《半导体二极管和三极管的开关特性.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体二极管和三极管的开关特性.ppt（39页珍藏版）》请在三一办公上搜索。
1、2023/5/26,1,获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。,逻辑0、1：电路中用高、低电平来表示。,2.1 半导体二极管和三极管的开关特性,1、二极管的开关特性,逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。,常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。,二极管符号：,正极,负极,uD,2023/5/26,2,ui0V时，二极管截止，如同开关断开，uo0V。,ui5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，uo4.3V。,ui0.5V时，二极管截止，iD=0。,ui0.5V时，二极管导通。,2023/
2、5/26,3,2、三极管的开关特性,2023/5/26,4,截止状态,饱和状态,iBIBS,ui=UIL0.5V,uo=+VCC,ui=UIH,uo=0.3V,饱和区,截止区,放,大,区,2023/5/26,5,ui=0.3V时，因为uBE0.5V，iB=0，三极管工作在截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压：,ui=1V时，基极电流：,因为0iBIBS，三极管工作在放大状态。iC=iB=500.03=1.5mA，输出电压：,三极管临界饱和时的基极电流：,uo=uCE=UCC-iCRc=5-1.51=3.5V,uo=VCC=5V,ui3V时，基极电流：,而,因为iBIBS，三极管工作在
3、饱和状态。输出电压：,uouCES0.3V,例：,2023/5/26,6,转移特性曲线,输出特性曲线,截止状态,uiUT,uo=+VDD,导通状态,uiUT,uo0,3、场效应管的开关特性,2023/5/26,7,2.2 分立元件门电路,Y=AB,1、二极管与门,&,2023/5/26,8,2、二极管或门,Y=A+B,2023/5/26,9,3、三极管非门,uA0V时，三极管截止，iB0，iC0，输出电压uYVCC5V,uA5V时，三极管导通。基极电流为：,iBIBS，三极管工作在饱和状态。输出电压uYUCES0.3V。,三极管临界饱和时的基极电流为：,2023/5/26,10,当uA0V时，
4、由于uGSuA0V，小于开启电压UT，所以MOS管截止。输出电压为uYVDD10V。,当uA10V时，由于uGSuA10V，大于开启电压UT，所以MOS管导通，且工作在可变电阻区，导通电阻很小，只有几百欧姆。输出电压为uY0V。,2023/5/26,11,2.3 TTL集成门电路,一、TTL与非门工作原理,倒置状态,2023/5/26,12,0.3V,1.0V,3.6V,T2，T5截止,1.有一个输入端输入低电平,T4，D3导通,2023/5/26,13,2.1V,T2饱和,T5深度饱和,0.7V,1.0V,T3，T4截止,0.3V,2.两个输入端都输入高电平,2023/5/26,14,功能表
5、,真值表,逻辑表达式,输入有低，输出为高；输入全高，输出为低。,2023/5/26,15,74LS00内含4个2输入与非门，74LS20内含2个4输入与非门。,2023/5/26,16,TTL非门、或非门,A=0时，T2、T5截止，T3、T4导通，Y=1。,A=1时，T2、T5导通，T3、T4截止，Y=0。,TTL非门,只有一个输入端,2023/5/26,17,TTL或非门,2023/5/26,18,二、TTL电路的特性和参数,抗干扰能力(1)输出高电平值VOH 典型值：3.6V VOH(min)=2.4V(2)输出低电平值VOL 典型值：0.3V VOL(max)=0.4V,2023/5/2
6、6,19,(3)输入高电平值VIH VIH(min)=VON=2.0V 保证输出为低电平的最小输入高电平(4)输入低电平值VIL VIL(max)=VOFF=0.8V 保证输出为高电平的最大输入低电平,(5)噪声容限 VNH=VOH(min)VON VNL=VOFF VOL(max),2023/5/26,20,2.带负载能力(1)输入低电平电流IIL 典型值1.6mA,(2)输入高电平电流IIH 典型值40uA,2023/5/26,21,(3)输出低电平电流IOL带灌电流负载能力：典型值16mA,T4截止T5饱和,IOL=IC5,2023/5/26,22,(4)输出高电平电流IOH带拉电流负载
7、能力：典型值0.4mA,IOH=IE4,2023/5/26,23,(5)扇出系数NO 门电路能够驱动同类门电路的个数3.平均传输延迟时间tPdtPHL输出由高电平变为低电平的时间tPLH输出由低电平变为高电平的时间,tPd=(tPHL+tPLH)/2,2023/5/26,24,TTL系列集成电路,74：标准系列，前面介绍的TTL门电路都属于74系列，其典型电路与非门的平均传输时间tpd10ns，平均功耗P10mW。,74H：高速系列，是在74系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间tpd6ns，平均功耗P22mW。,74S：肖特基系列，是在74H系列基础上改进得到的，其典型电路与非
