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1、1,第2章 半导体三极管放大电路基础,授课人：庄友谊,模拟电子技术,2,第2章 半导体三极管放大电路基础,2.1 三极管工作原理2.2 共射极放大电路2.3 图解分析法2.4 微变等效电路分析法2.5 工作点稳定的放大电路2.6 共集电极放大电路和共基极放大电路,3,2.1 三极管工作原理,BJT全称为双极型半导体三极管，内部有自由电子和空穴两种载流子参与导电。种类很多：有硅管和锗管，有高频管和低频管，有大、中、小功率管。,4,2.1.1 三极管的结构与符号：,基极,发射极,集电极,NPN型,PNP型,几微米至几十微米,5,发射结,集电结,6,基区：较薄，掺杂浓度低,集电区：面积较大,发射区：
2、掺杂浓度较高,7,为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是：a.发射结加正向电压(正向偏置):NPN管：Vbe0；PNP管：Vbe0,2.1.2 三极管放大的工作原理,8,RC,EB,RB,EC,进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成复合电流IBN，多数扩散到集电结,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射结电子扩散电流IEN,1、发射区向基区扩散其多数载流子：,2、载流子在基区的扩散与复合：,9,EB,RB,集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO,RC,EC,从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。,3、集电区收集载流子：,10,IB=
3、IEP+IBN-ICBOIBN,11,12,IE=IEN+IEP 且有IENIEP IEN=ICN+IBN 且有IEN IBN，ICNIBN,IC=ICN+ICBO,IB=IEP+IBNICBO,IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN=(ICN+ICBO)+(IBN+IEPICBO)IE=IC+IB,于是可得如下电流关系式:,13,ICN与IEN之比称为共基直流电流放大倍数,总结：要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏（外部条件）。且发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，基区很薄（内部条件）,ICN与IBN之比称为共射直流电流放大倍数,14,IC=ICN+ICBO,IE=IEP
4、+IENICN,15,16,共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;,共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。,共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；,三极管的三种组态,双极型三极管有三个电极，其中一个可以作为输入,一个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极，在放大电路中有三种接法，三种接法也称三种组态。,17,BJT在电压放大电路中的应用举例,其信号放大的原理如下：VEE+vi（vi=20mV）iE（iE=1mA）iC（iC=-0.98mA）vo=-iC*RL（vo=-iC*RL=0.981=0.98V）,vo/vi 增大倍数称为电压增益 Av=vo/vi=(0.9810
5、00/20)=49,18,2.1.3 三极管的V-I特性曲线,实验线路,一、共射极连接时的V-I特性曲线,19,1、输入特性：,工作压降：硅管UBE0.60.7V,锗管UBE0.20.3V。,死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。,20,2、输出特性,IC(mA),此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。,当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。,21,此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V称为饱和区。,22,此区域中:IB=0，IC=ICEO，UBE 死区电压，称为截止区。,23,输出特性三个区域的特点:,放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,
