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1、简单不良分类及原因介绍,Cell部分,亮点，灭点个数,间距,连续,成因：Active remain,S/D remain,Gate remain,P/T Invisible(不可见)区分方法:显微镜下看，哪层的remain，根据外形，颜色,PIXEL 不良,手按panel,亮点消失，由于导电particle使C/F的ITO和像素ITO连接，形成亮点，手按后，particle碎了。,手按panel,出现亮点，松开手，变正常。(盒厚5um),一般情况下算T级，不需要Repair,(指压)pixel,发生在2个Line以上或X和Y发生Cross的现象 DDS：两条竖直的亮线GGS：两条水平的白线DG
2、S：水平的暗线和一条竖直亮线?成因：金属Remain 导电particle DGS中可以根据导电颗粒的 位置来确定短路处,SHORT,Particle DATA PAD FAN-OUT 部因异物而发 生 SHORT,DDS,SCRATCH在DATA PAD上发生,XY线看起来为亮线或灭线的现象X（完全亮线）跟contact missing的区别在于它的亮度不均Y(薄线)浅灰色的亮或者暗线，灰度不均，有的段很不明显 Gate set-Min 处确认 成因：ESD造成data和repair line 短接。clean时候的pt造成open。,Line Defect,OPEN,D-O：X线中间断掉的
3、状态成因Chemical attack（AT）Particle Array DGS(-DO)Invisible,Particle,Data Open defect的一些照片,一段亮线，向一侧逐渐变浅,Cst Open（有公用线的话才会发生）,若 STORAGE LINE在中途断掉，则信号发生 DELAY，在 OPEN POINT处变亮，然后逐渐趋于正常.因 Vcom 信号发生 DELAY，所以从两侧施加，但随着 OPEN POINT不同，发生状态也不同.(若在正中央发生 OPEN，则不发生亮线),成因：,ESD,契形的亮斑,有的伴有Line Defect ESD可以造成诸多不良，很多PXL，L
4、D都是由于ESD造成成因：受ESD影响，TFT发生劣化或损坏,PXL消失（BM消失）,B/L的光线直接透过C/F,有白色的划痕原因：C/F损伤跟cell异物或者Scratch的区别Spect 很严格，0.2mm内 异物0.5以内。Size:（长轴+短轴）/2,scratch,看起来很亮的线形，带有方向性 成因 Cell内/POL/Panel表面的划伤可以通过观察Scratch处的像素BM是否可见来判断Scratch是发生在上层还是下层(BM可见则是TFT Scratch),(异物),亮的线形，无规则形状。跟Scratch的区别在于无方向性，很多见成因 多由成盒或者POL贴附时候的PT造成可以通
5、过亮斑的垂直位置来判断是POL异物还是Cell异物,Zaratsuki,Align Miss型 CF BM窄的原因而发生 SPACER密集，细小的色点成因 Spacer受到挤压，而发生移动或破损，使取向膜损伤而产生,Spacer 移动,Spacer 破损,(漏光),L0下，多在panel的两侧发生漏光区域会看起来较亮，在某一视角上看得清楚，可以用loupe观察是PXL的哪个区域漏光成因 CF与TFT极板未完全对齐，BM无法挡住像素一侧透出的光线,(变色),PAD变色：很多Y向薄的浅的灰色line成因：*Pad上的外物造成Pad与pin的contact不良Cleaning repair,BM变色
6、：外部BM变成褐色成因：CF材料不良,MURA,Mura在cell test中非常常见，分类也非常之多，大体上分为Gap性Mura和非Gap性Mura，另外有一些未确认的Mura需单独分析处理 Gap性Mura显白色或黑色，用手按屏有动态的Ripple现 象，由盒厚不均匀引起 非Gap性Mura多为白色或黑色污渍，指压时不发生 Ripple，界限较明显，多为PI膜毁坏，污染等与取向相关的不良 大多Mura在L31 Pattern中易见,Gap Mura,在L31下，圆形或其它形态的外围界限不分明的白色或黑色不良，用手按屏有动态的Ripple现象若Gap Mura成片地连续出现则为连续Mura
7、成因 成盒时panel受到挤压，异物，或者真空等原因造成的Gap不均引起的,(注入口)Mura,注入口部分出现白或黑色现象，色斑的形态很多成因 因注入口部分污染等原因发生 有的cell中看不到，模块aging以后发生,Mura,色Mura：在特定颜色的pattern下容易发现，颜色比周围颜色深形态很多：圆形，扇形等成因 C/F的原材料不正常引起的,(黑白点),黑点:在L31L63中，看起来黑色形态小点状污渍白点:在L0L31中，看起来亮的小点状污渍 成因 多为PI涂附时候的问题：SPACER CLUSTER，PI 膜污染 修理 Pi受损，因为异物引起的白点是不能repair的 取向异常引起的白
8、点，叫domain白点，可以采用高于50度的温度，通过 Auto Clave Rework，来修复,SHOT&BOX Mura,在photo工序中产生Shot Mura是由于采用step曝光方式而产生的Mura，只在L1&2中出现，而L3采用scanner曝光方式所以不会出现这种不良。Box Mura 真空抓panel的stage长成那个样子的，Stage上有沟槽，曝光的时候会留下痕迹，AFFS中出现box,Block,X向，Y向的一个Block中变灰或者变暗成因 Pad不良 Short ring 没有完全切除(Edge grinding miss),Rubbing,分为A，B，E三种模式 有
9、划过的痕迹，界线较模糊，不像Scratch那样清晰在摩擦取向的时候由于辊子上的P/T引起的,使某些部分无法正常取向,E-Mode,A-Mode,B-Mode,Touch,有被触摸的样子,level低的时候是白色的，高的时候会显黑色，跟观察的视角也有关系成因:PI coating 的时候被用手摸到,（辉线）mura成因,(辉半圆)MURA,Mura(辉椭圆形Mura),(水纹)MuraC/F的原因,Mura(横的椭圆形的Mura)成因：？,Mura(白斑点Mura)成因：Pre cure工序中panel受热不均产生的,在Array 工序中产生的MURA,影响了TFT器件。在进行Abnormal
10、Test时，现象变严重或变弱 包括：(棋盘)Mura（贝壳）MURA（斜线）MURAMura,A Mura,(棋盘)Mura,（贝壳）MURA曝光时，有Particle,造成对焦没对好,（斜线）MURAArray中旋转cleaning,离心力,Mura成因 14”工序中，点TR处需要用UV光照射，而换成17”后不需要UV，但是忘记了撤除，UV灯影响了TFT器件,水垢MURA成因：Cluster,TFT器件不好，Ioff不好，,(未确认)种类很多，现象很多，上百种Spec根据限度样品比较来定级。,尚未见不良,FlickerX talkBNU&DNUMura(交叉)Mura(竖线)Mura(横线)
11、Mura（斜线）Mura,(棋盘)Mura(像框)Mura(黑带)Mura(白 梳子)Mura(辉半圆)MuraRain Mura Mura,Mura History(-1),Mura History(-2),Mura History(L1.L2-1),Mura History(L1.L2-2),Mura History(L1.L2-3),Mura History(L1.L2-4),Mura History(L1.L2-5),Mura History(L3-1),Mura History(L3-2),Mura History(L3-3),EN Lot Test,不同Line不同Model在Cell工程中产生不良,
