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1、模拟电子技术单选一填空题。 1. N型半导体中多数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是 B 。 A自由电子 B空穴 2. N型半导体 C ；P型半导体 C 。 A带正电 B带负电 C呈电中性 3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 B ，而少子的浓度则受 A 的影响很大。 A温度 B掺杂浓度 C掺杂工艺 D晶体缺陷 4. PN结中扩散电流方向是 A ；漂移电流方向是 B 。 A从P区到N区 B从N区到P区 5. 当PN结未加外部电压时，扩散电流 C 飘移电流。 A大于 B小于 C等于 6. 当PN结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN结外加反向电压时，扩散电流
2、B 漂移电流，耗尽层 D 。 A大于 B小于 C等于 D变宽 E变窄 F不变 7. 二极管的正向电阻 B ，反向电阻 A 。 A大 B小 8. 当温度升高时，二极管的正向电压 B ，反向电流 A 。 A增大 B减小 C基本不变 9. 稳压管的稳压区是其工作在 C 状态。 A正向导通 B反向截止 C反向击穿 1. 晶体管能够实现放大的内部结构条件是 ( D )。 A.两个背靠背的PN结 B.空穴和电子都参与了导电 C.有三个掺杂浓度不一样的域 D.发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大 2. 晶体管能够实现放大的外部条件是 ( B )。 A.发射结正偏，集电结正偏
3、B.发射结正偏，集电结反偏 C.发射结反偏，集电结正偏 D.发射结反偏，集电结反偏 3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的为( A )。 A.60 B.61 C.100 D.50 4. 射极输出器的特点是( C )。 &l，输入电阻小，输出电阻大 B.A&1，输入电阻大，输出电阻小 A.Auu&1且A& & l，输入电阻小，输出电阻 C.Al，输入电阻大，输出电阻小 D.Auuu大 5. 有两个放大电路A1和A2分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时，A1和A2输出电压相同。而接入相同的负载电阻后，Uo1Uo2。由此可知，A1比A2的。 A
4、.输出电阻大 B.输出电阻小 C.输入电阻大 D.输入电阻小 6. 在图T2.2.6所示NPN管放大偏置电路中，若VCC增加，则IB。 A.几乎不变 B.略有减小 C.略有增大 D.无法判定 IE RB VBBIC VCCAIB VCC 图T2.2.6 图T2.2.7 7. 图T2.2.7中微安表测得的电流是。 A.穿透电流ICEO B.集电结反向饱和电流 C.集电极最大允许电流 D.工作点电流 8. 关于晶体管特性曲线的用途，下述说法中的不正确。 A.判断晶体管的质量 B.估算晶体管的一些参数 C.计算放大电路的一些指标 D.分析放大器的频率特性 9.工作在放大区的某晶体管，如果当IB从12
5、A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为 C 。 A.83 B.91 C.100 10.分析放大电路时，常常采用交流分析和直流分析分别进行的方法，这是因为。 A.晶体管是非线性器件 B.电路中有电容 C.交流成分与直流成分变化规律不同 D.在一定条件下电路可视为线性电路，因此可用叠加定理 1. 场效应管的栅-源之间的电阻比晶体管基-射之间的电阻 A 。 A大 B小 C差不多 2. 场效应管是通过改变 A 来改变漏极电流的。所以是 D 控制型器件。 A栅源电压 B漏源电压 C栅极电流 D电压 E电流 3. 用于放大时，场效应管工作在特性曲线的 B 。 A可变电阻区 B恒流区 C截止
6、区 4. N沟道结型场效应管中参加导电的载流子是 B 。 A自由电子和空穴 B自由电子 C空穴 5. 对于结型场效应管，当uGSUGS(off)时，管子一定工作在 C 。 A恒流区 B可变电阻区 C截止区 B击穿区 6. 当栅源电压uGS0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A C 。 A结型场效应管 B增强型MOS管 C耗尽型MOS管 7. 某场效应管的开启电压UGS(th)=2V，则该管是 A 。 AN沟道增强型MOS管 BP沟道增强型MOS管 CN沟道耗尽型MOS管 DP沟道耗尽型MOS管 8. 共源极场效应管放大电路，其输出电压与输入电压 B ；共漏极场效应管放大电路，其输出电压与输入
