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1、电气工程师复习题一、判断题1直流电的电压的方向不变定，但是电压幅值可以是时间的函数。（）2交流电的幅值是时间的函数。（）3电阻对通过它的电流有阻碍作用，是一种耗能元件。（）4电阻是表示对通过它的电流阻碍能力大小的度量。（）5电阻的大小与电阻体的材料、横截面积和电阻体的长度有关。（）6电阻器的阻值与使用环境温度无关。（）7金属材料具有正的电阻温度系数。（）8电容器的耐电压值与所用绝缘材料的性质有关。（）9使用中的电容器有串联、并联和混联等连接方式。（）10恒压源的内阻越小越好，恒流源的内阻越大越好。（）（题目不好。恒压源的内阻为零；恒流源的内阻为无限大。）11通过电容器的交流电流相位超前电压相位
2、90。（）12电容器允许直流电流通过，而不允许交流电流通过。（）13在电路中，电容器对于直流有充电、放电效应。（）14电容器对通过它的交流电有阻碍作用，是一种耗能元件。（）15电容器具有储存电能的功能。（）16电容器对通过它的交流电的阻碍能力常用容抗表示。（）17与电气元件并联的电容器有交流旁路作用。（）18与电气元件串联的电容器有隔直作用。（）19电感器具有储存电能的功能。（）20电感器有储存电能的作用，楞次定律不适用于电感器。（）21电感器上的电流和电压可以突变。（）22电感器和电容器在电路中有储存电能的作用。（）23电感器对通过它的交流电有阻碍作用，属于耗能元件。（）24电感器具有储存电
3、能的功能，这种磁能存储能力和电感器的电感量大小有关。（）25通过电感器的交流电流相位超前交流电压相位90。（）26电感器和电容器都是储能元器件。（）27电感器或电容器的等效串联电阻是它们耗能的主要原因。（）28阻抗是个复数，由电阻和电抗两部分组成。（）29复数阻抗含有实部和虚部，实部表示电阻，虚部表示电抗。（）30复数阻抗含有幅值、幅角（相位角）两个要素。（）31交流电不可以利用变压器改变电压、阻抗和电流。（）32直流电桥可以用交流电供电。（）33利用RC元件可以构成正弦振荡电路。（）34有功功率P表征元件消耗能量的特性；无功功率Q表征元件储存能量的特性。（）35软磁性材料、硬磁性材料在使用过
4、程中在磁路中加空气间隙是为了提高磁性材料在使用过程中的抗磁饱和能力。（）（题目不结合实际。）36软磁性材料的剩磁很强，而硬磁性材料的剩磁很弱。（）37永久磁铁用软磁性材料制成。（）38磁路磁阻与磁路长度、磁性材料、磁路横截面积有关。（）39半导体PN结不具有单相导电性。（）40半导体中载流子是电子。（）41MOSFET场效应晶体管的输入阻抗比双极性晶体管的输入阻抗低。（）42可控硅的通电流能力不高。（）43场效应晶体管（FET）是电流驱动控制元件。（）44半导体二极管的管压降（PN结电压）与温度无关。（）45按照材料，半导体三极管分主要锗三极管和硅三极管。（）46在P型半导体中，空穴的数量大大
5、超过自由电子；在N型半导体中，自由电子的数量大大超过空穴。（）47双极型半导体三极管是一种电流控制器件。（）48共发射极放大电路具有电压放大倍数高、电流放大倍数高和功率增益大的特点。（）49通频带是谐振电路一项很重要的技术指标。（）50场效应晶体管(FET)是电流驱动控制器件，具有所需驱动功率小的特点。（）51场效应晶体管（FET）为电压控制器件，场效应晶体管（FET）的输入阻抗较普通双极型三极管的输入阻抗要高很多，并且高频工作特性也要好许多。（）52场效应晶体管(FET)是电压控制器件，具有输入阻抗高的特点。（）53双极型三极管为电压控制器件，而场效应晶体管（FET）为电流控制器件。（）54
