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1、材科基础核心题一、填空题0001.烧结过程的主要传质机制有_、_、_ 、_，当烧结分别进行四种传质时，颈部增长x/r与时间t的关系分别是_、_、_ 、_。0002.晶体的对称要素中点对称要素种类有_、_、_ 、_ ，含有平移操作的对称要素种类有_ 、_ 。0003.晶族、晶系、对称型、结晶学单形、几何单形、布拉菲格子、空间群的数目分别是 _、_ 、_ 、_ 、_ 、_ 。0004.晶体有两种理想形态，分别是 _和 _。0005.晶体是指内部质点 排列的固体。0006.以NaCl晶胞中（001）面心的一个球（Cl-离子）为例，属于这个球的八面体空隙数为 ，所以属于这个球的四面体空隙数为 。000
2、7.与非晶体比较晶体具有自限性、 、 、 、 和稳定性。0008.一个立方晶系晶胞中，一晶面在晶轴X、Y、Z上的截距分别为2a、1/2a 、2/3a，其晶面的晶面指数是 。0009.固体表面粗糙度直接影响液固湿润性，当真实接触角 时，粗糙度越大，表面接触角 ，就越容易湿润；当 ，则粗糙度 ，越不利于湿润。0010.硼酸盐玻璃中，随着Na2O（R2O）含量的增加，桥氧数 ，热膨胀系数逐渐下降。当Na2O含量达到15%16%时，桥氧又开始 ，热膨胀系数重新上升，这种反常现象就是硼反常现象。0011.晶体结构中的点缺陷类型共分 、 和 三种，CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式
3、为 。0012.固体质点扩散的推动力是_。0013.本征扩散是指_，其扩散系数D_,其扩散活化能由_和_ 组成。0014.析晶过程分两个阶段，先_后_。0015.晶体产生Frankel缺陷时，晶体体积_，晶体密度_；而有Schtty缺陷时，晶体体积_,晶体密度_。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时，_是主要的；两种离子半径相差大时，_是主要的。0016.少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随Ca2+离子数/K离子数比值增加而减少，由此可判断其 缺陷反应式为_。 0017.Tg是_,它与玻璃形成过程的冷却速率有关，同组分熔体快冷时Tg比慢冷时_ ,淬冷玻璃比慢冷玻璃的密度_,热
4、膨胀系数_。 0018.同温度下，组成分别为：(1) 0.2Na2O0.8SiO2 ；(2) 0.1Na2O0.1CaO0.8SiO2 ;(3) 0.2CaO0.8SiO2 的三种熔体，其粘度大小的顺序为_。0019.三T图中三个T代表_, _,和_。 0020.粘滞活化能越_ ,粘度越_ 。硅酸盐熔体或玻璃的电导主要决定于_ 。0021.0.2Na2O-0.8SiO2组成的熔体，若保持Na2O含量不变，用CaO置换部分SiO2后，电导_。0022.在Na2OSiO2熔体中加入Al2O3(Na2O/Al2O3（3）（1）0019.时间温度相转变 0020.大（小） 大（小） 结构参数Y0021
5、.降低0022.降低 0023.1/3 0024.立方面心格子。0025.共顶方式。0026.晶体体积。0027.远程无序。0028.独立存在。0029.曲率中心。0030.萤石。0031.一级偏微商。0032.有效跃迁频率。0033.表面能的降低。0034.化学位梯度 0035.（1）属非均相反应，参与反应的固相相互接触是反应发生化学作用和物质输送的先决条件。（2）固相反应开始温度远低于反应物的熔点或系统低共熔点温度。(泰曼温度)。(3)存在多晶转变时，此转变也常是反应开始变得明显的温度。(海德华温度)0036.变薄 ，减少，MoO3的升化过程，MoO3 粒径0036.由晶体内本身的热缺陷引
