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1、（一）建设项目概况1.建设地点及相关背景山西远鑫实业有限公司新建高效晶体硅太阳能光伏电池项目厂址位于阳泉市平定县冠山镇冠庄村西约500m，厂区东为山西阳光发电有限责任公司，西北侧厂界外为亮晶晶砂锅有限公司，西为阳泉煤业(集团)有限责任公司煤矸石综合利用电厂，南侧为山西平定古州中盛煤矿。项目厂址距阳泉市约10公里，距平定县约4公里，距太旧高速公路平定南收费站约5.2公里。本项目为新建项目，2011年3月23，山西省发展和改革委员会以晋发改备【2011】106号文件对“山西远鑫实业有限公司新建高效晶体硅太阳能光伏电池项目”予以备案。面对光伏发电市场需求快速增长的趋势，山西远鑫实业有限公司决定购置单
2、晶炉、电池片生产线、电池组件生产线等设备，实施年产500MW高效晶体硅太阳能光伏电池项目，以形成全产业链生产能力，优化企业产品结构，提升企业综合竞争力，并促进国内光伏产业的快速发展。2.主要建设内容、生产工艺、生产规模、建设周期和投资2.1 主要建设内容项目建设内容主要包括生产车间、公辅设施及环保措施，主要由单晶硅棒拉制车间、单晶硅片处理车间、电池片生产车间、电池组装车间、砂浆处理厂房、动力中心、成品仓库、原料库、危废暂存库、废水综合处理站、综合办公生活区等组成，具体内容见表1。表1 主要建设内容一览表序号工程名称主要建设内容1主体工程单晶硅棒拉制车间2层框架结构，建筑面积31400m2，设有
3、单晶炉及其配套设施500套。2单晶硅片处理车间2层框架结构，建筑面积21800m2，设有各类单晶硅片切割、打磨、抛光及配套设备475台，RAC全自动清洗线32套。3电池片生产车间1层框架结构，建筑面积12200m2，设有干式蚀刻机20套、多管扩散炉8套、链式PECVD镀膜炉及其配套尾气焚烧器16套。4电池组装车间1层框架结构，建筑面积15400m2，设有太阳能电池组装生产线16条。5砂浆处理厂房1层框架结构，建筑面积1700m2。6辅助工程办公、生活区包括：办公室（9层）、食堂会议中心（3层）、专家楼（7层）、职工宿舍（6层）、澡堂、锅炉房等，总建筑面积额为20400m2。7原料库主要储存物为
4、：原辅材料、化学药剂等，1层砖混结构，建筑面积2080m2。8成品仓库主要储存物为：中间产品、成品太阳能电池等，3层框架结构，建筑面积6360m2。9动力中心包括空压机室、冷冻室、水泵房、柴油发动房、消防中心等，建筑面积2240m2。10辅助房包括配电室、特殊气体储存室、高纯水制备站等，建筑面积1280m2。11罐区分别设置原料37%盐酸储罐2个、49%氢氟酸储罐2个、98%硫酸储罐1个、96%硝酸储罐2个；规格全部为10吨，周围设1.2m高的防泄漏围堰。12厂区道路主要进行道路硬化，道路面积56000m2。13公用工程给水工程新鲜水由平定县自来水公司供给，管道从平定县冠山镇现状主管路接入。1
5、5供电工程电源来北暂石变电站，厂区设置一座35kV变电站，再由变电站分别送往各用电场所，设备用发电机保证单晶炉应急冷却水系统的供电。16制冷、供热工程采用中央空调。17动力站冷冻站选用螺杆压缩冷水机组12台，单台制冷量2500KW，每台冷冻机对应一个冷却塔；空压站选用双螺杆空压机7台。18纯水站“RO+EDI+混床”高纯水制备装置，设计能力400 t/h。19环保工程污水综合处理处理站建含氟生产废水处理系统，有机废水处理系统各一套，另建废水深度处理回收系统一套，建筑面积5800m2。20反应设备及生产线废气捕集装置废气处理装置包括HF酸雾洗涤套，酸性气体洗涤塔，有机废气治理措施，含尘废气布袋除
6、尘器，食堂油烟净化器等。21事故水池设置1个容积为2000m3的事故水池。22危废暂存库设置一座3500m3危废暂存库。一般固废储存库设置一座3000m3一般固废储存库23初期雨水收集池设置1个容积为2500m3的初期雨水收集池。24绿化工程主要在办公生活区种植花草绿化美化厂区环境，绿化面积29000m2。2.2 生产工艺与生产规模2.2.1生产规模拟建项目建设规模为500MW/a单晶太阳能电池，主要包括四个生产线：拉制单晶硅棒生产线、单晶硅片切割及处理生产线、电池片生产线和电池组装生产线四条生产线。项目产品为高效率低成本N型单晶硅太阳电池，产品规格为：1W350W。产品规格将根据市场需求情况
