《模拟电子技术基础》(第四版)-第一章.ppt

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1、教材:童诗白 模拟电子技术基础主讲:蒋宏 82314573-14(O)新主楼 E1115Communicationhttp:/,绪 论,一、课程的地位和主要内容,电子技术研究电子器件、电子电路 及其应用的科学技术。器件为路用,绪论,模拟信号：在时间和数值上连续的信号。,计算机检测控制系统原理框图,绪论,二、电子技术的典型应用,三、如何学好模电,绪论,课程特点：内容多、内容杂、工程实践性强,1、抓“重点”,2、注重综合分析 注重工程化素质培养,3、提高学习效率、培养自学能力,课堂、答疑、作业、自学,放大器、反馈、振荡器,四、模电成绩如何算,作业：期末考试：参考课堂和答疑表现作业：每周交 1 次，

2、全交，有参考解答,内容提要,半导体器件是组成各种电子电路包括模拟电路和数字电路，集成电路和分立元件电路的基础。本章首先介绍半导体的特性，半导体中载流子的运动，阐明PN结的单向导电性，然后介绍半导体二极管、稳压管、半导体三极管及场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。,第一章 常用半导体器件,1.2 半导体二极管,1.3 稳压管,1.4 半导体三极管,1.5 场效应管,1.1 半导体基础知识,半导体的特性,一、定义 导电能力介于导体和绝缘体之间的物体称半导体。,如：硅（Si）、锗（Ge）等价电子：围绕原子核运动的最外层轨道的电子导体:低价元素绝缘体:高价元素硅（Si）、锗（Ge）：个价电子

3、,1.1半导体基础知识,价电子,惯性核,二、半导体特性温度导电能力可做成各种热敏元件受光照导电能力可做成各种光电器件3.掺入微量杂质导电能力（几十万几百万倍）可做成品种繁多、用途广泛的半导体器件。如半导体二极管、三极管、场效应管等。,纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶称为本征半导体。它是共价键结构。,1.1.2 本征半导体,相邻原子的价电子成为共用电子，即共价键结构,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,自由电子,空穴,在常温下自由电子和空穴的形成,成对出现,成对消失,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,外电场方向,在外电场作用下，电子和空穴均能参与导电(载流子

4、)。这是半导体导电与导体导电最本质的区别。,价电子填补空穴,本征激发 价电子受热及光照后，挣脱共价键束缚成为自由电子。,激励(温度和光照)一定时，电子空穴对的产生和复合会达到“动态平衡”。,注意,本征半导体中载流子的浓度除与半导体材料本身的性质有关外，还与温度密切相关。半导体材料性能对温度的这种敏感性，既可用来制造热敏和光敏器件，又是造成半导体器件温度稳定性差的原因。,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,杂质半导体,一、N 型半导体,自由电子,通过扩散工艺，在本征半导体中掺入微量特定元素，便可形成杂质半导体。,在纯净的硅或锗晶体中掺入微量五价元素（如磷）所形成的杂质半导体称N型半导体。,

5、N型半导体结构示意图,在N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,二、P型半导体,在纯净的硅或锗的晶体中掺入微量的三价元素（如硼）所形成的杂质半导体称P 型半导体。,+4,P型半导体结构示意图,在P型半导体中，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。,对于杂质半导体，多子浓度约等于所掺杂质浓度，多子浓度受温度影响小；少子（本征激发）浓度受温度影响大；,注意,注意,不论是N型半导体还是P型半导体，虽然它们都有一种载流子占多数，但整个晶体仍然是不带电的，呈电中性。通过掺入杂质来提高半导体的导电能力不是最终目的，因为导体的导电能力更强。杂质半导

6、体的奇妙之处在于，掺入不同性质、不同浓度的杂质，并使P型和N型半导体采用不同的方式结合，可以制造出形形色色、品种繁多、用途各异的半导体器件。,载流子的两种运动：扩散载流子在浓度差作用下的运动载流子总是从高浓度向低浓度扩散飘移载流子在电场作用下的运动电子逆电场方向运动空穴顺电场方向运动,P 区,N 区,1.2.1 PN 结的形成,采用不同的掺杂工艺，在同一块半导体单晶上形成 P型半导体 和N型半导体，在它们的交界面处就形成了一个PN 结。,空间电荷区,内电场方向,1.2 PN结,多子扩散形成空间电荷区有利少子向对方漂移、阻挡多子向对方扩散，少子向对方的漂移空间电荷区变窄有利于多子向对方扩散；当多