6、起质点迁移的扩散,DD0exp(-Q/RT)，空位形成能，空位迁移能0038.缺陷浓度， 00039.易位 ，环形扩散 ， 空位扩散 ，间隙扩散 ，准间隙扩散 ，空位扩散，空位形成能 ，空位迁移能0040.成核，生长，生长0041.成长成核，调幅分解，正，慢，连续非球形，不稳定0042.略0043. ，减少，DGK*=1/2DGK0044.NaCl，m3m，Fm3m，高级，立方，6，40045. AgCl KClCu2S，Cu2S，AgCl0046.组群状，链状，层状，架状，岛状。0047.颗粒重排，气孔填充，晶粒生长；传质方式不同，传质速率不同，达到相同致密烧结体的温度不同。0048.蒸发-
7、凝聚，扩散，流动，溶解-沉淀；压力差，空位浓度差，应力-应变，溶解度差。0049.蒸发-凝聚，粉末体球形颗粒凸面与颗粒接触点颈部之间的蒸气压差，零。0050.缺氧条件下非计量化合物空位扩散, 本征扩散 ,非化学计量扩散 ,非本征扩散或杂质扩散0051.，原始物料粒度不均匀，烧结温度偏高，成型压力不均匀，局部有不均匀。0052. 面心立方，八，1，2，6,棱，4。0053. 间隙原子、空位、杂质原子；， ，,二、判断题0001Na2O-SiO2系统中随SiO2含量的增加，熔体的粘度将降低。 （ ）0002扩散的推动力是浓度梯度，所有扩散系统中，物质都是由高浓度处向低浓度处扩散。（ ）0003晶粒
8、正常长大是小晶粒吞食大晶粒，反常长大是大晶粒吞食小晶粒。（ ）0004固溶体是在固态条件下，一种物质以原子尺寸溶解在另一种物质中形成的单相均匀的固体。（ ）0005在热力学平衡条件下，二元凝聚系统最多可以3相平衡共存，它们是一个固相、一个液相和一个气相。（ ）0006纯物质在一定压力下的熔点是定值。（ ）0007纯液体在一定温度下的蒸汽压为定值。（ ）0008纯物质在一定温度下，固、液、气可以三相平衡共存。（ ）0009粉状物料的表面能大于多晶烧结体的晶界能，这是烧结过程的推动力。（ ）0010烧结过程中，如果晶界移动速率等于气孔扩散速率，可达到烧结体致密化。（ ）0011.逆扩散的推动力是浓
9、度梯度.（ ）0012.成核-生成相变亚稳区0.（ ）0013. 分开单位面积的粘附表面所需的功。粘附性越好，粘附功越小。 （ ）0014. 问：螺位错可以攀移。（ ）0015. 浓度差会引起扩散，扩散总是从高浓度处向低浓度处进行 。（ ）0016. 多晶转变点一定不会是析晶终点，过渡点一定不会是析晶终点。（ ）0001答：不正确。粘度增加。0002答：不正确。扩散也可以从低浓度向高浓度进行。0003答：不正确。都是晶界移动的结果。正常长大是晶粒平均尺寸增加，反常长大是个别大晶粒尺寸异常增加。0004答：正确。0005.答：不正确。两个固相和一个液相。0006答：正确。根据相律F=C-P+2，
10、C=1。熔化时P=2，F=1-2+2，当压力确定后温度就确定了。0007答：正确。0008答：不正确。固、液、气可以三相平衡时，自由度F=0，这是外界条件（温度和压力）都是确定的特定值，不能随意变化，因此温度不能任意指定。0009答：正确。0010答：不正确。晶粒正常生长时，晶界移动受到杂质或气孔的牵制，为了利用晶界作为原子移动的快速通道，希望气孔维持在晶界或三个晶粒的交汇点上，晶界移动速率等于气孔扩散速率，晶界在牵制气孔移动的同时，气孔作为空位源而快速向烧结体外排除。随着烧结进行，气孔率逐渐减小，气孔内气压不断提高，当内气压增至2/r时，即其孔内气压等于烧结推动力，烧结就停止了，继续升高温度
