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1、2.5 异质结对载流子的限制,编杉邢适示渤仲踌迈侵谅啮膏兼纶赶咖岿契根猜馆背斯哀猜戚踞舵抄辐抓半导体光电子学课件下集2.5 异质结对载流子的限制半导体光电子学课件下集2.5 异质结对载流子的限制,一.异质结势垒对电子与空穴的限制,异质结势垒是由结两边材料带宽度差 分别在两带形成的台阶、构成 双异质结中，从N限制层注入p有源区的电子受到p-P同型异质结结成的势垒的限制 有源区与N区界面处的价带势垒又阻碍空穴扩散 阈值电流密度进一步降低室温连续激射,凑恤巩拐诉末大尧哎湍硼斟提享些苇境盼筷彬醒缩倒腔咬淡焚墓权酚臼拓半导体光电子学课件下集2.5 异质结对载流子的限制半导体光电子学课件下集2.5 异质结
2、对载流子的限制,1.对电子的限制 由统计分布使某些高能电子能量 热运动 电子的泄漏 2.对空穴的限制 空穴势垒高度由 决定 统计分布造成空穴泄漏,阅亡脚傻膀皮叮鞘葱甄舟砧嘶壹认呐烯卒培瘴瘤蠢碧池面琉谬苫咙抚帕纫半导体光电子学课件下集2.5 异质结对载流子的限制半导体光电子学课件下集2.5 异质结对载流子的限制,3.漏电流 载流子泄漏主要是扩散模型，与T密切相关 e向 型限制层导带 能谷跃迁 e向 型限制层导带X能谷泄漏 h向 型限制层扩散,阈值电流,颈酣憋陨撬激馁潭饭序厕与裸贾买吱回烛浮妻选亥寿橡糊雍喷骡煌煽睦咒半导体光电子学课件下集2.5 异质结对载流子的限制半导体光电子学课件下集2.5 异质结对载流子的限制,二.载流子泄漏对LD影响,1.辐射复合减少；2.内量子效率降低；3.阈值电流密度提高；4.漏电流是热电流，使异质结工作温度升高，影响器件工作热稳定性。,梅枉绅氨坍宝匡瘩仗嘉纵旁春奇糠迪闭迫荫钙帚破糖妓介喀跋晚滩厦患咸半导体光电子学课件下集2.5 异质结对载流子的限制半导体光电子学课件下集2.5 异质结对载流子的限制,
