紫金学院传感器原理设计与应用考试内容（完整版）.doc

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1、传感器原理设计与应用考试内容首先课后作业类型题要会做！（斜体字迹部分未给出答案）第一章：传感器概论传感器的定义； 能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用信号的器件或装置传感器的组成，各组成部分的作用；传感器=敏感元件+转换元件（+信号调节电路）敏感元件：传感器中能直接感受被测量的部分。转换元件：传感器中能将敏感元件输出量转换为适于传输和测量的电信号部分。信号调节与转换电路：能把传感元件输出的电信号转换为便于显示、记录、处理、和控制的有用电信号的电路。常用的电路有电桥、放大器、变阻器、振荡器等。辅助电路通常包括电源等。传感器分类：有源、无源 有源传感器（能量转换型传感器） 能将非电量直接转

2、换成电信号，所以有时被称为“换能器”。如压电式，热电式，磁电式等。有源 无源传感器（能量控制型传感器） 自身无能量转换装置，被测量仅能在传感器中起能量控制作用，必须有辅助电源供给电能。无源式传感器常用电桥和谐振电路等电路来测量。如电阻式，电容式，和电感式等。无源第二章：传感器的一般特性分析传感器的一般特性包括哪两种？各自的含义是什么（什么是静态特性，什么是动态特性）？ 对应的特性指标有哪些？两种特性：静态特性、动态特性静态特性：指在静态信号的作用下，描述传感器的输入、输出之间的一种关系。 静态特性指标：迟滞（对于同一大小的输入信号x，在x连续增大的行程中，对应于某一输出量为yi，在x连续减小的

3、过程中，对应于输出量为yd，yi和yd二者不相等，这种现象称为迟滞现象。迟滞特性能表明传感器在正向输入量增大行程和反向输入量减小行程期间，输入输出特性曲线不重合的程度）、线性度（传感器实际的输出输入关系曲线偏离拟合直线的程度，称为传感器的线性度或非线性误差）、灵敏度（Sn=输出变化量/输入变化量，注意单位）、重复性、分辨力、精度、稳定性、漂移、阈值静态特性的各指标【重点掌握迟滞，线性度（非线性误差），灵敏度】的概念； 动态特性：输入量随时间变化时传感器的响应特性。 动态特性指标：通常从时域和频域两方面采用瞬态响应法和频率响应法来分析传感器的动态特性一阶传感器的阶跃响应特性：包括单位阶跃响应输出

4、；一阶传感器的单位阶跃响应信号为二阶传感器的频率响应特性（幅频特性、相频特性）；其幅频特性、 相频特性分别为时间常数、固有角频率和阻尼比的取值与阶跃响应及频率响应之间的关系，传感器一般的工作范围；静态灵敏度固有角频率阻尼比一阶传感器的时域动态性能指标；时间常数：一阶传感器输出上升到稳态值的63.2%所需的时间，称为时间常数。延迟时间td：传感器输出达到稳态值的50%所需的时间。上升时间tr： 对有振荡的传感器，它是指从零上升到第一次达到稳态值所需的时间。对无振荡的传感器，它是指从稳态值的10%到90%。第三章：电阻应变式传感器金属应变片和半导体应变片是根据什么效应工作的？各自效应的定义？金属应

5、变片：应变效应（在导体产生机械变形时，它的电阻值相应发生变化）半导体应变片：压阻效应（所谓压阻效应，是指半导体材料在某一轴向受外力作用时, 其电阻率发生变化的现象）轴向应变，径向应变和泊松系数的含义以及它们之间的关系；当电阻丝受到拉力F作用时, 将伸长dL, 横截面积相应减小dS, 电阻率将因晶格发生变形等因素而改变d, 故引起电阻值相对变化量为式中dL/L是长度相对变化量, 用轴向应变x表示 。x： dL/L轴向应变dS/S为圆形电阻丝的截面积相对变化量, 即 。y： dr/r 径向应变由材料力学可知, 在弹性范围内, 金属丝受拉力时, 沿轴向伸长, 沿径向缩短, 那么轴向应变x和径向应变y