6、用作放大元件时，运算放大器应开环工作。（）55运算放大器的闭环放大倍数与运算放大器的开环放大倍数有关，与闭环电路外围元件的参数无关。（）56构成振荡电路无须加正反馈回路。（）57构成振荡电路不需要加正反馈回路。（）58电感器和电容器是组成LC谐振电路的重要元件，构成振荡电路必须加正反馈回路。（）59Q值是LC谐振电路的一项重要技术指标。（）60石英晶体振荡器的Q值比LC谐振电路的Q值高很多。（）70石英晶体振荡器的Q值比比谐振电路的Q值高很多，所以石英晶体振荡器的振荡频率稳定性要比比谐振电路的振荡频率稳定性高很多。（）71Q值是表示储能元器件（例如电感器或电容器）耗能特性的一个技术指标，Q值越
7、高，则表示储能元器件的耗能越小。（）72按进制划分数字信号有2进制、4进制、8进制和16进制等。（？）73CRC（循环冗余校验算法）在数据通信领域得到了广泛的应用。（）74数字取样信号频率的高低和取样生成的数据量大小有关。（）75数字逻辑电路有正逻辑、负逻辑两种表示方法。正逻辑0态表示低电平状态，1态表示高电平状态。（）76补码是表示数的正、负的专用码符，位于二进制数最高位的前面。“0”表示正数，“1”表示负数。与十进制+37对应的码为00100101。（）77奇偶校验是一种简单的检验数据在传输过程中有无数据位出错的方法，但是纠错检错能力有限。（）78CRC校验（循环冗余差错校验）是检验数据在
8、传输过程中有无数据位出错的常用方法，实用中得到了广泛的应用。（）79组合逻辑电路的输出状态仅与现输入状态有关，无记忆功能。（）80组合逻辑电路无记忆功能，输出状态仅与现输入状态有关。（）44时序逻辑电路中不含存储电路。（）81表示触发器逻辑功能的主要方法有触发器的特性表、触发器的电路原理图、触发器的逻辑状态转换图、触发器的输出波形图、触发器的逻辑方程式筹。（）82触发器是脉冲数字电路的基本电路。（）83利用触发器可以组成组合逻辑电路和时序逻辑电路。（）84利用基本RS触发器，同步RS触发器，JK触发器，D触发器和T触发器等可以使组成各种功能的逻辑电路。（）85D触发器可以使其输出逻辑电平随输入
9、逻辑电平的变化而变化。（）86触发器的逻辑状态转换图是表示触发器逻辑功能的一种方法。（）87施密特电路和单稳态电路有波形整形的功能。（）52变压器具有变电压、变电流的作用，不具有变阻抗的作用。（）88变压器具有变电压、变电流和变阻抗的作用。（）89变压器和光电耦合器具有信号隔离功能。（）90变压器是利用电磁感应原理传输电能或信号的器件，具有变电压、变电流、变阻抗和隔离的作用，可以用于直流电的变换。（）91电动机是一种电能-机械能的转换装置，而发电机是将其它形式的能量转化为电能的转换装置。（）92利用电动机的调速控制可以实现节能，电动机常用的调速方法有：(1)变领法，(2)变压法，(3)变频变压
10、法(VVVF)。（）（VVVFVariable Voltage and Variable Frequency的缩写）93直流电动机不可以调速运行。（）94交流电桥既可以测直流电阻，也可以侧电感器和电容器的参数，故称为万用电桥，而直流电桥只能测电阻。（）95压敏电阻在电路中可以用作过电压保护器件。（）96霍尔传感器可以把电信号变成磁信号输出。（）（题目不好。原理可以，但没有这样用的）97霍尔传感器是一种将磁信号转换为电信号的半导体器件，其物理基础是磁电效应。（）98A/D变换的精度和A/D变换的位数有关。（）99继电器控制逻辑电路的控制功能有限，而PLC控制逻辑电路的控制功能比继电器控制逻辑电路
11、的控制功能要更强和使用更方便。（）100可编程逻辑控制器PLC在工业控制领域得到了广泛的应用。（） 101PLC在自动控制技术中得到了广泛的应用。（）102PLC控制器的控制功能比继电器控制逻辑的控制功能强，实现也更为简便。（）103目前单片机、PLC和嵌入式技术在自动控制中得到了很好的应用。（）104电路的合理接地对提高电路的工作性能，降低干扰具有很重要的作用。（）105电路的接地可有可无。（）106取样信号频率的高低和取样生成的数据量太小有关，取样信号频率越高则取样生成的数据量越小。在有噪声的环境下，取样信号的频率还应更低。（）107数字取样信号频率的高低和取样生成的数据量大小有关。（）1