7、进行灵活调节，160W350W的组件约占总产量的99%，其中以160W220W的产品为主；其余1%左右为160W以下的组件产品。项目所生产的单晶硅太阳能电池硅片厚约180m，电池效率不低于18.6%。本项目所生产的单晶硅太阳能电池的规格及技术参数见表2。表2 项目所产单晶硅太阳能电池的规格及技术参数型号输出功率范围（W）额定电压（V）外形尺寸及误差（mm）TPA1561563.824.630.48（1560.5）（1560.5）2.2.2 生产工艺2.2.2.1 概述本项目为高效晶体硅太阳能光伏电池生产项目，项目生产工艺主要由拉制单晶硅棒生产线、单晶硅片切割及处理生产线、电池片生产线和电池组装
8、生产线四条生产线组成，具体详见图1。图1 项目生产工艺流程框架2.2.2.2 拉制单晶硅棒生产线拉制单晶硅棒生产线具体工艺过程包括选料、清洗、配料、装料与熔料、熔接、引晶、放肩、转肩、等径生长和收尾等阶段，具体工艺流程如图2所示。（1）原料预处理：对拉制单晶硅棒回收利用的头尾料、埚底料进行预处理，先除去埚底料上粘连的石英，然后用抛丸设备对头尾料和锅底料进行表面处理，该工序产生粉尘和废石英；（2）清洗：该工序主要为除去硅原料表面的杂质，将原料头尾料和埚底料通过以下4步进行清洗：A、用纯水进行清洗；B、用 10%HF溶液进行浸泡腐蚀30min，然后用纯水清洗干净； C、用20%HNO3溶液进行清洗
9、，然后依次通过纯水一级清洗，纯水超声波清洗，纯水二级清洗；D、用3%NaOH碱液进行清洗、然后用纯水清洗干净。清洗完毕的硅料烘干后备用。该工序产生氟化氢、氮氧化物、废氢氟酸洗液、废硝酸洗液、废氢氧化钠洗液以及酸、碱清洗废水；（3）配料：将原料（太阳能级多晶硅、头尾料、埚底料）与单晶搀杂剂（硼硅母合金）按工艺比例配比；（4）装料、熔料：将配好的原料加入石英埚内后，单晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420）以上，将多晶硅原料熔化。该过程初期硅汤与坩埚反应生成的SiO，遇冷炉壁和氩气后会凝结成烟雾状微粒，随着氩气的持续通入，将不再
10、产生。（5）引晶：当硅熔体的温度稳定之后，降下籽晶至离液面35mm距离，使粒晶预热，以减少籽经与熔硅的温度差，然后将籽晶慢慢浸入硅熔体中，虽然籽晶都是采用无位错硅单晶制备的，但是当籽晶插入熔体时，由于受到籽晶与熔硅的温度差所造成的热应力和表面张力的作用会产生位错。因此，在熔接之后应用引细颈工艺，即Dash技术，可以使位错消失，建立起无位错生长状态；（6）放肩：引细颈阶段完成后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小；（7）转肩：晶体生长从直径放大阶段转到等径生长阶段时，需要进行转肩，当放肩直径接近预定目标时，提高拉速，晶体逐渐进入等径生长；（8）等径生长：当晶体基本实现等径生长并
11、达到目标直径时，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分； （9）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期；（10）拆炉：待炉温冷却后，将炉内坩埚及余料取出。该工序产生废石英锅、废石墨锅和废锅底料；（11）断头尾：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出规格要求的部分，并将单晶硅棒制成切片设备可以处理的长度。该工序产
12、生头尾料和清洗废水；（12）分类检测：取样测试氧碳含量及电阻率等技术指标；（13）入库：检验合格后，包装入库。图2 拉制单晶硅棒生产线工艺流程图2.2.2.3 单晶硅片切割及处理生产线单晶硅片切割及处理生产线具体工艺过程包括切方与滚圆、硅棒粘胶、切片、倒角、研磨、抛光、PAC清洗等环节，具体工艺流程如图3所示。图2 拉制单晶硅棒生产线工艺流程图图3 单晶硅片切割及处理生产线工艺流程图（1）切方与滚圆：主要是利用切方机，把单晶硅圆棒切边割成方型，再利用滚圆机把硅棒部分边缘滚成圆型，并在超声波清洗机中将单晶硅方棒清洗干净。该工序产生切割边角料和清洗废水；（3）硅棒粘胶：把硅棒按照要求粘结在玻璃基板
