《MOS管场效应管的主要参数介绍.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《MOS管场效应管的主要参数介绍.docx（2页珍藏版）》请在三一办公上搜索。
MOS管场效应管的主要参数介绍场效应管 MOS管场效应管的主要参数介绍 MOS管在实际的生活应用中间，比电源管理IC，及通信IC的使用都还广泛一些。下面，小编就为大家简单的介绍一下，MOS管场效应管的主要参数有哪些. 1.饱和漏极电流IDSS 所谓的饱和漏极电流，指的就是耗尽型和结型场效应管的一个重要参数，他在实际的定义过程中，主要是当栅、源之间的电压VGS等于零，而漏、源之间的电压VDS 大于夹断电压VP 的时候，所对应的漏极电流。 2.夹断电压VP 所谓的VP，指的就是那些耗尽型和结型场效应管的重要参数，他在实际的定义过程中，主要是在VDS 一定的时候，使ID 减小到某一个微小电流(如1A，50A)时所需的VGS 值 3.开启电压VT 所谓的开启电压 主要是增强型场效应管的重要参数，他在实际的定义过程中，主要是在VDS 一定的时候，漏极电流ID 达到某一数值(例如10A)时所需加的VGS 值。 4.直流输入电阻RGS 所谓的直流输入电阻指的就是，栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比。在实际的使用过程中，由于栅极几乎不索取电流，因此，在实际的输入过程中，其电阻是很高。结型为106以上，MOS管可达1010以上。 MOS管场效应管的使用是非常的广泛的，不过，在实际的使用过程中，一定要多多的注意使用方面的问题，不然的话，也是会出现很多不必要的麻烦的.