6、且 IC=IB,(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：VCEUBE，IBIC，硅管：VCE0.3V 锗管：VCE0.1V,(3)截止区：VBE 死区电压，IB=0，IC=ICEO 0,例：=50，USC=12V，RB=70k，RC=6k，当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？,当USB=-2V时：,IB=0，IC=0,IC最大饱和电流：,Q位于截止区,例：=50，USC=12V，RB=70k，RC=6k，当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？,IC ICmax(=2mA)，Q位于放大区。,USB=2V时：,USB=5V时:,例：=50，U
7、SC=12V，RB=70k，RC=6k，当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？,Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 倍的关系。,27,二、共基极连接时的V-I特性曲线,28,1、输入特性：,29,2、输出特性,此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。,饱和区,截止区,30,2.1.4 三极管的主要参数,共射直流电流放大倍数：,共射交流电流放大倍数：,1.电流放大系数：,共基直流电流放大倍数：,共基交流电流放大倍数：,31,例：UCE=6V时：IB=40 A,IC=1.5 mA；IB=60 A,IC=2.3 mA。,在以后的计算中，一般作近似处理：=,32,（1
8、）集-基极反向饱和电流ICBO,ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。,2、极间反向电流：,33,B,E,C,N,N,P,ICBO进入N区，形成IBE。,根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流IBE。,集电结反偏有ICBO,（2）集-射极反向饱和电流ICEO,ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。,34,（1）集电极最大电流ICM,集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。,（2）反向击穿电压,射-基反向极击穿电压U(BR)EBO：几伏集-基反向极击穿电
9、压U(BR)CBO：几十几百伏集-射反向击穿电压U(BR)CEO：介于两者之间,3、极限参数：,35,（3）集电极最大允许功耗PCM,集电极电流IC 流过三极管，所发出的焦耳 热为：,PC=ICUCE,必定导致结温上升，所以PC 有限制。,PCPCM,ICUCE=PCM,安全工作区,36,4、频率参数：,1.共发射极截止频率f：,2.共基极截止频率f：,3.特征截止频率fT：,|=0.707|max,|=0.707|max,|下降到1时对应的频率,f=（1+|max）f,fT|max f,37,国家标准对半导体三极管的命名如下:3 D G 110 B,第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅P
10、NP管、D硅NPN管,第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,半导体三极管的型号,例如：3AX31D、3DG123C、3DK100B,38,双极型三极管的参数,注：*为 f,39,2.1.5 温度对三极管参数及性能的影响,1、温度对BJT参数的影响：,温度对BJT的UBE、ICEO、U(BR)CBO和U(BR)CEO都有一定的影响,T,UBE,ICEO,U（BR）CBO,U（BR）CEO,40,2、温度对BJT特性曲线的影响：,温度升高，输入特性
11、曲线左移，说明在同样的iB下，UBE减小。,温度升高，、ICEO、ICBO都增大，即输出特性曲线上移。,41,电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。,电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表示，如图：,2.2 共射极放大电路,Au,包含有半导体器件,42,三极管放大电路有三种形式,共射放大器,共基放大器,共集放大器,43,放大元件iC=iB，工作在放大区，要保证集电结反偏，发射结正偏。,输入,输出,参考点,作用：使发射结正偏，并提供适当的静态工作点。,集电极电源，为电路提供能量。并保证集电结反偏。,2.2.1 单管共射放大电路,44,直流通道
