1半导体器件复习练习题.docx

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1、1半导体器件复习练习题半导体基本知识和 半导体器件 一、选择题： 1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的 A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大 C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小 4、PN结反向向偏置时，其内电场被。 A.削弱 B.增强 C.不变 D.不确定 5、在绝对零度和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。 A.有 B.没有 C.少数 D.多数

2、6、 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。 A减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 D. 减小输出电阻 7、以下所列器件中，器件不是工作在反偏状态的。 A、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管 8、当晶体管工作在放大区时，。 A. 发射结和集电结均反偏 B.发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结和集电结均正偏 D.发射结反偏，集电结正偏 9、稳压二极管稳压时，其工作在( )， A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D.不确定 10、抑制温漂最常用的方法是采用电路。 A.差放 B.正弦 C.数字 D.功率放大 11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态

3、电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是。 ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管 iD/mA C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 5 12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为。 AP沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 -4 0 u/V C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 GS13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的。 A输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 14、如右图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的b约为。 A1500 B.80 C.50 D.30 15、发光

4、二极管发光时，工作在( )。 A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D不确定 16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将 A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等于零 17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 A. 非饱和区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 击穿区 18、稳压二极管稳压时，其工作在( )。 A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D.饱和区 19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 A. 可获得较高增益 B. 可使温漂变小 C. 在集成工艺中难于制造大电容 D. 可以增大输入电阻 20、测得BJT各电极对地电压为：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则

5、该BJT工作在状态。 A.截止 B.饱和 C.放大 D. 无法确定 21、FET是控制器件。 A. 电流 B.电压 C.电场 D.磁场 22、通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载。 A.电阻大 B. 功率大 C. 电压高 D.功率小 23、二极管的电流方程是。 AISe B.ISeuuVT C.IS(euVT-1) D. ISeVT 24、FET是控制器件。 A. 电流 B.电压 C.电场 D.磁场 25、三极管工作在饱和状态的条件是。 A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结正偏，集电结反偏 C.发射结反偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结正偏 26、测得工作在放大状态

6、的BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，-0.2V，-3V，则1、2、3脚对应的三个极是。 A.ebc B.ecb C.cbe D.bec 27、稳压二极管是利用PN结的。 A.单向导电性 B.反向击穿性 C.电容特性 D.正向特性 28、测得工作在放大状态的BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，-0.2V，-3V，则1、2、3脚对应的三个极是。 A.ebc B.ecb C.cbe D.bec 29、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于。 A.反向偏置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态 C.正向偏置导通状态 D.正向偏置未导通状态 30、 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿 A

7、集电极最大允许功耗 B集电极最大允许电流 C集基极反向击穿电压 D. E 31、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。 A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大 ，反向电阻小 C. 反向电阻比正向电阻大很多倍 D. 正、反向电阻都等于无穷大 32、电路如下图所示，设二极管D1，D2，D3 的正向压降忽略不计，则输出电压uO =。 A . 2V B. 0V C. 6V D. 12V +12VR+u-OD2D3-2V0VD16V33、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于。 A.反向偏置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态 C.正向偏置导通状态 D.正向偏置未导

8、通状态 34、结型场效应管利用栅源极间所加的( )来改变导电沟道的电阻。 A.反偏电压 B.反向电流 C.正偏电压 D.正向电流 35、场效应管是属于控制型器件。 A.电压 B.电流 C.电感 D.电容 36、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于。 A.反向偏置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态 C.正向偏置导通状态 D.正向偏置未导通状态 37、测量某硅BJT 各电极的对地电压值为UC=6V ，UB=2V，UE=1.3V ，该管子工作在 A.放大区 B.截止区 C.饱和区 D.无法判断 38、如图1所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的b约为。 A1500 B