11、，气孔内气压2/r，气孔膨胀而出现反致密化过程。0011答：不对，是化学位梯度。 0012.答：不对。相反。0013. 答：不对。 WAB=A+B-AB，粘附性越好，粘附功越大。0014.答：不正确。螺型位错只能滑移。螺型位错运动时，螺型位错的移动方向与位错线垂直，也与柏氏矢量垂直。对于螺型位错，由于位错线与柏氏矢量平行，故它的滑移不限于单一的滑移面上。对于螺型位错，另一滑移面上去继续滑移，这一过程称为交滑移。0015.答：不正确。扩散的基本推动力是化学位梯度，只不过在一般情况下以浓度梯度的方式表现出来；扩散是从高化学位处流向低化学位处，最终系统各处的化学位相等。如果低浓度处化学势高，则可进行
12、负扩散，如玻璃的分相过程。0016.答：正确。三、名词解释0001晶体 0002等同点 0003空间点阵 0004 结点0005晶体定向 0006晶体常数 0007对称 0008对称型0009晶类 0010单形 0011聚形 0012布拉菲格子 0013晶胞 0014空间群 015单键强 0016分化和缩聚 0017网络形成体、网络中间体、网络改性体 0018凝聚系统 0019介稳平衡0020低共熔点 0021双升点 0022双降点 0023马鞍点0024连线规则 0025切线规则 0026三角形规则 0027重心规则 0028稳定扩散与不稳定扩散 0029本征扩散与非本征扩散0030自扩散与
13、互扩散 0031扩散系数与扩散通量0032配位数与配位体 0033同质多晶与多晶转变0034位移性转变与重建性转变 0035弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷0036刃型位错和螺型位错 0037晶子学说和无规则网络学说0038晶体场理论 0039配位场理论 0040萤石型和反萤石型0041类质同晶和同质多晶 0042二八面体型与三八面体型0043同晶取代与阳离子交换 0044尖晶石与反尖晶石0045米勒指数 0046离子晶体的晶格能 0047离子极化 0048铁电效应0049压电效应 0050硼反常现象 0051熔体、玻璃体 0052界核半径0053无序扩散 0054烧结宏观定义 0055非均相成核 0
14、056矿化剂0057晶界结构 0058桥氧离子 0059吸附 0060表面能：0061初次再结晶 0062二次再结晶 0063晶粒长大名词解释参考答案0001晶体是内部质点在三维空间成周期性重复排列的固体。或晶体是具格子构造的固体。0002等同点晶体结构中在同一取向上几何环境和物质环境皆相同的点称为等同点。0003空间点阵是表示晶体结构中各类等同点排列规律的几何图形。或是表示晶体内部结构中质点重复规律 的几何图形。0004空间点阵中的阵点，称为结点。0005晶体定向就是在晶体中确定坐标轴（称晶轴）及轴单位或轴率（轴单位之比）。0006晶体常数：晶轴轴率或轴单位，轴角。表示晶体结构特征的参数（a
15、、b、c，(bc)、(ac)、(ab)）称为晶胞常数，晶胞参数也即晶体常数。0007对称是指物体相同部分作有规律的重复。0008对称型晶体结构中所有点对称要素（对称面、对称中心、对称轴和旋转反伸轴）的集合称为对称型，也称点群。0009晶类将对称型相同的晶体归为一类，称为晶类。0010单形是由一组同形等大的晶面所组成，这些晶面可以借助其所属对称型的对称要素彼此实现重复。也就是说，单形是由对称要素联系起来的一组晶面的集合。0011聚形含有两个或两个以上单形的晶形称为聚形。0012所有晶体结构的空间点阵可划分成十四种类型的空间格子，这14种空间格子称布拉菲格子。0013任何晶体都对应一种布拉菲格子，