12、和交流通道,放大电路中各点的电压或电流都是在静态直流上附加了小的交流信号。,但是，电容对交、直流的作用不同。如果电容容量足够大，可以认为它对交流不起作用，即对交流短路。而对直流可以看成开路，这样，交直流所走的通道是不同的。,交流通道：只考虑交流信号的分电路。直流通道：只考虑直流信号的分电路。信号的不同分量可以分别在不同的通道分析。,45,1、静态对直流信号（只考虑+VCC）,46,2、动态对交流信号(输入信号ui),ui,uo,耦合电容：电解电容，有极性。大小为10F50F,作用：隔离输入输出与电路直流的联系，同时能使信号顺利输入输出。,实际：,48,符号规定:,VA,大写字母、大写下标，表示
13、直流量。,vA,小写字母、大写下标，表示全量。,va,小写字母、小写下标，表示交流分量。,vA,va,全量,交流分量,t,VA直流分量,49,电路改进：采用单电源供电,54,直流通道,55,交流通路,56,放大器的性能指标：,1、电压放大倍数Au,Ui 和Uo 分别是输入和输出电压的有效值。,Au是复数，反映了输出和输入的幅值比与相位差。,57,2、输入电阻ri,放大电路一定要有前级（信号源）为其提供信号，那么就要从信号源取电流。输入电阻是衡量放大电路从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大，从其前级取得的电流越小，对前级的影响越小。,定义：,即：ri越大，Ii 就越小，ui就越接近uS,问题：
14、Au 和 Aus 的关系如何？,定义：,Aus称源电压放大倍数,59,3、输出电阻ro,放大电路对其负载而言，相当于信号源，我们可以将它等效为戴维南等效电路，这个戴维南等效电路的内阻就是输出电阻。,60,戴维南定理：,任何一个线性有源单口网络，可用一个电压源串联一个阻抗来代替，其电压源的电压等于该网络端口的开路电压，而等效阻抗则为全部独立源为零时从端口看进去的阻抗。,例：,61,如何确定电路的输出电阻ro？,步骤：,1.所有的电源置零(将独立源置零，保留受控源)。,2.加压求流法。,方法一：计算。,思考,62,方法二：测量。,1.测量开路电压。,2.测量接入负载后的输出电压。,步骤：,3.计算
15、。,63,4、通频带,通频带：,fbw=fHfL,放大倍数随频率变化曲线幅频特性曲线,64,2.3 图解法分析法,由于电源的存在IB0,IC0,IBQ,ICQ,IEQ=IBQ+ICQ,当放大电路没有输入信号(vi0)时，电路各点电压、电流都是直流，称为直流工作状态或静止状态，简称静态。,静态工作点的图解分析,65,IBQ,ICQ,(ICQ,UCEQ),(IBQ,UBEQ),66,(IBQ,UBEQ)和(ICQ,UCEQ)分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点（Q点）。,67,1近似估算Q点:,静态工作点的确定：,68,直流负载线,一般可认为:硅管UBEQ为0.7V，锗管为0.3V,
16、IBQ,2图解法确定Q点:,69,与输出特性的交点就是Q点,直流负载线,UCEIC满足什么关系？,1.三极管的输出特性。,2.UCE=VCCICRC。,直流负载线,IB,70,假设uBE有一微小的变化,uce与ui反相,2.3.2 动态工作情况的图解法分析：,1、RL=：,71,各点波形,72,交流负载线:,其中：,2、RL：,73,iC 和 uCE是全量，与交流量ic和uce有如下关系,所以：,这条直线通过Q点，称为交流负载线。,74,交流负载线的作法,IB,过Q点作一条直线，斜率为：,交流负载线,75,假设uBE有一微小的变化,uce与ui反相,直流负载线,交流负载线,76,图解法的步骤：
17、,1、确定静态工作点,2、画直流负载线,3、画交流负载线,4、作图：viiBiC、vCEvo,5、求放大倍数：,6、还可以确定最大不失真输出电压的幅度（动态范围）,77,实现放大的条件,1.晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结反偏。,2.正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。,3.输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。,4.输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容滤波只输出交流信号。,78,如何判断一个电路是否能实现放大？,3.晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结反偏。,4.正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。如果已给定电路的参数，则计算静态工作点来判