12、08MP3是一种常用的数字音频信号压缩算法。（）109采用双绞线或者屏蔽线可以有效地抑制干扰进入传输线。（）110我国专利法中规定专利有发明专利、实用新型专利和外观设计专利。（）111中华人民共和国专利法第四十二条规定，发明专利权的期限为二十年，实用新型专利权和外观设计专利权的期限为十年，均自申请之日起计算。（）二、单选题1电阻器是一种线性电子元器件。（说明：这是有问题的题。既然说到功率，应该交代是保持电压不变还是保持电流不变。否则，是无法判断的。） A电阻器串联后会使电阻器的总电阻值变大 B电阻器串联后会使电阻器的总功率值变小（如果电流不变呢？） C电阻器串联后的总功率值和每个串联电阻器的功
13、率值无关D电阻值越串联越大，但会使电阻器的总功率值变小（如果电流不变呢？）2电阻器是一种线性电子元器件，电阻器的电阻满足线性叠加定律。（说明：同上。）A电阻器并联后会使电阻器的总电阻值变小，总功率值加大。B电阻器并联后会使电阻器的总电阻值和总功率值变小。C电阻器并联后的总阻值和总功率和每个并联电阻器的电阻值和功率值无关。D电阻值越并联越大，但电阻器并联会使电阻器的总功率值变小。3通过如图所示电路中的电流I为（）。 A. (U1-U2)/4 B. (U2-U1)/4 C. 4 (U2-U1) D. 4 (U1-U2)4如图所示电路中的电阻Rab为（）。 A. 6W B. 12W C. 24W D
14、. 36W5电容器串联会使总电容量变小。 A电容器串联会使电容器的总电容量加大 B电容器串联会使电容器的总耐电压值加大 C电容器串联会使电容器的总电容量加大，并且电容器的总耐电压值也会加大 D电容器串联的总耐电压值取决于串联电容器耐电压值中最小那只电容器的耐电压值6电容器串联会使总电容量变小。A电容器串联会使电容器的总电容量加大，但是电容器的总耐电压值会减小。B电容器串联会使电容器的总电容量减小，但是电容器的总耐电压值会加大。C电容器串联会使电容器的总电容量加大，而且电容器的总耐电压值也会加大。D电容器串联会位电容器的总电容量加大，但是电容器的总耐电压值取决于串联电容器的耐电压值中最小的那只电
15、容器的耐电压值。7电容器并联会使总电容量变大。A电容器并联使用会使电容器的总耐电压值加大B电容器并联使用会使电容器的总电容量加大，但是电容器的总耐电压值会减小C电容器并联会位电容器的总电容量加大，但是电容器的总耐电压值取决于并联电容器的耐电压值中最小的那只电容器的耐电压值。D电容器并联会使电容器的总电容量加大，而且电容器的总耐电压值也会加大8电感器越并联总电感量减小。 A电感器越并联总电感量越小，同时允许通过的总电流也越大 B电感器并联总电感量会加大 C电感器越并联总电感量加大，同时允许通过的总电流越大 D电感器并联允许通过的总电感器的电流的大和每个参与并联的电感器无关9电感器的并联会使电感器
16、的总电感量减小。 A电感器并联会使电感器的总电感量变大，但是允许通过总电感器的电流大小要视每个电感器的具体情况而定。 B电感器越并电感量越大，同时允许通过的总电流也越大。 C电感器越并电感量越小，同时允许通过的总电流越大。 D电感器并联电感量会加大，但是允许通过的最大电流取决于所并电感器中允许通过电流最小的那只电感器的电流。10电感器的并联会使电感器的总电感量减小。 A电感器并联会使通过电感器的总电流减小 B电感器并联电感量越大C电感器并联个数越多电感量越小，同时允许通过的总电流越大D电感器并联对总电感量投影响11对于两个电感串联，下列正确的说法是（）。A总电感量必定不变B总电感量必定减小C总