13、上，为切割作准备。该工序产生费粘结剂和有机挥发物；（4）切片：在多线切割机上，以碳化硅和聚乙二醇的混合砂浆为切削液，利用利用高速钢丝线的切割能力，把单晶硅棒切割成200um薄的单晶硅片。该工序产生废砂浆和废硅片；（5）清洗：先用清洗剂对切割后的单晶硅片进行清洗，然后用去纯水对单晶硅片进行冲洗，清洗次数为45次。该工序产生清洗废水；（6）倒角：将切割成的单晶硅片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。该工序产生清洗废水和硅片边角料；（7）研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理
14、的规格。该工序产生废研磨剂；（8）纯水清洗：用纯水对研磨好的单晶硅片进行清洗，该工序产生清洗废水；（9）RCA清洗：RCA称为湿式化学洗净技术，是通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子，具体工艺流程如图4所示：图4 RCA清洗工艺流程图硫酸+双氧水清洗：用20%H2SO4溶液和30%H2O2溶液按1:3配成溶液，该溶液具有很强的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成CO2和H2O。用该溶液清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸洗液；氢氟酸清洗：用10%氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中，同时氢氟酸
15、抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢和废氢氟酸洗液。氢氧化钠+双氧水清洗：用10%NaOH溶液和30%H2O2溶液按1:2配成溶液，温度控制在50，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NaOH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处产生废氢氧化钠废碱液。盐酸+双氧水清洗：由20%HCl溶液和30%H2O2溶液按1:3配成溶液，用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序产生氯化氢和废盐酸洗液。氢氟酸清洗：用10%氢氟酸去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。此过程产生氟化氢和废氢氟酸洗液（
16、10）检验：检测经过研磨、RCA清洗后的硅片的质量，不符合要求的则从新进行研磨和RCA清洗；（11）碱液腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，单晶硅片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除，本工序用10%NaOH对单晶硅片进行腐蚀，浸泡约5-10min。该工序产生废碱洗液；（12）纯水清洗：用纯水对碱液腐蚀好的单晶硅片进行清洗。该工序产生清洗废水；（13）检验：检测经过碱液腐蚀后的硅片的质量，不符合要求的则从新进行碱液腐蚀； （14）抛光：在单片式抛光机上，以SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH混合浆为抛光剂，对单晶硅片进行抛光。抛光分为精抛和粗抛两步，粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量
17、约在1020；精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1以下。该工序产生废抛光剂；（15）纯水清洗：用纯水对抛光好的单晶硅片进行清洗。该工序产生清洗废水；（16）RCA清洗：这里的清洗主要是抛光后的最终清洗，清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源；（17）烘干：由电热恒温箱进行烘干清洗后的硅片；（18）检验：检查硅片是否符合要求，如不符合则从新进行抛光；（19）入库：检验合格后，包装入库。2.2.2.4 电池片生产线电池片生产线具体工艺过程包括硅片腐蚀(制绒)、硅片扩散、去硅玻璃、加减反射膜、丝网印刷、烧结等环节，具体工艺流程如图5所示。图5 电池片生产线工艺流程图（1）单晶硅片腐蚀