18、断；如果未给定电路的参数，则假定参数设置正确。,1.信号能否输入到放大电路中。,2.信号能否输出。,与实现放大的条件相对应，判断的过程如下：,79,2.3.3 静态工作点对波形失真的影响:,在放大电路中，输出信号应该成比例地放大输入信号（即线性放大）；如果两者不成比例，则输出信号不能反映输入信号的情况，放大电路产生非线性失真。,为了得到尽量大的输出信号，要把Q设置在交流负载线的中间部分。如果Q设置不合适，信号进入截止区或饱和区，则造成非线性失真。,下面将分析失真的原因。为简化分析，假设负载为空载(RL=)。,80,uo,可输出的最大不失真信号,选择静态工作点：,81,uo,1.Q点过低，信号进
19、入截止区：,放大电路产生截止失真,82,2.Q点过高，信号进入饱和区：,放大电路产生饱和失真,83,RC：,电路参数对Q点的影响：,Rb：,VCC：,一般情况下，常采用改变Rb的办法，来调节静态工作点。,Rb,IBQ,Q点下移（QQ1）。,RC,直流负载线的斜率 变大,（QQ2）。,交流负载线要看RL而定。,VCC变化，直流负载线发生平动，Q点变化情况比较复杂，在IB不变的情况下，VCC，QQ3,84,4、图解分析法的适用范围:,优点：直观、形象，特别是静态工作点的设置及失真情况分析。,缺点：仅能计算放大倍数，不能分析输入电阻、输出电阻、带宽等指标，也不适用频率较高的情况。,85,2.4交流小
20、信号微变等效电路分析法,又称小信号模型分析法，常用的h参数等效电路适用于分析低频小小信号交流电路的分析。,86,2.4.1 三极管的h参数及其等效电路,1、三极管的h参数等效电路的导出:,87,一般小功率管，H参数的数量级为:hie：103 hre：10-310-4 hfe：102 hoe：10-5S,可见，hre、hoe相对而言是很小的，对于低频放大电路，输入回路中hrevce比vbe小得多，而输出回路中负载电阻RC(或RL)比BJT输出电阻1hoe 小得多，所以常常可把hre和hoe忽略掉。,1/hoe 很大，一般忽略。,c,b,e,简化模型,89,（1）hfe：,hfe常记作,hfe(或
21、)：几十到几百,2、h参数的意义及确定:,90,（2）hoe：,hoe很小：(10-410-5)Srce很大：(101102)K,91,当信号很小时，将输入特性在小范围内近似线性。,uBE,在晶体管的简化模型里，对输入的小交流信号而言，三极管相当于电阻rbe。,rbe的量级从几百欧到几千欧。,hie常记作rbe,（3）hie：,92,（4）hre：,vBE,hre很小：10-310-4,93,2.4.2 用h参数小信号模型分析基本放大器,步骤：,1、画电路的交流通路。,2、画电路的h参数等效电路（包括晶体管和外电路）。,3、标出电压、电流的参考方向。,4、计算：电压放大倍数、输入电阻、输出电阻
22、、源电压放大倍数,例1：,94,解：,1、画电路的交流通路。,95,2、画电路的h参数等效电路（包括晶体管和外电路）。,3、标出电压、电流的参考方向。,96,4、计算：电压放大倍数、输入电阻、输出电阻 源电压放大倍数,97,特点：负载电阻越小，放大倍数越小。,98,电路的输入电阻越大，从信号源取得的电流越小，AVS越大,因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。,（1）静态分析：,例2：,解：,（2）动态分析：,102,2.5 工作点稳定的放大电路,为了保证放大电路的稳定工作，必须有合适的、稳定的静态工作点。但是，温度的变化严重影响静态工作点。,对于前面的电路（固定偏置电路）而言，静态工作点由UB
23、E、和ICEO 决定，这三个参数随温度而变化，温度对静态工作点的影响主要体现在这一方面。,T,UBE,ICEO,Q,103,温度变化对工作点的影响：,一、温度对UBE的影响:,104,二、温度对 值及ICEO的影响:,总的效果是：,105,小结：,固定偏置电路的Q点是不稳定的。Q点不稳定可能会导致静态工作点靠近饱和区或截止区，从而导致失真。为此，需要改进偏置电路，当温度升高、IC增加时，能够自动减少IB，从而抑制Q点的变化。保持Q点基本稳定。,常采用分压式偏置电路来稳定静态工作点。,106,一、静态分析：,RE射极直流负反馈电阻,CE 交流旁路电容,2.5.2 射极偏置电路：,107,本电路稳
