哈尔滨关于成立半导体硅片公司可行性研究报告.docx

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1、哈尔滨关于成立半导体硅片公司可行性研究报告xxx有限公司报告说明xxx有限公司主要由xx有限公司和xx投资管理公司共同出资成立。其中：xx有限公司出资336.00万元，占xxx有限公司30%股份；xx投资管理公司出资784万元，占xxx有限公司70%股份。根据谨慎财务估算，项目总投资17854.41万元，其中：建设投资13640.22万元，占项目总投资的76.40%；建设期利息157.21万元，占项目总投资的0.88%；流动资金4056.98万元，占项目总投资的22.72%。项目正常运营每年营业收入38600.00万元，综合总成本费用30140.14万元，净利润6194.30万元，财务内部收益

2、率27.42%，财务净现值11259.95万元，全部投资回收期5.05年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。目前，300mm半导体硅片的需求主要来源于存储芯片、图像处理芯片、通用处理器芯片、高性能FPGA（现场可编程门阵列）与ASIC（专用集成电路），终端应用主要为智能手机、计算机、云计算、人工智能、SSD（固态存储硬盘）等较为高端领域。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 筹建公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8

3、三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11六、 项目概况12第二章 项目建设背景、必要性15一、 半导体硅片市场规模与发展态势15二、 半导体硅片介绍及主要种类17三、 项目实施的必要性22第三章 行业发展分析24一、 半导体硅片需求情况24二、 半导体硅片需求情况27三、 SOI硅片市场现状及前景30第四章 公司组建方案34一、 公司经营宗旨34二、 公司的目标、主要职责34三、 公司组建方式35四、 公司管理体制35五、 部门职责及权限36六、 核心人员介绍40七、 财

4、务会计制度41第五章 法人治理结构48一、 股东权利及义务48二、 董事50三、 高级管理人员55四、 监事57第六章 发展规划60一、 公司发展规划60二、 保障措施61第七章 风险分析64一、 项目风险分析64二、 公司竞争劣势67第八章 环境影响分析68一、 编制依据68二、 环境影响合理性分析68三、 建设期大气环境影响分析69四、 建设期水环境影响分析73五、 建设期固体废弃物环境影响分析73六、 建设期声环境影响分析74七、 建设期生态环境影响分析75八、 营运期环境影响76九、 清洁生产77十、 环境管理分析78十一、 环境影响结论82十二、 环境影响建议82第九章 项目选址可行

5、性分析83一、 项目选址原则83二、 建设区基本情况83三、 创新驱动发展87四、 社会经济发展目标91五、 产业发展方向93六、 项目选址综合评价96第十章 进度实施计划97一、 项目进度安排97项目实施进度计划一览表97二、 项目实施保障措施98第十一章 项目投资计划99一、 投资估算的编制说明99二、 建设投资估算99建设投资估算表101三、 建设期利息101建设期利息估算表101四、 流动资金102流动资金估算表103五、 项目总投资104总投资及构成一览表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表105第十二章 项目经济效益分析107一、 经济评价财务测算107

6、营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表108固定资产折旧费估算表109无形资产和其他资产摊销估算表110利润及利润分配表111二、 项目盈利能力分析112项目投资现金流量表114三、 偿债能力分析115借款还本付息计划表116第十三章 总结分析118第十四章 附表120主要经济指标一览表120建设投资估算表121建设期利息估算表122固定资产投资估算表123流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125营业收入、税金及附加和增值税估算表126综合总成本费用估算表127固定资产折旧费估算表128无形资产和其他资产摊销估算表128利润及利润分配

7、表129项目投资现金流量表130借款还本付息计划表131建筑工程投资一览表132项目实施进度计划一览表133主要设备购置一览表134能耗分析一览表134第一章 筹建公司基本信息一、 公司名称xxx有限公司（以工商登记信息为准）二、 注册资本1120万元三、 注册地址哈尔滨xxx四、 主要经营范围经营范围：从事半导体硅片相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）五、 主要股东xxx有限公司主要由xx有限公司和xx投资管理公司发起成立。（一）xx有限公司基本情况1、公司简介面对宏

