=Si+4HCl(10001200),多晶硅的性质：1.化学性质与单晶硅大致相同，与硅有相似的腐蚀方法;2.可进行掺杂，形成P型或N型多晶硅(MOS的栅极)。,2.多晶硅的结构特点与性质,单晶：指在整个晶体内原子都是周期性的规则排列。多晶：指在晶体内每个局部区域里原子是周期性的规则排列,可以看成是由许多取向不同的小单晶体(晶粒)组成的。在晶粒之间存在一个很薄的过渡层(晶粒间界),在该层内必须实现晶向转变。,多晶体结构的
6、示意图,直拉法CZ（Czochralski）,区熔法FZ（Float-Zone),中子嬗变掺杂法,二、硅单晶制备方法,直拉硅单晶炉结构示意图,1.直拉法,单晶生长过程,准备工作1.处理好多晶硅，放入炉内坩埚中；2.抽真空或通入氩气进行熔硅处理；3.待熔硅稳定后，即可拉制单晶。,拉晶过程（示意图）,3.随着单晶的生长，坩埚必须自动跟随液面下降而上升，保持液面在温度场中的位置不变，以获得均匀的电阻率；同时拉晶速度自动调节以保持等径生长。,直拉法生长单晶过程示意图,多晶硅,1.籽晶轴以一定的速度旋转；同时坩埚反方向旋转。,2.细颈为了抑制位错向下延伸；通过增加提拉速度来实现。,基本原理,将多晶硅在真
7、空或惰性气体保护下加热，使多晶硅熔化，然后利用籽晶来拉制单晶硅。单晶生长过程实际上是硅由液相固相的转化过程。该转化过程实现的条件：液相-固相界面附近存在温度梯度(dT/dz)。,1.在转化的过程中，界面附近区域（过渡层）中存在着由界面结晶硅的热流密度和由熔硅界面的热流密度；两者之差为界面区单位时间内释放的潜能;,说明:,2.随着晶体生长，部分熔硅转化为晶体，使液面不断下降。,3.为了形成n型或p型衬底材料，拉晶过程中可加入掺杂剂。,请记录,界面区域的热传输一维连续性方程：,固-液界面温度分布,单晶生长的速度g(dz/dt),假设在界面附近区域(过渡区),由界面结晶硅的热流密度为,由熔硅界面的热
8、流密度为,则两者之差为界面区单位时间内释放的潜能E（即E=J1-J2）；,硅单晶生长的最大速度g=,假设硅的固、液转化体积不变，令：坩埚的半径为R；单晶的半径为r；则根据VL=VS可得：,液面下降的最大速度l：,即界面附近液相一侧无温度梯度时，则单位面积硅结晶的速度(即硅单晶生长速度g)最大。,液面下降的速度l:,固溶度 在一定温度下，杂质能溶入固体硅中的最大浓度。平衡浓度 平衡时杂质在固体或液体中的浓度。平衡分凝系数 0 平衡时杂质在相接触的两相物质(或两种物质)中的平衡浓度之比。0为一常数，随系统而变化。如：在硅(S)硅(L)系统中，磷0=0.35；硼0=0.8；在硅二氧化硅系统中，磷m=
9、10；硼m=0.3；有效分凝系数 e 平衡时杂质在固体界面处的平衡浓度与液体中过渡区外的杂质浓度（非平衡浓度）之比。e表示杂质浓度之比偏离平衡分凝系数0的程度。,杂质分布,请记录,杂质在熔硅中的非平衡浓度,（1）过渡区的杂质分布,过渡区杂质的连续性方程：,在拉晶过程中,由于分凝效应,杂质在界面附近的过渡区中存在一定的分布,表示单位时间内过渡区杂质数的变化等于从熔硅扩散到过渡区的杂质数与从过渡区结晶成固体硅的杂质数总合。,边界条件：z=0,C(0)=Cl；Q=0；即可求得过渡区的杂质分布为：,稳态时：,过渡区,固相(单晶),液相(熔硅),固-液界面,图2 固-液界面杂质分布,Cl,l,平衡时杂质
10、通量总和为零,C(l)=Cl,（2）单晶硅中的杂质分布CSO,当杂质浓度偏离平衡浓度时，界面就有杂质流过(Q0)，形成非平衡条件下的界面杂质流。因此，可用有效分凝系数e来表示单晶硅中沿生长轴方向杂质(质量比)浓度;,可见，e 主要受结晶速度l(dT/dz)、杂质在熔硅中的扩散系数Dl(T)的影响。,Wl为初始熔硅的质量，WS为结晶硅的质量；Cl0为熔硅的初始杂质质量比浓度.,单晶硅电阻率是CSO的函数，而CSO 随e(T,dT/dz)变化。所以，保证拉晶过程中的T、dT/dz的稳定性对单晶电阻率的均匀性很重要。,拉制大直径单晶硅的注意事项,1.晶体旋转方向的选择：在拉制单晶时，熔硅中存在着由d
