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1、,模拟电子复习课件,第4章 三极管放大电路,计算重点,定性题重点,第2章 运算放大器,第10章 直流稳压电源,第3章 二极管及基本电路,第5章 场效应管放大电路,第6章 模拟集成电路,第8章 功率放大电路,第7章 反馈放大电路,第9章 信号处理与产生电路,第1章 绪论,1、了解本征半导体、P型、N型半导体的定义和特征,第3章 二极管及基本电路,参与导电的载流子？多数和少数（空穴？电子？）,2、理解PN结的形成，掌握其V-I特性（也是二极管的V-I特性）,扩散运动和漂移运动（多子扩散？少子漂移？）,单向导电性，反向击穿，电容效应,3、掌握二极管电路的3种模型分析方法,掌握目标：1、可按指定模型计
2、算；2、可判断出电路中的二极管是导通还是截止；,理性模型恒压降模型折线模型,前进,本征半导体化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。,1、了解本征半导体、P型、N型半导体的定义和特征,自由电子数=空穴数,N型半导体掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。,P型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。,在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子,由热激发形成。,在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由热激发形成。,返回,2、理解PN结的形成，掌握其V-I特性（也是二极管的V-I特性）,一、PN结的形成,返回,3、掌握二极管电路
3、的3种模型分析方法,例1.电路如图所示，设二极管VD为理想元件，直流电源E=3V。当输入电压vi为直流2V时，试分析：(1)二极管VD工作在什么状态?(2)输出电压vo为多少?,作业3.4.5,返回,2023/1/21,1、理解BJT放大状态工作原理,两个结对电压的正反偏置要求；不同管子NPNPNP的不同对比；,2、掌握BJT的V-I特性曲线,输入特性曲线输出特性曲线三个工作区,3、重点掌握共射放大电路的工作原理、静态工作点Q的计算；动态小信号等效模型的计算,第4章 三极管放大电路,4、理解图解分析法，以及静态工作点对失真的影响；,5、理解温度对静态工作点的影响以及解决方法射极偏置电路的Q点稳
4、定原理；,6、掌握共基极和共集电极放大电路的工作原理（静态、动态计算）；,7、熟悉BJT的三种连接方式；掌握三种组态的判别和性能对比；,8、理解复合管的等效判断和组合放大电路；,返回,2、掌握BJT的V-I特性曲线,返回,3、重点掌握三极管放大电路静态工作点Q的计算；动态小信号等效模型的计算,例.1 共射放大电路如图所示。设：VCC12V，Rb=300k,Rc=3k,RL=3k,BJT的b=50。,1、试求电路的静态工作点Q。,解：,2、估算电路的电压放大倍数、输入电阻Ri和输出电阻Ro。,画微变等效电路,Ri=rbe/Rbrbe=863,Ro=Rc=3k,例2：电路如右图所示。Rb1=30k
5、，Rb2=60k,Rc=4k，Re=2k，RL=5k，VCC=12V，三极管为硅管，rce=，=50，rbe=1k。(1)求Q点；(2)画断开Ce后的小信号等效电路；(3)求断开Ce后的电压放大倍数。,作业4.3.8,返回,4、理解图解分析法，以及静态工作点对失真的影响；,返回,5、理解温度对静态工作点的影响以及解决方法 射极偏置电路的Q点稳定原理,返回,7、熟悉BJT的三种连接方式，掌握三种组态的判别和性能对比,返回,8、理解复合管的等效判断和组合放大电路,1.同种导电类型复合管的主要特性,2.不同种导电类型复合管的主要特性,1、了解集成运放结构框图,三级（输入、中间、输出）,2、掌握同相、
6、反相放大电路以及虚短、虚断、虚地概念在运放计算中的应用,电压跟随器求差电路、求和电路、,第2章 运算放大器,掌握目标：1、可以准确找到反馈通路；2、可以计算输出电压；3、可以求得增益；,前进,1、了解集成运放结构框图和理想运放模型,返回,2、掌握同相、反相放大电路以及虚短、虚断、虚地概念的应用,作业：2.3.1，2.4.5；2.4.7；,返回,1、了解反馈的基本知识,2、掌握常用反馈类型的判别方法,正、负反馈瞬时极性法；串联、并联反馈看电压比较还是电流比较；电流、电压反馈负载短路法经验总结法；,3、掌握四种反馈模式及各自增益、输入电阻、输出电阻的特点,4、深度负反馈特点及计算（利用虚短、虚断、