8、门的平均传输时间tpd3ns，平均功耗P19mW。,74LS：低功耗肖特基系列，是在74S系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间tpd9ns，平均功耗P2mW。74LS系列产品具有最佳的综合性能，是TTL集成电路的主流，是应用最广的系列。,2023/5/26,25,三、OC（集电极开路）门及TSL（三态）门,Y1=1,Y2=0 流过T4,T5的电流很大,“线与”,线与：实行两个输出Y1,Y2相与,Y,2023/5/26,26,为解决一般TTL与非门不能线与而设计的，VCC、R决定电流。,OC（集电极开路）门,2023/5/26,27,TSL（三态）门,E0时，二极管D导通，T1、
9、T3基极均被钳制在低电平，因而T2、T5均截止，输出端开路，电路处于高阻状态。,结论：电路的输出有高阻态、高电平和低电平三种状态。,E1时，二极管D截止，输出取决于输入A的状态，输出与输入的逻辑关系和一般反相器相同:,2023/5/26,28,TSL（三态）门的应用：,构成数据总线：让各门的控制端轮流处于低电平，即任何时刻只让一个TSL门处于工作状态，而其余TSL门均处于高阻状态，这样总线就会轮流接受各TSL门的输出。,2023/5/26,29,2.4 CMOS集成门电路,1、CMOS非门,（1）uA0V时，TN截止，TP导通。输出电压uYVDD10V。（2）uA10V时，TN导通，TP截止。
10、输出电压uY0V。,2023/5/26,30,2、CMOS与非门、或非门、与门、或门、与或非门和异或门,CMOS与非门,A、B当中有一个或全为低电平时，TN1、TN2中有一个或全部截止，TP1、TP2中有一个或全部导通，输出Y为高电平。,只有当输入A、B全为高电平时，TN1和TN2才会都导通，TP1和TP2才会都截止，输出Y才会为低电平。,2023/5/26,31,CMOS或非门,只要输入A、B当中有一个或全为高电平，TP1、TP2中有一个或全部截止，TN1、TN2中有一个或全部导通，输出Y为低电平。,只有当A、B全为低电平时，TP1和TP2才会都导通，TN1和TN2才会都截止，输出Y才会为高
11、电平。,2023/5/26,32,门与,或门,CMOS与或非门,2023/5/26,33,CMOS异或门,3、CMOS OD门、TSL门及传输门,CMOS OD门,2023/5/26,34,CMOS TSL门,2023/5/26,35,CMOS 传输门,C0、，即C端为低电平（0V）、端为高电平（VDD）时，TN和TP都不具备开启条件而截止，输入和输出之间相当于开关断开一样。C1、，即C端为高电平（VDD）、端为低电平（0V）时，TN和TP都具备了导通条件，输入和输出之间相当于开关接通一样，uoui。,2023/5/26,36,4、CMOS数字电路的特点及使用时的注意事项,（1）CMOS电路的
12、工作速度比TTL电路的低。（2）CMOS带负载的能力比TTL电路强。（3）CMOS电路的电源电压允许范围较大，约在318V，抗干扰能力比TTL电路强。（4）CMOS电路的功耗比TTL电路小得多。门电路的功耗只有几个W，中规模集成电路的功耗也不会超过100W。（5）CMOS集成电路的集成度比TTL电路高。（6）CMOS电路适合于特殊环境下工作。（7）CMOS电路容易受静电感应而击穿，在使用和存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地良好，尤其是CMOS电路多余不用的输入端不能悬空，应根据需要接地或接高电平。,CMOS数字电路的特点,2023/5/26,37,使用集成电路时的注意事项,（1）对于各种
13、集成电路，使用时一定要在推荐的工作条件范围内，否则将导致性能下降或损坏器件。,（2）数字集成电路中多余的输入端在不改变逻辑关系的前提下可以并联起来使用，也可根据逻辑关系的要求接地或接高电平。TTL电路多余的输入端悬空表示输入为高电平；但CMOS电路，多余的输入端不允许悬空，否则电路将不能正常工作。,（3）TTL电路和CMOS电路之间一般不能直接连接，而需利用接口电路进行电平转换或电流变换才可进行连接，使前级器件的输出电平及电流满足后级器件对输入电平及电流的要求，并不得对器件造成损害。,2023/5/26,38,利用半导体器件的开关特性，可以构成与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等各种逻辑门电路，也可以构成在电路结构和特性两方面都别具特色的三态门、OC门。随着集成电路技术的飞速发展，分立元件的数字电路已被集成电路所取代。TTL电路的优点是开关速度较高，抗干扰能力较强，带负载的能力也比较强，缺点是功耗较大。CMOS电路具有制造工艺简单、功耗小、输入阻抗高、集成度高、电源电压范围宽等优点，其主要缺点是工作速度稍低，但随着集成工艺的不断改进，CMOS电路的工作速度已有了大幅度的提高。,本章小结,2023/5/26,39,第2章结 束,
