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1、建设项目基本情况项目名称年产10亿颗集成电路块项目 建设单位池州华钛半导体有限公司法人代表彭勇联系人高莲花通讯地址池州市经济技术开发区电子信息产业园联系电话13902943840传 真/邮政编码247100建设地点池州市经济技术开发区电子信息产业园立项审批部门池州经济技术开发区经贸发展局批准文号池开管经201343号建设性质新建（）改扩建（） 技改（）行业类别及代码【C3971】电子元件及组件制造占地面积(平方米)4600m2绿化面积(平方米)/总投资(万元)5000其中：环保投资（万元）37环保投资占总投资比例0.741、 项目内容及概况：随着计算机、通讯产品、家电等电子整机产品不断向我国转
2、移，它的上游产品-集成电路（IC）也加速向我国转移。我国的电子信息产业面临着良好的发展机遇；而集成电路行业是电子信息产业的基础，其发展空间和市场需求更是巨大。信息产业部在“十二五”规划的意见中也明确提出，要通过实施优惠政策，改善投资规模，积极鼓励国内外有经济和技术实力的企业和机构在中国建设集成电路芯片生产线。池州华钛半导体有限公司抓住市场机遇，在池州经济技术开发区电子信息产业园投资5000万元，在池州市经济技术开发区租赁标准化厂房及办公用房4600平方米，建设1条高级集成电路生产线，项目建成后将形成年产集成电路块10亿颗的生产能力。本项目经池州经济技术开发区经贸发展局（池开管经201343号）
3、批准立项，立项批复文件见附件。项目具体地理位置详见附图1。为进一步做好该项目的环境保护工作，科学客观地评价项目运营对周围环境的影响，根据环境影响评价法、建设项目环境保护分类管理名录（中华人民共和国环境保护部令 第2号）等国家相关法律、法规的规定，该项目需办环境影响报告表。受建设单位的委托，安徽显闰环境工程有限公司为该项目编制建设项目环境影响报告表。依据国家环境保护有关文件和环境影响评价技术导则，编制了该项目环境影响报告表，报请环境保护行政主管部门审查、审批。2、建设内容与规模本项目系租赁一栋独立3层生产及办公房4600平方米进行生产建设，建设项目设置1条生产线，产品工艺仅部分工段有所区别，相同
4、工艺共用一套生产设备。其中：生产用10000级净化厂房2000m2，普通空调厂房1500m2，各类办公、库房等生产性辅助用房1100m2。详见表1项目建设内容一览表。表1 项目主要建设内容工程类别单项工程名称工程内容工程规模备注主体工程10000级净化厂房万级净化厂房主要位于一层和二层，设置1条封装测试生产线，按照功能分区一层设置封塑车间，激光打印车间；二层设置减薄和划片车间，固晶焊线车间，晶圆仓，晶圆IQC室；三层外观包装车间，成品测试车间年生产SOP14、SOP16、DIP-8、DIP-14、DIP-16、TO-94共 5亿颗，年生产SOT-23/25/26、QFN3*3-7*7、QFP-
5、44/64共5亿颗；主要位于厂房的一层和二层，建筑面积共2000 m2已建标准化厂房一层设置电镀车间，包装车间；二层设置维修间等 主要位于厂房的一层和二层，建筑面积共1500 m2已建辅助工程办公用房主要为生产办公、技术研发位于3层，建筑面积196 m2 已建仓库原辅材料暂存位于3层，建筑面积212 m2 已建餐厅员工就餐位于3层，建筑面积180 m2 已建其他辅助用房更衣室，工具房等主要位于2层，建筑面积515 m2已建公用工程供水给水水源由池州市政给水管网供给依托园区供水管网年新增用水量49965t依托园区供水管网排水生产废水经厂区自建污水处理设施处理后经城东污水处理厂处理后达到城镇污水处
