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1、2023/3/2,电工电子技术,海南风光,第20讲,第11章 基本放大电路,11.6 场效应管共源极放大电路,2023/3/2,电工电子技术,答疑,1.线形电阻的伏安特性曲线,U/I=RU/I=R,2.晶体管BE结微变等效电路,UBEQ/IBQ=R非线性,UBE/IB=rbe在Q点处近似线性,2023/3/2,电工电子技术,答疑,3.电流源及其特性曲线,I1=IS+Ir1=IS+U1/r,I2=IS+Ir2=IS+U2/r,I=I2-I1=（U2-U1）/r=U/r,r=U/I,如何求r？,2023/3/2,电工电子技术,答疑,4.晶体管CE间的微变等效电路,流控电流源,在线性放大区，rce很
2、大，可忽略,2023/3/2,电工电子技术,10.4 场效应晶体管,场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。,结型场效应管JFET,绝缘栅型场效应管MOS,场效应管有两种:,2023/3/2,电工电子技术,MOS绝缘栅场效应管（N沟道）,（1）结构,P型基底,两个N区,SiO2绝缘层,金属铝,N导电沟道,2023/3/2,电工电子技术,N沟道增强型,（2）符号,N沟道耗尽型,栅极,漏极,源极,2023/3/2,电工电子技术,N沟道MOS管的特性曲线,2023/3/2,电工电子技术,NMOS场效应管转移特性,2023/3/2,电工电子技术,UGS=3V,UGS=4V,UGS
3、=5V,开启电压UGS（th）=1V,增强型NMOS场效应管输出特性曲线,2023/3/2,电工电子技术,增强型NMOS场效应管转移特性,2023/3/2,电工电子技术,耗尽型NMOS场效应管输出特性曲线,UGS=0V,UGS=+1V,UGS=+2V,夹断电压UP=-2V,2023/3/2,电工电子技术,耗尽型NMOS场效应管转移特性,2023/3/2,电工电子技术,跨导gm,=ID/UGS,=（3-2）/（1-0）=1/1=1mA/V,夹断区,可变电阻区,恒流区,2023/3/2,电工电子技术,场效应管的微变等效电路,输入回路：开路输出回路：交流压控恒流源，电流,2023/3/2,电工电子技
4、术,11.6 场效应管放大电路,11.6.1 电路的组成原则及分析方法,(1).静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区,(2).动态:能为交流信号提供通路,组成原则,分析方法,2023/3/2,电工电子技术,11.6.2 场效应管共源极放大电路静态分析,无输入信号时（ui=0），估算：UDS和 ID。,R1=150kR2=50kRG=1MRD=10kRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,2023/3/2,电工电子技术,设：UGUGS,则：UGUS,而：IG=0,直流通道,2023/3/2,电工电子技术,11.6.3 动态分析,微变等效电路,2023/3/2,电工电子技
5、术,动态分析：,电压放大倍数,负号表示输出输入反相,2023/3/2,电工电子技术,电压放大倍数估算,R1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRD=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,=-3（10/10）=-15,2023/3/2,电工电子技术,ro=RD=10K,输入电阻、输出电阻,=1+0.15/0.05=1.0375M,R1=150kR2=50kRG=1MRD=10kRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,ri=RG+R1/R2,2023/3/2,电工电子技术,11.6.4 源极输出器（共漏极放大电路）,R1=150kR2=50kRG=1MRS=10
6、kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,2023/3/2,电工电子技术,静态工作点:,=,USUG,UDS=UDD-US=20-5=15V,2023/3/2,电工电子技术,微变等效电路：,2023/3/2,电工电子技术,微变等效电路：,2023/3/2,电工电子技术,求ri,ri=RG+R1/R2,2023/3/2,电工电子技术,求ro,加压求流法,2023/3/2,电工电子技术,ri=RG+R1/R2,R1=150kR2=50kRG=1MRS=10kRL=10kgm=3mA/VUDD=20V,=3(10/10)/1+3(10/10)=0.94,=10/(1+3 10)=0.323 k,代入数值计算,=1+0.15/0.05=1.0375 M,2023/3/2,电工电子技术,场效应管放大电路小结,(1)场效应管放大器输入电阻很大。(2)场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻=RD。(3)场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小。,
