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1、5.1 半导体的基本知识,5.1.1 半导体材料,5.1.2 本征半导体,5.1.3 杂质半导体,5.1.4 PN结的形成及特性,5.1.1 半导体材料,根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。,典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。,半导体有温敏、光敏和掺杂等导电特性。,5.1.2 本征半导体,硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构,1、半导体的共价键结构,5.1.2 本征半导体,本征半导体化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。,电子空穴对由热激发而产生的自由电子和空穴对。,空穴的移动空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。,2、本征
2、半导体中的载流子,5.1.2 本征半导体,本征半导体中虽然存在两种载流子，但因本征载流子的浓度很低，所以总的来说导电能力很差。,本征半导体的载流子浓度，除与半导体材料本身的性质有关以外，还与温度密切相关，而且随着温度的升高，基本上按指数规律增加。因此，本征载流子的浓度对温度十分敏感。,5.1.3 杂质半导体,在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。,掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。,5.1.3 杂质半导体,N型半导体掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。,P型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。,为了尽量保持半导体的原有晶体结构，掺入的杂质主要是微量的价电子
3、数较为接近的三价或五价元素。,1.N型半导体,因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。,在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子,由热激发形成。,提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。,2.P型半导体,因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。,在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由热激发形成。,空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受
4、主杂质。,3.杂质对半导体导电性的影响,掺入杂 质，不仅本征半导体的导电能力有很大的提高，而且使其导电特性的稳定性（主要对温度变化）更强。,4.杂质半导体载流子的漂移运动和扩散运动,漂移运动：在电场作用下半导体中载流子的定向运动。漂移运动产生的电流称为漂移电流。,当半导体局部光照或有载流子从外界流入，半导体内载流子浓度分布将不均匀，载流子会从浓度高的区域向浓度低的区域运动。,扩散运动：因浓度差而引起载流子的定向运动.扩散运动产生的电流称为扩散电流。,半导体的载流子的运动是杂乱无章的热运动，不形成电流.,5.1.4 PN结的形成及特性,1.PN结的形成,2.PN结的单向导电性,3.PN结的其他特
5、性,4.PN结的高频等效电路及最高工作频率,1.PN结的形成,在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时，将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成PN结。,将在N型和P型半导体的结合面上发生如下物理过程:,因浓度差,空间电荷区形成内电场,内电场促使少子漂移,内电场阻止多子扩散,最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。,多子的扩散运动,由杂质离子形成空间电荷区,2.PN结的单向导电性,当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。,(1)PN结加正向电压时,PN结加正向电压时的导电情况,低电阻 大的正向
