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1、P1 习题课,半导体材料特性掌握,PN结导电原理了解,二极管特性:单向导电性,伏安特性,发光特性,光电特性,温度特性,变容特性,稳压特性,二极管应用了解:开关、整流、限幅、稳压等,掌握内容:,二极管电路计算#,二极管认识,判断好坏,会用,复习:二极管有哪些特性?,温度特性,复习填空题,1.本征半导体热激发时的两种载流子分别是、。2.N型半导体多数载流子是，少数载流子是。P型半导体多数载流子是，少数载流子是。在常温下硅二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为,在常温下锗二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为,当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层;当PN结外加反向电压时,扩
2、散电流 漂移电流,耗尽层;A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变PN结的空间电荷区有哪些称谓?为何这样称谓?二极管有哪些特性？其中最重要的特性是。,想一想,5、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体,6、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电,7、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零,1、在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为（A、本征半导体 B、P型半导体 C、N型半导体）,2、N型半导体中少数载流子为（A、自由电子 B、空穴 C、带正电的杂质离子）,3、P型半导体是（A、带正电 B、带负电 C、中性）,4、PN结加正向电压时，其正向电
3、流是（A、多数载流子扩散形成的 B、多数载流子漂移形成的 C、少数载流子漂移形成的）,概念：,硅二极管和锗二极管在25时反向电流分别为0.1A和10A，试问在45时它们的反向电流各为多大？已知温度每升高10时，反向电流大致增大一倍。,解：由于温度每升高10，二极管反向电流增大一倍，所以当温度为35 时，两种二极管的反向电流分别为0.2A和20A，当温度为45时，分别为0.4A和40A。,9、PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压）（A、其反向电流增大B、其反向电流减小 C、其反向电流不变）,8、稳压二极管是利用PN结的（A、单向导电性 B、反向击穿特性 C、反向特性）,1.15 试判断图1.4
4、0中的二极管是否导通,还是截止,并求出两端电压uAO,UD=-6+12=6V D通,UAO=-6V,UD=-15+12=-3V D不通,UAO=-12V,VD1=12v,VD2=-15+12=-3v,D1通,D2截止,UAO=0V,VD1=-12v,VD2=-12+6=-6v,D1,D2截止,UAO=-12V,求输出电压u0,D的导通电压为0.7v,u0=1V,U0=8v,求：U0=？,在图题电路中，D为锗二极管，uS=5sint(V)。(1)求二极管电流的直流分量；(2)求二极管电流的交流分量和在工作点处的交流电阻rd；(3)求二极管总电流，并画出电流波形。,（3）总电流 i总=I+i=1+
5、0.5 sint（mA）,解：（1）直流分量,I=1（mA）,（2）交流分量 i=0.5 sint（mA）,交流电阻 rd=26()（见P28）,R,1.17 电路如图1.42所示,设输入电压为纯交流信号,且ui=12sinwt(v),稳压管的稳定电压UZ=5V,RL 为开路，试画u0 的波形。,ui5V,Dz 反向截止，u0=uz=5v,0u i5V,Dz 反向截止，u0=ui,u i0V,Dz 导通，u0=-0.7V,简单限幅电路波形图,ui,习题：二极管D1和D2的反向击穿电压分别为6V和10V，当以图示方式串接时，输出电压Uo=_。,习题：限幅电路（1-2-5），Ui=5sint（V）
6、，二极管为理想型，画出uo波形。,双向限幅,习题：限幅电路（1-2-5），ui=5sint（V），画出uo波形。,为防止稳压管被烧坏应保证流过稳压管的电流小于IZmax：,答(1)电阻取值范围：0.4 R 1.6K,解(1)为确保稳压管处于稳压状态应保证流过稳压管的电流大于IZmin：,图1.42 简单稳压电路,1.18 在图1.42电路中，设UI=15V，稳压管的IZmax=20mA，IZmin=5mA,UZ=7V。求：（1）RL开路时的限流电阻R的取值范围；（2）接入负载的最小值RLmin（设R=800）,解(2)负载上的电流IL=?：,流过保护电阻的电流：,负载电阻的最小值：,答(2)电阻取值范围：RLmin=1.4k,I=IL+IZmin,IL=I-IZmin=10-5=5mA,（2）接入负载的最小值RLmin（设R=800）,