18、（制绒）、清洗：利用晶体的各向异性，(111)和(100)面在特定浓度的碱性溶液中的腐蚀速度不同，在单晶硅片上腐蚀出等直角棱锥，以减少入射光的反射。使用3%NaOH与异丙醇的混合溶液腐蚀硅表面形成绒面，反应温度控制在85，反应时间为10min，反应完毕用纯水喷淋清洗硅片表面，使其净化；然后用15%盐酸清洗硅片表面残留的碱性物质及其它表面残留的物质，最后再用纯水对硅片超声波清洗4-5遍。该工序产生碱性有机废气、氯化氢、废盐酸洗液、废氢氧化钠洗液以及酸、碱清洗废水；（2）硅片甩干：清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干，甩干后残留的水分则由电热恒温箱进行烘干；（3）硅片扩散：内通过高温扩散，实现P型或
19、N型原子对硅片掺杂，生成P-N结。项目采用目前最成熟的多管扩散炉用磷扩散的方法来制太阳能电池的PN结。扩散方法采用液态扩散，优点是可以得到较高的表面浓度，适合于高浓度扩散；液态扩散时，用气体将杂质源带到系统中，在一定的温度下，杂质源分解并与硅反应产生杂质原子。磷扩散源用三氯氧磷（POCl3），气流用氮气和氧气。恒温区温度控制在840-930之间，加热时间30-60min。各反应化学式如下： 5POCl3=3PCl5+P2O52P2O5+O2+6Si=4P+6SiO24PCl5+5O2=2P2O5+10Cl24POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2POCl3在高温环境与氧反应，可充分分解为P2
20、O5和氯气，因此在硅片扩散过程中为了促使POCl3充分分解，同时避免副产物PCl5对硅片表面的腐蚀污染，必须在通入氮气的同时，通入一定量的氧气，POCl3分解产生的P2O5沉积在硅片表面，P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。在整个反应过程会有少量的P2O5附着在石英舟和石英架上，定期用纯水对其清洗，生成偏磷酸。（4）周边刻蚀：在扩散时，硅片的正面、背面和周边都形成了PN结，为了减少漏电流、提高效率，要把硅片周边的PN结刻蚀掉。在高频电场的作用下利用四氟化碳、氧气与硅反应形成四氟化硅，把周边的PN结刻蚀掉。其化学反应式为：CF4+S
21、i+O2=SiF4+CO2刻蚀在专门刻蚀机中进行，该过程产生未反应的CF4和颗粒物SiF4；（5）去硅玻璃：在扩散时，硅片的正面形成一层很薄的磷硅玻璃层，为使电池表面颜色均匀一致，正反电极与电池形成良好的欧姆接触。在室温条件下，用10%的氢氟酸把磷硅玻璃腐蚀掉，然后用纯水对硅片超声波清洗4-5遍。该工序产生氟化氢、废氢氟酸洗液和酸性清洗废水；（6）减反射膜沉积：用PECVD等设备在硅片正面沉积减反射膜，增加电池表面的光吸收，并起到表面钝化的作用。PECVD是在高温低压环境下，对注入的氨气和硅烷气体上施加一个射频电场，使气体电离，产生等离子体。高能粒子流碰击到吸附在晶片表面上的反应气体，使反应气
22、体结合键破裂而成为活性物质，这些活性物质反应形成SiN薄膜于晶片表面。加热温度300-500，其化学反应式为：3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2该工序产生硅烷、氢气和未反应的氨气；（7）丝网印刷：单晶硅片背面印刷二次，分别印刷银铝浆、铝浆，正面印刷一次，印刷银浆，一共印刷三次。印刷所用的银铝浆、银浆、铝浆采用松油醇进行调和，背面烘烤二次，正面烘干烧结一次，共三次。铝背场是为了提高少子寿命，提高效率，利用铝和硅形成失配位错，把硅片体内的缺陷吸收到铝背场上来。正反面的栅线收集电子和空穴，形成负载电流。每道印刷后接烘干，烘道采用红外线热源，烘干的同时将银、铝烧结在硅片上。该工序产生非甲烷总烃