6、的关系可表示为式中: 电阻丝材料的泊松系数, 负号表示应变方向相反。电阻应变特性：；什么是应变片的灵敏系数（包括哪两方面的内容）？它和电阻丝的灵敏系数有何不同，为什么？通常把金属丝产生单位变形所引起的电阻值相对变化量称为电阻丝的灵敏度系数Ks。其表达式为金属丝受力后主要引起两个方面的变化： 材料几何尺寸变化（1+2）； 材料电阻率的变化（d/）/大量实验证明, 在金属丝拉伸极限内, 电阻的相对变化与应变成正比, 即Ks为常数。故有：Ks1+2金属丝应变效应表示式：当金属丝做成敏感栅后，实验表明应变片同样有它和电阻丝的灵敏系数有何不同，为什么？什么是横向效应？怎样减小横向效应？采用箔式应变片的优

7、点？将直的电阻丝绕成敏感栅后，虽然长度不变，但由于应变状态不同,应变片敏感栅的电阻变化较小，因而其灵敏系数K较电阻丝的灵敏系数Ks小，这种现象称为应变片的横向效应。减小横向效应误差的措施：一般采用箔式应变片。直流电桥的平衡条件：其相邻两臂电阻的比值应相等，或相对两臂电阻的乘积应相等。应变片传感器的测量电桥（直流电桥）按应变片的工作方式和数量的不同，一般有哪几种类型？1/4桥，半桥和全桥会标出应变片的极性，对于1/4桥，半桥和全桥要知道输出电压表达式，知道各自电压灵敏度；哪几种电桥具有温度补偿作用和非线性补偿作用? 半桥和全桥当桥臂比n为多少时，直流电桥的电压灵敏度最高？N=1第四章：电容式传感

8、器电容式传感器的工作原理与分类（电容的表达式是最基本的）。A极板相对覆盖面积； d极板间距离；r相对介电常数；0真空介电常数； 电容极板间介质的介电常数通常保持其中两个参数不变，而只变其中一个参数，把该参数的变化转换成电容量的变化，通过测量电路转换为电量输出，此即电容式传感器的原理。每种类型各有什么特点？各适用于什么场合（根据输入与输出之间的关系：哪个是线性，哪个是非线性）？变极距( d )型：变极距型电容式传感器只有在d/d0很小时, 才有近似的线性输出。(1)要提高灵敏度，可用减少初始极距d0的办法。(2)非线性随着相对位移d的增加而增加，为保证线性度应限制相对位移(3)起始极距与灵敏度、

9、非线性误差相矛盾，适合测量小位移。(4)在实际应用中，为了提高灵敏度，减小非线性，大都采用差动式电容结构。变面积型( A )型：结论：输出特性呈线性。因而其量程不受线性范围限制，适合测量较大的直线位移和角位移。变面积式电容传感器灵敏度S为常数。变介电常数()型：电容的变化与电介质r2的移动量L呈线性关系。上述原理可用于非导电流散材料的物位测量。变极距型电容式传感器的非线性及灵敏度的表达式？g=7云母的相对介电常数1=1空气的相对介电常数d1空气隙厚度 dg云母片的厚度故灵敏度S可表示为其非线性误差可表示为如何改善单极式变极距型电容式传感器的非线性，提高灵敏度？提高灵敏度，减小非线性，大都采用差

10、动式电容结构。对于变极距型电容式传感器，加入云母片对于灵敏度和非线性误差有什么影响？云母片的插入对灵敏度的影响：云母片击穿电压不小于1000 kV/mm，而空气仅为3 kV/mm。因此有了云母片，极板间起始距离d1可大大减小，可知传感器的灵敏度能大大提高。云母片的插入对非线性误差的影响：设无云母片时极板间距为d0，其非线性误差为d/d0；插入厚度为dg的云母片时，有d0=d1+dg。此时非线性误差为d/(d1+dg/g)，由于g=71故(d1+dg/g)(d1+dg)=d0，则对同样的d，其非线性误差将增加，线性度将变坏。测量电路：双T形电路、电桥电路、运算放大器的工作原理；二极管双T形交流电

11、桥电路原理图。e是高频电源，它提供了幅值为E的对称方波VD1、VD2为特性完全相同的两只二极管固定电阻R1=R2=RC1、C2为传感器的两个差动电容 传感器电桥测量电路运算放大器式电路（完全解决非线性误差）运算放大器的电路原理图。图中Cx为电容式传感器电容；Ui是交流电源电压；Uo是输出信号电压；是虚地点。图4.3.1 运算放大器式电路原理图第五章：电感式传感器变气隙式自感传感器的电感值的表达式；W线圈的匝数； 0空气的磁导率；S0气隙的截面积；气隙的厚度。差动变压器式互感传感器和电涡流传感器的工作原理；变隙式差动变压器工作原理：在A、B两个铁芯上绕有W1a=W1b=W1的两个初级绕组和W2a