6、理厂污染物排放标准（GB18918-2008）中的一级B排放标准后，排放长江；生活污水依托园区自建化粪池处理后入城东污水处理厂，最终排入长江。年新增污水排放量40939.5t新建供电依托现有供电路线，项目生产车间及辅助设备装机容量约为1024KW，计算负荷795KVA。年耗电约300万kwh依托现有供电路线环保工程废气治理废气吸收塔、2根排气筒新建噪声治理选用低噪声设备，厂房隔声，基础设施减震新建固废处理生活垃圾等一般固废由市容部门收集后统一运至垃圾填埋场卫生填埋；危险废弃物集中收集后临时贮存，委托有资质单位回收处置新建废水处理污水处理设施（集水池、沉淀池、中和池）新建贮运工程二层、三层设置原
7、材料及成品仓库；一层西北角设置危废暂存处新建3、总体平面布置本项目位于池州市经济技术开发区电子信息产业园，项目单位根据生产需要因地制宜、合理布局，根据需求设置万级洁净化厂房及标准化厂房，经合理分区进行生产建设。厂区一层、二层主要作为生产用房，三层主要作为办公等辅助用房。厂区前台及入口位于一层南侧。厂区一层自北向南依次设置电镀车间、包装车间、员工更衣室、塑封车间、工具房；厂区二层自北向南依次设置更衣室、减薄划片车间、固晶焊车间（3个）、晶圆仓、晶圆IQC室、维修间；厂区三层自北向南依次设置餐厅、成品测试车间、外观包装车间、会议室、综合办公室、仓库。具体平面布置见车间平面布置图。本项目地理位置见附
8、图1，项目平面布置见附图2。4、公用工程本项目公用工程公共设施、给排水、消防、供电等均依现有工程：（1）公共设施本项目涉及的公共设施主要依托园区工程，项目所在地的市政雨水井、污水井和给水管线、电讯及IP宽带网，以及供电电源电缆等基础设施均落实到位。（2）给排水给水水源由池州市政给水管网供给，可保障本项目的用水需要。城市给水压力不小于0.3Mpa，水质满足国家生活饮用水的卫生标准，给水经水表计量后到各用水点。污水主要为办公生活污水及生产废水。厂区排水系统采用雨、污分流制。污水分质处理，经厂区自建污水处理站处理后达到城东污水处理厂接管要求后进城东污水处理厂进行处理，最终排入长江。（3）消防消防水源
9、采用市政给水管网供水，充足可靠。厂区内的建筑物均按规范要求设置室内消火栓系统和手提式磷酸铵盐干粉灭火器。区内给水管网上设置室外消火栓，间距不超过120米。（4）供电电源由市政电网供给。可满足本项目生产、运营等用电需求。5、产品方案年生产10亿颗集成电路块。产品方案详见表2：表2 建设项目产品方案一览表序号产品名称单位产量1SOP14、SOP16、DIP-8、DIP-14、DIP-16、TO-94亿颗/年52SOT-23/25/26、QFN3*3-7*7、QFP-44/64亿颗/年56、主要生产设备项目建设主要的生产设备见下表：表3 生产设备明细表工序设备名称设备规格、型号单位数量产地减薄划片芯
10、片研磨机/台1国外芯片切割机/台8国外固晶焊线芯片粘结机ASM AD838台15国外半导体专用打线机KNS Connx台150国外高精度气体保护烤箱PH201台2国产塑封专用高分子塑封机和专用配套高精度塑封成型模具FSTM250系列台9国产高精度气体保护烤箱PH301台6国产打印不可擦式激光打标机DPF-MIH20系列台9国产电镀高速自动挂镀线HTM-5022套2国产高精度烤干机PH301台2国产切筋成型全自动高速切筋成型机A-COMBO系列台8国产成品测试半导体专用成品测试机T1000-D系列台30国产半导体专用成品分选机TMD100A系列台30国产公共无油空压机/台1国产废水、废气处理系统
11、/套1国产纯水制备系统/套1国产7、主要原辅材料消耗本项目所用原辅材料主要为集成电路块及生产性辅助材料，具体如下。表4 主要原辅材料一览表序号材料名称成分规格年耗量原材料1晶圆硅8英寸、6英寸等20万片辅助材料2铜引线框架铜专用70万片3导电银胶银浆833C/84-12L4铜线铜线径0.9mil5Kg5塑封胶环氧树脂专用15T6包装专用编带塑料专用1000卷7氢氧化钾（固体）氢氧化钾纯度大于95%400Kg8浓硫酸（98%）硫酸浓度98%600Kg9甲基磺酸甲基磺酸浓度10%和70%3000Kg10锡球纯锡纯度99.99%8000Kg11甲基磺酸锡甲基磺酸，锡锡含量为50%1500Kg12氢氧