23、和废银、铝浆；（8）电池片测试与分选：电池的效率通常按正态分布，在模拟光条件下，把电池的效率分成若干类，以便组装成不同输出功率的电池板。3.2.5 电池组装生产线电池组装生产线具体工艺过程包括电池检测(分片)、正面焊接、背面串接、叠层层压、装边框、焊接接线盒、组件测试、外观检验、包装入库等环节，具体工艺流程如图6所示，装配完毕的太阳能电池结构图如7所示。图7 太阳能电池结构图（1）电池检验：由于电池片制作条件的随机性，生产出来的电池性能不尽相同，所以为了有效的将性能一致或相近的电池组合在一起，所以应根据其性能参数（测试电池的输出电流和电压）进行分类；（2）正面焊接：是将焊带焊接到电池正面（负极
24、）的主栅线上，焊带为镀锡的铜带，焊带的长度约为电池边长的2倍。多出的焊带在背面焊接时与后面的电池片的背面电极相连。该工序产生焊接废气； （3）串焊：是将N张片电池串接在一起形成一个组件串，电池的定位主要靠一个膜具板，操作者使用电烙铁和焊锡丝将单片焊接好的电池的正面电极（负极）焊接到“后面电池”的背面电极（正极）上，这样依次将N张片串接在一起并在组件串的正负极焊接出引线；（4）叠层：串接好且经过检验合格后，将组件串、钢化玻璃和切割好的EVA、背板（TPT）按照一定的层次敷设好，准备层压。玻璃事先涂一层试剂以增加玻璃和EVA的粘接强度。敷设时保证电池串与玻璃等材料的相对位置，调整好电池间的距离，为
25、层压打好基础。（由下向上敷设层次：钢化玻璃、EVA、电池、EVA、背板TPT）。该工序产生清洗废水；（5）中道检验：层压前对层叠好后待压组件进行100%目检，要求：a、钢化玻璃置于层叠台的移动滑板上，位置摆放正确；b、在钢化玻璃上垫的EVA要求超过玻璃边缘至少5mm；c、EVA在玻璃上要求铺垫平整，无明显褶皱；d、在使用层叠台移动电池片至EVA上后检查电池组是否在要求位置上（一般无汇流条的电池片距离玻璃边缘为10mm，有汇流条的边汇流条距离玻璃边缘为10mm）；（6）组件层压：将敷设好的电池放入层压机内，通过抽真空将组件内的空气抽出，然后加热使EVA熔化将电池、玻璃和背板粘接在一起，最后冷却取
26、出组件。固化温度为145 左右，压循环时间约为22分钟；（7）修边：层压时EVA熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边，所以层压完毕应将其切除。该工序产生废EVA；（8）装框：给玻璃组件装铝框，增加组件的强度，进一步的密封电池组件，延长电池的使用寿命。边框和玻璃组件的缝隙用硅酮树脂填充。各边框间用角键连接。该工序产生废硅酮树脂；（9）粘接接线盒：在组件背面引线处粘接一个盒子，以利于电池与其他设备或电池间的连接。该工序产生废粘结剂；（10）组件清洗：好的产品不仅有好的质量和好的性能，而且要有好的外观，所以次工序保证组件清洁度，铝边框边上的毛刺要去掉，确保组件在使用减少对人体的损伤。该工序产生清洗废
27、水；（11）组件测试：分别对组件进行性能测试、热循环试验、机械在和测试、老化测试等等，测试的目的是对电池的输出功率等参数进行标定，确定组件的质量等级。图6 电池组装生产线工艺流程图2.3 建设周期和投资2.3.1建设周期工程建设期21个月。2.3.2项目投资本项目总资金275000万元，资金筹措渠道为：企业自筹资金174740万元，银行贷款100000万元，其他资金260万元。本项目环保投资合计为6030万元，环保投资约占整个项目总投资的2.2%。3.项目选址可行性与政策符合性根据山西省平定县县城总体规划（2008-2020）：本项目拟选厂址位于平定县城总体规划工业聚集区，已有平定古州中天新能
28、源有限公司、山西平定亮晶晶砂锅有限公司、平定华丰陶瓷有限公司等高科技企业入驻，用地性质为平定县城市总体规划的发展储备用地。项目选址符合平定县的总体规划要求。根据中华人民共和国国家发展和改革委员会令第9号产业结构调整指导目录（2011年本），本项目属于该目录中规定的鼓励类第三十八项轻工的18条“先进的各类太阳能光伏电池及高纯晶体硅材料”，所以本项目符合产业政策。（二）建设项目周围环境现状1.建设项目所在地的环境现状（1）环境空气质量现状根据山西省环境监测中心站于2012年2月对“山西远鑫实业有限公司新建高效晶体硅太阳能光伏电池项目”对评价区冠庄、平定县城、宋家庄的环境空气质量进行的现状监测资料，