7、子的扩散和少子的漂移达到动态平衡时，空间电荷区的宽度一定，形成PN结。,内电场方向,R,1.2.2 PN 结的单向导电性,P 区,N 区,外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷,N区电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷,扩散运动增强，形成较大的正向电流，此时PN结导通,一、外加正向电压（正向偏置）,外电场加强扩散,P 区,N 区,内电场方向,R,二、外加反向电压（反向偏置）,外电场驱使空间电荷区两侧的多子(空穴和自由电子)移走,空间电荷区加宽,少数载流子越过PN结形成很小的反向电流，此时PN结截止,多数载流子的扩散运动难于进行,外电场削弱扩散,结论,综上所述，当PN结正向偏置

8、时，回路将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中的反向电流非常小，几乎等于零，且由于该电流是由少数载流子产生的，所以温度对其影响很大（温度愈高，反向电流愈大），此时PN结处于截止状态。可见，PN结具有单向导电性。,PN结的伏安特性,正偏：P“+”N“-”正向低阻导通,反偏：P“-”N“+”反向高阻截止 i=-Is,反向击穿,PN结特性之二：“击穿特性”（反向击穿 i 很大）,-,P-N,P-N,正偏和反偏,UT=26mV,半导体基础知识,半导体中的载流子,自由电子空穴,载流子的产生,本征激发掺杂P型、N型,载流子的运动,漂移扩散,PN结的特性,正向导通性反向截止

9、特性反向击穿特性,多子扩散引起,少子飘移引起,1.3.1 二极管的结构和符号,1.3 半导体二极管,一、符号,D,Diode,P区,N区,硅管的伏安特性,1.3.2 二极管的伏安特性,反向特性,死区,IS,正向特性,UBR,Uon,iD=f（uD）,+uD,D,U,非线性特性,反向击穿电压（稳压管）,i-u?,q-u?,L?,反向击穿,正向和反向,开启电压：Uon,Si 管：0.5V左右Ge管：0.1V左右,正向导通电压U,Si 管：0.6V0.8V（.）Ge管：0.2V0.3V（.）,二极管方程,UT：温度的电压当量。常温下，即T=300K（270C）时，UT=26mV。Is：反向饱和电流。

10、,在反向段：当|uD|UT时，iDIS,一般:特性曲线上区分Uon和U 计算时不区分Uon和U,二极管的伏安特性受温度的影响。如当环境温度升高时，二极管的正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。,注意,1.3.4 二极管的等效电路,能够模拟二极管特性的电路称二极管等效电路，也称二极管的等效模型。,I?U?,I,U,iD,一、二极管的直流模型,1.理想二极管(导通时正向压降为零,截止时反向电流为零)的等效模型,大信号作用下的模型,2.二极管导通时正向压降为一常量U（正向导通电压.7V 或.V），截止时反向电流为零的二极管的等效模型,Question1UD UON,3.二极管导通且正向压降uD大于U后

11、，其电流iD与uD成线性关系（直线斜率为1/rD），截止时反向电流为零的等效模型,以上三个等效电路中1的误差最大，3的误差最小，一般情况下多采用2所示的等效电路。,直流电阻,二极管主要用于限幅，整流，钳位判断二极管是否正向导通：先假设二极管截止，求其阳极和阴极电位；若阳极阴极电位差 UD，则其正向导通；若电路有多个二极管，阳极和阴极电位差最大的二极管优先导通；其导通后，其阳极阴极电位差被钳制在正向导通电压（.7V 或.V）；再判断其它二极管,用直流模型2,用直流模型2,图1.2.6 例1.2.1 电路图,【例1】下图中，已知VA=3V，VB=0V，DA、DB为锗管，求输出端Y的电位，并说明每个