12、化钠(固体）氢氧化钠纯度大于96%500Kg13氢氮混合气5%氢气，95%氮气50L/瓶20160瓶14氮气氮气纯度99.999%400T能源新鲜水-49965t/a电-300万kwh/a项目所用化学品物理化学性质氢氧化钠： 白色晶体，有强腐蚀性。密度：2.130g/cm3；熔点：318.4；水溶性：极易溶于水 溶液呈无色；沸点：1390；致死量：40mg/kg。硫酸：无色透明油状液体，无臭，熔点10.5，沸点330.0，相对密度1.83，饱和蒸汽压0.13KPa(145.8)，溶解性：与水混溶。属中等毒类。对皮肤、粘膜等组织有强烈的刺激和腐蚀作用。甲基磺酸：无色或微棕色油状液体，低温下为固体
13、，高沸点强酸。熔点20，沸点167（13.33kPa），122（0.133kPa）。相对密度1.4812（18），折射率1.4317（16）。用途：甲基磺酸是医药和农药的原料，甲基磺酸还可用作脱水剂、涂料固化促进剂、纤维处理剂、溶剂，浣化、酯化和聚合反应催化剂。 甲基磺酸锡：无色无味液体，有腐鸡蛋味。密度1.55，熔点-27C，折射率1.444，用于电镀及其他电子行业。氢氧化钾：白色潮解固体。商品有片状、块状、条状和粒状。密度2.044g/cm3，熔点360 ，沸点1320 ，水中溶解度1100 g/L (25 )，蒸汽压0.13kPa(719)，晶体结构单斜，溶于乙醇，微溶于乙醚。极易从空气
14、中吸收水分而潮解，并吸收二氧化碳逐渐变成碳酸钾。有极强的碱性和腐蚀性。对组织有烧灼作用，尤其是严重损伤黏膜，切勿溅入眼内。8、项目劳动定员及工作制度本项目劳动定员为600人，其中管理人员30名、技术人员30人、工人540人。两班工作制，全年运行300天。9、产业政策的符合性项目属于中华人民共和国国家发展和改革委员会发布的产业结构调整指导目录(2013年修订)中第一类鼓励类第二十八条机械中第42项“半导体照明衬底、外延、芯片、封装及材料等”，因此本项目符合国家产业政策。10、平面布置合理性 本项目位于池州市经济技术开发区电子信息产业园第八栋，项目单位根据生产需要因地制宜、合理布局，根据需求设置万
15、级洁净化厂房及标准化厂房，经合理分区进行生产建设。厂区一层、二层主要作为生产用房，三层主要作为办公等辅助用房。厂区前台及入口位于一层南侧。厂区一层自北向南依次设置电镀车间、包装车间、员工更衣室、塑封车间、工具房；厂区二层自北向南依次设置更衣室、减薄划片车间、固晶焊车间（3个）、晶圆仓、晶圆IQC室、维修间；厂区三层自北向南依次设置餐厅、成品测试车间、外观包装车间、会议室、综合办公室、仓库。具体平面布置见车间平面布置图。车间入口位于一层南侧。具体平面布置见车间平面布置图。本项目建设满足生产及消防需求，因此，本项目平面布置合理。11、选址及规划可行性池州华钛半导体有限公司年产10亿颗集成电路块项目
16、的用地属于池州经济技术开发区电子信息产业园8#厂房，用地性质为工业用地，根据经济开发区总体规划，项目周围将引入各类工业生产加工企业，本项目的建设与周围环境是相容的。项目周边为电子信息产业园标准化厂房，项目东侧为园区道路，隔道路为17#闲置标准化厂房；南侧为6#闲置标准化厂房；西侧为7#标准化厂房，入驻企业为法拉欧公司，为手机/DVD的组装流水线生产企业，该企业正在建设中；北侧为10#闲置标准化厂房，具有良好的投资和发展环境，项目选址合适、可行。与本项目有关的现有污染情况及主要环境问题：池州华钛半导体有限公司系租赁池州经济技术开发区标准化厂房及办公等附属用房进行生产建设，标准化厂房及办公用房已建
