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1、注：本指南为个人在师兄师姐总结的基础上，更加的完 善，并加入了自己的思路和方法。复习指南（模电和数电+非线性）一、前言：1、需要准备的参考书目：谢嘉奎主编的电子线路（线性部分）（第四版） 电子线路（第四版）教学指导书 阎石主编的数字电子技术基础（第五版） 数字电子技术基础习题解答（阎石，王红编，高教出版社）注：如果复习时间充裕的话可另准备一本 谢嘉奎主编的电子线路（非线性部分）。其他 版本的如康华光的模电和数电最好不要用。2、模电和数电的基本知识点和考核重点要着重记忆 课后习题做两边以上，有些重点题目要重复多次做 真题做两遍以上3、真题最后一道大题30分，内容考查为非线性部分+NE555,这部
2、分我会总结一些 易考知识点，如果时间充裕，可以结合课本仔细的学习一下，但不用涉及计算，只需 理论即可。4、真题答案只作为参考，由于学校没有公布答案，答案多为自己以及前辈编写，有些只 提供计算思路和计算公式，没有详细的数字答案，务必亲自动手计算；5、整个复习指南分为三个部分：模电，数电，非线性；包括考核重点、易于被轻视的但 易考核的知识点以及重点习题；6、整个总结都是本人自己结合前辈和真题总结出来的，每个人自己都有自己的想法，一 定要找到适合自己的复习方法，要结合考试知识点并重点分析历年真题。7、2013年整个考试题模拟部分难度较前几年有所加大（个人感觉），模电部分考查了第 三章六类场效应管的基
3、本特性，第四章基本组态放大电路和差分放大电路，第六章集 成运放；数电部分考查了第四章组合逻辑电路，第六章时序逻辑电路分析，第十章 NE555组成的单稳态电路和多谐振荡器（两种电路的组合电路：多个555，其中一个为单稳态，一个为多谐振荡器)8、【电子线路(线性部分)】前三章不必太花时间看课本和做课后练习，只要找点那些易 考点就行了，重点在四、五、六章；【数电部分】第一、二章不是重点，都是基础知 识，稍微复习一下就行。重点是第三、四、五、六章和第十章的NE555详情请看淘宝链接：注：本指南为个人在师兄师姐总结的基础上，更加的完善，并加入了自己的思路和方法。第一部分模拟部分第一章二极管考核重点1、二
4、极管的单向导电性考题类型：1、判断二极管的导通状态【2012年考过】2、根据二极管导通状态，计算输出电压，画出输出波形曲线判断二极管是导通还是截止？(1) 、假设电路中二极管全部开路，分析二极管两端的电位。(2) 、理想二极管：若某管阳极电位大于阴极电位，则接上二极管后，该管导通；反之，二 极管截止.(3) 、实际二极管：若某管阳极电位与阴极电位之差大于钵通电压，则该管导通；反之，二 极管截止。当电路中存在多个二极管时，存在优先导通权，正偏电压最大的管子优先导通。将优先导通的二极管接入电路中，重新分析其他二极管的工作状态。参考例题：(指导书P10，例1-1 )，设二极管为理想器件，V1 =6
5、V，V2=9V，R3 =3K Q，试判断图a电路中二极管是导通还 是截止，并求vaO直。2、稳压电路课后习题1-13, 1-16；.Vi - Vz 思路分析：【d =Vz-R RL不能可靠的反向击穿；当因为Iz有最大最小值，所以当二极管电流IDIzmax时，会使稳压管烧坏;当Vi最小，RL最小，ID最小 当Vi最大，RL最大（开路），ID最大所考查的题目类型有：根据Iz的取值范围，再由关系式，在Vi，RL，R三个量中，固定其中的两个量，求其中另外一个量的取值范围参考例题：课本P31【例】3、小信号模型分析将电路的二极管用小信号电路模型代替信号等效电路分析电压或电流的变化量。分析步骤：（l）将直
