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1、1,1 晶体管.03,2 基本放大电路.28,*3 放大电路的图解分析法.32,4 放大电路的估算分析方法.42,5 静态工作点的稳定.52,第9章 三极管及交流放大电路,2,6 射极输出器.59,7 多级放大电路.64,8 差动放大电路.72,9 功率放大电路.86,*10 场效应管放大电路.97,11 放大电路的频率特性.111,9.1 晶体管,9.1.1 基本结构,基极,发射极,集电极,NPN型,符号：,NPN型三极管,PNP型三极管,基区：最薄，掺杂浓度最低,发射区：掺杂浓度最高,发射结,集电结：面积大,结构特点：,集电区：面积最大,9.1.2 电流分配和放大原理,1.三极管放大的外部
2、条件,发射结正偏、集电结反偏,PNP发射结正偏 VBVE集电结反偏 VCVB,从电位的角度看：NPN 发射结正偏 VBVE集电结反偏 VCVB,2.各电极电流关系及电流放大作用,结论:,1）三电极电流关系 IE=IB+IC2）IC IB，IC IE 3）IC IB,把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。,3.三极管内部载流子的运动规律,基区空穴向发射区的扩散可忽略。,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。,进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩
3、散到集电结。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。,集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。,3.三极管内部载流子的运动规律,IC=ICE+ICBO ICE,IB=IBE-ICBO IBE,ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数,集射极穿透电流,温度ICEO,(常用公式),若IB=0,则 IC ICE0,9.1.3 特性曲线,即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。,为什么要研究特性曲线：1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路,重点讨论应用
4、最广泛的共发射极接法的特性曲线,发射极是输入回路、输出回路的公共端,共发射极电路,测量晶体管特性的实验线路,输入回路,输出回路,1.输入特性,特点:非线性,死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。,正常工作时发射结电压：NPN型硅管 UBE 0.60.7VPNP型锗管 UBE 0.2 0.3V,2.输出特性,IB=0,20A,放大区,输出特性曲线通常分三个工作区：,(1)放大区,在放大区有 IC=IB，也称为线性区，具有恒流特性。,条件：发射结正向偏置 集电结反向偏置,（2）截止区,IB 0 以下区域为截止区，有 IC 0，UCE UCC。,条件：发射结反向偏置、集电结反向偏置,饱和区,截止区,
5、（3）饱和区,UCE UBE时，饱和状态。UCE 0,IC UCC/RC。条件：发射结正向偏置 集电结正向偏置,9.1.4 主要参数,1.电流放大系数，,直流电流放大系数,交流电流放大系数,当晶体管接成发射极电路时，,表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。,注意：,和 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。,常用晶体管的 值在20 200之间。,2.集-基极反向截止电流 ICBO,ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。温度ICBO,3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO,ICEO受
6、温度的影响大。温度ICEO，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。,4.集电极最大允许电流 ICM,5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO,集电极电流 IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。,当集射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。,6.集电极最大允许耗散功耗PCM,PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。PC PCM=IC UCE,硅管允许结温约为150C，锗管约为7090C。,ICUCE=PCM,安全工作区,由三个极限参数可画
