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1、MOS管基础知识与应用衬底4%底耗尽型S增强型sN沟道g（j衬底衬底耗尽型S增强型SP沟道1 , MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET ），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟 道或N沟道共4种类型 但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS 管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。 所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我
2、们需要的，而是由于制造工艺限制 产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免， 后边再详细介绍。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。Sou阳甘Sb.-rtiddlldOSFET2，MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动）, 只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适
3、合用于源极接VCC时的情况（高端 驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替 换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。下图是瑞萨2SK3418的Vgs电压和Vds电压的关系图。可以看出小电流时，Vgs达 到4V，DS间压降已经很小，可以认为导通。增强型N沟道是G大于D 5V以上即高电平时导通增强型P沟道耗尽型N沟道是G小于D 5V以上即低电平时导通耗尽型P沟道3，MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上 消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。 现在的小
4、功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的 过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积， 叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每 次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小 开关损失。下图是MOS管导通时的波形。可以看出，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的 损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率
5、，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。4 , MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定 的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动， 实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容 看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间 短路电流的大小。aParasitic Bipolar TraniistorBody DiodeEquivalent Circuit第二注意的是，普
6、遍用于高端驱动的NMOS ,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路 了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的 短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。 而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不 同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Micro
7、chip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。下图是MOS管导通时的波形。可以看出，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的 损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位 时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟 道或N沟道共4种类型 但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS 管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。5，MOS管应用电路MOS管最显著的特性是开
8、关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见 的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。现在的MOS驱动，有几个特别的需求，1，低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V 的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。2，宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM 电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gat
9、e电压 的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压就会出现输入电压比较高的时候， MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功 耗。3，双电压应用在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用 12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管， 同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，
10、似乎 也没有包含gate电压限制的结构。于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。电路图如下：用于NMOS的驱动电路VIVhPWMGNDQi j HPHR1 二 .P1TP用于PMOS的驱动电路VIPWMGNDR4 .TvhGate-PMOS这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：VI和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是不应该超过Vh。Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4 不会同时导通。R2和R3提供了 PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号 波形比较陡直的位置。Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时
11、候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只 有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和 Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以 通过R5和R6来调节。最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限 制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。这个电路提供了如下的特性：1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。3，gate电压
12、的峰值限制4，输入和输出的电流限制5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要 面对的两个问题。DC-DC转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用 于为便携式设备供电。目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有：（1）高频化技术： 随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升，动态响应 得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。（2）低输出电压技术：随 着半导体制造技术的不断发展，微处理器
13、和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求 未来的DC-DC变换器能够提供低输出电压以适应微处理器和便携式电子设备的要求。这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求。首先，随着开关频率的不 断提高，对于开关元件的性能提出了很高的要求，同时必须具有相应的开关元件驱动电路以 保证开关元件在高达兆赫级的开关频率下正常工作。其次，对于电池供电的便携式电子设备 来说，电路的工作电压低（以锂电池为例，工作电压2.53.6V ），因此，电源芯片的工作 电压较低。MOS管具有很低的导通电阻，消耗能量较低，在目前流行的高效DC-DC芯片中多 采用MOS管作为功率开关。但是由于MOS管的寄生电容大，一般
14、情况下NMOS开关管 的栅极电容高达几十皮法。这对于设计高工作频率DC - DC转换器开关管驱动电路的设计 提出了更高的要求。在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为 大容性负载的驱动电路。这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常工作，并且能够在负 载电容1 2pF的条件下工作频率能够达到几十兆甚至上百兆赫兹。本文正是采用了自举升 压电路，设计了一种具有大负载电容驱动能力的，适合于低电压、高开关频率升压型DC- DC转换器的驱动电路。电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿 真验证，在供电电压1.5V，负载电容为6
15、0pF时，工作频率能够达到5MHz以上。补充：MOS管的开关特性推荐一、静态特性MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制 元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。图为由NMOS增强型管构成的开关电路。工作特性如下：* uGSv开启电压UT : MOS管工作在截止区，漏源电流iDS基本为0，输出电压 uDS=UDD , MOS管处于断开状态，其等效电路如图3.8(b)所示。* uGS 开启电压UT : MOS管工作在导通区，漏源电流iDS=UDD/(RD+rDS)oM 中，rDS为MOS管导通时的漏源电阻。输出电压UDS=UDDrDS/(RD+rDS),
16、如果rDSvv RD，则uDS=0V，MOS管处于接通状态，其等效电路如图3.8(c)所示。二、动态特性MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程但其动态特性主要取决 于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的 时间是很小的。图给出了一个NMOS管组成的电路及其动态特性示意图。NMOS管动态特性示意图当输入电压ui由高变低，MOS管由导通状态转换为截止状态时，电源UDD通过RD 向杂散电容CL充电，充电时间常数t仁RDCL。所以，输出电压uo要通过一定延时才由低 电平变为高电平；当输入电压ui由低变高，MOS管由截止状态转换为导通状态时，杂散电 容CL上的电荷通过rDS进行放电，其放电时间常数T2=rDSCLo可见，输出电压Uo也要 经过一定延时才能转变成低电平。但因为rDS比RD小得多，所以，由截止到导通的转换 时间比由导通到截止的转换时间要短。由于MOS管导通时的漏源电阻rDS比晶体三极管的饱和电阻rCES要大得多，漏极 外接电阻RD也比晶体管集电极电阻RC大，所以，MOS管的充、放电时间较长，使MOS 管的开关速度比晶体三极管的开关速度低。不过，在CMOS电路中，由于充电电路和放电 电路都是低阻电路，因此，其充、放电过程都比较快，从而使CMOS电路有较高的开关速 度。
