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1、MOS管工艺参数的提取MOS管工艺参数的提取 为了提取kn, kp, n, p, Vtn, Vtp, n, p, |2fn|, |2fp|、CGS、CGD等进行计算所必须的参数，需要对单个晶体管进行Hspice仿真，并进行参数提取：注意：不同的沟道长度下参数值可能不同，需要针对所用到的沟道长度值进行提取。 1 提取k， Vt参数： * Param Extract netlist* .lib mix025_1.l TT .lib mix025_1.l RES .lib mix025_1.l TT_BIP .TEMP 27 .options post M1 VDS VGS 0 0 nch W=20
2、u L=1u VDS VDS 0 1V VGS VGS 0 .DC VGS 0 2.5 0.05 .print DC I(M1) V(VGS) .end * 在*.lis输出文件中查找I和VGS的列表，使用教材上的Figure1.44(a)来确定Vt的值，而从其斜率可以确定k的平方根的值： ID=12kWL(VGS-Vt)2 ID= 2 提取参数： 12kWL(VGS-Vt)* Param Extract netlist* .lib mix025_1.l TT .lib mix025_1.l RES .lib mix025_1.l TT_BIP .TEMP 27 .options post M
3、1 VDS VGS 0 0 nch W=20u L=1u VDS VDS 0 1V VGS VGS 0 .DC VDS 0 2.5 0.05 sweep VGS POI 6 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 .print DC I(M1) V(VDS) .end * 在*.lis输出文件中查找在不同VGS值下I和VDS的列表，使用教材上的Figure1.10来确定的值： 1 l=VA3. 提取, |2f|参数： * Param Extract netlist* .lib mix025_1.l TT .lib mix025_1.l RES .lib mix025_1.l TT_BIP
4、.TEMP 27 .options post M1 VDS VGS S 0 nch W=20u L=1u VDS VDS S 1V VGS VGS S VSB S 0 0.8 .DC VGS 0 2.5 0.05 sweep VSB POI 3 0.5 1.0 1.5 .print DC I(M1) V(VGS) .end * 按照1的方法提取在不同VSB下的Vt参数，然后使用下式联立求解, |2f|： Vt=Vt0+g(2ff+VSB-2ff) gmb=cgm=3 * Param Extract netlist* .lib mix025_1.l TT .lib mix025_1.l RES
5、.lib mix025_1.l TT_BIP .TEMP 27 .options post .options dccap=1 M1 VGS VGS 0 0 nch W=20u L=1u VGS VGS 0 2 .DC VGS 0 2.5 0.05 .op .print CG=par(lx18(M1) .end * g22ff+VSBgm提取CGS、CGD： 在*.lis输出文件中查找M1的工作点信息，其中有CGS和CGD两项。将它们的值除以晶体管宽度就可以得到单位宽度的CGS和CGD。在仿真中应确保晶体管处于饱和区。 * mosfets subckt element 0:m1 model 0:nch.2 region Saturati id 3.5131m ibs -228.3569a ibd -37.0645p vgs 2.0000 vds 2.0000 vbs 0. vth 506.2129m vdsat 1.0430 beta 4.1514m gam eff 371.8798m gm 3.6285m gds 45.7263u gmb 830.6695u cdtot 28.3333f cgtot 103.4253f cstot 143.2541f cbtot 76.7296f cgs 95.4791f cgd 6.6787f
