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1、2.1.1 理想开关的开关特性,一、静态特性,1.断开,2.闭合,2.1 半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关特性,二、动态特性,1.开通时间：,2.关断时间：,普通开关：静态特性好，动态特性差,半导体开关：静态特性较差，动态特性好,几百万/秒,几千万/秒,2.1.2 半导体二极管的开关特性,一、静态特性,1.外加正向电压(正偏),二极管导通(相当于开关闭合),2.外加反向电压(反偏),二极管截止(相当于开关断开),硅二极管伏安特性,阴极,A,阳极,K,PN结,二极管的开关作用：,例,uO=0 V,uO=2.3 V,电路如图所示，,试判别二极管的工作状态及输出电压。,二极管截止,二极管导通
2、,解,二、动态特性,1.二极管的电容效应,结电容 C j,扩散电容 C D,2.二极管的开关时间,电容效应使二极管的通断需要一段延迟时间才能完成,(反向恢复时间),ton 开通时间,toff 关断时间,一、静态特性,NPN,2.1.3 半导体三极管的开关特性,发射结,集电结,b,iB,iC,e,c,(电流控制型),1.结构、符号和输入、输出特性,(2)符号,(Transistor),(1)结构,(3)输入特性,(4)输出特性,放大区,截止区,饱和区,发射结正偏,放大,i C=iB,集电结反偏,饱和,i C iB,两个结正偏,I CS=IBS,临界,截止,iB 0,iC 0,两个结反偏,电流关系
3、,状态,条 件,2.开关应用举例,发射结反偏 T 截止,发射结正偏 T 导通,放大还是饱和？,饱和导通条件：,因为,所以,二、动态特性,2.1.4 MOS 管的开关特性,(电压控制型),MOS（Mental Oxide Semiconductor）金属 氧化物 半导体场效应管,一、静态特性,1.结构和特性：,(1)N 沟道,栅极 G,漏极 D,B,源极 S,3V,4V,5V,uGS=6V,可变电阻区,恒流区,UTN,iD,开启电压UTN=2 V,衬底,漏极特性,转移特性,uDS=6V,截止区,P 沟道增强型 MOS 管与 N 沟道有对偶关系。,(2)P 沟道,栅极 G,漏极 D,B,源极 S,iD,衬底,开启电压UTP=-2 V,参考方向,2.MOS管的开关作用：,(1)N 沟道增强型 MOS 管,开启电压UTN=2 V,(2)P 沟道增强型 MOS 管,开启电压UTP=-2 V,