7、出三极管的安全工作区,晶体管参数与温度的关系,1、温度每增加10C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。,2、温度每升高 1C，UBE将减小(22.5)mV，即晶体管具有负温度系数。,3、温度每升高 1C，增加 0.5%1.0%。,例1：UCE=6 V时，在 Q1 点IB=40A,IC=1.5mA；在 Q2 点IB=60 A,IC=2.3mA。,在以后的计算中，一般作近似处理：=。,Q1,Q2,在 Q1 点，有,由 Q1 和Q2点，得,（1）V1=3.5V，V2=2.9V，V3=12V。,例2：测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值V1、V2、V3，判断管子的类型、材料及三个极。,NPN型硅
8、管，1、2、3依次为B、E、C,（2）V1=3V，V2=2.8V，V3=12V。,（3）V1=6V，V2=11.4V，V3=12V。,（4）V1=6V，V2=11.8V，V3=12V。,NPN型鍺管，1、2、3依次为B、E、C,PNP型硅管，1、2、3依次为C、B、E,PNP型鍺管，1、2、3依次为C、B、E,9.2 共发射极放大电路的组成,9.2.1 共发射极基本放大电路组成,共发射极基本电路,9.2.2 基本放大电路各元件作用,晶体管T-放大元件,iC=iB。要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区。,基极电源EB与基极电阻RB-使发射结 处于正偏，并提供大小适当的基极电流。,共
9、发射极基本电路,9.2.2 基本放大电路各元件作用,集电极电源EC-为电路提供能量。并保证集电结反偏。,集电极电阻RC-将电流的变化转变为电压的变化。,耦合电容C1、C2-隔离输入、输出与放大电路直流的联系，使交流信号顺利输入、输出。,信号源,负载,共发射极基本电路,单电源供电时常用的画法,共发射极基本电路,直流量：大字母，大下标，如IB,交流量：小字母，小下标，如ib,混合量：小字母，大下标，如iB,9.2.3 共射放大电路的电压放大作用,无输入信号(ui=0)时:,uBE=UBEuCE=UCE uo=0,结论：,(1)无输入信号电压时，三极管各电极都是恒定的 电压和电流:IB、UBE和 I
10、C、UCE。,(IB、UBE)和(IC、UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，称为静态工作点。,结论：,(2)加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大 小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了 一个交流量。,+,集电极电流,直流分量,交流分量,动态分析,静态分析,UBE,无输入信号(ui=0)时:,？,有输入信号(ui 0)时,uCE=UCC iC RC,uBE=UBE+uiuCE=UCE+uo uo 0,=ube,结论：,(3)若参数选取得当，输出电压可比输入电压大，即电路具有电压放大作用。,(4)输出电压与输入电压在相位上相差180，即共发射极电路具有反相作用。,1.实现放大的条
11、件,(1)晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集 电结反偏。(2)正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大区。(3)输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。(4)输出回路将变化的集电极电流转化成变化的 集电极电压，经电容耦合只输出交流信号。,2.直流通路和交流通路,因电容对交、直流的作用不同。在放大电路中如果电容的容量足够大，可以认为它对交流分量不起作用，即对交流短路。而对直流可以看成开路。这样，交、直流分量所走的通路是不同的。,直流通路：无信号时电流（直流电流）的通路，用来计算静态工作点。,交流通路：有信号时交流分量（变化量）的通路，用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能指标。,例：