6、扩散电流,2.PN结的单向导电性,当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。,(2)PN结加反向电压时,PN结加反向电压时的导电情况,高电阻 很小的反向漂移电流,PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。,2.PN结的单向导电性,(3)PN结V-I 特性表达式,其中,IS 反向饱和电流,VT 温度的电压当量,且在常温下（T=300K）,3.PN结的其他特性,当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为P
7、N结的反向击穿。,热击穿不可逆,1 PN结的反向击穿,(1)势垒电容CB,势垒电容示意图,2 PN结的电容效应,3.PN结的其他特性,(2)扩散电容CD,扩散电容示意图,3.PN结的其他特性,其中,r二极管等效电阻,C 二极管等效电容，PF 级，非常小。,C的阻抗1/(C),可见，频率越高，C的阻抗越小；,当，C的阻抗 0；,结果，影响到二极管的状态；,3.PN结的其他特性,3.PN结的其他特性,3.温度特性,当环境温度升高时，少数载流子的数目增多，反向饱和电流随之增大。,4.电阻特性,非线性电阻特性PN结正偏时，PN结导通，电阻较小；PN结反偏时，PN结截止，电阻较大。,本征半导体、杂质半导
8、体,本节中的有关概念及知识点,自由电子、空穴,N型半导体、P型半导体,多数载流子、少数载流子,PN结的形成,PN结的单向导电性,5.2 半导体二极管,5.2.1 半导体二极管的结构,5.2.2 二极管的伏安特性及其参数,5.2.3 二极管的等效电路,实物图片,5.2.1 半导体二极管的结构,在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。,(1)点接触型二极管,PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。,(3)平面型二极管,往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。,(2)面接触型二极管,PN结面积大，用于工
9、频大电流整流电路。,(b)面接触型,(4)二极管的代表符号,5.2.2 二极管的伏安特性,二极管的伏安特性曲线可用下式表示,正向特性,反向特性,反向击穿特性,5.2.2 二极管的参数,(1)最大整流电流IF,5.2.2 二极管的参数,(2)反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM,VRM=0.5VBR,为了保证二极管安全工作：,(3)反向饱和电流IS,5.2.2 二极管的参数,(4)正向压降VF,5.2.2 二极管的参数,(5)极间电容CB或 最高工作频率,C的阻抗1/(C),5.2.2 二极管的等效电路,(1)理想二极管等效电路,(2)考虑正向压降的等效电路,忽略二极管的正向压降和反向电流
10、,考虑二极管的正向压降，硅管：UD（ON）=0.7V 锗管：UD（ON）=0.3V,例 二极管门电路如图所示，A、B为输入端，F为输出端，根据输入信号波形分析各二极管的工作状态，并该电路的输出波形,半导体二极管图片,end,补充知识 二极管基本电路及其分析方法,1 二极管V-I 特性的建模,2 应用举例,iD=(VDD-vDD)/R,1 二极管V-I 特性的建模,1.理想模型,3.折线模型,2.恒压降模型,1 二极管V-I 特性的建模,1.理想模型,1 二极管V-I 特性的建模,2.恒压降模型,4.小信号模型(感兴趣自学）,二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻
11、。,即,根据,得Q点处的微变电导,则,常温下（T=300K）,1 二极管V-I 特性的建模,2 应用举例,1.二极管的静态工作情况分析,理想模型,恒压模型,理想模型,恒压模型,例2.4.2 提示,2 应用举例,2.限幅电路,5.3 单相整流滤波电路,5.3.1 单相半波整流电路,5.3.2 单相桥式整流电路,5.3.3 滤波电路,1.单相半波整流电路1）电路的组成及工作原理图所示为单相半波整流电路。由于流过负载的电流和加在负载两端的电压只有半个周期的正弦波,故称半波整流。,5.3.1 单相半波整流电路,直流电压是指一个周期内脉动电压的平均值。即,2）负载上的直流电压和直流电流,流过负载RL上的
12、直流电流为,当二极管截止时，它承受的反向峰值电压URM是变压器次级电压的最大值，即,3）整流二极管参数由图可知,流过整流二极管的平均电流IV与流过负载的电流相等,即,2.单相桥式整流电路,1）电路的组成及工作原理 桥式整流电路由变压器和四个二极管组成,如图所示。由图(a)可见,四个二极管接成了桥式,在四个顶点中,相同极性接在一起的一对顶点接向直流负载RL,不同极性接在一起的一对顶点接向交流电源。输出波形如图所示。,单相桥式整流电路,单相桥式电路的电流通路,桥式整流电路输出波形图,2）负载上的直流电压和直流电流 由上述分析可知,桥式整流负载电压和电流是半波整流的两倍。,3）整流二极管的参数 在桥