6、流电源短路，画交流通路，（2）用小信号电路棋型代替二极管，画出小信号等效电路（3）利用小信号等效电路分析电压与电流的变化量参考例题：课本P31【例】、课后习题1-19。其他知识点：（不是重点）1、PN结的一些常用知识，例如正偏和反偏，齐纳击穿和雪崩击穿等等2、 记住这个公式I1 : i ./i J1 A .k 1了一I 心. E 扫、王后面分析问题会用到1课后习题：13、16、17、18、19、20第二章晶体三极管本章知识点：1、有些不会出考题但需要理解的，如IC，IB，IE的组成成分，载流子的流动过程等等；2、诵的关系，其中IC=aIE，Ic=BIb3、三极管的类型：共发射极，共基极，共集电
7、极，具体的小信号等效模型在第四章会考 查，这里不作为重点。4、三极管的三个工作区：饱和，截止，放大（重点考查）5、温度变化对参数的影响考查方法：1、根据管子的三个极点对地电压，判断三个极点的类型（e，b，c）以及管子的材料（硅 或者锗）【例】（a）（ b）（c）为三个三极管的三个管脚的对地直流电压，三级管都工作于放大 区。试分别分析三个管脚的编号（1、2、3）所对应的电极，画出三个三极管的符号，标出 三个管脚的编号（1、2、3），并指出三极管的材料。（9分）B-0.7v15e-.9v2.-0. 3va-5. 6v-Js-.0V36vS-.5. 3v!_!_&!_2、计算直流工作点，判断管子工作
8、在什么区域（饱和，截止或放大）；这个是结合第四章来考察3、温度变化的可以稍微看一下，见课本P53页最下面几段。本章课后习题可以不用看第三章 场效应管（容易被忽视，但易考查，2013年已在第一题考 过）注：近几年真题考查的场效应管要多于晶体三极管，所以场效应管的特性要很好的掌握本章知识点：1、六类场效应管（电路符号要会画） N型EMOSP型EMOSN型DMOSP型DMOSN型JFETP型JFETJLTT圈3-1场收应宅捋符停B（d PDXtOS增强型EMOS； 心血时，为道形成.耗炉型DMD&*疽。时，沟道已经存在 P海道PMOS2、工作特性: 详情请看淘宝链接:注：本指南为个人在师兄师姐总结的
9、基础上，更加的完善，并加入了自己的思路和方法。数字电子技术（阎石第五版）第一章：数制和码制1.1、1.2、1.3都是最基本的东西，迅速看过1叫反码，补码的概念一定要清晰，补码运算可以应用到电路设计中，有真题考过。1.5 | “8421BCD码”“余3码” “2421码” “5421码”“余3循环码”“格雷码”都要熟 记，这是个易忽略的重要点。格雷码的记忆方法：最低位按照“0 110”格式循环，次低位按照“00 11 11 00”来循 环，以此类推。2.22.32.42.52.62.7第二章：逻辑代数基础各类门的符号一定要记清楚，易忽略的就是异或和同或门只需记住基本公式即可，其他公式都可以推导出
10、来，真题中单纯的公式题近几年没出现过，个人觉得不大可能出现了，大家灵活掌握吧同2.3最大项，最小项，卡诺图，逻辑函数的变换（2.5.4节）也是基础的东西，一定要掌握 . .卡诺图的化简，一定要掌握知道约束项，任意项，无关项概念即可，以后可以结合具体的题目来理解，不是重点这两章的课后习题可以自己选几道，有目的的去练习一下即可第三章：门电路3.13.2.13.2.23.3.13.3.2随便看看同上-定要掌 （考点）二极管与门和二极管或门推导过程（二极管的导通和关断状态）握，真题曾经考过。CMOS门的一些基本特性，结合模电第三章，回顾一下。（重点）考查点：CMOS反相器的电路图，一定要会画；工作原理一定要掌握 电压电流传输特性（要理解），结合下图和课本P81页文字来理解，匕疽2匕D2 DD要注意，这个概念在以后分析某些电路稳态和瞬态是会用到* A6段：V VDD - Vgs（况）T导通，T截止n V = V = 021O OL* 段 Vgs（th ）/ 匕 4 = 。”十板？ = 4右.+._棚 板稳定后 1 l 如3、降压升压型变换器充电放电竺=；（-七凤=小板 = vo = yvi秘定后 ,土 I j4、另外的形式电床可升可降V，与现隔离可实既去路输出详情请上淘宝链接:10 / 10
