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1、單位:2LCD 工程一部報告者:林吉宏,液晶滴下式注入(ODF)介紹VLA-7000C,報告內容大綱,*裝置構成及各部機構介紹*製程主要參數*ODF製程相關不良,ODF注入方式介紹,裝置構成(VLA-7000C),LC滴下部,對位/組立部,框膠硬化部,LC 滴下部:Dispenser,Dispenser 構成:,Dispenser 作動程序:,Dispenser Layout:,Supply Valve,Limit Valve,Plunger,Syringe,LC bottle,Nozzle,Filter,Supply Valve Open,Plunger上升至原點(補充LC),Supply
2、Valve Off,Limit Valve Open,Plunger步進下降(LC滴下),Plunger下降至LC滴完位置,Limit Valve Off,Dispenser精度及LC比抵抗維護,精度:,LC比抵抗:,*液晶移載方式*Dispenser 存放環境*Parts清潔組立程序,*LC 脫泡程序*Dispenser脫泡程序*精度確認(0.5%),LC滴下Pattern 及Seal Pattern,Seal Pattern:,LC Pattern:,Pattern 設計重點:1.頭尾結合點位置點2.Main seal to BM 距離3.Dummy to main seal 距離,LC
3、pattern 設計重點:1.滴下點至 main seal 距離(25-30mm)2.滴下點間間距:(30-40 mm)3.滴下點大小:(80-100 Pulse),LC滴下MARGIN,對位組立部機構:,CFTFT,靜電chuck,M,LOAD CELL,C,C,真空CHAMBER,加壓機構,ESC 靜電吸著板構造,A電極,B電極,TOP VIEW,對位組立程序說明:,Chamber上蓋下降,ESC ON-同壓配管ON,CHAMBER 抽真空,真空度 1 pa 時-上ESC下降執行粗對位,真空度0.8 pa 時-上ESC下降至微對位置,執行微對位,加壓力,對位完成-最終加壓力,脫離除電-真空
4、開放(N2 Purge)大氣加壓保持,Chamber上蓋上升,UV seal 硬化製程,對位組立製程主參數及設備ISSUE:,*壓合STEP/壓合壓力*靜電ESC施加電壓值*電壓Type(A-/B)及電壓施加時機*Chamber真空度*ESC靜電消除電壓值及電壓施加時機.,製程主參數:,設備Main Issue:,*Chamber真空度維護*上下ESC Stage平面度及平行度維護*ESC Maintenance*製程 Tact time,UV照射部構造,基板,DUV cut filter,IR cut filter,Mirror,UV Lamp,*UV波長cut(300 nm以下cut).*
5、UV照射強度(80160mw/cm2).*UV照射能量(SEAL種類:協立,三井).*UV照射照度/照射時間(段階,積算光量)*UV照射均勻性(20%以下).,UV照射部相關參數:,ODF 製程相關不良(1):,靜電chuck平行度:SPEC 15 um chamber 真空度Seal 斷膠/貫通/局細/剝離等異常,Bubble:,Air Bubble:,Vacuum Bubble:,液晶滴下量不足PS 高度異常Dispenser 精度,ODF 製程相關不良(2):,Gravity Mura:,LC Dispenser 精度管理:0.5%LC quantity V.S.PS height PS
6、 Density,ODF相關seal defect:,Seal in BM:結合點,塗佈Shift,膠寬過大 Main seal 異物壓寬:ESC 上異物LC 貫穿:滴下點至main seal 距離,ESC平坦度/平行度空氣貫穿:斷膠,框膠局細,UV硬化前置時間過長Seal 剝離:ESC靜電殘留,真空壓殘留,ODF 製程相關不良(3):,ESC除電不完全:除電時間同壓配管閥動作不良:同壓配管內殘壓影響對位完成基板基板PURGE壓力高or流量大:PURGE壓力,流量調整對位SOFT不良:對位完成後再補正ESC和基板吸著力不足:ESC電壓/STAGE平行度UV照射前基板移載不良,Mis-assembly:,ODF 製程相關不良(4):,Ring Mura:,.上下ESC 內異物.UV Stage 內異物.AL/UV部頂Pin壓傷.PS density,ODF 製程相關不良(5):,Chuck Mura:,