24、压的过程实际是由于加了RE形成了负反馈过程,1.静态工作点稳定的原理,108,2.求静态工作点：,算法一：,上述四个方程联立，可求出IE，进而，可求出VCE。,本算法比较麻烦，通常采用下面介绍的算法二、三。,方框中部分用戴维南定理等效为：,进而，可求出IE、VCE。,算法二：,算法三：,IC与温度无关。,似乎I2越大越好，但是RB1、RB2太小，将增加损耗，降低输入电阻。因此一般取几十k。,只要：IR1=（510）IB VB=（510）VBE,可近似认为：,112,例：已知=50，VCC=12V，RB1=7.5k，RB2=2.5k，RC=2k，RE=1k，求该电路的静态工作点。,算法一、二的结
25、果：,算法三的结果：,结论：三种算法的结果近似相等，但算法三的计算过程要简单得多。,113,3.动态性能分析：,114,115,问题1：如果去掉CE，放大倍数怎样？,116,去掉 CE 后的交流通路和微变等效电路：,117,用加压求流法求输出电阻。,可见，去掉CE后，放大倍数减小、输出电阻不变，但输入电阻增大了。,118,问题2：如果电路如下图所示，如何分析？,119,解：静态分析：,直流通路,120,动态分析：,交流通路,交流通路：,微变等效电路：,123,含有双电源的射极偏置电路,+ui-,交流通路：,微变等效电路：,126,含有恒流源的射极偏置电路,127,2.6 共集电极放大器和共基极
26、放大器,2.6.1 共集电极放大电路：,128,一、静态分析：,129,二、动态分析：,130,131,1.电压放大倍数,132,1.,所以,但是，输出电流Ie增加了。,2.,输入输出同相，输出电压跟随输入电压，故称电压跟随器。,结论：,133,2.输入电阻,输入电阻较大，作为前一级的负载，对前一级的放大倍数影响较小且取得的信号大。,3.输出电阻：,用加压求流法求输出电阻。,135,一般：,所以：,射极输出器的输出电阻很小，带负载能力强。,所谓带负载能力强，是指当负载变化时，放大倍数基本不变。,136,例：已知射极输出器的参数如下：RB=570k，RE=5.6k，RL=5.6k，=100，VC
27、C=12V,求Au、ri和ro。设：RS=1 k，求：Aus、ri和ro。3.RL=1k时，求Au。,RB=570k，RE=5.6k，RL=5.6k，=100，VCC=12V,138,RB=570k，RE=5.6k，RL=5.6k，=100，VCC=12V,1.求Au、ri和ro。,rbe=2.9 k，RS=0,2.设：RS=1 k，求：Aus、ri和ro,RB=570k，RE=5.6k，RL=5.6k，=100，VCC=12V,rbe=2.9 k，RS=1K,140,RL=1k时,3.RL=1k和时，求Au。,比较：空载时,Au=0.995RL=5.6k时,Au=0.990RL=1k时,Au
28、=0.967,RL=时,可见：射极输出器带负载能力强。,141,射极输出器的使用,1.将射极输出器放在电路的首级，可以提高输入电阻。,2.将射极输出器放在电路的末级，可以降低输出电阻，提高带负载能力。,3.将射极输出器放在电路的两级之间，可以起到电路的匹配作用。,142,2.6.2 共基极放大器,一、静态分析：,二、动态分析：,146,1.电压放大倍数：,2.输入电阻：,147,3.输出电阻：,2.电路输入电阻小。,1.电压放大倍数与共发射极电路一样，但为正值，表明输入输出同相。,结论：,3.频率响应好，常应用于频率特性高的场合。,148,2.6.3 BJT放大电路三种组态的比较,1.三种组态
29、的判别：,共射：信号从基极输入、从集电极输出。共集：信号从基极输入、从发射极输出。共基：信号从发射极输入、从集电极输出。,2.三种组态的特点及用途：,见p78表2-2,149,总结：放大电路的分析方法,放大电路分析,静态分析,动态分析,估算法,图解法,微变等效电路法,图解法,计算机仿真,150,（一）BJT的结构与工作原理:,基极,发射极,集电极,NPN型,PNP型,总 结,一、BJT的结构、原理与特性,151,内部结构：发射区：掺杂浓度较高 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的外部条件是：a.发射结加正向电压(正向偏置):NPN管：Vbe0
30、；PNP管：Vbe0 b.集电结加反向电压(反向偏置):NPN管：Vbc0；PNP管：Vbc0,2、载流子在基区的扩散与复合,3、集电区收集载流子,工作过程:,1、发射区向基区扩散其多数载流子,152,IE=IEN+IEP 且有IENIEP IEN=ICN+IBN 且有IEN IBN，ICNIBN,IC=ICN+ICBO,IB=IEP+IBNICBO,IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN=(ICN+ICBO)+(IBN+IEPICBO)IE=IC+IB,电流关系式:,153,（二）BJT的V-I特性曲线,1、输入特性：,工作压降：硅管UBE0.60.7V,锗管UBE0.20.3V。,死