12、=W2b=W2两个次级绕组。两个初级绕组的同名端顺向串联， 而两个次级绕组的同名端则反向串联。 电涡流传感器的工作原理：由传感器线圈和被测导体组成线圈导体系统。根据法拉第定律，当传感器线圈通以正弦交变电流I1时，线圈周围空间必然产生正弦交变磁场H1，使置于此磁场中的金属导体中感应电涡流I2，I2又产生新的交变磁场H2。根据楞次定律，H2的作用将反作用于原磁场H1，导致传感器线圈的等效阻抗发生变化。零点残余电压产生的原因是什么？怎样减小和消除它的影响？ 零点残余误差产生的原因：传感器的两个次级绕组的电气参数与几何尺寸不对称，导致它们产生的感应电动势幅值不等、相位不同，构成了零点残余电压的基波；由

13、于磁性材料磁化曲线的非线性（磁饱和、磁滞），产生了零点残余电压的高次谐波（主要是三次谐波）；励磁电压本身含高次谐波。消除零点残余电压一般可用以下方法：(1)从设计和工艺上尽量保证结构对称性。尽可能保证传感器的几何尺寸、绕组线圈电气参数和磁路的对称；(2)选用合适的测量线路。采用相敏检波电路不仅可以鉴别铁芯移动方向，而且可以消除零点残余电压中的高次谐波成分。差动整流电路和相敏检波电路的作用； 差动整流电路这种电路是把差动变压器的两个次级输出电压分别整流, 然后将整流的电压或电流的差值作为输出。下图给出了几种典型电路形式。 图中(a)、(c)适用于交流负载阻抗,(b)、(d)适用于低负载阻抗, 电

14、阻R0用于调整零点残余电压。差动整流电路（a） 半波电压输出； （b） 半波电流输出相敏检波电路*相敏检波电路如图所示。图中VD1、VD2、VD3、VD4为四个性能相同的二极管，以同一方向串联接成一个闭合回路，形成环形电桥。输入信号u2通过变压器T1加到环形电桥的一个对角线上。参考信号us通过变压器T2加到环形电桥的另一个对角线上。 输出信号uo从变压器T1与T2的中心抽头引出。电涡流式传感器能够测量哪些物理量？电涡流传感器的测量对象材料是什么？物理量：电阻率、磁导率以及几何形状材料：金属导体什么叫电涡流效应?电涡流的形成范围包括哪些内容，其中贯穿深度的定义式一定要知道；电涡流效应：电涡流的径

15、向形成范围电涡流密度既是线圈与导体间距离x的函数，又是沿线圈半径r的函数，即J=J(x,r)。当x一定时，电涡流密度J与半径r的关系曲线如图中所示。图中J0为金属导体表面电涡流密度最大值。Jr为半径r处的金属导体表面电涡流密度。1 电涡流线圈2 等效短路环3 电涡流密度分布图 电涡流密度J与半径r的关系曲线 由图可知： 电涡流径向形成的范围大约在传感器线圈外径ras的0.51.5 倍范围内, 且分布不均匀。 电涡流密度在短路环半径r=0处为零。 电涡流的最大值在r=ras附近的一个狭窄区域内。 可以用一个平均半径为ras（ras=（ri+ra）/2）的短路环来集中表示分散的电涡流（图中阴影部分

16、）。贯穿深度的定义式其中0真空磁导率，r相对磁导率，电阻率，f线圈激磁电流的频率电涡流传感器进行高频反射和低频透射的测量原理如何？ 低频透射如果将被测金属板放入两线圈之间，则L1线圈产生的磁场将导致在金属板中产生电涡流，并将贯穿金属板。此时磁场能量受到损耗，使到达L2的磁通将减弱为1，从而使L2产生的感应电压U0下降。图 透射式涡流厚度传感器结构原理图 高频反射原理在带材的上、下两侧对称设置两个特性完全相同的涡流传感器S1和S2。S1和S2与被测带材表面之间的距离分别为x1和x2。分析S1：高频信号施加于电感线圈S1上，线圈产生的高频电磁场作用于金属板的上表面。由于趋肤效应，高频电磁场不能透过