8、观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。当前，国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看，世界经济深度调整、复苏乏力，外部环境的不稳定不确定因素增加，中小企业外贸形势依然严峻，出口增长放缓。从国内看，发展阶段的转变使经济发展进入新常态，经济增速从高速增长转向中高速增长，经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长，经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱

9、动为主。新常态对经济发展带来新挑战，企业遇到的困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境，公司依然面临着较大的经营压力，资本、土地等要素成本持续维持高位。公司发展面临挑战的同时，也面临着重大机遇。随着改革的深化，新型工业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进，以及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施，企业发展基本面向好的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势，利用好国际国内两个市场、两种资源，抓住发展机遇，转变发展方式，提高发展质量，依靠创业创新开辟发展新路径，赢得发展主动权，实现发展新突破。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项

10、目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额7052.175641.745289.13负债总额3786.043028.832839.53股东权益合计3266.132612.902449.60公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入24452.5219562.0218339.39营业利润4922.103937.683691.58利润总额4163.473330.783122.60净利润3122.602435.632248.27归属于母公司所有者的净利润3122.602435.632248.27（二）xx投资管理公司基本情况1、公司简介公司不断建设和完善企

11、业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中，综合考虑其对消费者的影响，确保产品安全。积极与消费者沟通，向消费者公开产品安全风险评估结果，努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度，持续推进产品升级，为行业提供先进适用的解决方案，为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数

12、据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额7052.175641.745289.13负债总额3786.043028.832839.53股东权益合计3266.132612.902449.60公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入24452.5219562.0218339.39营业利润4922.103937.683691.58利润总额4163.473330.783122.60净利润3122.602435.632248.27归属于母公司所有者的净利润3122.602435.632248.27六、 项目概况（一）投资路径xxx有限公司主要从事关于成立

13、半导体硅片公司的投资建设与运营管理。（二）项目提出的理由根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。积极应对“十三五”时期面临的各项挑战，必须增强战略思维和底线思维，坚持以发展理念转变推动发展方式转变，牢牢把握发展机遇，聚焦突出问题和明显短板，以改革创新促进结构调整和产业升级，确保完成全面建成小康社会各项任务，努力实现全面振兴。（三）项目选址项目选址位于xxx，占地面积约36.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交

14、通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）生产规模项目建成后，形成年产xx吨半导体硅片的生产能力。（五）建设规模项目建筑面积42402.54，其中：生产工程30373.06，仓储工程4790.02，行政办公及生活服务设施4384.80，公共工程2854.66。（六）项目投资根据谨慎财务估算，项目总投资17854.41万元，其中：建设投资13640.22万元，占项目总投资的76.40%；建设期利息157.21万元，占项目总投资的0.88%；流动资金4056.98万元，占项目总投资的22.72%。（七）经济效益（正常经营年份）1、营业收入（SP）：38600.0

15、0万元。2、综合总成本费用（TC）：30140.14万元。3、净利润（NP）：6194.30万元。4、全部投资回收期（Pt）：5.05年。5、财务内部收益率：27.42%。6、财务净现值：11259.95万元。（八）项目进度规划项目建设期限规划12个月。（九）项目综合评价该项目的建设符合国家产业政策；同时项目的技术含量较高，其建设是必要的；该项目市场前景较好；该项目外部配套条件齐备，可以满足生产要求；财务分析表明，该项目具有一定盈利能力。综上，该项目建设条件具备，经济效益较好，其建设是可行的。第二章 项目建设背景、必要性一、 半导体硅片市场规模与发展态势1、全球半导体硅片市场规模与发展态势由于

16、半导体行业与全球宏观经济形势紧密相关，全球半导体硅片行业在2009年受经济危机影响较为低迷出货量与销售额均出现下滑；2010年由于智能手机放量增长，硅片行业大幅反弹。2011年至2016年，全球经济逐渐复苏但依旧较为低迷，硅片行业亦随之低速发展。2017年以来，受益于半导体终端市场需求强劲，下游传统应用领域计算机、移动通信、固态硬盘、工业电子市场持续增长，新兴应用领域如人工智能、区块链、物联网、汽车电子的快速发展，半导体硅片市场规模不断增长，并于2018年突破百亿美元大关。2、全球各尺寸半导体硅片市场情况2018年，300mm硅片和200mm硅片市场份额分别为63.83%和26.14%，两种尺