29、监测结果表明，TSP浓度范围为0.0280.135mg/Nm3之间，所有值均未超过环境空气质量二级标准评价区；PM10浓度范围为0.020-0.094mg/Nm3之间，所有值均未超过环境空气质量二级标准；SO2日均浓度范围为0.0470.096mg/Nm3，所有值均未超过环境空气质量二级标准；NO2浓度变化范围为0.0270.058mg/Nm3之间，所有值均未超过环境空气质量二级标准；氟化物浓度范围为0.455.51g/Nm3之间，所有值均未超过环境空气质量二级标准；非甲烷总烃浓度范围为0.40.5mg/Nm3之间，所有值均未超过大气污染物综合排放标准详解中标准限值要求；HCl浓度值为0.02
30、5mg/Nm3，所有值均未超过工业企业设计卫生标准；氨浓度范围为0.0020.017mg/Nm3之间，所有值均未超过工业企业设计卫生标准；Cl2浓度范围为0.01250.06mg/Nm3之间，所有值均未超过工业企业设计卫生标准，说明当地环境空气质量较好。（2）地表水环境质量现状本次评价根据山西省环境监测中心站2012年2月对南川河两个监测断面进行的现状监测资料，监测结果表明，COD在1#、2#断面均超标，BOD、氨氮在2#断面超标，其他监测因子均未超标，说明该区地表水环境已受到一定程度的污染。分析超标原因，与南川河接纳周边工业企业废水有关。（3）地下水环境质量现状山西省环境监测中心站于2011
31、年11月9-11日对项目评价区4个水井（1#厂址、2#冠庄、3#小冠庄、4#宋家庄）进行了现状监测，监测结果表明：挥发酚在四个监测点位中均超标，总硬度、硫酸盐在小冠庄、宋家庄地下水井中超标，说明项目区的地下水已经受到一定程度的污染，分析超标原因，主要是由周边工业企业排污所致（4）声环境质量现状山西省环境监测中心站于2011年11月22日对项目厂界四周进行噪声现状监测，结果表明：厂界昼间噪声监测值在43.644.7dB（A）之间，夜间噪声监测值在41.642.6dB（A）之间，噪声监测值均达到声环境质量标准（GB3096-2008）中2类、4a类标准要求，表明厂址周围声环境质量良好。2.建设项目
32、环境影响评价范围（1）大气环境影响评价范围以单晶硅片处理车间RCA清洗废气处理设施排气筒为中心，直径为5km的圆形区域，共约19.63km2。（2）地下水评价范围根据本地区地下水径流、补给、排泄等条件的初步分析，评价确定地下水评价范围为：4km2。（3）声环境影响评价范围厂界四周。本项目评价范围见图8。图8 地理位置及监测布点图（三）建设项目环境影响预测及拟采取的主要措施与效果1.建设项目的主要污染情况1.1 污染物产生情况与环保措施1.1.1施工期污染物产生情况与环保措施（1）大气污染本工程施工期间对环境空气影响最大的是施工扬尘，来源于各种无组织排放源。其中场地清理、土方挖掘填埋、混凝土配制
33、、建筑材料运输等工序的产生量较大，原材料堆存、建筑结构施工、设备安装等工序的产生量较小。由于施工污染源为间歇性源并且扬尘点低，只会在近距离内形成局部污染。评价要求建设单位严格按照山西省环境保护厅关于加强建筑施工扬尘排污费核定征收工作的通知（晋环发2010136号）和防治城市扬尘污染技术规范（HJ/T393-2007）的要求，做好大气污染防治措施。（2）噪声污染本项目施工噪声主要为推土机、挖掘机、打桩机、起重机等设备产生的间歇噪声。评价要求建设单位在施工期采用低噪声设备、设备入棚或厂界设置声屏障、加强设备维护、禁止夜间施工等措施降噪。（3）废水施工期间的生产用水主要为混凝土搅拌机，砂浆配制过程用
34、水，路面、土方喷淋水及管道清洗废水等，施工期生产废水的排放主要由设备冲洗及生产中的跑、冒、滴、漏、溢流产生，仅含有少量混砂，不含其它杂质。施工期另一水污染源是施工人员的生活污水。砂浆配制过程浆液溢流物，含固态物较多，随着水分的蒸发，排放不久即凝结成为固状物；环评要求施工场地设一临时沉砂池进行沉淀处理（沉淀池容积大于日排放施工废水量），其上清液次日可用于工程养护和机具清洗，使废水得到综合利用，生活污水收集起来用于洒水抑尘。（4）固体废物施工期产生的固体废物主要为建筑垃圾和施工人员的少量生活垃圾。建筑垃圾主要是废土方、石方、废灰浆、废包装袋等。本项目施工过程中产生的建筑垃圾和施工弃方由施工队采用封
