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1、Light Detector And Light Receiver光检测器和光接收机,光纤通信第四章,光信号,光电变换,前置放大,主放大器,均衡滤波,判决器,时钟恢复,输出,AGC电路,时钟提取与数据再生（CDR）,前 言,发射机发射的光信号经光纤传输后，不仅幅度衰减了，而且脉冲波形也展宽了。光接收机的作用就是检测经过传输后的微弱光信号，并放大、整形、再生成原输入信号。它的主要器件是利用光电效应把光信号转变为电信号的光电检测器。对光电检测器的要求是灵敏度高、响应快、噪声小、成本低和可靠性高，并且它的光敏面应与光纤芯径匹配。用半导体材料制成的光电检测器正好满足这些要求。,4.1 光检测器的工作原
2、理4.2 光检测器的特性参数4.3 光接收机4.4 光收发合一模块,第四章 光检测器和光接收机,Light Detector,External Photoelectric Effect(外部光电效应)：金属表面通过吸收入射光子流的能量从而释放电子，形成光生电流真空光电二极管和光电倍增管Internal Photoelectric Effect(内部光电效应)：半导体结型器件通过吸收入射光子产生自由电荷载流子（电子和空穴）PN结光电二极管，PIN结光电二极管，雪崩光电二极管,4.1 光检测器的工作原理,1Responsivity 响应度,光检测器的输出电流与入射光功率之比称为响应度。单位：安培每
3、瓦/伏特每瓦,光检测器的主要性能指标,在入射光功率呈阶跃变化的条件下，检测器的输出电流从最大值的10%上升到90%所用时间。,2.Rise Time 上升时间tr,输入功率波形,检测器输出的电流波形,Vacuum photodiode真空光电二极管,阴极,阳极,发射电子,入射光子,Vacuum photodiode真空光电二极管,Vacuum photodiode,单个电子从阴极逃逸需要一个最低的能量值，称为功函数(Work Function)，入射光子的能量必须大于此值才能产生光致电子发射。光子能量hv大于功函数时，电子可以吸收光子而逸出，否则不论入射光多强，光电效应都不会发生。所以，任何一
4、种材料制作的光电二极管都有截止波长(Cutoff wavelength)C：(um)光波长大于这个值时，入射光子没有足够的能量激励检测器，因而不能被检测到，波长小于这个值时，光子能量超过功函数，能被检测到。,例1，铯是一种常见的光致发光材料，其功函数为1.9eV,计算其截止波长。,光波长小于这个值时，光子能量超过功函数，才能被铯阴极检测到。,量子效率表示入射光子转换为光电子的效率。它定义为单位时间内产生的电子数与入射光子数之比，即,检测电流正比于光功率,Quantum Efficiency 量子效率,在光电二极管的应用中，100个光子会产生30到95个电子空穴对，因此检测器的量子效率范围为30
5、%95%。,Photomultiplier（PMT）光电倍增管,阴极,阳极,二次发射电子,入射光子,倍增电极,Photomultiplier,每个倍增电极的增益(Gain)指每个入射电子所产生的二次发射电子数的平均值。通常在26之间。假设每个倍增电极的增益为，总的增益为：通过外电路的电流为：,例2，假定一个光电倍增管有9个倍增电极，每个倍增电极的增益为5，计算此光电倍增管的电流放大倍数。,Photomultiplier,光电倍增管产生内部增益(Internal Gain)，可以在不显著降低信噪比的情况下放大信号，而放大器的外部增益（External Gain）一般会引入噪声，降低信噪比。光电倍
6、增管响应速度很快，不到1ns。缺点：成本高，体积大，重量大，需要一个能提供数百伏偏置电压的电压源。,半导体光电二极管体积小，重量轻，灵敏度高，响应速度快，在几伏的偏置电压下即可工作。PN型光电二极管PIN型光电二极管雪崩型（APD）光电二极管,4.1 Semiconductor Photodiode 半导体光电二极管,假如入射光子的能量超过禁带能量 Eg，耗尽区(PN结的结区也就是中间势垒所在区域，没有自由电子)每次吸收一个光子，将产生一个电子空穴对，发生受激吸收。,光探测原理-受激吸收,光电转换器件原理：光吸收在半导体材料上，当入射光子能量hf超过带隙能量时，每当一个光子被半导体吸收就产生一
