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1、TLV3501AIDR中文资料 TLV3501AIDR 说明 TLV350x系列推挽输出比较器, 有来自快速延迟时间为4.5ns传播延迟和操作 + 2.7V至+5.5V，由于超出摆幅输入共模范围使其非常适合低电压应用的理想选择。轨对轨输出可直接驱动CMOS或 TTL逻辑。 Microsize软件包提供的选项为便携式和空间受限的应用。单是提供SOT23-6和SO-8封装。双进来的SOT23-8和SO-8封装。 注意：“静电释放”可以对该集成电路造成损失，精密集成电路可能会更容易受到损害，所以尽量不要用手触摸。 最大额定值： 电源电压 +5.5v 信号输入端电压 电压-0.3v到+0.3v 信号输
2、入端电流10mA 输出短路74mA 工作温度 -40度到+125度 存储温度-65度到+150度 结温 150度 焊接温度 300度 ESD额定值3000v 资料查询：干燥环境下人体可产生几千到上万伏静电。 带电器件模型500v 上面这些额定值可能会造成永久性的损害。暴露在绝对最大条件下长时间 可能会降低设备的可靠性。不能让芯片工作在上述额定或超出其他条件的功能操作模式下 。 输入端二极管钳位到电源控制线。输入信号可以在正负0.3v摆动。电源供电电流限制在10mA以下。 短路到地，一个比较器的每个包。 引脚配置： SO8：脚1：NC 脚2：反相输入端 脚3：同向输入端 脚4：负电源输入端 脚5
3、：NC 脚6：输出端 脚7：正电源输入端 脚：关断信号控制端 对于SOT23-6封装由上图可以看出引脚1是由定向的包装标记。 SO-8比SOT23-6封装多了两个NC引脚，NC引脚为空脚，没有内部的电路连接。 电气特性 限额适用于在指定温度范围，TA = -40C至+125C。一般情况下在TA=25C和VS=+2.7V至+5.5 V，除非另有说明。 失调电压：在VCM=0V,IO=0mA条件下失调电压为正负1mv，最大为正负6.5mv 温度：-40度到125度偏移量保持在正负5uf/du 电源：供电电压保持在2.7v到5.5v偏移量一般保持在100uv/v最大400uv/v 输入滞后6mv 输
4、入偏置电流：VCM= VCC/2一般偏移量保持在正负2pA最大量正负10pA。 输入失调电流：VCM= VCC/2一般偏移量保持在正负2pA最大量正负10pA。 共模电压范围：在-0.2V到+0.2V范围内，最小不超过-0.2V最大不超过-0.2V。 共模抑制共模抑制比：在-0.2V到+0.2V范围内，一般为70db最小55db。 输入阻抗共模： 差模： 开关特性： 传递延迟时间：在VIN= 100mV, Overdrive = 20mV条件下一般为4.5ns最大6.4ns。 VIN= 100mV, Overdrive = 5mV时，一般为7.5ns最大10ns。 传输延时差：在VIN= 10
5、0mV, Overdrive = 20mV时为0.5ns。 最大切换频率：高速=50mV 供电电压为5V时为80 MHz。 上升时间：1.5ns 下降时间：1.5ns。 电压输出浮动，在输出电流为正负1mA时为30mv最大50mV。 关闭：关闭时间30ns打开时间100ns 。 比较使能使能最大 -1.7v，比较器被禁止最小-0.9V。 输入偏置电流关断引脚2pA。 停止工作时静态电流 2uA。 电源 额定电压+2.7v到5.5V。 工作电压范围为2.2到5.5v。 静态电流 在工作电压为5v输出比较高时为3.2mA最大为5mA。 温度范围： 指定范围是-40度到125度，工作温度范围-40度