12、画出下图放大电路的直流通路,直流通路,直流通路用来计算静态工作点Q(IB、IC、UCE),对直流信号电容 C 可看作开路（即将电容断开）,断开,断开,对交流信号(有输入信号ui时的交流分量),XC 0，C 可看作短路。忽略电源的内阻，电源的端电压恒定，直流电源对交流可看作短路。,短路,短路,对地短路,交流通路,用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能指标。,9.3 放大电路的静态分析,静态：放大电路无信号输入（ui=0）时的工作状态。,分析方法：估算法、图解法。分析对象：各极电压、电流的直流分量。所用电路：放大电路的直流通路。,设置Q点的目的：(1)使放大电路的放大信号不失真；(2)使放
13、大电路工作在较佳的工作状态，静态是动态的基础。,静态工作点Q：IB、IC、UCE。,静态分析：确定放大电路的静态值。,9.3.1 用估算法确定静态值,1.直流通路估算 IB,根据电流放大作用,2.由直流通路估算UCE,当UBE UCC时，,由KVL:UCC=IB RB+UBE,由KVL:UCC=IC RC+UCE,所以 UCE=UCC IC RC,例1：用估算法计算静态工作点。,已知：UCC=12V，RC=4k，RB=300k，=37.5。,解：,注意：电路中IB 和 IC 的数量级不同,例2：用估算法计算图示电路的静态工作点。,由例1、例2可知，当电路不同时，计算静态值的公式也不同。,由KV
14、L可得：,由KVL可得：,9.3.2 用图解法确定静态值,用作图的方法确定静态值,步骤：1.用估算法确定IB,优点：能直观地分析和了解静 态值的变化对放大电路 的影响。,2.由输出特性确定IC 和UCE,直流负载线方程,直流负载线斜率,直流负载线,由IB确定的那条输出特性与直流负载线的交点就是Q点,O,9.4 放大电路的动态分析,动态：放大电路有信号输入（ui 0）时的工作状态。,分析方法：微变等效电路法，图解法。,动态分析:计算电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。,分析对象：各极电压和电流的交流分量。,目的：找出Au、ri、ro与电路参数的关系，为设计 打基础。,所用电路：放大电
15、路的交流通路。,9.4.1 微变等效电路法,微变等效电路：把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。即把非线性的晶体管线性化，等效为一个线性元件。,线性化的条件：晶体管在小信号（微变量）情况下工作。因此，在静态工作点附近小范围内的特性曲线可用直线近似代替。,微变等效电路法：利用放大电路的微变等效电路分析计算放大电路电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。,晶体管的微变等效电路可从晶体管特性曲线求出。,当信号很小时，在静态工作点附近的输入特性在小范围内可近似线性化。,1.晶体管的微变等效电路,UBE,对于小功率三极管：,rbe一般为几百欧到几千欧。,(1)输入回路,Q,输入特
16、性,晶体管的输入电阻,晶体管的输入回路(B、E之间)可用rbe等效代替，即由rbe来确定ube和 ib之间的关系。,(2)输出回路,rce愈大，恒流特性愈好。因rce阻值很高，一般忽略不计。,晶体管的输出电阻,输出特性,输出特性在线性工作区是一组近似等距的平行直线。,晶体管的电流放大系数,晶体管的输出回路(C、E之间)可用一受控电流源 ic=ib等效代替，即由来确定ic和 ib之间的关系。一般在20200之间。,O,ib,晶体三极管,微变等效电路,晶体管的B、E之间可用rbe等效代替。,晶体管的C、E之间可用一受控电流源ic=ib等效代替。,2.放大电路的微变等效电路,将交流通路中的晶体管用晶
17、体管微变等效电路代替即可得放大电路的微变等效电路。,交流通路,微变等效电路,分析时假设输入为正弦交流，所以等效电路中的电压与电流可用相量表示。,微变等效电路,2.放大电路的微变等效电路,将交流通路中的晶体管用晶体管微变等效电路代替即可得放大电路的微变等效电路。,3.电压放大倍数的计算,当放大电路输出端开路(未接RL)时，,因rbe与IE有关，故放大倍数与静态 IE有关。,负载电阻愈小，放大倍数愈小。,式中的负号表示输出电压的相位与输入相反。,例1：,3.电压放大倍数的计算,例2：,由例1、例2可知，当电路不同时，计算电压放大倍数 Au 的公式也不同。要根据微变等效电路找出 ui与ib的关系、u