17、电感量必定增大D总电感量与两个电感的极性有关12电感器具有存储电能的能力。 A电感器对通过的交流电有一种叫感抗的阻碍能力 B电感器的电感量越大存储电能的能力越小 C含磁芯电感器的电感量与磁芯材料的磁特性有关，与其匝数无关D含磁芯电感器的电感量与匝数有关，与磁芯材料的磁特性无关13线性电子元器件满足叠加原理。A电阻器是线性电子元器件B电感器不是线性电子元器件（空心电感呢？）C半导体二极管是线性电子元器件D半导体三极管是线性电子元器件14已知正弦电流i1=10sin(wt+30)A、i2=10sin(wt-60)A，则i1超前i2的相位角为_。A90 B-90 C30 D6015对一个RC交流电路
18、电压uC与电流i的关系为_。A电流i超前电压uC角度90 B电流i超前电压uC角度小于90C电流i滞后电压uC角度90D电流i滞后电压uC角度小于9016已知正弦电压u= u1+ u2，且、u1=5sinwt（V）、u2=5sinwt（V），则u的有效值为_。A5V B C10V D17以下关于LR电路时间常数t的正确说法是_。A B C D 18LC振荡电路的谐振频率f0可以用下列哪个公式计算？A B C D 19正弦电流通过电容器元件时，下列关系正确的是_。A B C D 20某负载取得的有功功率为10kW，视在功率为20kW（注：应为kVA），则功率因数为_。A0.5 B2 C2.5 D
19、1.0 21正弦电流通过电感元件时，下列关系正确的是（）。 A. B. C. D. 22以下关于LC电路时间常数的正确说法是（）。（应该是RC电路！）A. (s) B. (s) C. (s) D. (s)23磁性材料磁路磁阻的大小和磁性材料的磁饱和点位置有关。A磁性材料磁路磁阻和磁性材料的类型、磁路长度无关B磁性材料磁路磁阻和磁性材料无关，和磁路长度有关C磁性材料磁路磁阻和磁路长度无关，但是和磁性材料有关D磁性材料磁路磁阻和磁性材料的类型、磁路长度和磁路的形状有关24软磁性材料的磁特性和它磁滞曲线的矩形系数有关A剩磁越强的磁性材料的磁特性越硬B剩磁越弱的磁性树料的磁特性越硬C磁性材料的磁特性软
20、、硬与她的矩形系数无关，只与磁性材料的磁特性有关D硬磁性材料适合于用作变压器的铁芯(磁芯)25硬磁性材料的磁特性和它磁滞曲线的矩形系数有关。A磁性材料的矩形系数越大，则磁性材料的磁特性越软，反之，如果磁性材料的矩形系数越小，则磁性材料的磁特性越硬。B磁性材料的磁特性软、硬与它的矩形系数无关，只与磁性材料的磁特性有关。C剩磁越弱的磁性材料的磁特性越硬，反之，剩磁越强的磁性材料的磁特性越软。D剩磁越强的磁性材料的磁特性越硬，反之，剩磁越弱的磁性材料的磁特性越软。26硬磁性材料的磁特性和它的磁滞曲线的矩形系数有关。 A剩磁越强的磁性材料的磁特性越硬 B剩磁越弱的磁性材料的磁特性越硬 C磁性材料的磁特
21、性软、硬与它磁滞曲线的矩形系数无关 D磁性材料的磁滞曲线矩形系数越大，则磁性材料的磁特性越软27若某元件的u-i特性曲线如下图所示，则此元件为（）。A线性、非时变电阻B线性、时变电阻C非线性、非时变电阻D非线性、时变电阻28测得晶体三极管三个电极的静态电流分别为0.05mA、2.55mA、2.5mA则该晶体管的为_。A100 B51 C50 D6029半导体二极管的PN结对通过它的电流会产生正向电压降。 A硅半导体材料二极管的正向电压降为0.3V，锗半导体材料二极管的正向电压降为0.7V。 B硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均为0.7V。硅半导体材料二极管的温度稳定性较锗半导体材料二极管的温