7、电压 A 。 A同相 B反相 1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是(C)。 A电阻阻值有误差 B晶体管参数的分散性 C晶体管参数受温度影响 D电源电压不稳定 2. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是(AC)。 A便于设计 B放大交流信号 C不易制作大容量电容 D电路具有最佳性能 3. 选用差动放大电路的原因是(A)。 A克服温漂 B提高输入电阻 C稳定放大倍数 D提高放大倍数 4. 差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的(A)，共模信号是两个输入端信号的(C)。 A差 B和 C平均值 D无关 5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻RE，单端输出电路的(B)。 A差模放
8、大倍数数值增大 B抑制共模信号能力增强 C差模输入电阻增大 D差模输出电阻增大 6. 补输出级采用共集形式是为了使(C)。 A电压放大倍数的数值大 B最大不失真输出电压大 C带负载能力强 D改善电路的静态工作点 7. 直接耦合放大电路的特点是(BCD)。(多项选择) A工作点互相独立 B便于集成 C存在零点漂移 D能放大变化缓慢的信号 E不便调整 8. 关于集成运算放大器，下列说法正确的是(ACD)。 A集成运放是一种高电放大倍数的直接耦合放大器 B集成运放只能放大直流信号 C希望集成运放的输入电阻大，输出电阻小 D集成运放的KCMR大 E集成运放只能用于模拟信号的运算 9. 为了放大变化缓慢
9、的微弱信号，放大电路应采用(A)耦合方式；为了实现阻抗变换，放大电路内采用(C)耦合方式。 A直接 B阻容 C变压器 D光电 10. 阻容耦合与直接耦合多级放大器之间的主要不同是(AC)。 A所放大的信号不同 B交流通路不同 C直流通路不同 D微变等效电路不同 11. 因为阻容耦合电路(B1)，所以这类电路(B2)，但是(B3)。 A1各级静态工作点相互影响 B1各级静态工作点独立C1各级放大倍数互相影响 D1各级放大倍数互不影响 A2温漂小 B2能放大直流信号 C2放大倍数稳定 D2放大倍数不稳定 A3温漂大 B3不能放大直流信号 C3放大倍数不稳定 D3易于集成 1 某放大器频率特性为：f
10、L=60Hz，fH=60kHz。下列输入信号中，产生线性失真的是。 A ui=Uimsin2p10t54 B ui=Uim1sin2p100t+Uim2sin2p10t35C ui=Uimsin2p100t D ui=Uim1sin2p10t+Uim2sin(2p210t)2 多级放大电路放大倍数的波特图是。 A各级波特图的叠加 B各级波特图的乘积 C各级波特图中通带最窄者 D各级波特图中通频带最宽者 3 具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降。 A 3dB B 6dB C 20dB D 9dB 4 直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级
11、放大电路相比，低频特性。 A 好 B 差 C 相同 5 多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它任何一级都。级数愈多则上限截止频率fH，高频附加相移。 A 大 B 小 C 宽 D 窄 6 在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号ui为正弦波，则uo。 A 会产生线形失真 B 会产生非线形失真 C 为正弦波 D 不会产生失真 7 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率特性，条件是。B A输入电压幅值不变，改变频率 B输入电压频率不变，改变幅值 C输入电压的幅值与频率同时变化 D输入电压的幅值与频率都不变化 8 电路如图T5.2.8所示。已知：晶体管的b、rbb、Cm、f均
12、相等，所有电容的容量均相等，静态时所有电路中晶体管的发射极电流IEQ均相等，定性分析各电路，将结论填入空内。 (1) 低频持性最差即下限频率最高的电路是； (2) 低频特性最好即下限频率最低的电路是； (3) 高频特性最差即上限频率最低的电路是。 +VCC RB100k C1 RS1k+us_+ui_ RE2k RC5k C2+VT RL5k CEuo_ RS1k+us_ RB500k C1+ui_ RC5k C2+VT RL5kuo_+VCC(a) (b) +VCC RB500k RB1 RS1k+us_+ui_7k RC5k C+VT RL5kuo_ RS1k+us_ RB500k C+u