17、寸硅片合计占比接近90.00%。2011年开始，200mm半导体硅片市场占有率稳定在25-27%之间。2016年至2017年，由于汽车电子、智能手机用指纹芯片、液晶显示器市场需求快速增长，200mm硅片出货面积从2,690.00百万平方英寸上升至3,085.00百万平方英寸，同比增长14.68%。2018年，受益于汽车电子、工业电子、物联网等应用领域的强劲需求，以及功率器件、传感器等生产商将部分产能从150mm转移至200mm，带动200mm硅片继续保持增长，200mm硅片出货面积达到3,278.00百万平方英寸，同比增长6.25%。自2000年全球第一条300mm芯片制造生产线建成以来，30

18、0mm半导体硅片市场需求增加，出货面积不断上升。2008年，300mm半导体硅片出货量首次超过200mm半导体硅片；2009年，300mm半导体硅片出货面积超过其他尺寸半导体硅片出货面积之和。2000年至2018年，由于移动通信、计算机等终端市场持续快速发展，300mm半导体硅片出货面积从94.00百万平方英寸扩大至8,005.00百万平方英寸，市场份额从1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成为半导体硅片市场最主流的产品。2016至2018年，由于人工智能、区块链、云计算等新兴终端市场的蓬勃发展，300mm半导体硅片出货面积分别为6,817.00、7,261.00、8,005.00百

19、万平方英寸，年均复合增长率为8.36%。3、中国大陆半导体硅片市场现状及前景2008年至2013年，中国大陆半导体硅片市场发展趋势与全球半导体硅片市场一致。2014年起，随着中国各半导体制造生产线投产、中国半导体制造技术的不断进步与中国半导体终端产品市场的飞速发展，中国大陆半导体硅片市场步入了飞跃式发展阶段。2016年至2018年，中国大陆半导体硅片销售额从5.00亿美元上升至9.92亿美元，年均复合增长率高达40.88%，远高于同期全球半导体硅片的年均复合增长率25.65%。中国作为全球最大的半导体产品终端市场，预计未来随着中国芯片制造产能的持续扩张，中国半导体硅片市场的规模将继续以高于全球

20、市场的速度增长。半导体硅片作为芯片制造的关键材料，市场集中度很高，目前全球半导体硅片市场主要被日本、德国、韩国、中国台湾等国家和地区的知名企业占据。中国大陆的半导体硅片企业主要生产150mm及以下的半导体硅片，仅有少数几家企业具有200mm半导体硅片的生产能力。2017年以前，300mm半导体硅片几乎全部依赖进口。2018年，硅产业集团子公司上海新昇作为中国大陆率先实现300mm硅片规模化销售的企业，打破了300mm半导体硅片国产化率几乎为0%的局面。二、 半导体硅片介绍及主要种类1、半导体硅片简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等化

21、合物半导体。相较于锗，硅的熔点为1,415，高于锗的熔点937，较高的熔点使硅可以广泛应用于高温加工工艺中；硅的禁带宽度大于锗，更适合制作高压器件。相较于砷化镓，硅安全无毒、对环境无害，而砷元素为有毒物质；并且锗、砷化镓均没有天然的氧化物，在晶圆制造时还需要在表面沉积多层绝缘体，这会导致下游晶圆制造的生产步骤增加从而使生产成本提高。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。硅在地壳中占比约27%，是除了氧元素之外第二丰富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中，储量丰富并且易于取得。通常将95-99%纯度的硅称为工业

22、硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，制成具有特定电性功能的单晶硅锭。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量，而熔体中的硼（P）、磷（B）等杂质元素的浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭经过切片、研磨、蚀刻、抛光、外延（如有）、键合（如有）、清洗等工艺步骤，制造成为半导体硅片。在半导体硅片上可布设晶体管及多层互联线，使

23、之成为具有特定功能的集成电路或半导体器件产品。在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。2、半导体硅片的主要种类1965年，戈登摩尔提出摩尔定律：集成电路上所集成的晶体管数量，每隔18个月就提升一倍，相应的集成电路性能增强一倍，成本随之下降一半。对于芯片制造企业而言，这意味着需要不断提升单片硅片可生产的芯片数量、降低单片硅片的制造成本以便与摩尔定律同步。半导体硅片的直径越大，在单片硅片上可制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（