11、T/dz和转动引起的热对流，会使液面出现波纹和起伏，从而造成界面杂质过渡区的不平衡和不稳定，导致单晶径向电阻率不均匀。为了保证热对流的稳定性，一般采用晶体旋转方向与坩埚旋转方向相反来抑制。,2.晶体旋转速度的选择 由于熔硅中的C与石英(SiO2)坩埚反应生成SiO和CO，两者的挥发受热对流和熔硅外表面氩气的影响变得不稳定，引起液面波动。采用旋转晶体形成的强迫对流会减少CO挥发，导致硅单晶中含O量过高。因此，单晶的旋转速度要优化选择。,3.籽晶承载应力 大直径单晶的重力较大，而拉制时籽晶的颈部(d=3mm)截面积较小。因此，要求单晶(直径D=200mm)的长度应小于2m。,直拉单晶的发展现状,现
12、有工艺水平，目前国外采用直拉法可生产、研制618的硅单晶（150450mm）,直拉单晶的特点,C、O含量较高，高达1018cm-3 原因：熔硅中的C与石英SiO2发生反应生成CO，受热对流影响不易挥发。直拉法适宜拉制直径大、电阻低的硅单晶；主要用于VLSI 器件的制作；存在轴向、径向电阻率的不均匀性。,措施：磁场直拉法(MCZ)和连续加料直拉法,悬浮区熔法：多晶硅棒和籽晶粘在一起后竖直固定在区溶炉上、下轴之间。水平区熔法：多晶硅棒和籽晶粘在一起后水平固定在区溶炉左、右轴之间。,制备方法分类,基本原理,将籽晶与多晶硅棒紧粘在一起，利用分段熔融多晶棒，在溶区由籽晶移向多晶硅棒另一端的过程中，使多晶
13、硅转变成单晶硅。,2.区熔法,制备过程,将预先处好的多晶硅棒和籽晶粘在一起，竖直固定在区熔炉的上、下轴之间，以高频感应线圈等方法加热。利用电磁场浮力和熔硅表面的张力与重力的平衡作用，使所产生的熔区能稳定地悬浮在硅棒之间；在真空或氩气、氢气等气氛下，按照特定的工艺条件，使溶区在硅棒上从头至尾定向移动，如此反复多次，使多晶硅棒沿籽晶长成单晶硅。,悬浮区熔法,区熔单晶的发展现状,目前采用区熔法 可生产、研制8 的硅单晶(200mm)主流为46 的硅单晶(100150mm),C、O含量低（原因：不使用石英坩埚）。在VFZ(真空下)C、O含量为10141016cm-3；在MFZ(氩气气氛中)为51015
14、21016cm-3;直径较小，区熔法适宜拉制高阻、小直径单晶；主要用于功率器件的制作。在等径、微区电阻率均匀性方面的特性还不够理想；存在轴向、径向电阻率的不均匀性。,区熔单晶的特点(与直拉单晶相比),措施：中子嬗变(掺杂)法,3.中子嬗变(掺杂)法,中子嬗变法：利用热中子（即低能中子）对高阻单晶进行辐照，从而使其电阻率发生改变的方法。,用途 主要用来对高阻区熔单晶电阻率的均匀性进行调整。,基本原理,利用硅中存在的三种均匀分布的稳定的28Si，29Si，30Si同位素(含量分别为92.21%,4.7%,3.0%)在热中子辐照下发生嬗变反应，生成31Si蜕变后形成稳定的31P，从而使硅单晶中的磷含
15、量增加，形成掺杂。,特点：,掺杂浓度的控制精度高，可达5%。因为中子辐照不会引起其它杂质，掺杂浓度可由中子通量密度和辐照时间控制（即CP=210-4 t）。中子辐照会产生大量晶格缺陷，因此中子嬗变掺杂后必须进行退火处理，以消除辐照损伤。退火条件：750800,13h。,嬗变反应：,28Si（n,）29Si29Si（n,）30Si30Si（n,）31Si,31P+-（半衰期2.62h）,32S+-（半衰期343.2h）,中子,光子,掺杂剂,三种单晶制备方法的比较,请记录,高压器件采用区熔中照(NTD)单晶,内容回顾,硅单晶的制备方法直拉法区熔法,将多晶硅在真空或惰性气体保护下加热，使多晶硅熔化，
