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1、写作手法作用的总结写作手法作用的总结1、对比的作用这样写可以突出你所要表达的感情。这种手法可以突出好与坏、善与恶、美与丑的对立，给人极鲜明的形象和极强烈的感受。2、环境描写的作用一段具体的环境描写，它的作用往往是多方面的，这需要根据具体的语言环境去综合分析，切忌生硬地把它归结为某一种作用。（1）交代事情发生的地点或背景，增加事情的真实性。（2）渲染气氛，烘托人物的心情。（3）寄托人物的思想感情。（4）反映人物的性格或品质。（5）推动情节的发展。（6）深化作品主题。3、插叙作用插叙可以使故事更加真切，推动故事情节的发展。 4、细节描写作用刻画人物性格；推动故事情节发展；突出文章的中心。5、联想和
2、想象的作用不仅表达了作者的思想感情，而且烘托了气氛，深化了主题，增强了文章的感染力。6、说明方法的作用举例子，分类别，列数字，作比较，下定义，打比方，画图表，做诠释，引资料，摹状貌。7、叠词的作用增强语言的韵律感或是起强调作用。（1）、增强语言的韵律感、节奏美。（2）、起强调作用。词和词常常可以叠起来用，如：干干净净，收拾收拾，白花花等(AABB，ABB，ABCC，ABAB等形式），这样的词用在文句中很有表现力，使语言充满音乐的和谐美和节奏美。8、场面描写的作用起到渲染气氛的作用。9、结尾点题的作用点题、首尾呼应、总结全文；突出人物品质/情感、点明中心、深化中心。开头在文中的作用：结构：点题、
3、引出下文、总领全文、为下文作铺垫、设置悬念。内容：突出人物品质/情感。10、开 大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作，这就导致了大电容 的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。大家知道，电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚 相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电 容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就
4、采用 一个大电容再并上一个小电容的方式。常使用的小电容为 的瓷片电容，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF，几百pF的。而在数字电路中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个的 电容到地（这个电容叫做退耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以了。 b.去耦电容：去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水，这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行
5、了。实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。 如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下， 阻抗ZiwL R，线路的电感影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。 而去耦电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一（在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一 个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声
6、引导到地。c.旁路电容和去耦电容的区别去耦：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。去耦电容还可以为器件供局部化的DC电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。旁路：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一
7、样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。 高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是，等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。 数字电路中典型的去耦电容值是F。这个电容的分布电感的典型值是5H。F的去耦电容有5H的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1F、10F的电容，并行共振频率在20MH
8、z以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10F左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取F，100MHz取F。电容器选用及使用注意事项：1.一般在低频耦合或旁路，电气特性要求较低时，可选用纸介、涤纶电容器；在高频高压电路中，应选用云母电容器或瓷介电容器；在电源滤波和退耦电路中，可选用电解电容器.2.在振荡电路、延时电路、音调电路中，电容器容量应尽可能与计算值一致。在各种滤波及网（选频网络），电容器容量要求精确；在退耦电路、低频耦合电路中，对同两级精度的要求不太严格.3.电容器额定电压应高于实际工作电压，并要有足够的余地，一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器.4.优先选用绝缘电阻高，损耗小的电容器，还要注意使用环境.d.制作元件库时一定把第一脚标上记号。 第3页 共 3页