35、闭式渣土运输车运送至闻喜县建筑垃圾场填埋处置，不得随意抛弃、转移和扩散，更不得向周围环境转移。生活垃圾定点堆放，由闻喜县环卫部门统一处理。（5）生态影响施工期对生态环境的影响主要是指地基开挖、土建施工等施工活动对地表结构的改变。由于本工程所选厂址为工业用地，施工不会改变当地的生态环境，对生态环境影响较小，且随着工程建设的结束，绿化系数达20%，可降低工程对生态环境的不利影响。1.1.2运营期污染物产生情况与环保措施（1）、大气污染物产生情况与环保措施I单晶硅棒头尾料和埚底料清理过程的粉尘（G1）：利用抛丸机或角磨机等工具对单晶硅棒头尾料和埚底料表面清理过程产生的粉尘，环评提出“风管+沉降室+布
36、袋除尘器”，每台抛丸机自带沉降室，每两台抛丸机的废气进一台布袋除尘器（设2台），而后经一座20m高的排气筒排放；II硅晶生长过程产生的颗粒物（G4）：石英坩埚会与高温硅熔汤发生反应生成硅氧化物，通过保护气氩气带出炉体，冷凝后形成烟雾状微粒环评要求每台单晶炉配一台真空泵和一个重力沉降箱，每两台重力沉降箱出气进入一台旋风除尘器处理后，再由引风机引入20m高的排气筒排放；III氢氟酸酸洗酸雾（G2、G7、G9、G11、G13、G18）：利用不同浓度的氢氟酸对单晶硅棒头尾料、埚底料和单晶硅片进行腐蚀或清洗过程产生的酸雾，产污工段包括拉制单晶硅棒生产线单晶硅棒头尾料、埚底料清洗工段，单晶硅片切割及处理生
37、产线RCA清洗（湿式化学洗净技术）工段、电池片生产线去硅玻璃工段，采用玻璃钢碱喷淋塔处理废气；IV硝酸酸洗酸雾（G3）：利用20%HNO3溶液对单晶硅棒头尾料、埚底料进行酸洗过程产生的酸雾，采用玻璃钢碱喷淋塔处理废气； V RCA清洗硫酸酸洗酸雾（G6、G10）：单晶硅片切割及处理生产线RCA清洗（湿式化学洗净技术）工段利用20%H2SO4溶液+30%H2O2溶液对单晶硅片进行清洗过程产生的酸雾，采用玻璃钢碱喷淋塔处理废气；VI RCA清洗盐酸酸洗酸雾（G8、G12）：单晶硅片切割及处理生产线RCA清洗（湿式化学洗净技术）工段利用20%HCl溶液+30%H2O2溶液对单晶硅片进行清洗过程产生的
38、酸雾，采用玻璃钢碱喷淋塔处理废气；VII粘结剂挥发物（G5）：单晶硅片切割及处理生产线把硅棒粘结在玻璃基板上的过程中，粘结剂产生的有机挥发物，所有废气进一台“水（溶有絮凝剂）喷淋塔+活性碳纤维筒”处理，最终经20m高的排气筒排放；VIII制绒碱性有机废气（G14）：电池片生产线利用853%NaOH与异丙醇的混合溶液腐蚀硅表面形成绒面所产生的异丙醇，所有废气进一台“水（溶有絮凝剂）喷淋塔+活性碳纤维筒”处理，最终经20m高的排气筒排放；IX 盐酸酸洗酸雾（G15）：利用20%HCl溶液对制绒后电池片进行酸洗过程产生的酸雾，采用玻璃钢碱喷淋塔处理废气；X单晶硅片扩散废气（G16）：电池片生产线单晶
39、硅片扩散反应产生Cl2和颗粒物（P2O5和SiO2 ），采用玻璃钢碱喷淋塔处理废气；XI刻蚀废气（G17）：电池片生产线单晶硅片周边刻蚀反应产生的颗粒物SiF4以及少量未反应的CF4气体，所有废气进一台“水（溶有絮凝剂）喷淋塔+活性碳纤维筒”处理，最终经20m高的排气筒排放；XII PECVD废气（G19）：电池片生产线用PECVD等设备在硅片正面沉积减反射膜产生的H2以及未反应的SiH4和NH3气体；XIII自动太阳能电池丝网印刷系统烘干及太阳能电池烧结炉废气（G20-25）：电池片生产线对单晶硅片印刷银铝浆、铝浆和银浆以及烘烤烧结过程中产生的非甲烷总烃，主要成分为松油醇，所有废气进一台“水
40、（溶有絮凝剂）喷淋塔+活性碳纤维筒”处理，最终经20m高的排气筒排放；（2）、水污染物产生情况与环保措施本项目运营期产生的废水按性质可分为，一般含氟生产废水、浓氟生产废水、酸碱生产废水、有机生产废水和生活废水四类。 一般含氟废水项目运营期产生的含氟废水主要包括拉制单晶硅棒生产线单晶硅棒头尾料和埚底料氢氟酸腐蚀后清洗废水（W2）；单晶硅片切生产线RCA清洗（湿式化学洗净技术）工段利用10%氢氟酸去除硅片表面的氧化膜后的清洗废水（W11、W16、W20、W25）；电池片生产线去硅玻璃后清洗废水（W28），主要污染物为氟化物、pH、悬浮物。 浓氟废水项目运营期产生的浓氟废水主要包括拉制单晶硅棒生产线