16、然后利用籽晶来拉制单晶硅。单晶生长过程实际上是硅由液相固相的转化过程。该转化过程实现的条件：液相-固相界面附近存在温度梯度(dT/dz)。,将籽晶与多晶硅棒紧粘在一起，利用分段熔融多晶棒，在溶区由籽晶移向多晶硅棒另一端的过程中，使多晶硅转变成单晶硅。,利用硅中存在的三种均匀分布的稳定的28Si，29Si，30Si同位素在热中子辐照下发生嬗变反应，生成31Si蜕变后形成稳定的31P，从而使硅单晶中的磷含量增加，形成掺杂。,中子嬗变法,中子嬗变掺杂后必须进行退火处理,三种单晶制备方法的比较,诱生缺陷（二次缺陷）在器件制备过程中产生的缺陷。常见的有氧化层错、滑移位错和失配位错。,缺陷,原生缺陷 在晶
17、体生长过程中形成的缺陷。有宏观缺陷和微观缺陷，包括：孪晶、裂纹、夹杂、位错、小角度晶界、微缺陷、空位团和微沉积等。,晶体中某些格点上的周期性被破坏。影响晶体的力学、热学、电学、光学等方面的性质。,主要来源,三、单晶材料中的缺陷及有害杂质,硅中的缺陷从结构上可分为四种,点缺陷 空位、间隙原子和杂质原子等引起的晶格周期性的破坏，发生在一个或几个晶格常数限度范围内的缺陷。如：空位、间隙原子、杂质原子。线缺陷 晶格周期性的破坏发生在晶体内部一条线周围邻近处的缺陷。如位错(刃位错、螺旋位错、混合位错)面缺陷 原子层的排列发生错误而出现的缺陷。如：层错、多晶硅的晶粒间界体缺陷/微缺陷 线度大于点缺陷、而小
18、于线缺陷或面缺陷的缺陷。包括杂质微缺陷和结构微缺陷。,硅中的点缺陷和类型,间隙杂质,间隙原子,替位杂质,空位,单原子晶格中的点缺陷示意图,硅中的线缺陷,位错,位错的攀移运动,位错线（直线）平行于滑移的方向的位错称为螺位错。当晶体中存在螺位错时，原来的一族平行晶面就变成为以位错线为轴的螺旋面。,2、螺位错,1、刃位错,位错线（直线）垂直于滑移的方向的位错称为刃位错。,硅中的线缺陷,硅外延层的堆垛层错,硅中的面缺陷,有害杂质,指会影响晶体性质的杂质或杂质团。,硅中的有害杂质可分为三类,非金属 主要有C、O、H原子。重金属 主要有Au、Cu、Fe、Ni原子。金 属 主要有Na、K、Ca、Al、Li、
19、Mg、Ba 原子等。,硅单晶生长过程中坩埚和原材料的污染。,主要来源,请记录,硅中有害杂质的存在形式及其影响,原生缺陷和有害杂质对硅材料的影响：,1.影响材料的力学特性。2.影响载流子的输运或杂质的扩散行为。3.有害杂质可能导致加工工艺中产生诱生缺陷；有源区外存在的缺陷有利于吸收杂质。,原生缺陷和有害杂质的抑制：,1、生长过程的质量控制（根本方法)2、后续处理，即单晶的完美化工艺吸除技术（补救措施）,说明：吸除技术是单晶质量达不到器件要求时的一种补救措施，是单晶质量进一步的完善过程。,化学吸除,本征吸除,物理吸除,吸除技术,非本征吸除,扩散吸除,应力吸除,背面损伤吸除,组合吸除,物理吸除:在高
20、温过程中，将晶体缺陷和杂质沉积团解体，并以原子态溶于晶体中，然后使它们运动至有源区外，或被俘获或被挥发。,本征吸除:用多步热处理方法在硅片内引入一些缺陷，以此吸除在表面附近的杂质和缺陷,(无外来加工)。,非本征吸除:对硅片施以外来加工进行析出的方法。,四、吸除技术,背面损伤吸除:通过(喷砂、离子注入、激光辐照等)在晶片背面引入损伤层，经过处理，损伤层在背面诱生大量位错缺陷，从而将体内有害杂质或微缺陷吸引至背面。应力吸除：在晶片背面沉积氮化硅、多晶硅薄膜等引入弹性应力，在高温下，应力场使体内有害杂质和缺陷运动至应力源处，从而“清洁”晶片体内。扩散吸除：在背面或有源区外进行杂质扩散，利用杂质原子与
