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1、Array 技术部 Etch/CLN 科李志强,4 Mask工艺,Array工艺,Array 工艺是通过4Mask工艺在玻璃上形成薄膜晶体管（TFT）和像素电极（ITO）的过程。,Deposition,Coater,Exposure,Light,Development,Etch,Strip,4 Mask工艺 Process Flow,4 Mask,5 Mask,4 Mask关键工艺:HTM 工艺 和 1-Chamber Dry Etch Process,4 Mask干刻工艺 SDT Step,半透膜部分,光线透过仅34.4%左右,Reticle,Half Tone Pattern,Normal
2、 Pattern,After Develop,After Exposure,Half Tone Method：利用了光栅的部分透光性，可以将PR不完全曝光,PR,实际结果,原理图,HTM 工艺,1-Chamber Dry Etch Process,SD Multiple Etch包括4 Steps：Active，Ashing，Mo，N+其中Active/N+Process与5 Mask完全相同，这里仅对Ashing/Mo Step进行说明。,PR,Mo,a-Si,Exposure Develop,1st SD Wet Etch,Gate Layer Process,(1)Initial Cle
3、an,目的:Glass输入时,去除残留的Particle和Metal/有机物等,Gate Layer Process,(2)Gate Deposition,目的:通过Sputter进行Gate Line沉积,其中Alnd的沉积厚度是（3000），Top-Mo的沉积厚度是（400）,Gate Layer Process,(3)Gate Mask,GLASS,GATE,GLASS,GATE,GATE MASK(EXPOSURE),PR,目的:为形成Gate Line,通过Photo Lithography process形成PR pattern,COATING 1.5,PR,PR COATING,
4、1.5,Gate Layer Process,(4)Gate Etch,目的:通过PR 形成的Pattern去除Glass上形成的Gate层以外的部分,GLASS,GATE,PR,Gate Layer Process,(5)Wet PR Strip,目的:去除Gate Pattern上的PR,SDT Layer Process,1):通过PECVD在Gate Layer上形成SiNx和Active Layer的a-Si,2):通过Sputter在n+a-si Layer上进行Mo沉积,G-SiNx:H(3500),G-SiNx:L(500),a-Si:L(500),a-Si:H(1300),n
5、+a-Si(500),Mo(2200),(1)Deposition,依次沉积G-SiNx:H(3500),G-SiNx:L(500),a-si:L(500),a-si:H(1300),n+a-si(500),Mo(2200),SDT Layer Process,(2)SDT Mask,a-Si:L(500),G-SiNx:H(3500),G-SiNx:L(500),a-Si:L(500),SDT MASK(EXPOSURE),SDT Layer Process,G-SiNx:H(3500),G-SiNx:L(500),a-Si:L(500),a-Si:H(1300),n+a-Si(500),M
6、o(2200),PR(21000),(3)SDT Wet Etch,PR(5300),目的:通过PR 形成的Pattern去除Glass上形成的Mo层以外的部分,SDT Layer Process,GLASS,G-SiNx:H(3500),a-Si:L(500),a-Si:H(1300),n+a-Si(500),MO(2200),G-SiNx:L(500),MO(2200),(4)SD Multiple Etch,SDT Layer Process,GLASS,G-SiNx:H(3500),a-Si:L(500),a-Si:H(1300),n+a-Si(500),MO(2200),G-SiNx
7、:L(500),目的:去除SDT Pattern上的PR,(5)Wet PR Strip,Via Hole Layer Process,B-PVX(2200),T-PVX(300),目的:通过PECVD沉积SiNx,可防止湿气和Ion渗透对TFT Channel的污染,首先沉积B-PVX(2200),即SINx,T-PVX(300),SINx是绝缘层，起保护作用。,(1)PVX Layer Deposition,Via Hole Layer Process,GLASS,GATE,目的:通过刻蚀Via Layer,使S/D和Pixel电极连接,(2)Via Layer Mask,Via Hole
8、 MASK(EXPOSURE),Via Hole Layer Process,目的:通过PR 形成的Pattern去除部分Via 层,(3)Via Layer Etch,Via Hole Layer Process,目的:去除Via Hole Pattern上的PR,(4)Wet PR Strip,ITO Layer Process,目的:为形成Pixel电极,通过Sputter进行ITO沉积,ITO是一层透明金属，是铟和锡氧化物的合金。ITO沉积400。,(1)ITO Deposition,ITO Layer Process,目的:为形成Pixel电极,通过Photo Lithography process形成PR pattern,(2)ITO Mask,ITO Layer Process,通过 PR形成的Pattern去除Glass上形成的ITO层以外的部分，即没有被PR覆盖者的那部分ITO,(3)ITO Etch,ITO Layer Process,目的:通过去除PR,形成ITO pattern,(4)Wet PR Strip,4 Mask Process 后的基板,Array工艺完成后的基板,ITO(400),4 Mask工艺的Parameter,