22、度稳定性要好。 C硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均为0.3V。锗半导体材料二极管的温度稳定性较硅半导体材料二极管的温度稳定性要好。 D硅半导体材料二极管的正向电压降为0.7V，锗半导体材料二极管的正向电压降为0.3V。30半导体二极管的PN结对通过它的电流会产生正向电压降。A硅半导体材料二极管的正向电压降为0.3V B硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均为0.7V C硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均为0.3V D锗半导体材料二极管的正向电压降为0.3V31半导体二极管的PN结有正、反向工作特性。 A半导体二极管PN结的正向导通电阻很大 B半导体稳压二极管工作在PN结的正向导通区 C半导
23、体二极管PN结正向导通电压的大小与温度有关 D半导体二极管PN结的反向电阻很小32锗半导体草料二极管的正向电压降为0.7V左右。（说明：题干错误。）ALED二极管的正向电压降大约为0.3V左右（LED是发光二极管Light Emitting Diode的缩写） B硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均大约为0.3V左右 C硅、锗半导体材料二极管的正向电压降均大约为0.7V左右 D半导体二极管的PN结对通过它的电流会产生电压降33半导体三极管有放大工作区、截止工作区和饱和工作区三个工作区。A在半导体三极管的饱和区仍有放大作用B半导体三极管的放大区主要用于开关作用C半导体三极管的放大区用于信号放大作
24、用D半导体三极管的正常工作区是截止区和饱和区（数字电路呢？）34半导体三极管的放大工作区、截止工作区和饱和工作区是半导体三极管的三个工作区。 A在半导体三极管的饱和区仍有较小的放大作用。 B半导体三极管的正常工作区是截止区和饱和区。（数字电路呢？） C半导体三极管的放大区用于信号放大作用。 D半导体三极管的放大区主要用于开关作用，而饱和区和截止区主要用做信号放大作用。35如下图所示电路有R=1kW，输出电压为（）。 A. 10V B. 3.5V C. 6.5V D. 3V36双极型晶体管（BJT）的放大区用于信号放大作用。（BJT是双极结型晶体管Bipolar Junction Transis
25、tor的缩写） A放大工作区、截止工作区和饱和工作区是双极型晶体管的三个工作区 B双极型晶体管的正常工作区是截止区和饱和区（数字电路呢？） C双极型晶体管的饱和区仍有信号放大作用 D双极型晶体管的放大区主要用于开关作用，而饱和区和截止区主要用做信号放大作用37场效应晶体管（FET）的放大工作区、截止工作区和饱和工作区是场效应晶体管的三个工作区。（说明：题干不妥。场效应管特性主要的3个区域是可变电阻区、恒流区和截止区。） A在场效应晶体管的饱和区仍有较小的放大作用。 B场效应晶体管的正常工作区是截止区和饱和区。（数字电路呢？） C场效应晶体管的放大区用于信号放大作用。 D场效应晶体管的放大区主要
26、用于开关作用，而饱和区和截止区主要用做信号放大作用。38下面哪一种表东方法不是逻辑电路输入输出的表示方法?A输入输出逻辑表达式 B卡诺图 C矩阵表达式 D输入与输出波形图39如果10:1理想降压变压器次级绕组连接有50W的负载电阻，则这个变压器初级绕组的等效电阻为_。A500W B5kW C0.5W D5W40变压器不具备以下哪个功能?A对输入与输出的交流电进行电压比变换B对输入与输出的阻抗进行阻抗比变换C对输入与输出的电流进行电流比变换D对输入与输出的电功率实现功率变换41利用变压器可以实现变压器输入输出电路的阻抗变换。A变压器不能对输入与输出的交流电进行电压比变换B变压器可以对输入与输出的
27、直流电压送行电压比变换C变压器可以对输入与输出的直流电功率实现功率变换D变压器可以对输入与输出的交流电实现电压比变换42变压器具有变电压、变电流和可以实现变压器输入输出电路的阻抗变换功能。 A变压器可以对输入的直流电功率实现功率变换，但对输入的交流电功率不能实现功率变换。 B变压器既可以对输入的交流电实现变电压，同时也可以对输入的直流电压进行变电压。 C变压器可以对输入的直流电进行变电压，但是不能对输入的交流电进行变电压。 D利用变压器可以对输入的交流电流实现电流比变换。43变压器可以对输入的交流电流实现变流比的变换。 A变压器可以实现对变压器输入、输出电路阻抗的变换 B变压器可以对输入的交流