18、o与ic 的关系。,4.放大电路输入电阻的计算,放大电路对信号源(或对前级放大电路)来说，是一个负载，可用一个电阻来等效代替。这个电阻是信号源的负载电阻，也就是放大电路的输入电阻。,定义：,输入电阻是对交流信号而言的，是动态电阻。,输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数。电路的输入电阻越大越好。,例1：,5.放大电路输出电阻的计算,放大电路对负载(或对后级放大电路)来说，是一个信号源，可以将它进行戴维宁等效，等效电源的内阻即为放大电路的输出电阻。,定义：,输出电阻是动态电阻，与负载无关。,输出电阻是表明放大电路带负载能力的参数。电路的输出电阻越小越好。,共射极放大电路特点：1.放大倍
19、数高;2.输入电阻低;3.输出电阻高.,例3：,求ro的步骤：1)断开负载RL,3)外加电压,4)求,外加,2)令 或,外加,例4：,动态分析图解法,RL=,由uo和ui的峰值（或峰峰值）之比可得放大电路的电压放大倍数。,9.4.2 非线性失真,如果Q设置不合适，晶体管进入截止区或饱和区工作，将造成非线性失真。,若Q设置过高，,晶体管进入饱和区工作，造成饱和失真。,适当减小基极电流（增大RB）可消除失真。,若Q设置过低，,晶体管进入截止区工作，造成截止失真。,适当增加基极电流（减小RB）可消除失真。,如果Q设置合适，信号幅值过大也可产生失真，减小信号幅值可消除失真。,9.5 静态工作点的稳定,
20、合理设置静态工作点是保证放大电路正常工作的先决条件。但是放大电路的静态工作点常因外界条件的变化而发生变动。,前述的固定偏置放大电路，简单、容易调整，但在温度变化、三极管老化、电源电压波动等外部因素的影响下，将引起静态工作点的变动，严重时将使放大电路不能正常工作，其中温度变化的影响最大。,9.5.1 温度变化对静态工作点的影响,在固定偏置放大电路中，当温度升高时，UBE、ICBO。,上式表明，当UCC和 RB一定时，IC与 UBE、以及 ICEO 有关，而这三个参数随温度而变化。,温度升高时，IC将增加，使Q点沿负载线上移。,iC,uCE,Q,温度升高时，输出特性曲线上移,固定偏置电路的Q点是不
21、稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使 IC 增加时，能够自动减少IB，从而抑制Q点的变化，保持Q点基本稳定。,结论：当温度升高时，IC将增加，使Q点沿负载线上移，容易使晶体管 T进入饱和区造成饱和失真，甚至引起过热烧坏三极管。,O,9.5.2 分压式偏置电路,1.稳定Q点的原理,基极电位基本恒定，不随温度变化。,VB,RB2：使VB基本不变,RE：使IC基本不变,CE：使Au不下降,9.5.2 分压式偏置电路,1.稳定Q点的原理,VB,集电极电流基本恒定，不随温度变化。,从Q点稳定的角度来看似乎I2、VB越大越好。但 I2 越大，RB1、RB2必须取得较小，将增加损耗，降低输入电阻。VB
22、过高必使VE也增高，在UCC一定时，势必使UCE减小，从而减小放大电路输出电压的动态范围。,在估算时一般选取：I2=(5 10)IB，VB=(5 10)UBE，RB1、RB2的阻值一般为几十千欧。,参数的选择,VE,VB,Q点稳定的过程,VE,VB,VB 固定,RE：温度补偿电阻 对直流：RE越大,稳定Q点效果越好；对交流：RE越大,交流损失越大,为避免交流损失加旁路电容CE。,2.静态工作点的计算,估算法:,旁路电容,3.动态分析,3.动态分析,对交流：旁路电容 CE 将RE 短路，RE不起作用，Au，ri，ro与固定偏置电路相同。,RB=RB1/RB2,微变等效电路,去掉CE后的微变等效电
23、路,如果去掉CE，Au，ri，ro?,无旁路电容CE,有旁路电容CE,Au减小,分压式偏置电路,ri 提高,ro不变,对信号源电压的放大倍数？,信号源,考虑信号源内阻RS 时,例1:,在图示放大电路中，已知UCC=12V,RC=6k,RE1=300，RE2=2.7k，RB1=60k，RB2=20k RL=6k，晶体管=50，UBE=0.6V,试求:(1)静态工作点 IB、IC 及 UCE；(2)画出微变等效电路；(3)ri、ro及 Au；(4)若输入信号为 能输出正常波形，则UO多大？(5)若测得输出波形为 判断放大器出现的是何种失真，如何消除失真？,解:,(1)由直流通路求静态工作点。,直流
24、通路,(3)由微变等效电路求Au、ri、ro。,微变等效电路,若要消除失真必须改变RB1与RB2的比例，适当抬高放大器的静态工作点，如：适当调节RB1使其变小，则抬高了IB。,（4）,9.6 放大电路的频率特性,阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发射极旁路电容及三极管的结电容等，它们的容抗随频率变化，故当信号频率不同时，放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。,频率特性,幅频特性：电压放大倍数的模|Au|与频率 f 的关系,相频特性：输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率 f 的关系,通频带,f,|Au|,fL,fH,|Auo|,幅频特性,下限截止频率,上限截止频率,耦