17、成，本项目属于新建，根据项目现场调查，项目现状为闲置标准化厂房，无原有污染情况及存在的主要环境问题。建设项目所在地自然环境、社会环境简况自然环境简况（地形、地貌、地质、气候、水文、植被、生物多样性等）：1.地理位置池州市位于安徽省西南部，长江下游南岸，东连铜陵，南接黄山，西邻江西，北濒长江，辖贵池区、东至县、石台县、青阳县和九华山风景区以及国家级池州经济技术开发区。池州地理优越，区位优势明显。地处皖江城市带、长江经济带，是安徽两山一湖(黄山、九华山、太平湖)旅游经济圈的重要组成部分。池州港作为长江干线重点港口之一，可常年停泊5000吨级船舶。318国道、206国道、铜九铁路、沿江高速、合 (肥
18、)铜(陵)黄(山)高速、安(庆)景(德镇)高速和建设中的池州九华山机场、宁宜城际铁路共同构成便捷的立体交通网络。2. 地形、地貌、地质(1)地形池州地处安徽省西南部，东南是黄山山脉与九华山山脉结合地带，北西濒临长江。整个地势由东南向西北逐渐下降，从中山、低山过渡到低山、丘陵，最后到岗地、平原。 (2)地貌地貌类型比较复杂，根据地貌组合特征，自东南至西北可分为三个地貌区，且都是北东方向延伸，尤以九华山-牯牛降中山、低山、山间盆地和青阳木镇-东流沿江岗地、平原区，都呈狭长状态，中部青阳县-东至县低山、丘岭、山间盆地面积较大。(3)地质、地震池州大地构造上位于扬子地台东北部，根据地层、构造、岩浆活动
19、的差异，可分别归属于三个次级构造单元，即东至县南部为江南台隆；贵池区和青阳县以北为下扬子台坳；本市的中部为皖南浙台坳。在地壳运动影响下形成一系列褶皱与断裂，本市地层发育齐全，自太古界至新生界均有出露。市内印支期、燕山期岩浆活动强烈，导致一系列基底断裂发生，频繁的岩浆侵入活动，形成了以构造岩浆岩带为主干的成岩成矿系列。厂区地层稳定，无暗河、坍塌等不良地质现象，土层均一，强度高，为良好天然地基。3. 植被、生物多样性池州地处亚热湿润气候，亚热带典型植物群落类型在这里都很齐全，且生长发育得很好，是常绿阔叶林向落叶林过渡地带，常绿树与落叶树混生，有常绿阔叶林、常绿落叶阔叶混交林落叶阔叶林、针叶林、竹林
20、等，还有一些栽培的亚热带经济林木。全市境内有高等种子植物153科676属1557种（含种及其以下等级，其中野生1430种，栽培127种），其中国家和省重点保护的有26种。组成森林植被的主要种子植物有杉科、松科、柏科、杨柳科、胡桃科、桦木科、壳斗科、榆科、桑科、木兰科、樟科、山茶科、金缕梅科、漆树科、楝科、茜草科、木犀科、蔷薇科、冬青科、豆科、毛茛科、山茱萸科、虎耳草科、柿树科、大戟科、蝶形花科、忍冬科、山矾科等千余种。山区丘陵，竹类资源广泛分布，主要有毛竹、桂竹等十余种，其中毛竹资源最多，且大片成林。重点保护树种有连香树、红豆杉，永瓣藤、香果树、金钱松、黄山木兰、香榧、银鹊树、猬实、青钱柳等。
21、4.气候特征池州地处东经11638-11805，北纬2933-3051；气候温暖，四季分明，雨量充足，光照充足无霜期长，属暖湿性亚热带季风气候。年平均气温16C，年均降水量1500mm，年均日照率45%，年均无霜期220天，最长286天。池州每年最热为7月，平均温度为28.3，需注意防暑；最冷为一月，平均温度为3.4，年平均风速为3.1米/秒。5.水资源及水文特征池州市域地形为东南高、西北低，自南向北呈阶梯分布，江河湖水面348.4平方公里，占总面积的4%。长江流经池州145km，岸线长162km，上起江西省彭泽县接壤的东至县牛矶，下讫铜陵市交界的青通河口。境内有三大水系十条河流，长江水系有尧
22、渡河、黄湓河、秋浦河、白洋河、大通河、九华河；青弋江水系有清溪河、陵阳河、喇叭河；鄱阳湖水系有龙泉河。流域面积在500平方公里以上的有七条河流，河长618km，其中秋浦河为境内流域中最长的一条河，流域面积3019平方公里，河长149km。池州市地表水资源丰富，全市水资源总量为63.7亿立方米，占全省水资源总量的11%，人均水资源量4326 立方米，分别是安徽省和全国平均水平的4倍和2倍。另外，长江多年平均过境水资源量9317亿立方米，枯水年也达到7064亿立方米，丰富的水资源为该市经济社会发展提供了坚强可靠的用水保障。社会环境简况：池州市辖贵池区、东至县、石台县、青阳县和九华山风景区以及国家级