28、电功率实现功率变换 C变压器不能对输入的交流电进行变电压变换 D变压器可以对输入的直流电流进行变电压变换44利用变压器可以实现变压器输入输出电路的阻抗变换。A变压器可以对输入的直流电功率实现功率变换B变压器可以对输入直流电压进行变电压C变压器不能对输入的交流电进行变电压D利用变压器可以对输入的交流电实现变电压、变电流、阻抗变换45交流电动机是用交流电驱动的电动机，可以实现交流调速运行。A直流电动机不可以调速，而交流电动机可以调速B直流、交流电动机都可以调地并且有多种调速方法C交流电动机调速是利用改变供电电压的方法，使用不方便（说明：选项不好。随着可控硅技术的发展，变压调速很常见。）D交流电动机
29、不可以调速46交流电动机可以实现交流调速运行。 A交流电动机调速运行不节能 B交流电动机调速是利用调节供电电压的方法，使用不方便（说明：同上。） C交、直流电动机都可以调速运行，并且有多种调速方法D直流电动机不可以调运运行，而交流电动机可以调速运行47直流电动机是用直流电驱动的电动机，可以实现直流调速运行。A直流、交流电动机都可以调速，并且有多种调速方法B直流电动机可以调速，而交流电动机不可以调速C交流电动机调速是利用变频的方法，使用不方便D交流电动机不可以由速，而直流电机可以利用改变它的直流供电电压的方法调速，实现较为方便48交流电动机是用交流电驱动的电动机，可以实现交流调速运行。 A交、直
30、流电动机都可以调速，并且有多种调速方法 B直流电动机不可以调速，而交流电动机可以调速 C交流电动机调速是利用调压的方法，使用不方便（说明：同上。） D交流电动机不可以调速，而直流电机可以利用改变它的直流供电电压的方法调速49霍尔元件是一种将变化的磁信号转变为电信号输出的信号检测器件。 A霍尔元件可以将温度信号转换为电信号输出，得到了广泛的使用。 B霍尔元件是一种特殊传感器，主要用于将位移信号转变为电信号输出。（错吗？）C霍尔元件是一种用于电磁检测的半导体传感器，可以用来测量位移、加速度等参量，具有使用方便，测量精度高的特点。 D霍尔元件是一种磁信号传感检测器件，它有5个信号端子，可以用来测量有
31、关磁场变化的量，得到了广泛的使用。50霍尔传感器是一种磁电信号的检测装置(器件)。 A霍尔传感器可以用来测量温度 B霍尔传感器不可以将位移信号转变为电信号输出 C霍尔传感器可以用来测量位移、加速度等参量 D霍尔传感器是一种半导体红外传感器51霍尔元件是一种磁信号传感检测器件。（说明：不好。前3个选项都不是错误的。） A霍尔元件是一种用于磁电信号检测的半导体传感器 B霍尔元件主要用于将位移信号转变为电信号检测的半导体传感器C霍尔元件是一种用于电磁检测的半导体传感器 D霍尔元件可以将温度信号转变为电信号输出52红外传感器可以把被检测红外信号转换为电信号输出，是一种信号检测装置(器件)。（说明：不好
32、。前两个选项都不是错误的。） A红外传感器可以将热信号转换为电信号输出，得到了广泛的使用。 B红外传感器是一种特殊传感器，主要用于将位移信号转变为电信号输出。 C红外传感器是一种利用电磁感应原理制成的传感器，可以用来测量位移、加速度等参量，具有使用方便，测量精度高的特点。 D霍尔元件是一种半导体红外传感器，它有5个信号端子，可以用来测量有关磁场变化的量，得到了广泛的使用。53红外传感器是一种信号检测装置（器件）。（说明：不好。）A红外传感器可以将温度信号转换为电信号输出，得到了广泛应用B红外传感器主要用于将位移信号转变为电信号输出 C红外传感器可以用来测量位移、加速度等参量 D霍尔元件是一种半