25、合、旁路电容造成,三极管结电容、造成,O,在中频段：,所以，在中频段可认为电容不影响交流信号的传送，放大电路的放大倍数与信号频率无关。(前面所讨论的均是指中频段情况),三极管的极间电容和导线的分布电容很小，可认为它们的等效电容CO与负载并联，且对中频段信号的容抗很大，可视作开路。,耦合电容和发射极旁路电容的容量较大，对中频段信号的容抗很小，可视作短路。,在低频段：,CO的容抗比中频段还大，仍可视作开路。,耦合电容和发射极旁路电容的容抗较大，其分压作用不能忽略。以至实际送到三极管输入端的电压 比输入信号 要小，故放大倍数降低，并使 产生越前的相位移。,耦合电容和发射极旁路电容的容抗很小，视作短路
26、。,在高频段：,CO的容抗将减小，它与负载并联，使总负载阻抗减小，在高频时三极管的电流放大系数 也下降，因而使输出电压减小，电压放大倍数降低，并使 产生滞后的相位移。,9.7 射极输出器,因对交流信号而言，集电极是输入与输出回路的公共端，所以是共集电极放大电路。因从发射极输出，所以称射极输出器。,求Q点：,9.7.1 静态分析,直流通路,9.7.2 动态分析,1.电压放大倍数,电压放大倍数Au1且输入输出同相，输出电压跟随输入电压，故称电压跟随器。,微变等效电路,2.输入电阻,射极输出器的输入电阻高，对前级有利。ri 与负载有关,3.输出电阻,射极输出器的输出电阻很小，带负载能力强。,例1:,
27、.,在图示放大电路中，已知UCC=12V,RE=2k,RB=200k，RL=2k，晶体管=60，UBE=0.6V,信号源内阻RS=100，试求:(1)静态工作点 IB、IE 及 UCE；(2)画出微变等效电路；(3)Au、ri 和 ro。,解:,(1)由直流通路求静态工作点。,直流通路,(2)由微变等效电路求Au、ri、ro。,微变等效电路,共集电极放大电路(射极输出器)的特点：,1.电压放大倍数小于1，约等于1;2.输入电阻高；3.输出电阻低；4.输出与输入同相。,射极输出器的应用,主要利用它具有输入电阻高和输出电阻低的特点。,1.因输入电阻高，它常被用在多级放大电路的第一级，可以提高输入电
28、阻，减轻信号源负担。,2.因输出电阻低，它常被用在多级放大电路的末级，可以降低输出电阻，提高带负载能力。,3.利用 ri 大、ro小以及 Au 1 的特点，也可将射极输出器放在放大电路的两级之间，起到阻抗匹配作用，这一级射极输出器称为缓冲级或中间隔离级。,9.7.3 多级放大电路,耦合方式：信号源与放大电路之间、两级放大电路之间、放大器与负载之间的连接方式。,常用的耦合方式：直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。,动态:传送信号,减少压降损失,静态：保证各级有合适的Q点,波形不失真,输出,多级放大电路的框图,对耦合电路的要求,阻容耦合：,第一级,第二级,负载,信号源,两级之间通过耦合电容 C2 与下
29、级输入电阻连接,（1）静态分析,由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互不相通，每级的静态工作点互相独立，互不影响，可以各级单独计算。,（2）动态分析,第一级,第二级,例1:,如图所示的两级电压放大电路，已知1=2=50,T1和T2均为3DG8D。(1)计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V);(2)求放大电路的输入电阻和输出电阻；(3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数。,解:,(1)两级放大电路的静态值可分别计算。,第一级是射极输出器:,第二级是分压式偏置电路,解:,第二级是分压式偏置电路,解:,(2)计算 r i和 r 0,由微变等效电路可知，放大电路的输入电阻 ri
30、等于第一级的输入电阻ri1。第一级是射极输出器，它的输入电阻ri1与负载有关，而射极输出器的负载即是第二级输入电阻 ri2。,微变等效电路,(2)计算 r i和 r 0,(2)计算 r i和 r 0,(3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数,第一级放大电路为射极输出器,(3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数,第二级放大电路为共发射极放大电路,总电压放大倍数,直接耦合：将前级的输出端直接接后级的输入端。可用来放大缓慢变化的信号或直流量变化的信号。,由于不采用电容，具有良好的低频特性。适合于集成化的要求，在集成运放的内部，级间都是直接耦合。,2.零点漂移,零点漂移：指输入信号电压为零时，输出