17、具有一定厚度的金属板，而仅作用于上表面的薄层内。金属板上表面感应的涡流所产生的电磁场反作用于线圈，使其电感量发生变化，而该电感量与距离x1有关。测出电感即可得距离x1。同理可得下面的线圈S2与被侧件下表面的距离x2。若带材厚度不变，则被测带材上、下表面之间的距离总有x1+x2=常数的关系存在，两传感器的输出电压之和为2Uo，数值不变。如果被测带材厚度改变量为，则两传感器与带材之间的距离也改变一个，两传感器输出电压此时为2UoU。U经放大器放大后，通过指示仪表即可指示出带材的厚度变化值。带材厚度给定值与偏差指示值的代数和就是被测带材的厚度。 第六章：压电式传感器石英晶体和压电陶瓷的原理，稳定性和

18、灵敏度之间的区别？1、 英晶体本身就具有压电特性；而压电陶瓷本身是非压电物质，极化后的压电陶瓷，当受外力变形后，由于剩余极化强度的变化而产生电荷；2、 石英的优点是它的介电和压电常数的温度稳定性好，适合做工作温度范围很宽的传感器。压电陶瓷的压电系数是石英的几十倍甚至几百倍，灵敏度高，但稳定性不如石英好，居里点也低。什么是正压电效应，什么是逆压电效应？某些物质沿其一定的方向施加压力或拉力时，随着形变的产生，会在其某两个相对的表面产生符号相反的电荷(表面电荷的极性与拉、压有关)，当外力去掉形变消失后，又重新回到不带电的状态，这种现象称为“正压电效应” 机械能转变为电能；在极化方向上（产生电荷的两个

19、表面）施加电场，它又会产生机械形变，这种现象称为“逆压电效应”电能转变为机械能。压电方程定义式，压电方程中压电常数的下标代表的含义？qi=di j 或 Q=dijF 下角标i表示晶体的极化方向。下角标j=1，2，3，4，5，6，分别表示沿x轴、y轴、z轴方向的单向应力和在垂直于x轴、y轴、z轴的平面 (即yz平面、zx平面、xy平面)内作用的剪切力。 什么是光轴，电轴，机械轴？纵向轴z称为光轴平行于六面体棱线并垂直于光轴的x称为电轴与x和z轴同时垂直的轴y称为机械轴。什么是纵向压电效应，横向压电效应？通常把沿电轴x方向的力作用下产生电荷的压电效应称为“纵向压电效应”。把沿机械轴y方向的力作用下

20、产生电荷的压电效应称为“横向压电效应”。压电式传感器为什么只适用于动态测量？压电片的串、并联的输出电荷，电容，电压之间有什么区别？各种接法适用于什么场合？并联： C并=2C，Q并=2Q ，U并=U 并联接法输出电荷大，本身电容大，时间常数大，适宜用在测量慢变信号并且以电荷作为输出量的场合。串联： C串=C/2，Q串=Q，U串=2U 串联接法输出电压大，本身电容小，适宜用于以电压作输出信号，并且测量电路输入阻抗很高的场合压电式传感器的理想等效电路有哪两种？电荷等效电路电压等效电路压电传感器的测量电路为什么要接入前置放大器，它的作用是什么？有哪两种形式？压电传感器本身的内阻抗很高，而输出能量较小，

21、因此它的测量电路通常需要接入一个高输入阻抗前置放大器。作用：1、一是阻抗变换（把压电式传感器的高输出阻抗变换成低阻抗输出）2、是放大传感器输出的微弱信号。两种形式：1、电压放大器2、电荷放大器两种放大器各有何特点？书P141第七章：磁电式传感器什么是霍尔效应？ 置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势，半导体薄片称霍尔元件。 霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。霍尔电势的大小和哪些因素相关？UH为电位差,b为两点间沿电场线方向的距离eEH内电场力=eBv 路伦次力