7、虚地概念）常和第2章内容结合考察,第7章 反馈放大电路,5、了解负反馈对频率响应的影响,6、了解负反馈对设计步骤,前进,7、理解自激震荡条件，和系统稳定条件,1、了解反馈的基本知识,反馈的框图及增益,返回,2、掌握串联反馈、并联反馈及电流反馈、电压反馈的判别方法,正、负反馈瞬时极性法,判别方法：瞬时极性法。即在电路中，从输入端开始，沿着信号流向，标出某一时刻有关节点电压变化的斜率正斜率或负斜率，用“+”、“-”号表示）。,负反馈,净输入量 vid=vb1-vb2减小,串联、并联反馈看电压比较还是电流比较,串联,串联：输入以电压形式求和（KVL）-vi+vid+vf=0 即 vid=vi-vf,
8、并联：输入以电流形式求和（KCL）ii-iid-if=0 即 iid=ii-if,并联,电流、电压反馈负载短路法,电压反馈与电流反馈由反馈网络在放大电路输出端的取样对象决定。,电压反馈：反馈信号xf和输出电压成比例，即xf=Fvo电流反馈：反馈信号xf与输出电流成比例，即xf=Fio,并联结构,串联结构,返回,3、掌握四种反馈模式及各自增益、输入电阻、输出电阻的特点,表7.3.1，表7.4.1,返回,4、深度负反馈特点及计算（利用虚短、虚断、虚地概念）,(1)找出反馈元件；(2)说明电路反馈组态；(3)求增益；,返回,1.电路如右图所示，设集成运算放大器为理想器件，电源电压为12V，引入深度负
9、反馈，R1=1k，R2=10k。(1)求放大电路的电压放大倍数；(2)若vi=10mV,求vo；,5、了解负反馈对频率响应的影响,返回,1、掌握整流滤波电路的原理,2、掌握相关计算 例10.1.1,第10章 直流稳压电源,1、了解放大电路的4种模型,电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大（图 1.4.2）,2、理解放大电路主要性能指标,增益、输入电阻、输出电阻、通频带（带宽）、非线性失真等,第1章 绪论,1、了解场效应管的定义和分类,FET；MOSFET；JFET,2、理解N沟道增强型、耗尽型MOSFET管的工作原理；,第5章 场效应管及放大电路,N沟道和P沟道；增强型和耗尽型的区别；,3、掌
10、握N沟道增强型、耗尽型MOSFET管的V-I特性曲线，以及三个工作区域的条件；还有P沟道；对比记忆,4、理解JFET的工作原理；掌握其V-I特性曲线以及三个工作区域的条件；,什么是场效应管（FET)?,场效应管的分类,1、了解场效应管的结构和分类,2、理解N沟道增强型、耗尽型MOSFET管的工作原理,N沟道增强型MOSFET管工作原理,栅-源电压vGS对导电沟道的控制作用；漏-源电压vDS对漏极电流的影响；vGS和vDS同时作用时；,3、掌握N沟道、P沟道增强型、耗尽型MOSFET管的V-I特性曲线,N沟道耗尽型MOSFETV-I 特性曲线,结型场效应管工作原理（以N沟道为例）,4、理解JFE
11、T的工作原理；掌握其V-I特性曲线以及三个工作区域的条件；,漏-源电压vDS对漏极电流的影响；,2.转移特性,1、理解电流源的作用，理解各种BJT、FET电流源的构成,BJT镜像电流源、微电流源；,3、掌握差分式放大电路的定义 掌握差分式放大电路的主要特点,放大差模信号，抑制共模信号；,2、掌握差模信号、共模信号、差模增益、共模增益、共模抑制比的含义,4、掌握（表6.2.1）双入双出差模电压增益、共模电压增益的特点；双入单出差模电压增益、共模电压增益的特点；,5、了解实际集成运放的主要参数,三大类，若干个；,第6章 模拟集成电路,MOSFET镜像电流源、多路电流源；,6、了解噪声的种类和指标了
12、解引起干扰的原因和抑制措施,2、掌握差模信号、共模信号、差模增益、共模增益、共模抑制比的含义,差模信号,共模信号,差模电压增益,共模电压增益,总输出电压,共模信号产生的输出,特点：差分式放大电路对共模信号有很强抑制作用,3、掌握差分式放大电路的定义 掌握差分式放大电路的主要特点,4、掌握（表6.2.1）双入双出差模电压增益、共模电压增益的特点；双入单出差模电压增益、共模电压增益的特点；,定义：？,5、了解实际集成运放的主要参数,6、了解噪声的种类和指标，了解引起干扰的原因和抑制措施,1、了解功率放大电路性能的描述指标,输出功率、效率、非线性失真等,2、掌握甲、乙、丙三类放大电路工作状态的工作特
13、点,信号导通周期时间不同；静态功耗不同、效率不同；信号失真程度不同；,3、理解乙类和甲乙类双电源互补对称功率放大电路 的工作原理,4、了解功率器件的散热问题 了解BJT的二次击穿问题,第8章 功率放大电路,2、掌握甲、乙、丙三类放大电路工作状态的工作特点,甲乙类：导通角大于180,丙类：导通角小于180,乙类工作状态：晶体管仅在输入信号的半个周期内导通，导通角等于180静态电流为零，波形失真严重，管耗小，效率高。,甲类工作状态：在输入信号的一个周期内均导通，导通角等于360o静态电流较大，波形好，管耗大，效率低。,1、了解信号处理滤波的定义及分类,2、了解各滤波器幅频特性图的特点,3、掌握正弦波产生的必备条件及电路组成环节。,第9章 信号处理与产生电路,4、了解电压比较器的工作原理，方波产生的工作原理。,低通滤波器（LPF）高通滤波器（HPF）带通滤波器（BPF）带阻滤波器（BEF）全通滤波器（APF）,选频、起振、稳幅、放大,