24、4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格。在摩尔定律的影响下，半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。为提高生产效率并降低成本，向大尺寸演进是半导体硅片制造技术的发展方向。硅片尺寸越大，在单片硅片上制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。同时，在圆形的硅片上制造矩形的芯片会使硅片边缘处的一些区域无法被利用，必然会浪费部分硅片。硅片的尺寸越大，相对而言硅片边缘的损失会越小，有利于进一步降低芯片的成本。例如，在同样的工艺条件下，300mm半导体硅片的可使用面积超过200mm硅片的两倍以上，可使用率（衡量单位晶圆可生产的芯片数量的指标）是200mm硅片的

25、2.5倍左右。半导体硅片尺寸越大，对半导体硅片的生产技术、设备、材料、工艺的要求越高。目前，全球市场主流的产品是200mm、300mm直径的半导体硅片，下游芯片制造行业的设备投资也与200mm和300mm规格相匹配。考虑到大部分200mm及以下芯片制造生产线投产时间较早，绝大部分设备已折旧完毕，因此200mm及以下半导体硅片对应的芯片制造成本往往较低，在部分领域使用200mm及以下半导体硅片的综合成本可能并不高于300mm半导体硅片。此外，在高精度模拟电路、射频前端芯片、嵌入式存储器、CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器、高压MOS等特殊产品方面，200mm及以下芯片制造的工艺更为成熟。

26、综上，200mm及以下半导体硅片的需求依然存在。随着汽车电子、工业电子等应用的驱动，200mm半导体硅片的需求呈上涨趋势。目前，除上述特殊产品外，200mm及以下半导体硅片的需求主要来源于功率器件、电源管理器、非易失性存储器、MEMS、显示驱动芯片与指纹识别芯片等，终端应用领域主要为移动通信、汽车电子、物联网、工业电子等。目前，300mm半导体硅片的需求主要来源于存储芯片、图像处理芯片、通用处理器芯片、高性能FPGA（现场可编程门阵列）与ASIC（专用集成电路），终端应用主要为智能手机、计算机、云计算、人工智能、SSD（固态存储硬盘）等较为高端领域。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光

27、片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。随着集成电路特征线宽的不断缩小，光刻机的景深也越来越小，硅片上极其微小的高度差都会使集成电路布线图发生变形、错位，这对硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面颗粒度和洁净度对半导体产品的良品率也有直接影响。抛光工艺可去除加工表面残留的损伤层，实现半导体硅片表面平坦化，并进一步减小硅片的表面粗糙度以满足芯片制造工艺对硅片平整度和表面颗粒度的要求。抛光片可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，也可

28、作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过化学气相沉积的方式在抛光面上生长一层或多层，掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS电路中使用，如通用处理器芯片、图形处理器芯片等，由于外延片相较于抛光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了栅氧化层的完整性，改善了沟道中的漏电现象，从而提升了集成电路的可靠性。除此之外，通常在低电阻率的硅衬底上外延生长一层高电阻率的外延层，应用于二极管、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高电压的环境中，硅衬底的低电阻率可

29、降低导通电阻，高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压。外延片提升了器件的可靠性，并减少了器件的能耗，因此在工业电子、汽车电子等领域广泛使用。SOI硅片即绝缘体上硅，是常见的硅基材料之一，其核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层。SOI硅片的优势在于可以通过绝缘埋层实现全介质隔离，这将大幅减少硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应。SOI硅片具有寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强等优点。因此，SOI硅片适合应用在要求耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片上，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等

30、。三、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第三章 行业发展分析一、 半导体硅片需求情况90%以上的芯片需要使用半导体硅片制造。半导体硅片企业的下游客户是芯片制造企业，包括大型综合晶圆代工企业及专注于存储器制造、传感器制造与射频芯片制造等领域的芯片制造企业。半导体硅片的终端应用领域涵盖智能手机、便携式设备、物联网、汽车电子、人工智能、

