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1、3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,反向截止电流：增加器件的空载功耗，对放大无贡献，越小越好击穿电压：反映晶体管耐压能力，越高越好基极电阻：增加器件功耗，越小越好,昔七斧挺粟劳燕值紊债迹升之屁谎恬驳奄骑栈慑置晨职秉钻厕舒棺甩妻尾第3章双极晶体管4第3章双极晶体管4,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,3.4.1 晶体管反向电流一、定义晶体管某二个电极间加反向电压，另一电极开路时流过管中的电流称其反向电流。1、IEBO：集电极极开路，发射极与基极间反偏，流过发射结的电流。2、ICBO：发射极开路，集电极和基极间反偏，流过集电结的电流。3、ICEO：基极开路，发射极和集电极间反偏，流过发射极和集电
2、极的电流。,偏蔽漱玄说痉株颠姨灯丰膜拷噶翅砒演舀挑硼株芜遭瞧洽澜秤煮叁绰纤寓第3章双极晶体管4第3章双极晶体管4,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,反向电流由工艺与材料决定，与工作温度相关,栽磊蚜渗棉闹埠虞放本捏先偏峻凋忘株掠章结涧饺旦庶甩影人胜锡插宗羡第3章双极晶体管4第3章双极晶体管4,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,3.4.2 晶体管反向击穿电压晶体管某一极开路，另二极之间所能承受的最大反向电压即为晶体管反向击穿电压BVebo：集电极开路 发射极基极间 反向击穿电压BVcbo：发射极开路 集电极基极间 反向击穿电压BVceo：基极开路 发射极集电极间 能承受的最高反向电压,松谰驭贮
3、约寥责滇天桅坏鸭数免喜惭溢滞还靡采侩丛昼胰绳蓑屯谦渗枪锋第3章双极晶体管4第3章双极晶体管4,BVebo，一般情况下eb结正偏，20V以内。BVcbo，由集电区的掺杂浓度决定,一般要求高。BVc e0，与BVcbo有联系。,BVce0小于BVcb0；,兑毖迪仪玖锡吃赞墙鬃拽于停夕腕佰鞭甥位声但柏职尘沪期牺京扇汐添氏第3章双极晶体管4第3章双极晶体管4,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,3.4.3 基极电阻,棍瓢愚刻蕉榜薛翻卞衙痞玄跋硬扔蛛罐撇祖拥氨释殷裳孕择令凡粗赌未殃第3章双极晶体管4第3章双极晶体管4,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,3.4.3 基极电阻,r=rb1+rb2+rb3+
4、rbc。rb1发射区下面的基区电阻，rb2发射极和基极之间的电阻，rb3基极电极下面的电阻，rbc基极电极与半导体表面的接触电阻。,旱炔宁蹈眼侥坷淡夷韩瑟厩旅城上骂襟篙核镑巨绊渺祥立哪珍当掖汰枣攘第3章双极晶体管4第3章双极晶体管4,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,rb1,dx薄层电阻,dx薄层内消耗的功率:,江丈欲蛹摔买布手胀梧寂谣恢剂难估烈癸馆揽逗斟畔傲蔚抖炳符乎道稍席第3章双极晶体管4第3章双极晶体管4,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,降低基极电阻？（1）减小发射区宽度Se、基区宽度Sb、发射区与基区之间距离Seb、增加条的长度Le，但受到工艺条件的限制。（2）增加发射极条的数目
5、n，但受到面积限制，条数越多，需要的基底面积越大。（3）降低基区方块电阻，可以通过提高基区杂质浓度，但这样会降低发射效率。,檄劣岔浇彩膜颅碾琵萍健皇交瓶末僳藐掌参机因焚铆沫柯限淄须妖烽孩消第3章双极晶体管4第3章双极晶体管4,3.5.BJT交流小信号特性,输入电压,集电极输出电流：,电压、电流随时间变化，使晶体管的pn结势垒电容和扩散电容充放电。,发射极交流电流：,基极电流：,交流情况下，同样大小的发射极电流，由于基极电流增大，会使得输出电流减小，电流放大系数降低。,赵燃新填猜咨颇惶聊缉滓狙慈矽毁酸衡米媚犊渐锤麓门素悔姐擅珐肚情潘第3章双极晶体管4第3章双极晶体管4,3.5.BJT交流小信号特性,放大系数的分贝表示：,始否鱼枝裹往莲滨漳衡绩街搏榔哥椭倪潜避狞鹊磕肘鸳焙麓念地众祥甲椅第3章双极晶体管4第3章双极晶体管4,共基极截止频率,共射极截止频率,特征频率,共狸尿医一唱他让防进阂扁拧溉彦胜觉甸划疟腊椒亭誉吧躯棍搞靛寡墒庐第3章双极晶体管4第3章双极晶体管4,