13、i_ RC5k+VTuo+VCC(c) (d) 图T5.2.8 1. 对于放大电路，在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈 A. 净输入量增大 B. 净输入量减小 C. 输入电阻增大 2. 对于放大电路，所谓开环是指 A. 无信号源 B. 无反馈通路 C. 无电源 3. 稳定放大电路的放大倍数，应引入。 A. 直流负反馈 B. 交流负反馈 C. 正反馈 4. 并联反馈的反馈量以形式馈入输入回路，和输入相比较而产生净输入量。 A. 电压 B. 电流 C. 电压或电流 5. 电压负反馈可稳定输出，串联负反馈可使提高。 A. 电压 B. 电流 C. 输入电阻 D. 输出电阻 6
14、. 负反馈放大电路产生自激振荡条件是 &F&F&F&=1 B. A&=-1 C. A&1 A. A7. 已知信号源内阻很高，要求充分发挥负反馈作用，合理接法是 A. 并联负反馈 B. 串联负反馈 C. 电压负反馈 D. 电流负反馈 8. 要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用( B)负反馈 A. 电流串联 B. 电压串联 C. 电流并联 D. 电压并联 9. 能够提高输入电阻的负反馈是( ACE)。 A. 串联负反馈 B. 并联负反馈 C. 电压串联负反馈 D. 电流并联负反馈 E. 电流串联负反馈 10. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B) A. 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反
15、馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 1. 精密差分测量三运放放大电路；对(A)能有效放大，对(C)有效抑制。 A差模信号 B差模信号和共模信号 C共模信号 2. 一阶低通或高通有源滤波电路，其截止频率与R和C有关，其表达式为 A1RC B12RC C12pRC3. 在下列各种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路。 抑制50Hz交流电源的干扰；D 处理具有1Hz固定频率的有用信号；C 从输入信号中取出低于2KHz的信号；A 抑制频率为100kHz的高频干扰。D A低通 B高通 C. 带通 D. 带阻 4. 为使低通或高通有源滤波电路更趋近于理想频率特性性
16、，达到80dB/十倍频程，应选用哪种滤波电路。(B) A二阶 B四阶 C. 八阶 5. 为了能实现对同一种产品的分选，一般选择比较器 A单阈值电压比较器 B滞回电压比较器 C. 窗口比较器 选择下面个答案填入空内，只需填人A、B或C： A. 容性 B. 阻性 C. 感性 1. LC并联网络在谐振时呈 B ，在信号频率大于谐振频率时呈 A ，在信号频率小于谐振频率时呈 C 。 2. 当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈 B ，当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈 C ，其余情况下石英晶体呈 A 。 3. 当输入信号频率等于谐振频率时，RC
17、串并联网络呈 B 。 1. 甲类功放效率低是因为 B 。 A.只有一个功率管 B.静态电流过大 C.管压降过大 2. 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大 A 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 3. 功率放大电路的转换效率是指 B 。 A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B.最大输出功率与电源提供的直流功率之比 C.晶体管所消耗的功率与电源提供的直流功率之比 4. 功率放大电路的效率主要与 C 有关。 A.电源供给的直流功率 B.电路输出最大功率 C.电路的工作状态 5. 在OCL乙类功率放大电路中，若最大输出功率为1W，则
18、电路中功率管的集电极最大功耗约为 C 。 A. 1W B. 2W C. 0.2W 6. 在选择功率放大电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有 BDE 。 A. B. ICM C. ICEO D.U(BR)CEO E. PCM F. fT 7. 在OCL功率放大电路中，输入为正弦波，输出波形如图T10.2.7所示，这说明该电路产生了 D 。 A.饱和失真 B.截止失真 C.频率失真 D.交越失真 uo0t图T 10.2.7 8. 为改善图T10.2.7中的失真现象，电路上应当 B 。 A.进行相位补偿 B.适当增大功率管静态|UBE|，使之处于微导通状态 C.适当减小功率管静态|UBE|，使之处于微导通状态 D.适当增加负载电阻RL的阻值