31、工业电子、军事、航空航天等众多行业。随着科学技术的不断发展，新兴终端市场还将不断涌现。1、下游产能情况（1）芯片制造产能情况2017至2020年，全球芯片制造产能（折合成200mm）预计将从1,985万片/月增长至2,407万片/月，年均复合增长率6.64%；中国芯片制造产能从276万片/月增长至460万片/月，年均复合增长率18.50%。近年来，随着中芯国际、华力微电子、长江存储、华虹宏力等中国大陆芯片制造企业的持续扩产，中国大陆芯片制造产能增速高于全球芯片产能增速。随着芯片制造产能的增长，对于半导体硅片的需求仍将持续增长。目前，中国大陆企业的300mm芯片制造产能低于200mm芯片制造产能

32、。随着中国大陆芯片制造企业技术实力的不断提升，预计到2020年，中国大陆企业300mm制造芯片产能将会超过200mm制造芯片制造产能。（2）半导体器件需求增速情况3DNAND存储器芯片主要使用300mm抛光片。近年来，3DNAND存储器的产能快速增长，其主要原因是用于大数据存储的固态硬盘SSD（SolidStateDisk）需求的增长以及智能手机与便携式设备单位存储密度的提升。SEMI预计，2019年3DNAND存储器芯片产能增速将达4.01%，3DNAND存储器芯片产能的快速增长将拉动对300mm抛光片的需求。图像传感器主要使用各尺寸外延片、SOI硅片。图像传感器用于将光学影像转化为数字信号

33、，在智能手机、汽车电子、视频监视网络中广泛应用。随着多摄像头手机成为市场的主流产品，预计2019年图像传感器产能增速将达到21%，图像传感器将成为半导体行业近年增长最强劲的细分领域之一。功率器件主要用于电子电力的开关、功率转换、功率放大、线路保护等，是在电力控制电路和电源开关电路中必不可少的电子元器件，主要使用200mm及以下抛光片与SOI硅片。2、全球晶圆代工市场规模2016年、2017年、2018年，全球晶圆代工市场规模分别为500.05亿美元、548.17亿美元、577.32亿美元，年均复合增长率7.45%。根据ICInsights统计，受益于中国近年来IC设计公司数量的增长、规模的扩张

34、，中国晶圆代工企业业务规模随之扩大。2017年，中国晶圆代工企业销售收入增长30%，实现收入75.72亿美元；2018年，中国晶圆代工企业销售收入增速进一步提高，高达41%，是2018年全球晶圆代工市场规模增速5%的8倍，实现收入106.90亿美元。3、半导体芯片制造市场规模根据WSTS分类标准，半导体芯片主要可分为集成电路、分立器件、传感器与光电子器件四种类别，其中，集成电路包括存储器、模拟芯片、逻辑芯片与微处理器。2018年，全球半导体销售额4,687.78亿美元，其中，集成电路、光电子器件、分立器件和传感器销售额分别为3,932.88亿美元、380.32亿美元、241.02亿美元和133

35、.56亿美元。（1）集成电路市场规模2016年至2018年，在大数据存储的固态硬盘SSD（SolidStateDisk）需求的增长，以及智能手机与便携式设备单位存储密度的提升的带动下，存储器销售额由767.67亿美元大幅增长至1,579.67亿美元，年均复合增长率43.45%。（2）传感器市场规模2016年至2018年，传感器销售额从108.21亿美元上升至133.56亿美元，年均复合增长率达11.10%。传感器主要包括单一材料传感器、复合材料CMOS传感器与MEMS传感器。随着多摄像头手机的普及，CMOS图像传感器增长迅速；手机新增的指纹识别功能也增加了对于传感器的需求；自动驾驶技术的快速发

36、展，增加了对图像传感器、激光雷达、超声波传感器多种类型传感器的需求。二、 半导体硅片需求情况90%以上的芯片需要使用半导体硅片制造。半导体硅片企业的下游客户是芯片制造企业，包括大型综合晶圆代工企业及专注于存储器制造、传感器制造与射频芯片制造等领域的芯片制造企业。半导体硅片的终端应用领域涵盖智能手机、便携式设备、物联网、汽车电子、人工智能、工业电子、军事、航空航天等众多行业。随着科学技术的不断发展，新兴终端市场还将不断涌现。1、下游产能情况（1）芯片制造产能情况2017至2020年，全球芯片制造产能（折合成200mm）预计将从1,985万片/月增长至2,407万片/月，年均复合增长率6.64%；