33、导体红外传感器54下面哪个器件不是可编程器件？（） A. FPGA B. PLD C. ASIC D. CPLD55指出下面哪一种不是总线。 A. I2C B. SPI C. Modbus D. 网线56在现场总线技术中常采用以下哪种方法来检测被传输数字信号在传输过程中是否出错?ACRC（循环冗余差错校验) B奇偶校验C数据位长度校验 D被传输数字信号周期三、多选题1电阻器在电路中消耗的是有功功率。 A电阻值越大在电阻中流过的电流越大（说明：应该交代保持电压不变。） B电阻器串联后总电阻值加大，而总耐电压值减小（说明：对电阻器说耐压值不妥当。下同。） C电阻器串联后总电阻值加大，并且总耐电压值
34、加大 D电阻器在电路中可以把电能转换为热能而将输入电能消耗掉2电阻在电路中消耗的是有功功率。A电感在电路中消耗的是无功功率B电容在电路中消耗的是有功功率C电阻在电路中可以把电能转换为热能而将输入电能消耗掉D电阻器串联后总电阻值加大，并且总耐电压值加大3电阻器串联连接，串联的电阻器越多，则串联电阻器的总耐电压值越大。 A电阻器串联总电阻值减小，所以总耐电压值就加大。 B在工作频率一定的情况下，电阻器串联的总电阻值加大。 C每只电阻器的耐电压值与串联与否无关，每只电阻器的耐电压值只和这个电阻器本身的结构和材料有关。D电阻器串联后总电阻值加大，并且总耐电压值加大。4电阻器可以串联、并联和混联使用。
35、A电阻器串联总电阻值加大，所以总耐电压值就加大 B每只电阻器本身的耐电压值与和其它电阻器串联与否无关 C电阻器并联总电阻值加大D利用电阻器和电容器可以组成RC滤波电路5一个由电阻器、电容器和电感器组成的电网络的阻抗和组成这个电网络的电阻器、电容器和电感器元件的参数有关。 A一个由电阻器、电容器和电感器组成的电网络的阻抗和组成这个电网络的电阻器、电容器和电感器元件的材料性质有关。 B组成一个电网络的电感器元件的电感量越大，则这个电网络的阻抗越大。 C组成一个电网络的电容器元件的电容量越大，则这个电网络的阻抗越大。 D组成一个电网络的电阻器元件的电阻值越大，则这个电网络的阻抗越大。6电容器有隔直流
36、电流和通过交流电流的能力。 A电感器的储存电磁能量能力和它的电感量成反比 B利用电容器和电感器可以组成LC振荡电路 C电容器的储存电荷能力和它的电容量成反比 D电感对通过它的交流电有一种叫感抗的阻碍能力7阻抗由电阻R和电抗X两部分组成。 A电阻R是阻抗的实部，而电抗X是阻抗的虚部 B阻抗Z可以用公式表示，j表示幅角 C一个电网络中电容器元件的电容量越大，则这个电网络的阻抗越大 D一个电网络中电感器元件的电感值越小，则这个电网络的阻抗越大8阻抗Z由电阻R和电抗X两部分组成。A电阻R是阻抗的实部，电抗X是阻抗的虚部B阻抗Z可以用公式表示，j表示幅角C电抗X由容抗和感抗两部分组成D电抗X消耗电功率，
37、而电阻R不消耗电功率9阻抗由电阻和电抗两部份组成。（说明：这几道题都不妥当。这道题只有一个正确的选项，不能算多选题。估计命题人想的是感抗大于容抗。） A电阻是阻抗的实部，而电抗是阻抗的虚部 B组成一个电网络的电感器元件的电感量越大，则这个电网络的阻抗越大C组成一个电网络的电容器元件的电容量越大，则这个电网络的阻抗越大D组成一个电网络的电阻器元件的电阻值越小，则这个电网络的阻抗越大10正序对称三相交流电压，则A BCD11对于阻抗Z=4+j4W，则下面正确的表达式为A BC D 12共发射极放大电路的特点是_。A输入和输出信号同相位 B电压放大倍数高 C输入阻抗低，输出阻抗高 D电流放大倍数为b