23、池州经济技术开发区。2012年，全市生产总值300.8亿元，是“十五”末的2.6倍，“十一五”年均增长15.3%，高于全省2.1个百分点；财政收入43.4亿元，是“十五”末的3.7倍，“十一五”年均增长30%，高于全省4.2个百分点；城镇居民人均可支配收入15997元，是“十五”末的2.0倍，“十一五”年均增长15.2%，高于全省1.9个百分点；农民人均纯收入5827元，是“十五”末的2.0倍，高于全省542元。累计单位生产总值能耗下降20%、化学需氧量排放量削减3.1%、二氧化硫排放量削减29.9%，完成省定节能减排考核目标。“十二五”期间，池州以全面转型、加速崛起、强市富民为主线，大力实施
24、生态立市、工业强市、旅游兴市、商贸活市、文化名市战略，着力推动绿色发展、开房发展、创新发展、和谐发展，加快推进产业低碳化、城市人文化、农村社区化、民生幸福化进城，努力建设经济繁荣、环境优美、社会和谐、生活富裕的国家级生态经济示范区和世界级旅游目的地，为全面建设小康社会奠定坚实基础。池州市“十二五”规划中，指出总体目标是：到2015年，在全省“总量居中、人均居前、速度居先、环境居优、民生居上”，努力使全市转变经济发展方式取得实质性进展，综合实力、核心竞争力、可持续发展能力显著提高，人民物质文化生活明显改善，为到2020年全面建成更好水平小康社会打下具有决定性意义的基础。经济开发区是池州市政治、经
25、济、文化中心。全区总面积2516平方公里，人口65万，辖9个镇8个街道办事。处位优越，交通便捷，是长江经济带和皖南旅游区的西北门户，同时又是国家唯一的生态经济示范区。长江“ 黄金水道” 横贯全区76多公里，国家一类港口池州港四季可停靠万吨级轮船。318国道、沿江高速和铜九铁路贯穿全境。2009年，全年完成地区生产总值108.9亿元，增长13.1%；财政收入7亿元，增长39.5%；城镇居民人均可支配收入14775元，增长15%；农民人均纯收入5540元，增长15%。经济开发区主导产业带动明显。金属和非金属矿深加工、机械制造及零部件加工、食品加工、船舶制造四大主导产业累计完成产值29.8亿元，增长
26、87%，占规模以上工业总产值68%。工业投资快速增长。全年完成工业固定资产投资43亿元，增长110.78%。积极推进资源整合。全区整合矿区7个，减少矿山22个。环境质量状况建设项目所在地区域环境质量现状及主要环境问题（环境空气、地表水、地下水、声环境、生态环境）1、环境空气质量建设项目所在地位于池州市经济开发区电子信息产业园内，根据池州市环境监测站提供的2013年7月的监测数据，区域环境空气质量现状如下：表5 环境空气质量监测表 单位：mg/m3地点统计时段SO2NO2PM10项目所在地日均值范围0.0120.0200.0130.0190.0440.062GB3095-1996二级标准中日平均
27、值日均值范围0.150.120.15监测结果表明，区域内大气环境质量总体状况良好，NO2、SO2、PM10浓度均满足GB3095-1996环境空气质量标准及其修改单中的二级标准的要求，总体环境空气质量良好。2、地表水环境质量项目附近地表水体为长江，项目产生的废水经企业污水处理站处理后，近期排放至城东污水管网，最终接入城东污水处理厂处理，达标后再排入长江水体，待园区污水处理厂建成后，远期排放至园区污水处理厂进行处理。根据根据池州市环境保护监测站提供的2013年7月的监测数据，长江现状水质监测结果如下：表6 地表水监测结果 单位：mg/l（pH除外）监测点位pHCODBOD5SS石油类排污口上游5