37、中国芯片制造产能从276万片/月增长至460万片/月，年均复合增长率18.50%。近年来，随着中芯国际、华力微电子、长江存储、华虹宏力等中国大陆芯片制造企业的持续扩产，中国大陆芯片制造产能增速高于全球芯片产能增速。随着芯片制造产能的增长，对于半导体硅片的需求仍将持续增长。目前，中国大陆企业的300mm芯片制造产能低于200mm芯片制造产能。随着中国大陆芯片制造企业技术实力的不断提升，预计到2020年，中国大陆企业300mm制造芯片产能将会超过200mm制造芯片制造产能。（2）半导体器件需求增速情况3DNAND存储器芯片主要使用300mm抛光片。近年来，3DNAND存储器的产能快速增长，其主要原

38、因是用于大数据存储的固态硬盘SSD（SolidStateDisk）需求的增长以及智能手机与便携式设备单位存储密度的提升。SEMI预计，2019年3DNAND存储器芯片产能增速将达4.01%，3DNAND存储器芯片产能的快速增长将拉动对300mm抛光片的需求。图像传感器主要使用各尺寸外延片、SOI硅片。图像传感器用于将光学影像转化为数字信号，在智能手机、汽车电子、视频监视网络中广泛应用。随着多摄像头手机成为市场的主流产品，预计2019年图像传感器产能增速将达到21%，图像传感器将成为半导体行业近年增长最强劲的细分领域之一。功率器件主要用于电子电力的开关、功率转换、功率放大、线路保护等，是在电力控

39、制电路和电源开关电路中必不可少的电子元器件，主要使用200mm及以下抛光片与SOI硅片。2、全球晶圆代工市场规模2016年、2017年、2018年，全球晶圆代工市场规模分别为500.05亿美元、548.17亿美元、577.32亿美元，年均复合增长率7.45%。根据ICInsights统计，受益于中国近年来IC设计公司数量的增长、规模的扩张，中国晶圆代工企业业务规模随之扩大。2017年，中国晶圆代工企业销售收入增长30%，实现收入75.72亿美元；2018年，中国晶圆代工企业销售收入增速进一步提高，高达41%，是2018年全球晶圆代工市场规模增速5%的8倍，实现收入106.90亿美元。3、半导体

40、芯片制造市场规模根据WSTS分类标准，半导体芯片主要可分为集成电路、分立器件、传感器与光电子器件四种类别，其中，集成电路包括存储器、模拟芯片、逻辑芯片与微处理器。2018年，全球半导体销售额4,687.78亿美元，其中，集成电路、光电子器件、分立器件和传感器销售额分别为3,932.88亿美元、380.32亿美元、241.02亿美元和133.56亿美元。（1）集成电路市场规模2016年至2018年，在大数据存储的固态硬盘SSD（SolidStateDisk）需求的增长，以及智能手机与便携式设备单位存储密度的提升的带动下，存储器销售额由767.67亿美元大幅增长至1,579.67亿美元，年均复合增

41、长率43.45%。（2）传感器市场规模2016年至2018年，传感器销售额从108.21亿美元上升至133.56亿美元，年均复合增长率达11.10%。传感器主要包括单一材料传感器、复合材料CMOS传感器与MEMS传感器。随着多摄像头手机的普及，CMOS图像传感器增长迅速；手机新增的指纹识别功能也增加了对于传感器的需求；自动驾驶技术的快速发展，增加了对图像传感器、激光雷达、超声波传感器多种类型传感器的需求。三、 SOI硅片市场现状及前景1、SOI硅片市场规模2016年至2018年全球SOI硅片市场销售额从4.41亿美元增长至7.17亿美元，年均复合增长率27.51%；同期，中国SOI硅片市场销售

42、额从0.02亿美元上升至0.11亿美元，年均复合增长率132.46%。作为特殊硅基材料，SOI硅片生产工艺更复杂、成本更高、应用领域更专业，全球范围内仅有Soitec、信越化学、环球晶圆、SUMCO和硅产业集团等少数企业有能力生产。而在需求方面，中国大陆芯片制造领域具备SOI芯片生产能力的企业并不多，因此中国SOI硅片产销规模较小。2、SOI硅片在射频前端芯片中的应用射频前端芯片是超小型内置芯片模块，集成了无线前端电路中使用的各种功能芯片，包括功率放大器、天线调谐器、低噪声放大器、滤波器和射频开关等。射频前端芯片主要功能为处理模拟信号，是以移动智能终端为代表的无线通信设备的核心器件之一。近年来