31、电压发生 缓慢地、无规则地变化的现象。,产生的原因：晶体管参数随温度变化、电源电压 波动、电路元件参数的变化。,直接耦合存在的两个问题：,1.前后级静态工作点相互影响,零点漂移的危害：直接影响对输入信号测量的准确程度和分辨能力。严重时，可能淹没有效信号电压，无法分辨是有效信号电压还是漂移电压。,抑制零点漂移是制作高质量直接耦合放大电路的一个重要的问题。,差分放大电路是抑制零点漂移最有效的电路结构。,9.8.1 差分放大电路的工作情况,电路结构对称，在理想的情况下，两管的特性及对应电阻元件的参数值都相等。,差动放大原理电路,两个输入、两个输出,两管静态工作点相同,9.8 差分放大电路,1.零点漂
32、移的抑制,uo=VC1 VC2=0,uo=(VC1+VC1)(VC2+VC2)=0,静态时，ui1=ui2=0,当温度升高时ICVC（两管变化量相等）,对称差分放大电路对两管所产生的同向漂移都有抑制作用。,2.信号输入,两管集电极电位呈等量同向变化，所以输出电压为零，即对共模信号没有放大能力。,(1)共模信号 ui1=ui2大小相等、极性相同,差分电路抑制共模信号能力的大小，反映了它对零点漂移的抑制水平。,共模信号 需要抑制,两管集电极电位一减一增，呈等量异向变化，,(2)差模信号 ui1=ui2大小相等、极性相反,uo=(VC1VC1)(VC2+VC)=2 VC1,即对差模信号有放大能力。,
33、差模信号 是有用信号,(3)比较输入,ui1、ui2 大小和极性是任意的。,例1:ui1=10 mV,ui2=6 mV,ui2=8 mV 2 mV,例2:ui1=20 mV,ui2=16 mV,可分解成:ui1=18 mV+2 mV,ui2=18 mV 2 mV,可分解成:ui1=8 mV+2 mV,共模信号,差模信号,放大器只 放大两个 输入信号 的差值信 号差分 放大电路。,这种输入常作为比较放大来应用，在自动控制系统中是常见的。,（Common Mode Rejection Ratio),全面衡量差分放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。,差模放大倍数,共模放大倍数,KCMR越大，说
34、明差放分辨差模信号的能力越强，而抑制共模信号的能力越强。,3.共模抑制比,共模抑制比,若电路完全对称，理想情况下共模放大倍数 Ac=0 输出电压 uo=Ad（ui1 ui2）=Ad uid,若电路不完全对称，则 Ac 0，实际输出电压 uo=Ac uic+Ad uid 即共模信号对输出有影响。,9.8.2 典型差分放大电路,RE的作用：稳定静态工作点，限制每个管子的漂移。,EE的作用：用于补偿RE上的压降，以获得合适的Q。,例：,已知：=50，UBE=0.7V，输入电压 ui1=7mV，ui2=3 mV。,(1)计算放大电路的静态值IB、IC和各电极的电位VE、VC、VB；,(2)把输入电压分
35、解为共模分量uic1、uic1和差模分量uid1、uid1；,(3)求单端共模输出 uoc1 和 uoc2；,(4)求单端差模输出 uod1 和 uod2；,(5)求单端总输出 uo1 和 uo2；,(6)求双端共模输出 uoc、双端差模输出 uod和双端总输出 uo。,解：,（1）单管直流通路为,解：,（2）输入信号分解为,（3）单管共模信号通道为,解：,解：,（4）单管差模信号通道为,解：,如果改为单端输入呢？,可把单端输入看作双端输入,此时的uo1与ui 反相，为反相输出端，uo2与ui 同相，为同相输出端。,9.9 互补对称功率放大电路,9.9.1 对功率放大电路的基本要求,功率放大电
36、路的作用：是放大电路的输出级，去推动负载工作。例如使扬声器发声、继电器动作、仪表指针偏转、电动机旋转等。,(1)在不失真的情况下能输出尽可能大的功率。,(2)由于功率较大，就要求提高效率。,晶体管的工作状态,甲类工作状态晶体管在输入信号的整个周期都导通，波形好，静态IC较大，管耗大、效率低。,乙类工作状态晶体管只在输入信号的半个周期内导通，波形严重失真，静态IC=0，管耗小、效率高。,甲乙类工作状态晶体管导通的时间大于半个周期，静态IC 0，一般功放常采用。,9.9.2 互补对称功率放大电路,互补对称电路是集成功率放大电路输出级的基本形式。当它通过容量较大的电容与负载耦合时，由于省去了变压器而