7、个电子空穴对。在外加电压建立的电场作用下，电子和空穴就在半导体中渡越并形成电流流动，称为光电流。,PN型光电二极管检测原理说明,光电二极管（PD）是一个工作在反向偏压下的PN结二极管，由光电二极管作成的光检测器的核心是PN结的光电效应。当PN结加反向偏压时，外加电场方向与PN结的内建电场方向一致，势垒加强，在PN结界面附近基本上没有载流子，称为耗尽区。当光束入射到PN结上，且光子能量hf大于半导体材料的带隙Eg时，价带上的电子吸收光子能量跃迁到导带上，形成一个电子空穴对。,PN结光电检测原理,简单的 PN 结光电二极管具有两个主要的缺点。首先，它的响应速度很慢。其次，它的量子效率很低，响应度很
8、低。,4.1.1 PIN光电二极管,结构：P+和N型半导体材料之间插入了一层掺杂浓度很低的半导体材料（如Si），记为I，称为本征区。,4.1.1 PIN光电二极管,工作原理：入射光从P侧进入，在耗尽区光吸收产生的电子空穴对在内建电场作用下分别向左右两侧运动，产生光电流。,4.1.1 PIN光电二极管,载流子在耗尽区的漂移时间PN结耗尽区可等效成电容：耗尽区宽度w越窄，电容越大，电路的RC时间常数也越大，不利于高速数据传输。,4.1.1 PIN光电二极管,带宽受限的主要因素:产生的光电流中存在扩散分量，它与耗尽区外的光吸收有关。载流子作扩散运动的时延将使检测器输出电流脉冲后沿的拖尾加长，影响光电
9、二极管的响应速度。,解决方法：减小P,N区厚度，增加耗尽区的宽度，使大部分入射光功率在耗尽区吸收，减少P,N区吸收的光能,考虑漂移和扩散运动时PN光电二极管对矩形脉冲的响应,扩散分量的存在导致光电二极管瞬态响应失真,雪崩光电二极管（APD）是利用雪崩倍增效应使光电流得到倍增的高灵敏度探测器。APD的结构设计，使它能承受高的反向偏压，从而在 PN 结内部形成一个高电场区。APD能提供内部增益工作速度高已广泛应用于光通信系统中,4.1.2 Avalanche Photodiodes雪崩光电二极管APD,Avalanche Photodiodes,PIN:1个光子最多产生一对电子-空穴对,无增益AP
10、D:利用电离碰撞,1个光子产生多对电子-空穴对,有增益工作过程：,Avalanche Photodiodes,APD倍增系数,倍增系数 M=IM/IP IM光电二极管雪崩后输出电流 IP未倍增时的初始光电流倍增系数M与电离率及增益区厚度有关。电离系数 和 分别为电子电离率与空穴电离率(载流子在漂移的单位距离内平均产生的电子空穴对数)。,当 时，仅有电子参与雪崩过程，增益随w指数增长；当 且 时，出现雪崩击穿。APD光电二极管出现雪崩击穿是因为所加的反向偏置电压过大:n是与温度有关的特性指数，VBR是雪崩击穿电压。,10500,70-200V,2Responsivity 响应度,光检测器的主要性
11、能指标,1.Quantum Efficiency 量子效率,50%-90%,0.5-1.0A/W,Cutoff Wavelength 截止波长,对确定的半导体检测材料，只有波长小于截止波长的光才能被检测到，并且检测器的量子效率随着波长的变化而变化，这种特性被称做响应光谱。,Si：C=1.06m，使用范围：0.51.0 mGe：C=1.6m，使用范围：1.11.7 mInGaAs：C=1.6m，使用范围：1.11.7 m,半导体材料的响应光谱,3.Spectral Response响应光谱,综上所述，检测某波长的光时要选择合适材料作成的光检测器。首先，材料的带隙决定了截止波长要大于被检测的光波波
12、长，否则材料对光透明，不能进行光电转换。其次，材料的吸收系数不能太大，以免降低光电转换效率。SiPIN光电二极管的波长响应范围为0.51m，GePIN和InGaAsPIN光电二极管的波长响应范围约为11.7m。,在入射光功率呈阶跃变化的条件下，检测器的输出电流从最大值的10%上升到90%所用时间。,4.Rise Time 上升时间tr,输入功率波形,检测器输出的电流波形,Speed of Response响应速度,Speed of Response,5.Dark Current 暗电流,暗电流是指光检测器上无光入射时的电流。温度越高，受温度激发的电子数量越多，暗电流越大。暗电流决定了能被检测到
13、的最小光功率，也就是光电二极管的灵敏度。,例7.6，估算一个响应度为0.5A/W，暗电流为1nA的PIN光电二极管的最小检测功率。,光检测器的噪声,光接收机的噪声将影响信噪比SNR和通信质量。主要来自光电探测器和前置放大器的噪声。分为两类：散粒噪声和热噪声。,漏电流噪声：当光检测器表面物理状态不完善和加有偏置电压时，会引起很小的漏电流噪声，但这种噪声并非本征性噪声，可通过光检测器的合理设计，良好的结构和严格的工艺降低。,APD倍增噪声：当使用雪崩光电二极管时，倍增过程的随机特性产生附加的噪声。,散粒噪声,光生电流是一个随机变量，它围绕着某一平均统计值而起伏，这种起伏称做散粒噪声的电流起伏is(