9、.80 C.50 D.30 V1 V2 图1 共模抑制比KCMR越大，表明电路。 39、 A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.抑制温漂能力越强 D.输入信号的差模成分越大 二、填空题： 40、根据是否掺入杂质，半导体可分为 半导体和 半导体两大类。 41、N沟道场效应管中的载流子是 ，P沟道场效应管中的载流子是 。 42、图1所示处于反向截止状态的PN结，则a、b两区分别是PN结的 区、 区。 43、PN结是靠多数载流子的 运动和少数载流子的 运动形成的。 44、 PN结中内电场阻止 的扩散，推动 的漂移运动。 45、二极管的特性是 ，场效应管是 控制型器件。 46、集成运放是多级

10、耦合放大器。 47、 BJT工作在放大区时，其发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。 48、集成运放内部是一个具有高放大倍数的 耦合的放大电路，故它的主要缺点是 ，为了克服这一缺点，输入级一般采用 电路提高放大倍数，中间级一般采用 负载，放大管多用 ；为了提高功率，输出级常采用互补对称电路。 49、BJT是 控制器件，FET是 控制器件。 50、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为，则此二极管_；若两次读数都接近零，则此二极管_；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管_。 51、设如右图电路中, D1为硅二极管, D2为锗二极管, 则D1处于 状态, D2处于 状态, 输出电

11、压Uo为 伏。 52、 BJT工作在截止区时，其发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。 53、结型场效应管输入回路PN结处于 状态，因此它的输入电阻比双极型三极管的图3 输入电阻 。 54、晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区，即： 、 、 ； 要使三极管工作在放大区必须给发射结加 ，集电结加 。 55、测得工作在放大电路中的晶体管三个电极电位U1,U2,U3分别为，U1=6V,U2=11.3V,U3=12V，则此管是 型三极管，材料为 。 56、理想运放有“虚短”即指 和“虚断”即指 两个重要特性，“虚地”是 的特殊情况。 57、二极管最主要的特性是 。 58、.在选用整流二极管时，主要应考

12、虑参数 、 。 59、在室温下，某三极管的ICBO=8A，b=70，穿透电流为 mA 。另一只三极管的电流值：IB = 20mA时IC = 1.18mA、IB = 80mA时IC = 4.78mA，该管的b = 。 60、整流二极管的整流作用是利用PN结的 特性，稳压管的稳压 作用是利用PN结的 特性。 三、判断题： 61、运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。 62、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 63、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。 64、P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。 65、本征半导体不带电，P 型半导体带正电，N

13、 型半导体带负电。 66、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 67、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 68、BJT的b值越大，放大能力越强，但在选用BJT时，并不是b值越大越好。 69、发射结处于反偏的BJT，它一定工作在截止区。 70、BJT是由两个PN结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当BJT使用。 71、BJT的输入电阻rbe是对交流而言的一个动态电阻，在小信号情况下为常数。 72、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。 73、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。 74、处于放大状态的晶体管其基极电流

14、同场效应管的栅极电流差不多。 75、三极管是双极型管，属于电流控制器件；场效应管是单极性管，属于电压控制器件。 76、在运放电路中，闭环增益f是指广义的放大倍数。 77、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。 78、小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA的基础上增加1倍，它的两端压降也增加1倍。 79、双极型晶体管和场效应管都是电流控制型器件。 80、处于线性工作状态的实际集成运放，在实现信号运算时，两个输入端对地的直流电阻必须相等，才能防止输入偏置电流带来误差。 四、分析作图题： 83、画出图中各电路的u0波形。设ui=10sint(V),且二极管具有理想特性。 10K D u

15、u o2iR D u R o1ui 10K 10K 84、电路如图、所示，稳压管的稳定电压UZ3V，R的取值合适，uI的波形如图所示。试分别画出uO1和uO2的波形。 分析作图题答案： 83、解：每个波形如下： ui O t u01 +10V) O t u02 O t -5V 84、解: 解题要点：UZ=(03V时，稳压管反向偏置，但没有击穿，所以UO=0V, UZ3V时，稳压管反向击穿，工作在稳压状态，它的阴极比阳极高出3V电压。如下图所示。 UZ=(03V)时，稳压管反向偏置，但没有击穿，所以UO= UZ，UZ3V时，稳压管反向击穿，工作在稳压状态，它的阴极比阳极高出3V电压。UO=3V。如下图所示。