21、硅原子半径的差异引入大量失配位错，从而达到将有害杂质和缺陷聚集于失配位错处，消除有源区缺陷的目的。组合吸除:在硅片背面沉积PSG和BSG，在高温下处理，高浓度的P和B向晶片内部扩散，引入失配位错；同时硅和PSG，BSG膨胀系数不匹配引入应力场，在双重因素的作用下，达到吸除有害杂质和缺陷的目的。,1.3 衬底制备方法,圆片制备过程,衬底制备：性能符合要求的单晶棒，必须经过加工，形成晶片后才能作为器件的衬底材料。这个单晶棒变为晶片的过程，称为衬底制备。,制备过程：切断滚磨定晶向 切片倒角磨片腐蚀 抛光 清洗 检验,整形与定向,精细加工,整形：拉制出的单晶要切去细颈、放肩和尾部，分割下的不合要求的单
22、晶可再回收。等径的部分存在外表面毛刺、直径偏差等现象，因而还需要进行滚磨整形，使单晶棒达到要求。,外圆滚磨包括：化学研磨和机械研磨。化学研磨：用液体研磨料研磨去除表面毛刺。机械研磨：用砂轮研磨使直径符合规格要求。,单晶棒的整形与定向,定向目的：晶体的取向与器件的工艺过程密切相关，比如它涉及到界面电荷密度的高低、表面复合速度的大小、埋层图形的漂移、划片等问题，因此必须对单晶进行定向。,方法：晶体端面经研磨基准面，择优腐蚀，利用入射平行光反映出的不同的光像可确定对应的晶向。,定向方法：光图像定向法、X射线衍射法,1、光图像定向法：,机理：基于硅晶体各向异性的特点进行晶体定向。,硅定向时光斑与定位面
23、的相对位置,研磨基准面,硅晶体（属于金刚石结构）主要晶面的原子排列不同面间共价键面密度不同原子结合强度不同各向异性。,晶向,晶向,光图像定向法确定的光像图形,晶向,特点：简单、精确度低,特点：精确度高,布喇格衍射关系:j=2dsin,d原子面间距X射线的波长衍射时X射线的入射角j任意正整数,X射线衍射法：当晶体绕其中某一点转动时，X射线受原子面的衍射必须满足一定的条件(布喇格衍射关系），该条件与晶面指数有关()，根据该指数便可确定出该晶面的晶向。,晶面标识目的：为了加工时识别晶片的晶向和导电类型及划片方位，必须在晶片上作出主、次参考面识别标志。,因此，硅单晶片的最佳划片方向为,晶面标识方法：研
24、磨主次参考面。,硅器件一般采用(111)或(100)面，这两个面与111面的交线全在 和 方向，而这两个方向是等效的。,晶向标识的主次参考面的选择：硅单晶的解理面为111面，为了减少硅片在划片加工时破碎的几率，要求划片方向尽可能利用解理面与晶片表面的交线。,硅片主、次参考面取向标志,请记录,切片：将已整形、定向、标识的单晶材料，按晶向要求切成符合一定规格要求的薄片。,磨片：去除损伤层，使晶片厚度、翘曲度等得到修正。,边缘倒角：研磨去除晶片边缘棱角。,注意：研磨料的硬度、形状和粒度对研磨质量影响很大。要求：研磨料硬度大于晶片硬度；粒径应尽可能均匀；粒度应选择合理。一般采用粒径为M14(1014m
25、)的研磨料。,晶片加工,精细加工：磨片后的晶片表面仍有1020m的损伤层，因此要进一步进行精细加工，去除损伤层。精细加工的方法：化学腐蚀和精细抛光。即：先用腐蚀液去除损伤层，再用抛光的方法去除表面缺陷、提高表面的光洁度和平整度。,化学腐蚀液：酸性和碱性两类。典型的酸性腐蚀液为：HF(络合剂)+HNO3(氧化剂）+CH3COOH（缓冲剂）,体积比：1:3:2,碱性腐蚀液常用KOH和NaOH水溶液。,化学腐蚀：目的是去除损伤层。,精细抛光：机械抛光、化学抛光和化学机械抛光。,抛光液：抛光粉+NaOH溶液的胶体抛光粉：二氧化硅或二氧化锆（粒径0.01 m）,三种抛光方法的比较,（1）在抛光粉(SiO
26、2)乳胶抛光液中，有水存在的情况下，SiO2 胶体形成胶团：,抛光机理：,（SiO2)m jSiO32-2(j-x)H+2x-2xH+,（2）抛光液中的NaOH，使2xH+将被OH-中和，生成不易电离的水(H2O)，使胶团变为：,（SiO2)m j SiO32-2(j-y)Na+2y-2yNa+,（3）水的存在使NaOH与硅片表面的Si发生腐蚀反应：,一部分H2SiO3会聚合成多硅酸；一部分会分离成 SiO32-离子再生成胶体，并覆盖在Si片表面，胶团通过胶体间的相对运动和静电引力作用将新生胶团不断除去，暴露出新鲜硅表面，使腐蚀得以继续，从而起到对硅片表面抛光的作用。,注意：NaOH的浓度直接