16、因此任何晶体都可划分出与此种布拉菲格子平行六面体相对应的部分，这一部分晶体就称为晶胞。晶胞是能够反映晶体结构特征的最小单位。0014空间群是指一个晶体结构中所有对称要素集合。0015单键强即为各种化合物分解能与该种化合物配位数的商。0016分化过程：架状SiO4断裂称为熔融石英的分化过程。缩聚过程：分化过程产生的低聚化合物相互发生作用，形成级次较高的聚合物，次过程为缩聚过程。 0017网络形成体、网络中间体、网络改性体网络形成体：正离子是网络形成离子，对应氧化物能单独形成玻璃。即凡氧化物的单键强度 335kJ/mol者称为网络形成体，这类氧化物能单独行成玻璃。 网络变性体：单键强度250kJ/
17、mol，这类氧化物不能形成玻璃，但能改变网络结构，从而使玻璃性质改变，即称为网络变形体。网络中间体：单键强度介于250335kJ/mol，这类氧化物的作用介于网络形成体和网络改性体之间，称为网络中间体。0018凝聚系统：不含气相或气相可以忽略的系统。0019介稳平衡：即热力学非平衡态，能量处于较高状态，经常出现于硅酸盐系统中。0020低共熔点：是一种无变量点，系统冷却时几种晶相同时从熔液中析出，或加热时同时融化。0021双升点：处于交叉位的单转熔点。0022双降点：处于共轭位的双转熔点。0023马鞍点：三元相图界线上温度最高点，同时又是二元系统温度的最低点。0024连线规则：将一界线（或其延长
18、线）与相应的连线（或其延长线）相交，其交点是该界线上的温度最高点。0025切线规则：将界线上某一点所作的切线与相应的连线相交，如交点在连线上，则表示界线上该处具有共熔性质；如交点在连线的延长线上，则表示界线上该处具有转熔性质，远离交点的晶相被回吸。0026三角形规则：原始熔体组成点所在副三角形的三个顶点表示的物质即为其结晶产物；与这三个物质相应的初初晶区所包围的三元无变量点是其结晶结束点。0027重心规则：如无变点处于其相应副三角形的重心位，则该无变点为低共熔点：如无变点处于其相应副三角形的交叉位，则该无变点为单转熔点；如无变点处于其相应副三角形的共轭位，则该无变点为双转熔点。0028稳定扩散
19、与不稳定扩散：扩散过程中任一点浓度随时间变化称为不稳定扩散。0029本征扩散与非本征扩散：由此点缺陷引起的扩散为本征扩散，主要出现了肖特基和弗兰克尔点缺陷。由不等价离子造成晶格空位，由此引起的质点迁移称为非本征扩散。0030自扩散： 互扩散：0031扩散系数： 扩散通量：0032配位数：晶体结构中与一个离子直接相邻的异号离子数。配位体：晶体结构中与某一个阳离子直接相邻、形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。0033同质多晶：同一化学组成在不同外界条件下（温度、压力、pH值等），结晶成为两种以上不同结构晶体的现象。多晶转变：当外界条件改变到一定程度时，各种变体之间发生结构转变，从一种变
20、体转变成为另一种变体的现象。0034位移性转变：不打开任何键，也不改变原子最邻近的配位数，仅仅使结构发生畸变，原子从原来位置发生少许位移，使次级配位有所改变的一种多晶转变形式。重建性转变：破坏原有原子间化学键，改变原子最邻近配位数，使晶体结构完全改变原样的一种多晶转变形式。0035当晶体热振动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中，形成间隙原子，而原来位置上形成空位，这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子，热起伏后获得能量离开平衡位置，跃迁到晶体的表面，在原正常格点上留下空位，这种缺陷称为肖特基缺陷。0036滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向相互平