12、二极管的作用。,解：DA优先导通，则,VY=30.3=2.7V,DA导通后，DB因反偏而截止，起隔离作用，DA起钳位作用，将Y端的电位钳制在+2.7V。,【例2】下图是二极管限幅电路，D为理想二极管，E=3V，ui=6 sin t V，试画出 uo及uD的波形。,2,ui3时，D截止，uo=ui，uD=ui3,ui3时，D导通，uo=3，uD=0,解：,二、二极管的小信号交流模型（微变等效电路）,二极管外加直流正向电压时，将有一电流，则反映在其伏安特性曲线上的点为Q（Q点称为静态工作点）。,iD,I,U,Q,若在Q点基础上外加微小的变化量，则可用以Q点为切点的直线来近似微小变化时的曲线，即可将

13、二极管等效成一个线性器件，用动态电阻rd来表示，且rd=uD/iD。,question2,小信号作用下的模型,即,动态电阻与Q点有关,图1.2.8 直流电压和交流信号同时作用,直流通路,交流通路,question3,作业:1.4(1.3),1.3(1.2),稳压管实质上是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。它工作于反向击穿区，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，所以这段特性可以用来稳压，因而广泛用于稳压电源与限幅电路。,1.4 稳压管,i/mA,u/V,0,反向击穿区,-UZ,-IZmin,-IZmax,伏安特性,1.4.1 稳压管的伏安特性,DZ,Zener,一.稳定电压UZ：是在规定电流下稳

14、压管的反向击穿电压。,二.稳定电流 IZmin：保证管子进入反向击穿区的电流。若电流低于IZmin，则管子的稳压性不佳，甚至根本不稳压。要求IZIZmin.,IZ,UZ,1.4.2 稳压管的主要参数,i/mA,u/V,0,-UZ,-IZmin,-IZmax,三.最大允许耗散功率PZM：PZM=UZIZmax,通过上式可求出Izmax。稳压管的功耗超过PZM时，会因结温升过高而烧坏。要求IZIZmax,由上式可看出，rZ愈小，管子的稳压性能愈好。,IZ,UZ,i/mA,u/V,0,-UZ,-IZmin,-IZmax,1.4.3 稳压管稳压电路,一、电路,关于电路组成的说明：,（1）负载（RL）必

15、需与DZ并联，使Uo稳定。,（2）DZ必需工作在反向击穿区。,（3）为保证IZminIZIzmax，必需串联一个大小合适的限流电阻R。,二、稳压原理,Ui,Uo(UZ),I,IR,UR,Uo,三、限流电阻的选择,IZminIZ IZmax,1.当Ui最大，而IL最小时，IZ最大：,2.当Ui最小，而IL最大时，IZ最小：,【例1】在稳压管稳压电路中，已知Ui=12V，且变化范围20%，UZ=5V，IZmin=5mA，PZmax=360mw，IL=05mA，求限流电阻R。,解：由已知条件得：Uimin=9.6V，Uimax=14.4V，,IZmin=5mA，,IZmax=PZmax/UZ=360

16、/5=75mA,则,作业:1.9(1.6),1.11(),1.5.1 三极管的结构分类和符号,1.5 半导体三极管（双极型晶体管）,一、分类,按结构划分,NPN型,PNP型,按材料划分,硅管,锗管,按功率划分,大功率管,小功率管,按频率划分,高频管,低频管,二、NPN 型三极管,集电区,集电结,基区,发射结,发射区,集电极C,基极B,发射极E,2.符号,1.结构示意图,集电区,集电结,基区,发射结,发射区,集电极C,发射极E,基极B,三、PNP型三极管,1.结构示意图,2.符号,NPN 型三极管结构图,三极管能具有放大作用的内部结构特点,（1）基区很薄（几m几十 m）,形成两个靠得很近的PN结

17、,且载流子浓度很低。,（2）发射区掺杂浓度很高。,（3）集电结的面积很大。,三极管能具有放大作用的外部条件:,（1）发射结正向偏置；,（2）集电结反向偏置。,对于NPN型三极管应满足:UBE 0UBC VB VE,对于PNP型三极管应满足:UEB 0UCB 0即 VC VB VE,晶体管的基本放大应用,输入回路,输出回路,有源器件,b偏置电阻,集电极负载电阻,共射(CE),VBB VCC偏置电源,ui要放大的小信号,uO放大后的输出,1.5.2 三极管的三种接法,一、共发射极(CE)接法,二、共集电极(CC)接法,三、共基极(CB)接法,不同的接法具有不同的电路特性，但管子的工作原理都是相同的