28、00m7.187.209.652.011.50.015排污口7.347.3618.352.0190.03排污口下游1000m7.267.2812.62.09.50.015类标准69204.0-0.05由上表可见，项目纳污水体的pH 、COD、BOD5指标值均能满足地表水环境质量标准（GB3838-2002）中的类水质标准。3、区域环境噪声本评价对项目区域的声环境进行了现状监测。具体监测结果见表12。表7 项目声环境现状监测布点一览表 单位：dB（A）编号监测点位昼间夜间执行标准1#厂界东侧53.742.4GB3096-2008声环境质量标准中的2类标准：昼间：60dB(A)，夜间：50dB(A
29、)2#厂界南侧52.741.6 3#厂界西侧53.941.44#厂界北侧52.642.8根据现状噪声监测结果，建设项目的现状噪声值均可满足区域内环境噪声GB3096-2008声环境质量标准中的2类标准要求。4、环境生态池州是泛“长三角”地区的“后花园”，环境优美，生态优良。境内气候温暖湿润，江河水系发达，森林覆盖率达57，是中国第一个生态经济示范区。项目选址处主要为城市规划工业用地，基本无野生动物资源。无原生自然植被，仅有一些次生林及人工林。项目所在地土壤成土母质多为花岗岩中马岩以及砂页岩等残积、坡积物和第四纪红色粘土，土壤耕作层较深，基本无野生动物资源。主要环境保护目标（列出名单及保护级别）
30、：评价范围内无自然保护区、风景旅游点和文物古迹等需要特殊保护的环境敏感对象。具体环境保护目标见下表：1、评价区空气质量满足GB3095-1996二级标准。2、评价区内噪声环境达到声环境质量标准（GB3096-2008）中2类标准。3、地表水环境执行地表水环境质量标准（GB38382002）类标准。表8 主要环境保护目标一览表环境要素保护对象名称方向距离规模环境功能声环境项目区/2类大气环境项目区/二级水环境长江北2000m大河类评价适用标准环境质量标准1、大气环境评价区执行环境空气质量标准（GB3095-1996）及其修改单中二级标准；SO2、NO2、TSP、PM10执行环境空气质量标准（GB
31、3095-1996）及其修改单中二级标准，非甲烷总烃参照以色列居民区大气中有害物质的最大允许浓度；H2SO4执行工业企业设计卫生标准（TJ36-79）具体标准值见表9。 表9 环境空气质量标准 单位：mg/Nm3 污染物名称取值时间浓度限值标准来源SO2日平均0.15环境空气质量标准（GB3095-1996）及其修改单中二级标准1小时平均0.50NO2日平均0.121小时平均0.24TSP年平均0.20日平均0.30PM10年平均0.10日平均0.15硫酸一次值0.3工业企业设计卫生标准（TJ36-79）日平均0.1非甲烷总烃日平均2.0以色列居民区大气中有害物质的最大允许浓度小时平均5.02
32、、地表水环境地表水长江执行地表水环境质量标准（GB3838-2002）类标准，标准值见表10。表10 地表水环境质量标准 （单位：mg/L）项目pHCODBOD5氨氮总磷石油类氟化物阴离子表面活性剂类692041.00.20.01.00.23、声环境项目厂界噪声执行声环境质量标准（GB3096-2008）中中2类标准，昼间60 dB（A），夜间50 dB（A）。表11 声环境质量标准标准值（Leq：dB（A）依据昼间夜间6050(GB3096-2008)中的2类标准污染物排放标准1、大气污染物污染物非甲烷总烃执行大气污染物综合排放标准（GB16297-1996）表2二级标准，硫酸雾执行电镀污染
33、物排放标准（GB21900-2008）。具体标准见表12。表12 大气污染物排放标准执行标准标准级别污染物名称浓度mg/m3排气筒高度m速率kg/h无组织排放周界外浓度限值mg/m3大气污染物综合排放标准（GB16297-1996）二级非甲烷总烃12015104.0电镀污染物排放标准（GB21900-2008）-硫酸雾30 15-2、废水污染物废水排放执行城东污水处理厂接管标准值及电镀污染物排放标准（GB21900-2008），接管标准没有列出的执行污水综合排放标准GB8978-96中的三级标准，经处理后达城镇污水处理厂污染物排放标准GB18918-2002一级B标准后排入长江。主要指标见下表