21、行的位错称为螺型位错。0037晶子学说：玻璃内部是由无数“晶子”组成，微晶子是带有晶格变形的有序区域。它们分散在无定形介中质，晶子向无定形部分过渡是逐渐完成时，二者没有明显界限。 无规则网络学说：凡是成为玻璃态的物质和相应的晶体结构一样，也是由一个三度空间网络所构成。这种网络是由离子多面体（三角体或四面体）构筑起来的。晶体结构网是由多面体无数次有规律重复构成，而玻璃中结构多面体的重复没有规律性。0038晶体场理论：认为在晶体结构中，中心阳离子与配位体之间是离子键，不存在电子轨道的重迭，并将配位体作为点电荷来处理的理论。0039配位场理论：除了考虑到由配位体所引起的纯静电效应以外，还考虑了共价成
22、键的效应的理论。0040萤石型：CaF2型结构中，Ca2+按面心立方紧密排列，F-占据晶胞中全部四面体空隙。反萤石型：阳离子和阴离子的位置与CaF2型结构完全相反，即碱金属离子占据F-的位置，O2-占据Ca2+的位置。0041类质同象：物质结晶时，其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其它离子或原子所占有，共同组成均匀的、呈单一相的晶体，不引起键性和晶体结构变化的现象。同质多晶：同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。0042二八面体型：在层状硅酸盐矿物中，若有三分之二的八面体空隙被阳离子所填充称为二八面体型结构。三八面体型：在层状硅酸盐矿物中，若全部的八面体空隙被阳
23、离子所填充称为三八面体型结构。0043同晶取代：杂质离子取代晶体结构中某一结点上的离子而不改变晶体结构类型的现象。阳离子交换：在粘土矿物中，当结构中的同晶取代主要发生在铝氧层时，一些电价低、半径大的阳离子（如K+、Na+等）将进入晶体结构来平衡多余的负电荷，它们与晶体的结合不很牢固，在一定条件下可以被其它阳离子交换。0044正尖晶石：在AB2O4尖晶石型晶体结构中，若A2+分布在四面体空隙、而B3+分布于八面体空隙，称为正尖晶石；反尖晶石：若A2+分布在八面体空隙、而B3+一半分布于四面体空隙另一半分布于八面体空隙，通式为B(AB)O4，称为反尖晶石。0045米勒指数0046离子晶体的晶格能0
24、047离子极化：指正、负离子在电场作用下，使正，负电荷重心不重合，并产生偶极距的现象。0048铁电效应0049压电效应0050当数量不多的碱金属氧化物同B2O3一起熔融时，碱金属所提供的氧不像熔融SiO2玻璃中作为非桥氧出现在结构中，而是使硼转变为由桥氧组成的硼氧四面体。致使B2O3玻璃从原来二度空间层状结构部分转变为三度空间的架状结构，从而加强了网络结构，并使玻璃的各种物理性能变好。0051熔体特指加热到较高温度才能液化的物质的液体，即较高熔点物质的液体。熔体快速冷却则变成玻璃体玻璃体。0052聚集的原子群超过一定尺寸能够稳定存在的最小的晶体颗粒半径。 0053无化学位梯度、浓度梯度、无外场
25、推动力，由热起伏引起的扩散。质点的扩散是无序的、随机的。 0054粉体在一定温度作用下，发生团结，使气孔率下降，致密度提高，强度增大，晶粒增长，这种现象即为烧结。 0055母液中存在某界面（空位、杂质、位错），成核会优先在界面上进行，这种成核系统为非均相成核。 0056在固相反应中加入少量非反应物，反应过程中不与反应物起化学反应只起加速反应作用的物质。 0057晶界结构是指晶界在多晶体中的形状、结构和分布。0058桥氧离子：指一个氧离子与两个硅离子的连结起来，此氧离子称为桥氧离子。 0059固体和液体表面存在大量不饱和键的原子和离子，它们都能吸引外来的原子、离子、分子的这一现象。0060当T，