13、式整流电路中,因为二极管V1、V3和V2、V4在电源电压变化一周内是轮流导通的,所以流过每个二极管的电流都等于负载电流的一半,即,每个二极管在截止时承受的反向峰值电压为:,电路的优点：桥式整流电路与半波整流电路相比,电源利用率提高了1倍,同时输出电压波动小,因此桥式整流电路得到了广泛应用。电路的缺点：二极管用得较多，电路连接复杂，容易出错，为了解决这一问题，生产厂家常将整流二极管集成在一起构成桥堆,.滤波电路,常见的电路形式如图所示,1）电容滤波电路 由上述分析可知,桥式整流负载电压和电流是半波整流的两倍。a)电路组成及工作原理 图为单相半波整流电容滤波电路,它由电容C和负载RL并联组成。,半
14、波整流电容滤波电路及波形,其工作原理如下:当u2的正半周开始时，若u2uC(电容两端电压)，整流二极管V因正向偏置而导通，电容C被充电：由于充电回路电阻很小，因而充电很快，uC和u2变化同步。当t=/2时，u2达到峰值，C两端的电压也近似充至 u2 值。在桥式整流电路中加电容进行滤波器与半波整流滤波电路工作原理是一样的,不同点是在u2全周期内,电路中总有二极管导通,所以u2对电容C充电两次,电容器向负载放电的时间缩短,输出电压更加平滑,平均电压值也自然升高。这里不再赘述。桥式整流电容滤波电路及波形如图所示。,b）负载上电压的计算,c)元件选择 电容选择:滤波电容C的大小取决于放电回路的时间常数
15、,RLC愈大,输出电压脉动就愈小,通常取RLC为脉动电压中最低次谐波周期的35倍。,d)电容滤波的特点 电容滤波电路结构简单、输出电压高、脉动小。但在接通电源的瞬间,将产生强大的充电电流,这种电流称为“浪涌电流”;同时,因负载电流太大,电容器放电的速度加快,会使负载电压变得不够平稳,所以电容滤波电路只适用于负载电流较小的场合。,2）电感滤波电路,电感线圈L和负载的串联电路,同样具有滤波作用,电路如图所示。整流滤波输出的电压,可以看成由直流分量和交流分量叠加而成。因电感线圈的直流电阻很小,交流电抗很大,故直流分量顺利通过,交流分量将全部降到电感线圈上,这样在负载RL得到比较平滑的直流电压。电感滤
16、波电路的输出电压为,桥式整流电感滤波电路及波形,5.4 特殊体二极管,5.4.1 稳压二极管,5.4.2 光电子器件,1.光电二极管,2.发光二极管,3.激光二极管,5.4.1 稳压二极管,1.稳压特性,(a)符号,(b)伏安特性,IZ很大，VZ很小。,(1)稳定电压VZ,(2)动态电阻rZ,在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。,rZ=VZ/IZ,(3)最大耗散功率 PZM VZ IZ,(4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin,(5)稳定电压温度系数VZ,2.稳压二极管主要参数,5.4.1 稳压二极管,2.4.1 稳压二极管,3.稳压电路,正常稳压
17、时 VO=VZ,#稳压条件是什么？,#不加R可以吗？,#上述电路VI为正弦波，且幅值大于VZ，VO的波形是怎样的？,补充作业,1.一稳压电路如图所示，VI=VIMinVIMax，IL=ILMinILMax，DZ 的参数有VZ、IZ 和IZM，试选择合适的电阻R，使DZ 正常工作。,end,稳压二极管,IZ=IR Io=(VIVz)/R Io,思路一：,IZmin IZ=(VIVz)/R Io IZmax,在VI=VIMinVIMax，IL=ILMinILMax时，上述不等式必须恒成立。,1）若VI=VIMin，IL=ILMax时，IZmin IZ成立;则其他情况下，IZmin IZ恒成立。,2
18、）若VI=VIMax，IL=ILMin时，IZ IZmax成立，则其他情况下，IZ IZmax恒成立。,稳压二极管,IZ=IR Io=(VIVz)/R Io,思路二：,IZmin IZ=(VIVz)/R Io IZmax,R(VIVz)/（IZmin Io）和 R(VIVz)/（IZmax Io）,在VI=VIMinVIMax，IL=ILMinILMax时，上述不等式必须恒成立。,所以，R(VIMinVz)/（IZmin ILMax）；,R(VIMax Vz)/（IZmax ILMin）。,稳压二极管,IZ=IR Io=(VIVz)/R Io,思路三：,R=(VIVz)/（IZ Io）,如果Rmin R Rmax时，IZmin IZ IZmax成立。,则Rmin Izmax，Rmax Izmin。,所以，Rmin(VIMax Vz)/（IZmax ILMin）；,Rmax(VIMinVz)/（IZmin ILMax）。,在VI=VIMinVIMax，IL=ILMinILMax时，Rmin R Rmax必须恒成立。,谢 谢！,