34、。 表13 水污染物排放标准 单位：mg/L序号污染物名称城东污水处理厂接管标准值(mg/L)电镀污染物排放标准（GB21900-2008）城镇污水处理厂污染物一级B排放标准 (mg/L)1pH6969692COD40080603BOD5300-204SS40050205氨氮-158（15）6石油类203.037锡-3、噪声厂界噪声执行工业企业厂界环境噪声排放标准（GB12348-2008）中2类区标准，昼间60dB（A），详见表14。表14 工业企业厂界环境噪声排放标准（dB（A）类别昼间夜间2类 60504、固废固体废物执行一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准（GB18599-2001
35、）中的有关规定和要求.；危险废物执行危险废物贮存污染控制标准GB 18597-2001中的有关规定和要求.总量控制指标建设项目污染物总量控制指标如下：建设项目废水经厂区污水处理设施预处理后送城东污水处理厂进一步处理，废水中污染因子总量纳入城东污水处理厂总量范围，无须重复申请总量。建设项目工程分析1. 生产线工艺流程简述本项目主要进行IC封装生产，主要产品为SOP14、SOP16、DIP-8、DIP-14、DIP-16、TO-94、SOT-23/25/26、QFN3*3-7*7、QFP-44/64；购买晶圆规格不同最终生产出产品不同。考虑本项目电镀工序相对复杂，此工序分开分析。生产工艺及电镀工艺
36、流程及产污环节见下图：图1-1 建设项目生产工艺流程图生产工艺流程简述：IC封装属于半导体产业的后段加工制程，主要是将前制加工完成（即晶圆厂所生产）的晶圆上的IC予以分割，黏晶、打线并加上塑封及成型。其成品（封装体）主要是提供一个引接的接口，内部电性讯号可通过引脚将芯片连接到系统，并避免硅芯片受外力与水、湿气、化学物之破坏与腐蚀等。IC封装对工作环境洁净度要求较高，厂房均设置抽排风管道，厂房密闭，本项目不考虑工艺无组织废气，废气经通排风管道抽取至顶楼统一排放。 1. 检验：外购晶圆根据规格分成不同的类型，不同类型的晶圆生产出产品不同，此工序主要通过目检检查有无破损、油污等，不合格晶圆送原厂家回
37、收，目检合格的晶圆进入下一工序。2. 减薄、划片、清洗：检查同一批次晶圆规格，厚度不满足生产需求的晶圆在去离子水水下通过芯片研磨机进行减薄，形成统一规格，然后经芯片切割机切割成晶粒。切割后晶粒用去离子水再次清洗去除表面浮渣，此工序产生切割废水，切割废水含有切割含硅浮渣。3. 检验：清洗后的晶粒经过显微镜检验，筛除切割破损残次品，合格晶粒通过机械手送入引线架进入下一工序。贴片： 将银浆点在引线架上，通过机械手将晶粒放入点银浆后的引线架，晶粒的位置通过机械手确定，贴片后的半成品在175度温度、氮气保护下进行固化1h，固化后的晶粒可以粘连在引线架上。此工序为银浆液体固化产生焊点实现引线架和晶粒的焊接
38、，焊接过程无焊接烟尘产生。4. 焊线、检验：贴片后的晶粒在打线机内完成焊线，焊线是将金线、铜线在高温情况下在晶粒和引线架两侧形成两个焊球，焊球经打压形成节点，固定。然后进行目检保证焊线和晶粒固定。此过程为金线、铜线固化后连接在一起，不产生焊接烟尘。5. 封塑、后固化：IC半成品经排片后送入封塑机内进行封塑，本项目封塑采用环氧塑脂胶进行封塑，将半成品封装起来，防止外部环境对晶粒的冲击，封塑后固化。此工序产生一定量的有机废气，有机废气通过厂区抽排风装置，抽排至顶楼通风口排放。6. 激光打码：在背面将产品基本信息激光打上。7. 电镀：详见“电镀生产工序”。8. 切筋、弯脚：将导线架上已封装完成的晶粒