26、P及组成不变的条件下，增加单位表面积对系统所做的功。 0061初次再结晶是指从塑性变形的、具有应变的基质中，生长出新的无应变晶粒的成核和长大过程。 0062当坯体中有若于大晶粒存在时，这些大晶粒边数较多，晶界曲率较大，能量较高，使晶界可以越过杂质或气孔而继续移向邻近小晶粒的曲率中心。晶粒的进一步生长，增大了晶界的曲率使生长过程不断加速，直到大晶粒的边界相互接触为止。这个过程称为二次再结晶或异常的晶粒长大。0063在烧结中、后期，细小晶粒逐渐长大，而一些晶粒的长大过程也是另一部分晶粒的缩小或消失过程，其结果是平均晶粒尺寸增加。这一过程并不依赖于初次再结晶过程；晶粒长大不是小晶粒的相互粘接，而是晶
27、界移动的结果。其含义的核心是晶粒平均尺寸增加。三、 选择题0001.材料科学的核心内容是： A.成分 B.理论 C.工艺设计 D.结构与性能0002.“材料科学”的概念是什么时候明确提出的： A.20世纪50年代 B.19世纪80年代 C.21世纪 D.20世纪40年代00003.材料是人类文明进步的里程碑，按照材料的使用，人类文明阶段的顺序为： A.青铜器时代，石器时代，陶器时代，铁器时代。 B.石器时代，青铜器时代，陶器时代，铁器时代。 C.石器时代，陶器时代，青铜器时代，铁器时代。 D.陶器时代，青铜器时代，石器时代，铁器时代。0004.面角守恒定律中的守恒指： A.能量守恒 B.晶面夹
28、角相等 C.晶面指数相同 D.晶格常数相同0005.晶面通常被面网密度大的晶面所包围，这称为 A.布拉维法则 B.晶面法则 C.能量最低法则 D.平衡法则0006.晶体中不可能存在的对称轴是： A.一次对称轴 B.三次对称轴 C.四次对称轴 D.五次对称轴0007.晶体学中，3L4表示： A.三个四次轴 B.四个三次轴 C.三个反映面 D.三个对称轴0008.在晶体结构中，种类、性质及其周围环境完全相同的质点位置称为： A.格点 B.点缺陷 C.等同点 D.阵点0009.晶体的本质特征是： A.内部质点在三维空间周期排列 B.具有规则的几何外形 C.具有对称性 D.具有各向异性0010.如果某
29、晶体具有9个对称面，应表示为： A.P9 B.9P C.P9 D.P90011.与Li2的对称操作等效的对称操作为： A.C B.2P C.P D.P+C0012.空间格子是一种_。 A.几何图形 B.有限图形 C.无限图形 D.等同点的周期排列0013.布拉维法则认为，晶体通常被_的晶面所包围。 A.面网密度大 B.面网密度小 C.面网密度居中0014.晶体的基本性质主要包括_种。 A.3 B.4 C.5 D.60015.晶体的宏观对称要素中，对称面的对称操作是_。 A.旋转 B.反伸 C.反映 D.旋转反映0016.晶体的宏观对称要素中，对称轴的对称操作是_。 A.旋转 B.反伸 C.旋转
30、反伸 D.旋转反映0017.晶体的对称轴除一次轴L1外，允许存在的其它轴次有_种。 A.3 B.4 C.5 D.60018.旋转反伸轴Li2可以等效表达为： A.C B.P C.L2C D.PC0019.旋转反伸轴Li3可以等效表达为： A.C B.P C.L3C D.L3P0020.旋转反映轴Ls2可以等效表达为： A.C B.Li1 C.L2C D.L2P 0021.对晶体进行宏观对称要素组合分析，可得到_种点群。 A.23 B.32 C.230 D.340022.晶体的宏观对称要素中，对称中心的对称操作是。 A.旋转 B.反伸 C.反映 D.旋转反伸0023.晶体的宏观对称要素中，倒转轴的对称操作是。 A.旋转 B.反伸 C.旋转反伸 D.旋转反映0024.晶体的宏观对称要素中，映转轴的对称操作是。 A.旋转 B.反映 C.旋转反伸 D.旋转反映0025.晶体上可以存在_对称面。 A.1个 B.任意多个 C.最多9个 D.0个0026.晶体上可以有_对称中心。 A.1个 B.多个 C.最多9个 D.0个0027.旋转反伸轴Li6可以等效表达为： A.L6C