41、单晶硅棒头尾料、埚底料氢氟酸和硝酸酸洗酸雾（G2、G3）的废气治理设施碱喷淋塔定期排水；单晶硅片处理车间RCA清洗（湿式化学洗净技术）工段产生的混合酸雾（G6-9、G10-13）的废气治理设施碱喷淋塔定期排水和尿素喷淋塔定期排水；电池片生产线去硅玻璃氢氟酸酸洗酸雾（G18）的废气治理设施碱喷淋塔定期排水。 酸碱废水本项目运营期产生的以酸碱及悬浮物为主要污染的废水（不包括含氟或含有机污染的废水），主要包括拉制单晶硅棒生产线的头尾料和埚底料腐蚀前清洗废水（W1）、头尾料和埚底料硝酸酸洗后清洗废水(W3) 、头尾料和埚底料氢氧化钠碱腐蚀清洗废水(W4)；单晶硅片切割及处理生产线RCA清洗（湿式化学洗
42、净技术）工段酸/碱洗后的清洗废水、氢氧化钠腐蚀后清洗废水（W17）；电池片生产线单晶硅片盐酸酸洗后的清洗废水（W27）、单晶硅片制绒后盐酸酸洗酸雾（G15）的废气治理设施碱喷淋塔的定期排水、硅片扩散反应废气（G16）治理设施碱喷淋塔定期排水、PECVD沉积氮化硅膜反应废气（G19）治理设施PECVD焚烧炉尾气的水喷淋塔定期排水。有机生产废水项目运营期产生的以有机污染为主的生产废水主要包括拉制单晶硅棒生产线的硅棒去头尾冷却冲洗废水（W5）；单晶硅片切割及处理生产线切方和滚圆过程冷却冲洗水（W6）、单晶硅棒切片后清洗废水（W7）、单晶硅片倒角冲洗废水（W8）、单晶硅片研磨清洗废水（W9）、单晶硅片
43、抛光清洗废水（W18）、单晶硅片制绒后清洗废水（W26）、单晶硅片制绒过程碱性有机废气（G14）的废气治理设施水（溶有絮凝剂）喷淋塔的定期排水、单晶硅片周边刻蚀过程废气（G17）的废气治理设施水（溶有絮凝剂）喷淋塔的定期排水、单晶硅片丝网印刷及烧结过程废气（G20-25）的治理设施水（溶有絮凝剂）喷淋塔的定期排水；电池组装生产线的钢化玻璃、背板TPT清洗废水（W29）、组件清洗废水（W30）；车间局部地面及设备的冲洗废水；生活污水。本项目生产废水水质较复杂，可研提出建设综合污水处理站，分类进入综合污水处理站，其中一般含氟生产废水、废氢氟酸洗液、浓氟生产废水经含氟废水处理系统处理后，与有机生产废
44、水、生活废水混合后再由有机废水处理系统处理。预处理后的酸碱生产废水和废酸碱洗液、有机废水处理系统外排水与循环系统外排水经深度处理后，60%回用生产，40%达标外排南川河。（3）、固体废物产生情况与环保措施本项目达产后所产生的固体废弃物根据其性质可分为一般固废、危险固废。针对固体废弃物可研未提出有效的防治措施，环评根据固废的特性分别提出相应的污染防治措施。一般固废锅底料、头尾料、单晶硅边料、废硅片为硅棒加工过程产生的大块废料，所含杂质较简单，且均存在于表面，经过预处理工序处理可作为单晶硅棒拉制的原料回用。废切割石英、废石英锅、废EVA、废石墨坩埚环评要求分类存放于一般固废暂存库，依据情况联系供应
45、商定期回收，均可作为其原材料回收利用；不合格电池片、各除尘器收集的粉尘、废钢线、硅片边角环评要求分类存放于一般固废暂存库，依据情况由收购商定期回收，主要用于多晶硅的提炼，市场情况良好；生活垃圾收集后由平定县环卫部门统一处理。危险固废环评要求废切片砂浆、废研磨剂、废抛光剂、废银浆、废铝浆、废银铝浆、废专利吸附物、废制绒液、废包装材料收集在有盖的金属容器内，金属容器内设防渗漏内衬，分类暂存于厂区北部的危险废物暂存库，定期由供货商回收再利用；含氟废水水处理系统污泥用防漏胶袋承装，废粘结剂、硅酮树脂、废粘合剂、废活性炭收集在有盖的金属容器内，并设防渗漏内衬，废偏磷酸液收集在塑料容器，废机油收集在原机油
46、桶暂存于厂区北部的危险废物暂存库，定期交太原狮头集团废物处置有限公司进行无害化处理。（4）、产噪情况与环保措施主要为机加工设备、抛丸机、水泵等产生的机械噪声，空压机等产生的空气动力噪声，拟选用低噪声设备、采用先进的工艺技术、优化平面布局、设备置于室内、采用隔声、基础减振、绿化降噪等措施。本工程拟采取的污染防治措施和预期治理效果见表4。1.2 污染物产生及排放情况本项目污染物产生及排放情况见表58。表4 本工程拟采取的污染防治措施和预期治理效果分类污染源污染物评价最终规定措施治理效果投资(万元)废气抛丸机粉尘“风管+沉降室+布袋除尘器”20m高排气筒排放，除尘器效率为98%大气污染物综合排放标准（GB16297-1996）表2中二级标准120单晶炉粉尘“沉降室+旋风除尘器”，20m高排气筒排放，除尘器效率为75%950制绒后盐酸酸洗HCl酸雾“玻璃钢碱喷淋塔”，喷淋液为15-2
