变形习题(无密码)资料课件.ppt

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1、1,习 题 讲 解,2,表面不能简单理解为体相的终止结合键断裂,表面能,表面重构和驰豫表面成份改变,3,表面原子数量依题意。可假设为nXnXn个晶胞组成立方体形状可以简单地理解成6个表面,每个面上角上原子数量(n+1)2,面心原子数量n2,6个面,故面上原子数量为6X(2n2+2n+1)=12n2+12n+6立方体中总原子数量4n3,(每个晶胞原子数为4)故总晶胞数为103,n=10,NS/NB=1360/4000=?故总晶胞数为1024,n=108,NS/NB=?,4,习题1解释下列名词:滑移,滑移系,孪生,屈服,应变时效,加工硬化,织构2已知体心立方的滑移方向为,在一定的条件下滑移面是11

2、2,这时体心立方晶体的滑移系数目是多少?解答:112滑移面有12组,每个112 包含一个晶向,故为12个3如果沿fcc晶体的110方向拉伸,写出可能启动的滑移系;4写出fcc金属在室温下所有可能的滑移系;,5,5将直径为5mm的铜单晶圆棒沿其轴向123拉伸,若铜棒在60KN的外力下开始屈服,试求其临界分切应力。,解答:fcc结构,滑移系111,共有12个滑移系,(-111)面,(111)面,(11-1)面,(1-11)面,AB:-110,BC:0-11,CA:10-1,AB:-1011,CA:0-11,BC:110,AB:-1-10,CA:10-1,BC:011,AB:-110,BC:0-1-

3、1,CA:101,x,z,y,A,B,C,x,z,y,A,B,C,6,立方系中同指数的晶面指数和晶向指数垂直晶向u1v1w1与晶向u2v2w2之间的角度值计算,7,由s/coscos,当拉伸轴沿123,开动的滑移系为(-111)101。123与(-111)夹角计算公式,cosu1u2+v1v2+w1w2/(u12+v12+w12)1/2(u22+v22+w22)1/2 123与(-111)夹角cos(8/21)1/2123与(101)夹角cos(4/7)1/2故s/coscos1.69106N/m2,8,6证明取向因子的最大值为0.5。7分析典型的fcc单晶体加工硬化曲线,比较与多晶体加工硬化

4、曲线的区别。单晶体三个阶段明显,多晶体某个阶段可能被掩盖,一般无易滑移阶段硬化率不同单晶体一般用曲线,多晶体一般用曲线,9,8屈服现象的实质是什么,吕德斯带与屈服现象有何关系,如何防止吕德斯带的出现?溶质原子对位错钉扎的解脱;吕德斯带就是屈服阶段不均匀变形的变形痕迹;加入夺取溶质原子的合金元素或进行超过屈服变形量的预变形9讨论金属中内应力的基本特点,成因和对金属加工、使用的影响;变形储能,存在于不同尺寸范围变形不均匀造成影响:开裂;尺寸稳定性,表面翘曲等;化学性能如腐蚀;可以作为后续回复再结晶的驱动力;表面压应力可以有提高疲劳断裂的作用,10,10实践表明,高度冷轧的镁板在深冲时往往会裂开,试

5、分析原因;解答要点:1)本身hcp,滑移系少,塑性差2)大变形量,形成织构,塑性方向性3)加工硬化影响,也有内应力影响,11,11分析Zn、Fe、Cu几种金属塑性不同的原因12陶瓷材料的变形与金属材料的变形有何不同?13高分子材料的变形有何特点?,12,14分析为什么细化晶粒既可以提高金属强度,又可以提高金属的塑性。提高强度晶界的阻止位错运动相邻晶粒滑移位向不一致hall-petch equation塑性开动的滑移系较多应力集中相对小,防止裂纹过早产生承担变形量的晶粒多,相对变形量大,变形均匀,13,15讨论金属的应变硬化现象对金属加工、使用行为的影响。抗偶然过载加工强化连续加工成型的条件性能

6、控制切削加工性能好消耗能量内应力:腐蚀性能不稳塑性降低,14,16总结影响金属强度的因素。晶体缺陷内因:金属本性,晶格类型;晶粒大小和亚结构;溶质元素;第二相;外因:服役温度;应变大小;应变速率,增加强度大,脆;应力状态:拉,压,扭等;,15,17为什么过饱和固溶体经过适当时效处理后,其强度比它的室温平衡组织强度要高?什么合金具有明显的时效强化效果?把固溶处理后的合金冷加工一定量后再进行时效,冷加工对合金的时效有何影响?第二相强化具有固溶度变化,析出中形成细小弥散第二相的合金。加速;,16,18知一个铜单晶体试样的两个外表面分别是(001)和(111)。分析当此单晶体在室温下滑移时在上述每个表

7、面上可能出现的滑移线彼此成什么角度;解答:铜单晶体为fcc,滑移系为111。表面是(001),塑性变形表面滑移线为111与 001的交线,滑移线表现为平行或垂直若表面是(111),塑性变形表面滑移线为111与 111的交线,滑移线表现为平行或为60(8个(111)面组成的交线即为),17,18,习题,金属材料的强化方式有哪些?解答:金属材料的塑性变形通过位错运动实现,故强化途径有两条:1.减少位错,小于102 cm2,接近于完整晶体,如晶须。2.增加位错,阻止位错运动并抑制位错增殖 强化手段有多种形式:冷加工变形强化,细晶强化,固溶强化,有序强化,第二相强化(弥散或沉淀强化,切过与绕过机制),

8、复合材料强化,19,某面心立方晶体可动滑移系为(11-1)-110,点阵常数a=0.2nm.1.指出引起滑移的单位位错柏氏矢量2.滑移由刃型位错引起,指出滑移线方向3.滑移由螺型位错引起,指出滑移线方向4.上述情况下滑移时位错线滑移方向5.假定该滑移系上作用0.7MPa的切应力,计算单位刃型位错和螺型位错线受力大小和方向解答:1.单位位错柏氏矢量b=a-110/2,即滑移方向上最紧邻原子间距间矢量。2.设位错线方向为uvw,滑移线在(11-1)上,则有u+v-w0;位错为刃型位错,故与柏氏矢量方向-110垂直,有-u+v0;可得位错线方向 uvw为1123.同理,设位错线方向为uvw,滑移线在(11-1)上,u+v-w0;位错为螺型位错,故与柏氏矢量方向-110平行,可得位错线方向 uvw为-1104.刃型位错滑移时位错线滑移方向平行b;螺型位错滑移时位错线滑移方向垂直b5.晶体受切应力,单位长度位错线受力F=b;方向均与位错线垂直,b a-110/2,大小为0.707a,带入可得F9.89910-11MN/m,20,

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