22、霍尔电势公式？霍尔效应产生的原因？霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。为什么霍尔元件会存在不等位电压和温度误差？怎样从电路上采取措施加以补偿？具体补偿方法要清楚。不等位电势当霍尔元件的激励电流为I时，若元件所处位置磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称为不等位电势原因： 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上； 半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀； 激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。补偿办法：（1）工艺上保证电极对称（2）电路补偿（由于不等位电势与不等位电阻是一致的, 可以采用分析电阻的方法来找到不等位电

23、势的补偿方法）温度误差：1、霍尔元件的基片是半导体材料，因而对温度的变化很敏感。其中载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。2、 当温度变化时，霍尔元件的一些特性参数，如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化，从而使霍尔式传感器产生温度误差。 3、 补偿：选用温度系数小的元件 采用恒温措施 采用电路补偿（1）、恒流源温度补偿（2）、负载电阻（3）、热敏元件第八章：热电式传感器什么是热电偶？温度量转换为电势大小,由两种不同材料的导体或半导体构成的能测 温的装置称为热电偶，导体A、B称为热电极。什么是热电阻？根据电阻和温度之间的函数关系，利用感温电阻把测量温度转化成测量电阻的

24、温度敏感元件。铂热电阻和铜热电阻 热电偶工作的基本条件是什么?两种不同的金属组成的闭合回路热电偶测温原理：热点效应热电偶的基本定律有哪些，定律的内容及作用是什么？1、 均质导体定律：热电偶回路中的两个热电极材料相同，无论两接点的温度如何，热电动势均为零；反之，如果有热电动势产生，两个热电极的材料则一定是不同的。作用：检验两个热电极材料的成分是否相同(称为同名极检验法)，也可以检查热电极材料的均匀性。2、 中间导体定律：在热电偶测温回路内，接入第三种导体时，只要第三种导体的两端温度相同，且插入导体为均质的，则对回路的总热电势没有影响。作用：总热电势等于各接点的接触电势之和3、 中间温度定律：EA

25、B(T,Tc,T0)= EAB(T,Tc)+ EAB(Tc,T0)作用：可对参考端温度不为0的热电势进行修正。4、 标准导体（电极）定律：只要测得它与各种金属组成的热电偶的热电动势，则各种金属间相互组合成热电偶的热电动势就可根据标准电极定律计算出来。在实际应用中为什么要对热电偶进行温度补偿?冷端温度随着环境温度的变化而变化主要有哪些补偿方法?尤其是电桥补偿法的原理要明白；1、 热电偶补偿导线 2、 冷端0恒温法3、 冷端温度修正法 （1） 热电势修正法（2） 冷端温度修正法 4、 冷端温度自动补偿法（电桥补偿法）利用不平衡电桥产生的不平衡电压Uab作为补偿信号，来自动补偿热电偶测量过程中因冷端

26、温度不为0或变化而引起热电势的变化值。会利用分度表及插值法结合相关基本定律进行实际温度的测量；热电阻的特性方程；R100，Pt10，Cu50等数字所代表的含义；纯度的表达式；热电阻的特性方程：Rt = R0 1+(t-t0)R100：100摄氏度的电阻值数字所代表的含义：0摄氏度下的电阻值铂的纯度常用W(100)来表示。 热电阻的内部引线方式以及各方式的特点；二线制：适于引线不长、测温精度要求较低的场合；方式简单、费用低，但是引线电阻以及引线电阻的变化会带来附加误差。三线制：减小热电阻与测量仪表之间连接导线的电阻因环境温度变化所引起的测量误差。四线制：可以完全消除引线电阻对测量的影响，用于高精

27、度温度检测，实验室用。热敏电阻的三种类型、它们的特点及应用范围；负电阻温度系数热敏电阻（NTC）：很高的负电阻温度系数，温度越高，阻值越小，且有明显的非线性。特别适用于100-300之间测温。正电阻温度系数热敏电阻（PTC）：阻值随温度升高而增大，且有斜率最大的区域，当温度超过某一数值时，其电阻值朝正的方向快速变化。其用途主要是彩电消磁，各种电器设备的过热保护，也可以作为限流元件使用。临界温度特性的热敏电阻（CTR）：具有负温度系数，但在某个温度范围内电阻值急剧下降，曲线斜率在此区段特别陡，灵敏度极高。主要用作温度开关。第九章：光电式传感器光电式传感器的物理基础是什么？光电效应光电效应分为哪两