18、。,以NPN管共发射极接法为例，来说明电流放大的概念。,1.5.3 三极管的电流放大（控制）作用,一、电流放大的概念,VCCVBB,调节RB，观察IB、IC及IE的变化。,结论,（1）IB+IC=IE此结果符合KCL,（2）IC、IE比IB大得多。,（3）IB很小的变化可引起IC很大的变化，即IC受IB控制这就是三极管的电流控制作用。,PN结无外加电压时(平衡PN结),P区或N区的少子因达到动态平衡而称为平衡少子,PN结外加正向电压时,P区或N区的多子 扩散到对方而成为对方的非平衡少子,平衡少子:,非平衡少子:,本区本征激发的少子,另一区的多子扩散过来的,IE,IBN,ICN,N,P,N,二、

19、管内载流子的运动,VCC,RC,VBB,RB,ICBO,E,B,C,IB,IC,IE=ICN+IBN,电流关系：,定义：CE直流电流放大系数,此结果符合KCL,整理得到：,IB=IBN-ICBO,IC=ICN+ICBO,IE=IC+IB,基极开路时集电极与发射极间的穿透电流,发射区的多子扩散,记住：,定义：CE交流电流放大系数,一般认为：,定义：CB直流电流放大系数,整理得到：,定义：CB交流电流放大系数,一般认为：,发射极开路时集电结的反向饱和电流,e区的多子扩散而导电,c区和b区的平衡少子飘移而导电：,IE=ICN+IBN,ICBO,双极性晶体管,1.5.4 三极管的特性曲线(CE),三极

20、管的特性曲线是其各极电压和电流之间关系的曲线。从使用三极管的角度来说，了解其特性曲线比了解其内部载流子运动显得更为重要。,iC,uCE,uBE,iB,双端口网络,一、三极管的输入特性,1.5.4 三极管的特性曲线(CE),UCE=0时：,UCE 0V时，曲线右移，UCE 1V后，曲线几乎重合。一般用UCE V的任一曲线,与二极管正向特性相似,由上述分析可知：三极管输入特性也有一段死区。在正常工作下，NPN型硅管uBE=0.0.8V；PNP型硅管uBE=-0.8-0.6V。,?,饱和区:发射结、集电结均正向偏置,截止区:发射结、集电结均反向偏置,放大区:发射结正向偏置；集电结反向偏置,iB,iC

21、,Q,二、三极管的输出特性,NPN,饱和区iC明显随uCE增大而增大 ic UON,uCE=uBE（uCEUCES)（uCE 0),截止区 iB=0、iC0的曲线下方。NPN:uBE=UON,uCE uBE,放大区曲线平行等距iC近似平行于uCE轴CCCSic iI IBNPN:uBEUON,uCE uBE,1.5.5 三极管的主要参数,一、直流参数,1.共射直流电流放大系数,2.共基直流电流放大系数,(1)发射极开路时集电结的反向饱和电流ICBO。,3.极间反向电流,一般小功率硅管ICBO为nA级，而锗管为几A几十A。,(2)基极开路时集电结与发射结间的穿透电流ICEO。,ICEO=（1+）

22、ICBO,ICBO、ICEO受稳度的影响很大，实际工作中其值愈小，性能愈稳定。,忽略ICBO,二、交流参数,2.共基交流电流放大系数,1.共射交流电流放大系数,一般可以认为：iC等距平行于uCE轴即可以表示在加上，可以认为：,五、温度对晶体管特性的影响,温度增加，会导致 ICBO、IB 增大。,温度对晶体管输入特性的影响,图1.3.9 温度对晶体管输出特性的影响,三极管特性容易受温度影响,温度增加，会导致IC增大。,温度增加，会导致,增大。,总结,1.4、双极型晶体管,放大条件,结构上E重掺杂、B薄且掺杂低、C面积大；外电源使Je正偏、Jc反偏。,电流关系,iC iB iE=iC+iB,三极管