37、被称为无输出变压器(Output Transformerless)电路，简称OTL电路。若互补对称电路直接与负载相连，输出电容也省去，就成为无输出电容(Output Capacitorless)电路，简称OCL电路。OTL电路采用单电源供电，OCL电路采用双电源供电。,1.OTL电路,(1)特点,T1、T2的特性一致；一个NPN型、一个PNP型两管均接成射极输出器；输出端有大电容；单电源供电。,(2)静态时(ui=0),IC1 0，IC2 0,OTL原理电路,电容两端的电压,(3)动态时,设输入端在UCC/2 直流基础上加入正弦信号。,T1导通、T2截止；同时给电容充电,T2导通、T1截止；电
38、容放电，相当于电源,若输出电容足够大，其上电压基本保持不变，则负载上得到的交流信号正负半周对称。,ic1,ic2,交流通路,uo,输入交流信号ui的正半周,输入交流信号ui的负半周,(4)交越失真,当输入信号ui为正弦波时，输出信号在过零前后出现的失真称为交越失真。,交越失真产生的原因 由于晶体管特性存在非线性，ui 死区电压晶体管导通不好。,采用各种电路以产生有不大的偏流，使静态工作点稍高于截止点，即工作于甲乙类状态。,克服交越失真的措施,动态时，设ui 加入正弦信号。正半周T2 截止，T1基极电位进一步提高，进入良好的导通状态。负半周T1截止，T2基极电位进一步降低，进入良好的导通状态。,
39、静态时T1、T2 两管发射结电压分别为二极管D1、D2的正向导通压降，致使两管均处于微弱导通状态。,(5)克服交越失真的电路,2.OCL电路,ic1,ic2,静态时：,ui=0V,iC1 0，iC2 0uo=0V。,动态时：,ui 0V,T2导通，T1截止,ui 0V,T1导通，T2截止,特点：双电源供电、输出无电容器。,uo,OCL原理电路,9.10 场效应管及其放大电路,场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件（VCCS）。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。,结型场效应管,按结构不同场效应管有两种
40、:,绝缘栅型场效应管,本节仅介绍绝缘栅型场效应管,按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类每类又有N沟道和P沟道之分,9.10.1 绝缘栅场效应管,漏极D,栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。,(1)N沟道增强型管的结构,栅极G,源极S,1.增强型绝缘栅场效应管,符号：,由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014。,由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。,(2)N沟道增强型管的工作原理,由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。,当栅源电压
41、UGS=0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。,当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；,N型导电沟道,在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。,当UGS UGS（th）时，将出现N型层，形成N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。,(2)N沟道增强型管的工作原理,N型导电沟道,当UGS UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道开始导通。若漏源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关（UG
42、S越大，沟道越宽）。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。,在一定的漏源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。,(2)N沟道增强型管的工作原理,(3)特性曲线,有导电沟道,转移特性曲线,无导电沟道,开启电压UGS(th）,UDS,UGS/,漏极特性曲线,恒流区,可变电阻区,截止区,符号：,结构,(4)P沟道增强型,SiO2绝缘层,加电压才形成 P型导电沟道,增强型场效应管只有当UGS UGS(th）时才形成导电沟道。,2.耗尽型绝缘栅场效应管,符号：,如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。,(1)N沟道耗尽型管,SiO2绝缘层中掺有