27、影响腐蚀反应过程，要严格控制;一般选择PH值为1011范围内。,本章小结,请记录,End,1.硅材料的结构与基本特性2.半导体器件对硅单晶材料的基本要求(6点)。3.大直径硅单晶(2种)制备方法的原理及其特点。4.硅单晶中存在的(4种)缺陷和(3类)有害杂质。5.常用的吸除技术的种类(2类5种)。6.晶体定向、晶面标识的目的，划片方向的确定。7.晶体表面(2种)精细加工的方法，精细抛光的(3种)方法。,微电子加工环境,1.什么是微电子加工环境？它对半导体器件的生产有什么影响？2.成品率(合格率)的含义是什么？怎样提高成品率？3.简述超净空间环境的净化标准、净化环境的措施与净化设备的种类。4.超
28、纯水的含义、制备方法及衡量标准。5.超纯气体有哪几种？化学试剂的纯度分为哪几类？,思考题？,1.微电子加工环境对半导体器件的生产有什么影响？,答：微电子加工环境：是指微电子产品在加工过程中所接触空气、水、化学试剂、加工所用的各种气体。影响：线宽达到亚微米级IC(0.51.0m)，环境中的任何粒径(0.5m)的尘埃或杂质团都会破坏加工图形，产生加工缺陷；任何有害杂质都有可能改变器件的特性，影响器件的可靠性。,思考题,说明：1m的灰尘/100m的晶体管可能没有问题；1m的灰尘/1m的晶体管 则一定会导致元件失效。,缺陷密度 微粒与晶圆的相对尺寸,2.怎样提高半导体器件的生产成品率？,答：成品率指无
29、缺陷几率；一般用几率密度函数f(SD)（指缺陷面密度分布)来描述。实际加工环境中的污染会使得晶片表面存在一定的加工缺陷。若晶片表面的缺陷呈点状分布，且分布是随机的，则成品率遵循Poisson统计，可表示为：,为晶片有效面积；SD为缺陷面密度。,提高成品率：减小加工过程中沾污引入的缺陷。,具体措施:净化空气；洁净加工工具和传输系统；加工采用超纯试剂、气体；减少来自人员的污染；实现低温热处理。,3.超净空间环境的净化标准、净化环境的措施与净化设备的种类。,答：净化标准：每立方米空气中计数粒子数(粒径0.5m),例：在10级的洁净室中，把直径为125mm的硅片放在层流空气中1min,空气层流速度为3
30、0m/min,求落在硅片上的尘埃数。,该体积的空气中所含的尘埃粒子(直径0.5m)数为：,如果硅片上有200只芯片，一只芯片上落上一个尘埃粒子，则有64%的芯片上有尘埃。,解：10级洁净室中，每立方米(m3)中直径0.5m的粒子数有350个。,1min内经过硅片的空气体积为：,4.超纯水的含义、衡量标准及制备方法。答：超纯水是指杂质含量极低的水，主要用于晶片、石英器皿、工装夹具等清洗以及化学试剂的配制。,净化环境的措施：净化进入加工空间的空气、避免人员及设备将尘埃代入。,净化设备的种类：洁净室的整体净化和局部净化。洁净室的净化有垂直层气流、水平层流式和乱流式。局部净化的设施有：净化工作台、净化通道、风淋室。,一般用电阻率来衡量。IC用的超纯水的15Mcm;分立器件用的13Mcm。,超纯水的制备方法：离子交换法、电渗析法和反渗透法。,5.超纯气体有哪几种？化学试剂的纯度分为哪几类？,答：超纯气体：O2,H2,N2,Ar2,Cl2及SiH4，PH3，CF4，NH3，HCl等一些特殊气体。化学试剂：氢氟酸(HF)，硝酸(HNO3)，硫酸(H2SO4)，磷酸(H3PO4)，盐酸(HCl)，醋酸(CH3COOH)，三氯化磷(PCl3)、双氧水(H2O2)、氨水、乙醇、丙酮、三氯乙烯、甲苯等等。化学试剂的纯度(5级)：化学纯、分析纯、优级纯(特级纯)、电子纯和MOS纯。,
