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1、第1章 半导体器件习题,1.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特点。,2.N型半导体是在本征半导体中掺入_价元素，其多数载流子是_，少数载流子是_。,4.在室温附近，温度升高，杂志半导体中_的浓度将明显增加。,5.什么是载流子的扩散运动、漂流运动？他们的大小主要与什么有关？,3.型半导体是在本征半导体中掺入_价元素，其多数载流子是_，少数载流子是_。,return,.在室温下，对于掺入相同数量杂质的型、N型半导体，其导电能力_。（）二者相同；（）型导电能力强；（）型导电能力强；,.PN结是如何形成的？在热平衡下，PN结中有无净电流流过？,8.PN结中扩散电流的方向是_，漂移电流的方向
2、是_。,9.PN结未加外部电压时，扩散电流_漂移电流；加正向电压时，扩散电流_漂移电流，其耗尽层_；加反向电压时，扩散电流_漂移电流,其耗尽层_；,10.什么是PN结的击穿现象？击穿有哪两种？击穿是否意味PN结坏了？为什么？,11.什么是PN结的电容效应？何谓势垒电容、扩散电容。PN 结正向运用时，主要考虑什么电容？反向运用时，主要考虑何种电容？,12.二极管的直流电阻RD和交流电阻rd有何不同？如何在伏安特性上表示？,return,14.稳压二极管是利用二极管的特性进行稳压的。（a）正向导通；（b）反向截止；（c）反向击穿,return,return,18.为了使三极管能有效地起放大作用,要
3、求三极管的发射区掺杂浓度；基区宽度；集电结结面积比发射结结面积,其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用(即三极管反接),能否起放大作用?,19.三极管工作放大区时,发射接结为,集电结为；工作在饱和区时，发射结_,集电结_；工作在截止区时，发射结为_，集电结为_。(a)正向偏置,(b)反向偏置,(c)零偏置,20.工作在放大区的某三极管，当IB从20A增大40A到时，IC从1mA变成2mA。它的约为。(50,100,200),21.工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是,流过集电结的电流主要是。(a)扩散电流,(b)漂移电流,22.当温度升高时,三极管的,反向饱和电流ICBO
4、,UBE _。,return,23.某三极管,其=0.98,当发射极电流为2mA时,基极电流是多少?该管的为多大?另一只三极管,其=100,当发射极电流为5mA时,基极电流是多少?该管的为多大?,24.三极管的安全工作区受到哪些极限参数的限制?使用时,如果超过某项极限参数,试分别说明将会产生什么结果.,25.放大电路中两个三极管的两个电极电流如图所示.(1)求另一个电极电流,并在图上标出实际方向.(2)判断它们各是NPN还是PNP型管,标出e、b、c极。(3)估算它们 和的值.,(),return,26.放大电路中，测得几个三极管的三个电极电压U1、U2、U3分别为下列各组数值，判断它们是NP
5、N型还是PNP型，是硅管还是锗管，并确定e、b、c。（1）U1=3.3V U2=2.6V U3=15V（2）U1=3.2V U2=3V U3=15V（3）U1=6.5V U2=14.3V U3=15V（4）U1=8V U2=14.8V U3=15V,27.用万用表测量某些三极管的管压降为下列几组值,说明每个管子是NPN型还是PNP型,是硅管还是锗管,并说明它们工作在什么区域.（1）UBE=0.7V,UCE=0.3V（5）UBE=-0.2V,UCE=-0.3V（2）UBE=0.7V,UCE=4V（6）UBE=-0.2V,UCE=-4V（3）UBE=0V,UCE=4V（7）UBE=0V,UCE=-
6、4V,return,28.电路如图所示,已知三极管为硅管,UBE=0.7V，=50，ICBO可不计,若IC=2mA希望,试求(a)图Re和（b）图Rb的值,并将二者进行比较。,return,29.场效应管又称为单极性管,因为_;半导体三极管又称为双极性管,因为_。,30.半导体三极管通过基极电流控制输出电流,所以属于_控制器件，其输入电阻_;场效应管通过控制栅极电极,控制输出电流,所以属于_控制器件,其输入电阻_。,31.简述N沟道结型场效应管的工作原理.,32.简述绝缘栅N沟道增强型场效应管的工作原理.,33.绝缘栅N沟道增强型与耗尽型场效应管有何不同?,34.场效应管的转移特性曲线如图所示
7、,试表出管子的类型(N沟道还是P沟道,增强型还是耗尽型,结型还是绝缘型),0,(a),-Up,0,uGS,iD,(b),IDSS,return,35.已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UP=-4V画出它的转移特性曲线.,36.已知某MOS场效应观的输出特性如图所示,分别画出时的转移特性曲线.,return,return,37.场效应管放大电路及管子转移特性如图所示.(1)计算静态工作点参数IDQ、UGSQ、UDSQ。(2)若静态工作点处跨导gm=2mA/V,计算Au、ri、ro。,38.源极跟随器电路如图所示,设场效应管参数UP=-2V，IDSS=1mA(1)用解析法确定静态工作点ID
8、、UGS、UDS及工作点跨导(2)计算Au、ri、ro。,12K,39.由场效应管及三极管组成两级放大电路如图所示,场效应管参数为IDSS=2mA，gm=1mA/V;三极管参数rbb=86，=80(1)估算电路的静态工作点(2)计算该两级放大电路的电压放大倍数Au及输入电阻ro和输出电阻ri,第1章 半导体器件习题答案（部分）,2.五、电子、空穴,3.三、空穴、电子,4.少子,6.（a）,7无,9等于、大于、变窄、小于、变宽。,return,14.（c）,15.,uo,uo,16.,17.（a）Uo=+6V（b）Uo=-6V,18.高、窄、大,19.（a）、（b）；（a）、（a）；（b）、（b）。,20.,21.（a）、（b）,22.增大、增大、减小,return,return,26.（1）NPN 硅 b、e、c（2）NPN 锗 b、e、c（3）PNP 硅 c、b、e（4）PNP 锗 c、b、e,27.（1）NPN 硅 饱和（2）NPN 硅 放大（3）NPN 硅 截止（4）PNP 锗 饱和（5）PNP 锗 放大（6）PNP 锗 截止,28.（a）UBE+IERe-6=0 Re=2.65k（b）IBRb+UBE=6 Rb=132.5k,