23、(NPN)的特性曲线,Je和Jc均正偏，uCE很小，ce间近似短路。,Je正偏、Jc反偏，iC=iB，T相当CCCS。,Je和Jc均反偏，ic很小，ce间近似开路。,二极管的特性曲线,二极管的直流模型,+uD,D,作业:1.15(1.9),1.16(1.10),1.19(1.12),2、晶体管的等效模型,（1）晶体管直流模型,前提:Q点在放大区,UD,IBQ,（1）晶体管直流模型,RC,Rb,20V,VCC,VBB,直流电压和交流信号同时作用下,三极管在小信号(微变量)情况下工作时，可以在静态工作点附近的小范围内用直线段近似地代替三极管的特性曲线，三极管就可以用线性二端口网络来等效代替。,(2

24、)三极管的交流(微变)等效电路,ube=h11ib+h12uce,ic=h21ib+h22uce,在小信号下,H参数等效模型,ube=h11ib+h12uce,ic=h21ib+h22uce,h11=ube/ib|uce=0=rbe,h21=ic/ib|uce=0=,h12=ube/uce|ib=00,h22=ic/uce|ib=0=1/rce 0,Q,Q,rbe称三极管的输入电阻,rbb称为基区的体电阻，对于小功率管，一般为100500。,三极管的微变等效电路,ube=rbeib+h12uce,ic=ib+uce,三极管简化的微变等效电路,三极管的微变等效电路只能用来分析放大电路变化量之间的

25、关系,rce,1,线性化,如ce端所接 很大,不能忽略,（1）晶体管直流模型,(2)三极管的交流(微变)等效电路,放大区,交流模型只能求解交流量直流模型只能求解直流量,H参数在静态工作点附近定义的，只适合于交流小信号,（大小和方向）从属于,NPN和PNP具有相同的H参数交流模型,1.6 场效应管(单极型三极管),本节要介绍的场效应管是依靠一种极性的载流子(多子)飘移参与导电，所以称单极型三极管。又因为它是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的，所以又称场效应管。它是电压控制电流源(VCCS)器件。它的输入阻抗高,1.6.1 场效应管FET(Field Effect Transistor)的

26、类型,按其结构,绝缘栅型,结型,按其工作状态,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,1.6.2 结型场效应管(耗尽型),一、结构示意图（以N沟道为例）,两个PN结夹着一个N沟道。三个电极：G：栅极 Gate D：漏极 Drain S：源极 Source,结构和符号（以N沟道为例）,二、结型场效应管的工作原理,1.栅源电压对沟道的控制作用,在栅源间加负电压VGG=0，令uDS=0,(2)当uGS时，PN结反偏，导电沟道变窄，沟道电阻增大。,(3)当uGS增加到一定值时，沟道完全合拢。沟道电阻无穷大,夹断电压UGS(off)使导电沟道完全合拢（消失）所需要的栅源电压uGS。,(1)当uG

27、S=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。沟道电阻最小,UGS(off)0,2.漏源电压对沟道的影响作用,(1)当VDD=0时，iD=0。,(2)VDDiD 靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔(xie-)形分布。,(3)当VDD，使uGD=uG S uDS=UGS(off)时，在靠漏极处夹断预夹断。,预夹断前:VDDiD。预夹断后:VDDiD 几乎不变。,(4)VDD再，夹断点下移。,在漏源间加电压VDD=0，令uGS=0由于uGS=0，所以导电沟道最宽。,图1.4.4 UGS(off)0的情况,预夹断,预夹断前,预夹断后,恒流区,可变电阻区,沟道电阻受uGS控制,（1）输出特性曲线：iD=f

28、（uDS）UGS=常数,3.结型场效应三极管的特性曲线,饱和区内：iD/uGS 常数=gm gm 低频跨导,可变电阻区：预夹断前。,饱和区（恒流区）：预夹断后。,夹断区（截止区）。,即：iD=gm uGS 放大原理,（2）转移特性曲线：iD=f（uGS）UDS=常数,UGS（off）,饱和漏极电流IDSS,（UGS（off）uGS0）N 沟道,UDS=10V,只在恒流区内,只适合于恒流区内,IDSS:uGS=0时的iD,直流模型,1.6.3 绝缘栅场效应管(MOS管),符号,1.结构和符号,一、增强型绝缘栅场效应管（以N沟道为例）,G(Metal)-SiO2,铝,结构示意图,耗尽层,S,G,D