28、种（详细的说是三种），各自含义和与之对应的光电元件；各种典型光电器件的原理；1、 外光电效应：光线照射在某些物体上，而使电子从这些物体表面逸出的现象称为外光电效应，也称光电子发射。外光电效应中逸出的电子称为光电子。真空或充气的光电器件：光电管和光电倍增管。光电管：当光电阴极受到适当波长的光线照射时发射光电子，在中央带正电的阳极吸引下，光电子在光电管内形成电子流，在外电路中便产生电流I。光电倍增管：1、使用时在各个倍增电极上均加上电压。由于相邻两个倍增电极之间有电位差，因此存在加速电场，对电子加速。2、从阴极发出的光电子，在电场的加速下，打到第一个倍增电极上，引起二次电子发射。每个电子能从这个倍

29、增电极上打出36倍个次级电子；2、 内光电效应：当光照射在物体上，使物体的电阻率发生变化或产生光生电动势的效应叫做内光电效应。光敏电阻和光电池、光敏晶体管光敏电阻：一种用光电导材料制成的没有极性的光电元件，也称光导管。由于光敏电阻没有极性，工作时可加直流偏压或交流电压。纯电阻器件，具有很高的光电灵敏度。工作原理：无光照时暗电阻值很大，I很小。受到一定范围的光照时，亮电阻急剧减小I迅速增大。光敏晶体管：1、二极管：反向工作。没有光照时：反向电阻很大，电路中仅有反向饱和漏电流（暗电流）当有光照：产生光生电子-空穴对，使少数载流子浓度大大增加，因此，通过PN结的反向电流也随之增加，形成光电流，2、三

30、极管：当无光照时，因管集电结反偏，集电极与基极间有反向饱和电流Icbo（暗电流），当有光照，产生光生电子-空穴对，使其集电结反向饱和电流大大增加，光电流；该电流流入发射结进行放大成为集电极与发射极间电流，即为光敏三极管的光电流，它将光敏二极管的光电流放大(1+b)倍，灵敏度高、光电池：光生伏特效应将光能直接转变成电能的器件， 光电器件灵敏度的定义：光照特性曲线的斜率(光电流与入射光光通量之比)称为光电管的灵敏度。也就是对一定波长入射光的光子射到物体表面上，该表面所发射的光电子平均数，称为量子效率，用百分数表示，它直接反映物体对这种波长的光的光电效应的灵敏度。爱因斯坦光电效应方程的定义和涵义；光

31、子能量一部分用作电子逸出物体表面所需要的逸出功A0，另一部分变成电子的初动能。即爱因斯坦光电效应方程：各种特性的定义（光照特性、光谱特性、伏安特性等等）1、光电管的特性：光照特性：通常指当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时，光通量与光电流之间的关系。伏安持性：在一定的光照射下，对光电器件的阳极所加电压与阳极所产生的电流之间的关系称为光电管的伏安持性。 光谱特性：同一光电管对于不同频率的光的灵敏度不同，这就是光电管的光谱特性，用量子效率表示2、光敏电阻的特性：伏安特性：在一定照度下，光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系光照特性：光敏电阻的光电流与光通量之间的关系光谱特性：表征光敏电阻对不同

32、波长的光其灵敏度不同的性质。响应时间：光敏电阻在照射光强变化时，由于光电导的弛豫现象，其电阻的变化在时间上有一定的滞后频率特性：光敏电阻上升和下降时间的长短，表示其对动态光信号响应的快慢光照一定的条件下，光敏电阻的暗阻阻值和灵敏度随温度的升高而下降。3、 光敏晶体管的特性：光谱特性：入射光照度一定时，光敏晶体管的相对灵敏度随光波波长的变化而变化，一种光敏晶体管只对一定波长范围的入射光敏感伏安特性:光敏管在一定光照下，其端电压与器件中电流光照特性：在端电压一定条件下，光敏管的光电流与光照度的关系，温度特性：在端电压和光照度一定条件下，光敏管的暗电流及光电流与温度的关系频率特性：光敏晶体管受调制光照射时，相对灵敏度与调制频光电池的光照特性、温度特性；光电池作为电流源还是电压源的应用场合；光照特性：光电池在不同照度下，其光电流和光生电动势是不同的。温度特性：光电池的温度特性是指其开路电压和短路电流随温度变化的关系。图中所示是硅光电池在1000lx照度下的温度特性曲线。电流源：控制元件电压源：电源