43、正离子,予埋了N型 导电沟道,2.耗尽型绝缘栅场效应管,由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS=0时，若漏源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。,当UGS 0时，使导电沟道变宽，ID 增大；当UGS 0时，使导电沟道变窄，ID 减小；UGS负值愈高，沟道愈窄，ID就愈小。,当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失，ID=0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UGS(off）表示。,这时的漏极电流用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。,(2)耗尽型N沟道MOS管的特性曲线,夹断电压,耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压到一定值
44、时才能夹断。,UGS(off),IDSS,2.耗尽型绝缘栅场效应管,(3)P 沟道耗尽型管,予埋了P型 导电沟道,SiO2绝缘层中掺有负离子,耗尽型,G、S之间加一定电压才形成导电沟道,在制造时就具有原始导电沟道,3.场效应管的主要参数,(1)开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数(2)夹断电压 UGS(off)：(3)饱和漏电流 IDSS：,(4)低频跨导 gm：表示场效应管放大能力，衡量 栅源电压对漏极电流的控制能力,极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。,场效应管与晶体管的比较,类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道,放大参数,9.10.2 场效应管放大电路,场效应晶体管
45、具有输入电阻高、噪声低等优点，常用于多级放大电路的输入级以及要求噪声低的放大电路。,场效应管的源极、漏极、栅极相当于双极型晶体管的发射极、集电极、基极。,场效应管的共源极放大电路和源极输出器与双极型晶体管的共发射极放大电路和射极输出器在结构上也相类似。,场效应管放大电路的分析与双极型晶体管放大电路一样，包括静态分析和动态分析。,1.自给偏压式偏置电路,9.10.2 场效应管放大电路,栅源电压UGS是由场效应管自身的电流提供的，故称自给偏压。偏压确定静态工作点。,UGS=RSIS=RSID,T为N沟道耗尽型场效应管,增强型MOS管因UGS=0时，ID 0，故不能采用自给偏压式电路。,静态分析可以
46、用估算法或图解法(略),估算法：,UGS=RSID,将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式，解出UGS、ID;,由 UDS=UDD ID(RD+RS)解出UDS,列出静态时的关系式,对增强型MOS管构成的放大电路需用图解法来确定静态值。,例：已知UDD=20V、RD=3k、RS=1k、RG=500k、UGS(off)=4V、IDSS=8mA，确定静态工作点。,解：用估算法,UGS=1 ID,UDS=20 2（3+1）=12 V,列出关系式,解出 UGS1=2V、UGS2=8V、ID1=2mA、ID2=8mA,因UGS2 UGS(off)故舍去，所求静态解为UGS=2V ID=2mA、,2
47、.分压式偏置电路,(1)静态分析,估算法：,将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式，解出UGS、ID;,由 UDS=UDD ID(RD+RS)解出UDS,列出静态时的关系式,流过 RG 的电流为零,(2)动态分析,电压放大倍数,交流通路,输入电阻,输出电阻,RG是为了提高输入电阻ri而设置的。,3.源极输出器,交流通路,电压放大倍数,特点与晶体管的射极输出器一样,当场效应管工作在可变电阻区时，漏源电阻：,场效应管可看作由栅源电压控制的可变电阻。,|UGS|愈大，RDS愈大。,N沟道结型场效应管的转移特性,应用举例：,Ui Uo|UGS|RDS Au Uo,应用举例镍镉电池恒流充电电路,原理:三极管工作于恒流状态，基极电位恒为6V；调整转换开关使充电电流限制在50mA和100mA;,性能:正常充电时间7小时左右;充电电流为恒定值；充电电流大小由电池额定容量确定。,LED发光二极管承受正向电压导通发光,发光强度与通过的电流大小有关。LED与R5串联后，接于R4 两端，R4两端电压的大小，反映充电电流的大小，LED发光的亮、暗指示S的位置,R5是LED的限流电阻,使通过LED的电流限制在一定数值。,