43、，移动通信技术迅速发展，移动数据传输量和传输速度不断提升，对于配套的射频前端芯片的工作频率、集成度与复杂性的要求随之提高。RF-SOI硅片，包括HR-SOI（高阻）和TR-SOI（含有电荷陷阱层的高阻SOI），是用于射频前端芯片的SOI硅片，其具有寄生电容小、短沟道效应小、集成密度高、速度快、功耗低、工艺简单等优点，符合射频前端芯片对于高速、高线性与低插损等要求。为了应对射频前端芯片对于集成度与复杂性的更高要求，RF-SOI工艺可以在不影响半导体器件工作频率的情况下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的结构与良好的电学性能，为系统设计提供了巨大的灵活性。由于SOI是硅基材料，很

44、容易与其它器件集成，同时可以使用标准的集成电路生产线以降低芯片制造企业的生产成本。例如，SOI与CMOS工艺的兼容使其能将数字电路与模拟电路混合，在射频电路应用领域优势明显。RF-SOI工艺在射频集成方面具有多种优势：SOI硅片中绝缘埋层（BOX）的存在，实现了器件有源区和衬底之间的完全隔离，有效降低了寄生电容，从而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻衬底，降低高频RF和数字、混和信号器件之间的串扰并大幅度降低射频前端的噪声量，同时降低了高频插入损耗；作为一种全介质隔离，RF-SOI实现了RF电路与数字电路的单片集成。目前海外RF-SOI产业链较为成熟，格罗方德、意法半导体、TowerJazz

45、、台电和台湾联华电子等芯片制造企业均具有基于RF-SOI工艺的芯片生产线。国内RF-SOI产业链发展不均衡，下游终端智能手机市场发展迅速，中游射频前端模块和器件大部分依赖进口。目前，虽然我国企业具备RF-SOI硅片大规模生产能力，但是国内仅有少数芯片制造企业具有基于RF-SOI工艺制造射频前端芯片的能力，因此国产RF-SOI硅片以出口为主。SOI硅片主要应用于智能手机、WiFi等无线通信设备的射频前端芯片，亦应用于汽车电子、功率器件、传感器等产品。未来，随着5G通信技术的不断成熟，新一轮智能手机的更新换代即将到来，以及自动驾驶、车联网技术的发展，SOI硅片需求将持续上升。第四章 公司组建方案一

46、、 公司经营宗旨以市场经济为导向，立足主业，引进新项目、开发新技术、开辟新市场，以求高信誉、高效率、高效益，为用户提供一流的产品和服务，为股东和投资者获得更多的利益，实现社会效益和经济效益的最大化。二、 公司的目标、主要职责（一）目标近期目标：深化企业改革，加快结构调整，优化资源配置，加强企业管理，建立现代企业制度；精干主业，分离辅业，增强企业市场竞争力，加快发展；提高企业经济效益，完善管理制度及运营网络。远期目标：探索模式创新、制度创新、管理创新的产业发展新思路。坚持发展自主品牌，提升企业核心竞争力。此外，面向国际、国内两个市场，优化资源配置，实施多元化战略，向产业集团化发展，力争利用3-5

47、年的时间把公司建设成具有先进管理水平和较强市场竞争实力的大型企业集团。（二）主要职责1、执行国家法律、法规和产业政策，在国家宏观调控和行业监管下，以市场需求为导向，依法自主经营。2、根据国家和地方产业政策、半导体硅片行业发展规划和市场需求，制定并组织实施公司的发展战略、中长期发展规划、年度计划和重大经营决策。3、深化企业改革，加快结构调整，转换企业经营机制，建立现代企业制度，强化内部管理，促进企业可持续发展。4、指导和加强企业思想政治工作和精神文明建设，统一管理公司的名称、商标、商誉等无形资产，搞好公司企业文化建设。5、在保证股东企业合法权益和自身发展需要的前提下，公司可依照公司法等有关规定，集中资产收益，用于再投入和结构调整。三、 公司组建方式xxx有限公司主要由xx有限公司和xx投资管理公司共同出资成