14、t)。光电二极管中的光生电流散粒噪声可以用均方散粒噪声电流表示雪崩光电二极管的散粒噪声,散粒噪声,过剩噪声指数FA降低散粒噪声的方法：在判决电路之前使用滤波器，使得信道的带宽变窄。,热噪声：是在有限温度下，导电媒质内自由电子和振动离子间热相互作用引起的一种随机脉动。,热噪声由均方热噪声电流表示,1/f噪声,影响范围：低频(100MHZ)光电二极管总的噪声电流均方值,光检测器比较,PIN响应度为0.5A/W0.7A/W,APD是它的数十倍，倍增光电二极管则是数百倍。PIN检测器便宜，对温度不敏感，所需反向偏置电压较低，在绝大多数场合比APD受欢迎。APD检测器具有载流子倍增效应，其探测灵敏度特别
15、高，但需要较高的偏置电压和温度补偿电路。对于长距离线路或系统为功率受限系统，APD的高增益显得很必要。,光检测器的比较,在短距离的应用中，工作在850nm的Si器件对于大多数链路是个相对比较廉价的解决方案。在长距离的链路常常需要工作在1330nm和1550nm窗口，所以常用基于InGaAs的器件。,4.3 Light Receiver光接收机,1.The Front,前端：由光电二极管和前置放大器组成。作用：将耦合入光电检测器的光信号转换为时变电流，然后进行预放大（电流电压转换），以便后期作进一步处理。是光接收机的核心。要求：低噪声、高灵敏度、足够的带宽,The Front,光检测器的选择：要
16、视具体应用场合而定。PIN光电二极管具有良好的光电转换线性度，不需要高的工作电压，响应速度快。APD最大的优点是它具有载流子倍增效应，其探测灵敏度特别高，但需要较高的偏置电压和温度补偿电路。从简化接收机电路考虑，一般情况下采用PIN光电二极管作光探测器。前置放大器的主要作用是保持探测的电信号不失真地放大和保证噪声最小，一般采用场效应晶体管(FET)PIN/FET。,Preamplifier,优点：宽频带、低噪声、灵敏度高、动态范围大，性能稳定，容易通过调节RF来控制增益等综合优点，被广泛采用。,Linear channel,Filter,滤波器作用：对已发生畸变和有严重码间干扰的信号进行均衡，
17、使其尽可能地恢复原来的状况，以利于定时判决。,Ruling regeneration and clock extraction 时钟恢复和判决电路,任务：把线性通道输出的余弦波形恢复成数字信号,判决器,时钟恢复,输出,Ruling regeneration,若信号电平超过判决门限电平，则判为“1”码；低于判决门限电平，则被判为“0”码。,4.3.2光接收机的技术指标,灵敏度Sensitivity：接收机工作于某一误码率所要求的最小平均接收光功率。灵敏度是光接收机的重要指标，描述了其准确检测光信号的能力。误码率（Bite Error rate BER）：接收机判决电路 错误确定一个比 特的概率。
18、,量子极限,假设光检测器具有理想特性，量子效率为1，无热噪声，无暗电流时，数字系统中对于给定误码率所要求的最小接收光功率，这个最小接收到的功率值就是量子极限。,比特1所含平均光子数,量子极限,理想光检测器用泊松分布形容电子-空穴对产生的起伏：光功率入射到光检测器上而没有产生电子-空穴对的概率是：,Np个光子产生的载流子数,量子极限值,当要求BER=10E-9时，Np=9 ln 10 21，也就是说，每个比特1含有的平均光子数应至少为21个，这就是所谓的量子极限值。量子极限是对系统特性的基本物理限制，大多数接收机的灵敏度要比量子极限高出20dB左右。,4.1 光检测器的工作原理4.2 光检测器的
19、特性参数4.3 光接收机4.4 光收发合一模块,第四章 光检测器和光接收机,4.4 光收发合一模块,光收发合一模块是将传统分离的发射、接收组件合二为一的一种新型光电器件。应用领域传输速率:155Mb/s、622Mb/s、1.25Gb/s、2.5Gb/s、10Gb/s工作波长：850nm、1310nm、1550nm,本章小结,光检测器工作基于半导体材料对光的吸收原理，它是将光信号转换成电流信号的器件，分成PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管两类。评价光检测器的性能指标有：量子效率、响应度、响应光谱、响应时间、暗电流等。光检测器的噪声主要有散粒噪声和热噪声，它们反映了光检测器的重要特征，对整个光接收机的性能有关键的影响。,本章小结,光接收机分为模拟光接收机和数字光接收机两类，数字光接收机的基本组成是光检测器、前置放大器、主放大器、滤波器和判决电路。误码率和灵敏度反映了它的技术性能。,
