《TPS28225中文资料.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《TPS28225中文资料.docx（5页珍藏版）》请在三一办公上搜索。
1、TPS28225中文资料 驱动器芯片 TPS28225 一芯片特点及用途 1.特点： 可以驱动2个N沟道MOSFET有14ns的自适应停滞控制 MOSFET栅极控制电压范围：4.58.8V 最佳为78V 输入脉宽调制信号幅度：2.013.2V 每相电流可以=40A 高频时有14ns的传播延迟和10ns上升下降时间允许Fsw-2MHz 能够传播 30ns PWM脉冲输入 低侧可以吸入电阻上产生的电流防止MOSFET击穿 提供三态脉宽调制 有热关断功能及UVLO保护 含有内部自举二极管 高性能替代了流行的三态脉宽调制 2.用途 效率要求极高的DC/DC转换器 电源稳压器模块 笔记本调节器 同步整流
2、器的隔离式电源 232323232323232323232323232323 二、主要参数 TPS28225 VALUE 0.3 to 8.8 UNIT 输入供电电压范围, VDD(3) Boot电压范围, VBOOT V 0.3 to 33 DC Phase 电压, VPHASE J 输入电压范围, VPWM, VEN/PG 输出电压范围, VUGATE 输出电压范围, VLGATE ESD rating, HBM ESD rating, HBM ESD rating, CDM 7 to 33.1 or VBOOT + 0.3 VDD 0.3 to 13.2 VPHASE 0.3 to VB
3、OOT + 0.3, (VBOOT VPHASE 8.8) VPHASE 2 to VBOOT + 0.3, (VBOOT VPHASE 8.8) 0.3 to VDD + 0.3 2 to VDD + 0.3 2 k 500 2 to 32 or VBOOT + 0.3 VDD 工作虚拟结温度范围, TJ 工作环境温度范围, TA 储存温度, Tstg 焊接温度 (soldering, 10 sec.) 40 to 150 40 to 125 65 to 150 300 C 三、主要引脚功能 TERMINAL I/O SOIC-8 DRB-8 NAME DESCRIPTION 1 2 3 1
4、 2 3 UGATE BOOT PWM O I/O I 上端栅极驱动. 连接到上端的N沟道MOSFET的栅极. 动态的自举引脚。在PHASE与该引脚之间连接了一个自举电容，这个电容为上端的MOSFET充电 PWM信号的控制输入端。PWM信号可以输入三种不同的状态 4 4 Exposed die pad GND Thermal pad 略 直接连接到更好的热性能和EMI的接地 5 5 LGATE O 下端栅极驱动. 连接到下端的N沟道MOSFET的栅极. 6 7 6 7 VDD EN/PG I I/O 至少5V电压供电，与一个旁路电容接到GND 使能端/信号端 输入输出有1M的阻抗.，使能控制I
5、C。 该引脚为低电平时驱动电流小于 350mA .如果VDD 低于UVLO门槛或温度过大时这个引脚内部会自动拉为低电平 8 8 PHASE I 这个引脚连接了上端MOSFET的源极和下端MOSFET的漏极还为上端MOSFET的栅极提供了返回路径 真值表PIN VDD RISING 160C LGATE UGATE EN/PG 0 0 0 VDD FALLING 3 V AND TJ 1.0 V PWM 1.5 V AND TRISE/TFALL 40 kW FOR 250ns (3-State)(1) 0 0 EN/PG RISING 1.7 V 四、典型电路 1.单相POL调节器 2.互补驱动MOSFET同步整流驱动器 3.多相同步降压转换器 五、注意事项