29、,UDS,iD=0,D与S之间是两个PN结反向串联，无论D与S之间加什么极性的电压，漏极电流均接近于零。,2.工作原理,(1)uGS=0 时,图1.4.8 uDS 0时uGS对导电沟道的控制,P型硅衬底,N,+,+,B,S,G,D,。,耗尽层,栅极下P型半导体表面形成N型导电沟道，当D、S加上正向电压后可产生漏极电流iD。,(2)uGS UGS(th),N+,N+,UGS,图1.4.9 uGS为大于UGS(th)的某一值时 uDS对iD的影响,预夹断前,预夹断,预夹断后,可变电阻区,沟道电阻受uGS控制,恒流区,4,3,2,1,0,5,10,15,UGS=5V,6V,4V,3V,2V,iD/m

30、A,UDS=10V,增强型 NMOS 管的特性曲线,0,1,2,3,2,4,5,uGS/V,3.特性曲线,UGs(th),输出特性,转移特性,uDS/V,iD/mA,夹断区,IDO,IDO:uGS=2UGS(th)时的iD,（uGSUGS（th)0,N 沟道),1.结构特点和工作原理,符号,制造时，在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。,二、耗尽型绝缘栅场效应管（以N沟道为例）,4,3,2,1,0,4,8,12,UGS=1V,2V,3V,输出特性,转移特性,耗尽型NMOS管的特性曲线,1,2,3,0V,1,0,1,1,2,3,uGS/V,2.特性曲线,UGs(off),uDS/V,UDS=8V,

31、iD/mA,iD/mA,IDSS,N 沟道耗尽型,（UGS（off）uGS）,UGS（off)0 N 沟道耗尽型,栅源电压与栅极电流的比值，其值很高。,1.6.4 场效应管的主要参数,一、开启电压UGS(th),在一定的uDS下，开始出现漏极电流所需的栅源电压。它是增强型MOS管的参数，NMOS UGS(th)为正，PMOS UGS(th)为负。,二、夹断电压 UGS(off),在一定的uDS下，使漏极电流近似等于零时所需的栅源电压。它是耗尽型管的参数，N沟道 UGS(off)是负值，P沟道 UGS(off)是正值。,三、直流输入电阻 RGS(DC),四、饱和漏极电流DSS,五、D,耗尽型的参

32、数,增强型的参数,uGS=0时的iD,uGS=2UGS(th)时的iD,N沟道为正，P沟道为负。,N沟道为正，P沟道为负。,六、低频跨导 gm,UDS为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压的微变量之比称为低频跨导,即,低频跨导是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数。,交流参数,1.6.5 场效应管的直流等效模型,N 沟道耗尽型,N 沟道增强型,沟道耗尽型,沟道增强型,iD参考方向仍是从d到s,转移特性曲线,恒流区,iD是负值,点是特性曲线上的一点,N 沟道耗尽型,N 沟道增强型,条件:点在恒流区,沟道耗尽型,沟道增强型,IDQ参考方向仍是从d到s,1.6.5 场效应

33、管的低频小信号等效模型,场效应管在小信号(微变量)情况下工作时，可以在静态工作点附近的小范围内用直线段近似地代替场效应管的特性曲线，场效应管就可以用线性二端口网络来等效代替。,微变等效电路,简化的微变等效电路,（微变等效电路）,所有FET,图2.7.7 从特性曲线求gm和rds,N 沟道耗尽型,N 沟道增强型,求得：,求得：,沟道耗尽型：,沟道增强型：,iD参考方向仍是从d到s,沟道,N沟道耗尽型：,沟道,N沟道增强型：,1.6.5 双极型和单极型三极管的比较,iD参考方向仍是从d到s,图1.4.14 例 1.4.1 输出特性曲线,作业:1.21(1.13),1.23(1.15),1.24(1.16),