39、，剪切分离并将不需要的连接用材料切除。此工序会产生一定量的边角料。9. 外观检验、测试、品质检验、包装入库：先通过目测检验半成品有无残次品，再通过震动检验、显微镜检验、高低温冲击、光测等进一步的测试和检验，合格后的成品包装入库。此工序产生的不合格品收集拆解后从新进行封装。电镀生产工艺：本项目电镀在一体化设备中进行，全过程为密封，电镀工段中产生的废气统一经过管道收集至水洗塔进行处理，由于本项目电镀工段产生的废气主要为酸性废气，本项目水洗塔处理废气过程会定期补充适量的氢氧化钠。本项目酸洗槽、碱洗槽、电镀槽、预侵槽等槽液可重复使用，类比相似厂家及建设单位考察核实，电镀槽液3年更换一次，正常生产期间不
40、进行排放，本次工程分析为突出废液产污节点进行了标注。图1-2 电镀生产工艺流程图生产工艺流程简述：1. 电解去溢料、水洗：用HTM-625侵泡器件，HTM-625主要成分为KOH、碳酸钠、硼砂，呈弱碱性，侵泡后引脚周围的溢料软化，通过高压水冲洗去除引脚周围的溢料。槽液可以反复使用，待去溢料效果降低后定期排放，经建设单位核实此过程槽液废水3个月排放一次，槽液收集后送厂区污水站处理，冲洗废水可循环使用，待清洁度不佳后外排至污水站。2. 去氧化、水洗：用去氧化粉（主要成分为过硫酸钠、缓蚀剂若丁）溶液去除表面氧化层，然后用去离子水水反复冲洗，去除表面的浮渣。此过程产生一定量的废酸溶液，废酸溶液一周排放
41、一次，收集后厂区污水站处理，水洗液循环使用后外排至污水站处理。3. 预侵、电镀：将半成品放入MSA槽液（甲基磺酸）溶液中充分侵泡，然后将IC半成品放入电镀槽中进行通电电镀，阳极为锡块，阴极为IC半成品，通电后锡块失去电子然后流向阴极在IC表面沉积得到电子，在IC表面形成锡层保护膜。电镀槽液主要为甲磺酸、甲磺酸锡、添加剂HSTP-2（主要成分为乳化剂、对苯二酚、乙醇），经建设单位核实，电镀槽液三年更换一次，废液收集后送有资质单位处理。4. 水洗、中和、水洗、干燥：电镀后半成品先经去离子水水洗去除表面残夜，然后放入含有中和粉HTM-070（主要成分为柠檬酸钠、磷酸三钠）的槽液中中和表面酸，再用去离
42、子水反复冲洗，然后进行干燥去除表面多余水分。此过程产生一定量的废水，废水进厂区污水站处理。5. 退镀、水洗、干燥：由于电镀过程中放IC的支架上也被电镀了一层锡，在退镀槽液中，将支架连接阳极，阴极连接锡块，支架表面的锡得到电子后在溶液中沉积形成锡渣，退镀后支架用自来水反复冲洗，然后进行干燥。退镀液主要成分为硫酸、硫酸亚锡、甲基磺酸。退镀液六个月更换一次，收集后送厂区污水站进行处理。冲洗废水通过管道送至污水站进行处理。主要污染物来源分析： (1)大气污染源由于IC封装工艺对操作环境的清洁度要求比较高，厂区均采取抽排风系统将生产工艺中的废气统一经过抽排风管道排放，本项目废气主要来自电镀工序产生的酸性
43、废气，注塑工段产生的少量有机废气非甲烷总烃。电镀酸性废气电镀废气主要来自去氧化、预侵、电镀、退镀等工段，产生的酸性废气经过管道统一至酸洗塔处理。其中酸洗废气酸雾计算根据如下公式进行分析。液体（除水以外）蒸发量的计算 本计算方法适用于硫酸、硝酸、盐酸等酸洗工艺中的酸液蒸发量的计算，其计算公式如下：Gz=M（0.000352+0.000786V）PF式中，Gz液体的蒸发量，kg/h； M液体的分子量；V蒸发液体表面上的空气流速，m/s，以实测数据为准，无条件实测时，可查表5-145，一般可取0.2-0.5； P相应于液体温度下的空气中的蒸气分压力，mmHg。F液体蒸发面的表面积，m3。 本项目电镀槽1.5（m）*1.5（m）*1.1（m），蒸发表面积2.25m2；酸洗槽1.0（m）*1.0（m）*0.6（m），蒸发表面积1.0m2；经计算本项目酸性废气产生量如下：硫酸雾0.21t/a、甲基磺酸0.14t/a。酸性气体均采用水吸收法进行处理，经治理后的废气通过15m排气筒高空排放。注塑废气本项目需要对IC表面进行注塑封装，封装过程主要使用环氧树脂进行注塑，本项目环氧树脂使用量为15t/a，注塑过程非甲烷总烃产生量为原料使用量的0.3%，则本项目非甲烷总烃的产生量为0.045t/a，产生速率为0.0052g/s。(2)废水污染物项目废
