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1、工艺库说明 工艺库是采用0.18um的工艺，下面是调用工艺库名称及尺寸范围，工艺库的调用模型的名称可以自己进工艺库里面改，比如说我这里用的是nmos18表示nmos管，供给电压为1.8V。工艺里面的数值可以自己修订，但是如果要流片的话必须要和工厂的工艺库一样。具体尺寸说明如下，调用名称 调用类型 基本的宽长范围nmos18TTL:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8Vpmos18TTL:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8Vnmos18SSL:240nm-50um,W:240nm-100um,tox
2、=4.45nm,vdd=1.8Vpmos18SSL:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.45nm,vdd=1.8Vnmos33TTL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3Vpmos33TTL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3Vnmos18FFL:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=3.5nm,vdd=1.8Vpmos18FFL:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=3.5nm,vdd=1.8Vnmos18SNFPL:240nm-50um
3、,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8Vpmos18SNFPL:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8Vnmos18FNSPL:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8Vpmos18FNSPL:240nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8Vnmos33MML:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3Vpmos33MML:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3V
4、nmos33NNL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7.5nm,vdd=3.3Vpmos33NNL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7.5nm,vdd=3.3Vnmos33OOL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=6.5nm,vdd=3.3Vpmos33OOL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=6.5nm,vdd=3.3Vnmos33PPL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3Vpmos33PPL:500nm-50um,W:800nm-100um,to
5、x=7nm,vdd=3.3Vnmos33QQL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3Vpmos33QQL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3Vnmos018RRL:300nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8Vnmos033RRL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7nm,vdd=3.3Vnmos033UUL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7.5nm,vdd=3.3Vnmos033VVL:500nm-50um,W:
6、800nm-100um,tox=6.5nm,vdd=3.3Vnmos033WWL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=7.25nm,vdd=3.3Vnmos033XXL:500nm-50um,W:800nm-100um,tox=6.75nm,vdd=3.3VnchYYL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8VpchYYL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8VnchZZL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=3.95nm,vdd=1.8VpchZZL:18
7、0nm-50um,W:240nm-100um,tox=3.95nm,vdd=1.8VnchAAL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.45nm,vdd=1.8VpchAAL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.45nm,vdd=1.8VnchBBL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8VpchBBL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8VnchCCL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8VpchCCL
8、:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8VnchEEL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8VpchEEL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8VnchGGL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=3.95nm,vdd=1.8VpchGGL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=3.95nm,vdd=1.8VnchHHL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.45nm,vdd=1.8Vpch
9、HHL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.45nm,vdd=1.8VnchIIL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8VpchIIL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8VnchJJL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8VpchJJL:180nm-50um,W:240nm-100um,tox=4.2nm,vdd=1.8VbjtpKK饱和电流is=5.6*10-18,放大倍数bf=1.38，pnp,5*5um2bjtp1KK
10、饱和电流is=2.8*10-17,放大倍数bf=1.36，pnp,10*10um2npKK面积=8e-9,饱和电流=2.82e-7np1KK面积=8e-9,饱和电流=1.17e-7np2KK面积=9.72e-8,饱和电流=4.204e-6np1FM面积=8e-9,饱和电流=2.82e-7pn1FM面积=8e-9,饱和电流=1.17e-7Psub/npFM面积=9.72e-8,饱和电流=4.204e-6注：还有很多其他的类型如FF,SNFP你都可以通过打开工艺库自己根据需要选择。具体的调用模型步骤如下，1、 打开Cadence命令窗口选择新建一个库（相当于一个文件夹）2、 新建命名并选择新建的类
11、型3、 在文件夹里新建一个schematic文件并命名4、 出现原理图编辑界面5、 之后我们再添加元器件，一般的元器件可以在analogLib里面有，例vdd,vdc,res,gnd,nmos,pmos等。我们只需要对mos管添加模型。我们按I键，选browse就出现如下图形。Cell是名，再选symbol就好。6、 模型的添加，我们选择一个nmos4管。点击Q键，找到里面的Model，写上nmos18,长宽自己设定，MULTIPLY选一倍即可。7、 仿真的时候点击Tools里面的Analog environment,在第二个选项SET UP中点击MODEL LIBRARY即可。8、 添加工艺库，找到工艺库所在位置，选TT类型，这样添加就完成了。