31、区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。,154,2、输出特性,IC(mA),此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。,此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V称为饱和区。,此区域中:IB=0，IC=ICEO，UBE 死区电压，称为截止区。,155,输出特性三个区域的特点:,放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且 IC=IB,(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：VCEUBE，IBIC，硅管：VCE0.3V 锗管：VCE0.1V,(3)截止区：VBE 死区电压，IB=0，IC=ICEO 0,156,（三）BJT的主要参数,1.电流放大系数：、,2、极间反向电流：
32、,（1）集-基极反向饱和电流ICBO,（2）集-射极反向饱和电流ICEO,3、极限参数：,（1）集电极最大电流ICM,（2）反向击穿电压：,射-基反向极击穿电压U(BR)EBO集-基反向极击穿电压U(BR)CBO集-射反向击穿电压U(BR)CEO,（3）集电极最大允许功耗PCM,4、频率参数：,157,（四）温度对BJT参数及性能的影响,T,UBE,ICEO,U（BR）CBO,U（BR）CEO,158,二、放大电路的组成及分析计算,共射放大器、共集放大器、共基放大器,直流通道：提供放大的条件（静态）。交流通道：进行交流信号的放大（动态）。,放大器的性能指标：电压放大倍数、输入电阻ri、输出电阻
33、ro、通频带,（一）常用放大电路：,159,（二）放大器的分析方法,A、图解法分析法：,（1）近似估算Q点:,1、静态工作点的图解分析：,160,直流负载线,一般可认为:硅管UBEQ为0.7V，锗管为0.3V,IBQ,（2）图解法确定Q点:,161,2、动态工作情况的图解法分析：,图解法的步骤：,1、确定静态工作点,2、画直流负载线,3、画交流负载线,4、作图：viiBiC、vCEvo,5、求放大倍数：,162,假设uBE有一微小的变化,uce与ui反相,直流负载线,交流负载线,163,3、静态工作点对波形失真的影响:,（1）Q点过低，信号进入截止区：产生截止失真,（2）Q点过高，信号进入饱和
34、区：产生饱和失真,放大器的动态范围,164,RC：,电路参数对Q点的影响：,Rb：,VCC：,一般情况下，常采用改变Rb的办法，来调节静态工作点。,Rb,IBQ,Q点下移（QQ1）。,RC,直流负载线的斜率 变大,（QQ2）。,交流负载线要看RL而定。,VCC变化，直流负载线发生平动，Q点变化情况比较复杂，在IB不变的情况下，VCC，QQ3,165,B、小信号模型分析法,1、BJT的h参数及其等效电路：,166,2、用h参数小信号模型分析基本放大器,步骤：,1、画电路的交流通路。,2、画电路的h参数等效电路（包括晶体管和外电路）。,3、标出电压、电流的参考方向。,4、计算：电压放大倍数、输入电
35、阻、输出电阻、源电压放大倍数,167,静态：,动态：,h参数等效电路：,168,静态：,动态：,h参数等效电路：,169,静态：,动态：,h参数等效电路：,170,静态：,动态：,h参数等效电路：,171,静态：,动态：,h参数等效电路：,172,耦合方式：阻容耦合；直接耦合；变压器耦合；光电耦合。,耦合：即信号的传送方式。,（三）多级放大器及其耦合方式,1、阻容耦合：,(1)由于电容的隔直作用，各级放大器的静态工作点相互独立，分别估算。,(2)不能传输直流及低频信号。,(3)后一级的输入电阻是前一级的交流负载电阻。,(4)总电压放大倍数=各级放大倍数的乘积。,(5)总输入电阻 ri 即为第一级的输入电阻ri1。,(6)总输出电阻即为最后一级的输出电阻。,173,2、直接耦合:,直接耦合可放大微弱的直流信号或变化缓慢的信号,零点漂移,多级放大器的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等的计算比较复杂,直流电平互相影响,问题：,差分放大器,温度漂移（温漂）,（四）放大电路的频率响应,1、共射电路的耦合电容是引起低频响应的主要原因,CE影响较大;三极管的结电容和分布电容是引起放大电路高频响应的主要原因,2.共基放大电路没有密勒电容，上限截止频率很高。,3.共集放大电路密勒电容小，上限截止频率也较高。,
