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1、实验一 MOS管图设计实验一 MOS管版图设计 一、实验目的 1、了解版图设计基本流程 2、熟悉版图设计工具Virtuso的使用方法 3、根据要求画出NMOS和PMOS版图。 二、实验内容 1、回顾版图设计基本原理，如版图设计规则、工艺文件等。 2、熟悉版图设计工具Virtuso的使用方法 3、用Virtuso画NMOS和PMOS版图。其中PMOS的尺寸为W=6mm，L=1mm，NMOS的尺寸为W=3mm，L=1mm。 三、实验步骤 1、运行cadence工具 用exceed登陆。 将压缩“layout.tar.gz”文件包复制到自己的目录下，解压缩命令：tar zxvf layout.tar
2、.gz 在目录下会出现文件夹“layout” Virtuso启动： 在layout目录下启动。 $source /opt/bashrc $icfb& 2、版图设计基本流程 建立一个新的库。 关联到指定工艺库。选择layout下面的tsmc18_6lm.tf.org文件添加。 手工画版图 先建立小的单元，然后以小单元为基础构成较大的单元、模块、芯片等。 AC：diff+cont+M1 VC12：M1和M2之间的通孔。M1+via+M2 PC：poly contact。Cont+poly+M1 3、熟悉快捷键的使用。以下是快捷键的总结。 Ctrl+E：放大，缩小 Ctrl+空格：删除 Ctrl+A
3、：全选 Ctrl+Q Ctrl+F Ctrl+X D:测量间距 Shift+d：取消标尺 Shift+z：缩小 Shift+e：取消repeat command选项 Shift+h：将鼠标放置在左下角上，归原点 P：在出现的display option对话框中选择Grid，即鼠标移动一下的距离 S：调整大小 R：画矩形 F：合适大小显示 Z：放大。鼠标放置起始位置，点击Z键，移动鼠标，选择范围，点左键释放 Shif+N：打散。在单元最上层，打散单元 Ctrl+W：调整大小 W：回到上一界面 Shift+x：进入下一层 Shift+B：进入上一层 Shift+F：看版图 Ctrl+F：回到端口描
4、述层 Y：选中一部分，取名字 C：复制 Shift+c：剪切 U：取消 Shift+U：与U相反 S：当选中时，可以移动；不选中时，鼠标防在边上，可以放大缩小 TAB+鼠标：上下左右移动 I：从库中调用一个单元 Q：查看和修改属性 Vi查看工艺文件： Shift+l：光标到本页的最下 Ctrl+f(b)：下一页 4、根据工艺规则要求和管子尺寸要求，分别设计PMOS管和NMOS管。设计过程参考： 集成电路版图设计实训 情境1 N/PMOS晶体管版图设计 1.3 版图编辑 先画有源区，确定管子的宽为6um 画POLY，确定管子的长为1um，并根据规则修改尺寸。 按照工艺规则，添加接触孔 根据规则，绘制源和漏的注入区 制作N阱 阱接触 画好PMOS管之后，NMOS管可以复制并修改PMOS的来获得。