6、到125度 储存温度-65度到150度 热阻：SO-8 150度/瓦 备注：失调电压是定义为正的平均和负开关阈值 传播延迟与自动测试设备的低速超速不能被精确地测量。此参数为通过 表征和测试为100mV超速。 当传递延迟之间的差变高时传递的延迟时间会变低 上升和下降时间是额定输入电压的90%到10%时的测量 当关断引脚是内部0.9v时芯片大部分被禁止，当其大于1.7v正电源时该部分使能。 典型特性： 在TA=25C，VS=+5 V和输入100mV的，除非另有说明 输出响应上升下降 传递延时与温度： 传播延迟与容性负载 传播延迟与电源电压：唤醒延时与温度响应至50MHz与100MHz正弦波 静态电
7、流与电源电压，静态电流与温度 静态电流与关断电压，静态电流与频率 应用信息 该TLV3501和TLV3502均配备高速响应，包括内部的滞后，以提高抗噪性能与扩展0.2V超出电源轨的输入共模范围为6mV。 关断 一个停机引脚允许器件进入空闲状态时，它是不使用。当关断引脚为高电平时，芯片的电流大约为2A，输出变为高阻抗。当关断引脚为低电平时，TLV3501是有效的。 当不使用TLV3501关机功能，只需连接关断引脚到最负电源，如图1。大约需要100ns的走出来的关断模式。该TLV3502不具备关断功能。 TLV3501的基本连接图 工作电压 TLV3501比较器用于指定从+2.7V至+5.5 V单
8、电源在-40C至+125C的温度范围内时芯片运行低于这个范围时不是特定的性能。 增加外部迟滞 该TLV350x拥有强劲的性能与良好的布局使用性。然而，比较器输入具有指定的偏移电压范围内的小抗干扰能力。对于缓慢移动的或有噪声的输入信号时，比较器输出可以显示多个开关作为输入信号移动的开关阈值。在这种应用中，TLV350x的内部迟滞的可能为6mV或更大。在更大的抗噪性需要的情况下，外部滞后可通过添连接少量的反馈到正输入。图2显示了用于引入额外的滞后为25mV，共计31mV滞后5V单电源供电时的典型拓扑。总滞后是由下式 切换比较器的输出所需要的转变电压的值，通过增大阈值区域，从而降低噪声干扰。 过电压
9、保护 芯片的输入会通过“静电外释”二极管，如果输入电压超过电源约300mV时将受到保护。瞬时电压大于电源300mV是可以的，可以通过串联一个小的电阻到芯片，将输入电流限制在10mA，如图3。 振荡器 TLV350x可以很容易地配置为简单和廉价的弛张振荡器。在图4中，R2的网络设置在三分之一到三分之二的跳闸阈值。因为这是一个高频电路，电阻器的值是 相当低，以最小化电容的影响。三分之一的V +的三分之二之间的正输入端候补取决于输出是否低或高。充电时间是0.69R1C。因此，该期间是1.38R1C。为62pF和图4中所示1kas，输出被计算为10.9MHz。这种电路的一个实施振荡在9.6MHz。寄生
10、电容和元件容差讲解理论与实际性能之间的差异 PCB布局 对于任何高速比较器或放大器，正确的设计和印刷电路板布局可以让芯片达到最佳性能。有源输入如果增加多余电容或不正确的接地，会限制高速比较器的最大性能。从信号源到比较器的输入电阻最小化是必要的，以便最大限度地减少整个电路的传播延迟。随着输入电容的源电阻产生的RC滤波器，延迟电压变化在输入，并降低了高频信号的振幅该TLV350x随着从输入引脚的电容至地的结果在几个电容皮法。 用于电源旁路电容的位置和类型是高速比较器的关键。建议的2.2F钽电容器不需要像靠近器件为0.1F的电容，并且可以与其他设备共享。该2.2F电容缓冲对纹波电源线和0.1F的电容提供高频时转换为比较器的开关。 在高频电路中，对于直流在相同的电位快速的上升和下降电压差可以看做一个瞬态开关，为了减少这种影响， 一个接地平面通常被用来减小电路板内的电压电位差。 一个接地平面具有降低对电路板寄生电容的影响的优点，通过提供一种更可取的路径的电流流过。有超过一个接地平面上的信号迹线，在高频率的返回电流的倾向右下的信号路径流动。接地平面增加平面的电感，使得在较高频率上它不那么有效。在地平面上进行必要的休息过孔应随机分布。