38、倍13晶体三极管3个电极UB、UC、UE的电位分别为-5.3V、0V、-6V，对应的晶体三极管处于下列何种状态?（注：没有交代是NPN管还是PNP管，只好按NPN管考虑）A 放大 B电流放大倍数为b倍C 截止 D饱和导通14放大电路引入负反馈可以_。A减小电路的放大失真 B展宽工作频带 C加大电路的放大倍数 D工作更加稳定15以下关于理想集成运算放大器的说法正确的是_。A利用理想集成运算放大器可以构成对数放大电路B利用理想集成运算放大器可以构成指数放大电路C利用理想集成运算放大器可以构成加法器电路D利用理想集成运算放大器可以构成减法器电路16下列哪些是关于格雷码的说法？A格雷码是循环二进制码
39、B格雷码是一种余3码C格雷码是反射二进制码 D格雷码属于可靠性编码17三极管3个电极UB、UC、UE的电位分别为下列各组数值，哪几组数据对应的三极管处在放大状态?A 0.7V，6V，0V B 2.8V， 0V，3V（如为PNP锗管，接近放大状态）C 4.8V，5V，5V D -5.3V，0V，-6V18工作在放大状态的晶体管放大电路如下图所示，对下图正确的说法是A该电路的输出电压uo与输入电压ui的相位相反B保持UCC和RC取值不变，增大RB的取值可以使静态电流IC0减小C该电路的输出电压uo与输入电压ui的相位相同D保持UCC取值不变，增大RC，可以使静态电流IC0减小19在场效应晶体管中只
40、有一种载流子参与工作，是利用沟道导电的工作原理，而在半导体三极管中有N型和P型两种载流子参与工作，是利用PN结的工作原理。 A由于场效应晶体管是利用沟道导电的工作原理，所以场效应晶体管是单载流子导电工作的器件。 B在半导体三极管和场效应晶体管中都利用PN结的工作原理，所以都有N型和P型两种载流子参与导电过程。 C场效应晶体管也是一种N型、P型载流子参与导电工作的器件。 D由于半导体三极管是利用PN结工作原理制成的器件，所以是一种两种载流子参与工作的器件。20在场效应晶体管中只有一种载流子参与工作，是利用沟道导电的工作原理，和半导体三极管的工作原理不同。A场效应晶体管是单载流子导电工作的器件B在
41、半导体三极管中有N型和P型两种载流子参与导电过程C场效应晶体管是一种N型、P型载流子参与导电工作的器件D由于半导体三极管是利用PN结工作原理制成的器件，所以是一种两种载流于参与工作的器件21场效应晶体管（FET）是单载流子导电工作的器件。 A双极型晶体管（BJT）是两种载流子参与工作的器件 BIGBT是一种MOSFET和双极型晶体管的复合器件 C在场效应晶体管中电子和空穴两种载流子都参与了工作 D双极型晶体管（BJT）是利用PN结工作原理制成的器件22振荡电路是一种波形产生电路。A利用R、C元件和放大器电路可以构成正弦波振荡电路B利用L、C元件和放大器电路可以构成正弦波振荡电路C利用门电路不可
42、以构成脉冲波产生电路D利用555定时器可以构成脉冲波产生电路23以下与振荡电路品质因数Q有关的正确说法是A品质因数Q值越高，则振荡电路的3分贝带宽(Bw3dB)值越小（说明：）B品质因数Q值越高，则振荡电路的3分贝带宽(Bw3dB)值越大C品质因数Q值越高，则振荡电路的振荡频率越稳定D品质因数Q值越高，则振荡电路的振荡频率越不稳定24常用的触发器按逻辑功能划分主要有_。（有允许全选的题吗？）AD触发器 BRS触发器 CJK触发器 DT触发器25用触发器可以构成各种计数器。A计数器可以用于定时B计数器可以用于分频C异步计数器不易出现逻辑错误D同步计数器的计数速度比异步计数器的计数速度漫26单稳态脉冲电路也可以用于脉冲整形。（说明：题目有问题。哪有四个选项都对的？） A施密特电路可以用于脉冲整形 B脉冲整形电路是用于将输入信号的波形加以整形，使输出信号波形更加规范的电路 C单稳态电路和施密特电路都可以用于脉冲整形 D双稳态电路可以用于脉冲整形27施密特电路是一种脉冲整形电路。 A脉冲整形电路是用于将输入信号的波形加以整形，使输出信号波形更加规范的电路。 B单稳态脉冲电路也可以用于脉冲整形。 C施密特电路可以用于脉冲整形，而单稳态脉冲电路则不可以用于脉冲整形。 D单稳态脉冲电路可以用于脉冲整形，而施密特电路不可以用于脉冲整形。28以下关于脉冲整形
